FR2382074A1 - Procede d'ecriture dans un transistor de memorisation comprenant une double couche dielectrique de porte - Google Patents
Procede d'ecriture dans un transistor de memorisation comprenant une double couche dielectrique de porteInfo
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- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0466—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells with charge storage in an insulating layer, e.g. metal-nitride-oxide-silicon [MNOS], silicon-oxide-nitride-oxide-silicon [SONOS]
Abstract
La présente invention concerne un procédé d'écriture dans un transistor de mémorisation comprenant une double couche diélectrique de porte. Ce procédé s'applique à un transistor de mémorisation comprenant un substrat 2, une zone de source 3, une zone de drain 4, une couche d'oxyde 5 et une couche de nitrure 6. Outre l'application classique d'une tension d'écriture entre l'électrode de porte 1 et le substrat 2, la présente invention prévoit l'application d'un potentiel de même polarité entre l'électrode de source 7 et le substrat 2. Application à l'augmentation de la rapidité d'écriture dans des transistors de mémorisation.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19772708101 DE2708101A1 (de) | 1977-02-25 | 1977-02-25 | Verfahren zum schreiben eines speichertransistors mit gate-isolierdoppelschicht |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2382074A1 true FR2382074A1 (fr) | 1978-09-22 |
Family
ID=6002106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR7805312A Pending FR2382074A1 (fr) | 1977-02-25 | 1978-02-24 | Procede d'ecriture dans un transistor de memorisation comprenant une double couche dielectrique de porte |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS53106583A (fr) |
| DE (1) | DE2708101A1 (fr) |
| FR (1) | FR2382074A1 (fr) |
| GB (1) | GB1545880A (fr) |
| IT (1) | IT1092733B (fr) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4456978A (en) * | 1980-02-12 | 1984-06-26 | General Instrument Corp. | Electrically alterable read only memory semiconductor device made by low pressure chemical vapor deposition process |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2232765A1 (de) * | 1971-07-06 | 1973-01-18 | Ibm | Monolithisch integrierbare speicherzelle und verwendung derselben zum aufbau eines datenspeichers |
| US3882469A (en) * | 1971-11-30 | 1975-05-06 | Texas Instruments Inc | Non-volatile variable threshold memory cell |
-
1977
- 1977-02-25 DE DE19772708101 patent/DE2708101A1/de not_active Withdrawn
-
1978
- 1978-02-13 IT IT20203/78A patent/IT1092733B/it active
- 1978-02-21 GB GB6799/78A patent/GB1545880A/en not_active Expired
- 1978-02-24 JP JP2082678A patent/JPS53106583A/ja active Pending
- 1978-02-24 FR FR7805312A patent/FR2382074A1/fr active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2232765A1 (de) * | 1971-07-06 | 1973-01-18 | Ibm | Monolithisch integrierbare speicherzelle und verwendung derselben zum aufbau eines datenspeichers |
| US3882469A (en) * | 1971-11-30 | 1975-05-06 | Texas Instruments Inc | Non-volatile variable threshold memory cell |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| EXBK/74 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2708101A1 (de) | 1978-08-31 |
| JPS53106583A (en) | 1978-09-16 |
| IT1092733B (it) | 1985-07-12 |
| GB1545880A (en) | 1979-05-16 |
| IT7820203A0 (it) | 1978-02-13 |
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