DE2655455A1

DE2655455A1 - Strahlungsempfindliche lackstruktur und ihre verwendung

Info

Publication number: DE2655455A1
Application number: DE19762655455
Authority: DE
Inventors: Michael Hatzakis
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1975-12-10
Filing date: 1976-12-07
Publication date: 1977-06-16
Also published as: JPS5324786B2; US4024293A; CA1071455A; DE2655455C2; JPS5272176A; GB1514109A; FR2334980B1; FR2334980A1; IT1072618B

Description

Strahlungsempfindliche Lackstruktur und ihre Verwendung

Die Erfindung betrifft eine Lackstruktur mit mindestens zwei aus durch Bestrahlung chemisch abbaubaren Polymeren bestehenden Schichten auf einem Substrat und Verfahren zum Herstellen von Lackmasken* wobei von einer solchen Lackstruktur ausgegangen wird.

Die Bildung von Masken aus Positivlacken aus Schichten von Polymeren, welche durch Strahlung abgebaut (degraded) werden, ist beispielsweise in dem US-Patent 3 535 137 beschrieben. In den dort beschriebenen Verfahren, wird eine Schicht aus einem Polymer, welches durch Strahlung abgebaut wird, auf ein Substrat aufgebracht und anschließend gemäß einem vorgegebenen Muster mit Hochenergiestrahlung, wie z.B. Röntgenstrahlung, Kernstrahlung oder Elektronenstrahlung bestrahlt. Die bestrahlten Bereiche der Polymeren erleiden eine Abnahme des Molekulargewichts und werden dadurch lös- ! licher. Ein Entwickler wird dann angewandt, um die bestrahlten ' Bereiche der Schicht bevorzugt zu entfernen. Das Substrat kann j dann einem additiven oder subtraktiyen Verfahrensschritt, wie | z.B. einer Metallisierung oder einem Ätzschritt, unterworfen wer- I

den, wobei die verbliebenen Bereiche der Lackschicht das Substrat, soweit sie es bedecken, vor dem Bearbeitetwerden schützen.

Bei der Bildung von integrierten Schaltkreisen oder Belichtungsmasken wird oft ein Abheb-Verfahren (lift-off process) angewandt, bei welchem zuerst eine Reliefschicht aus Lack, welche ein vorgegebenes Muster wiedergibt, auf dem Substrat gebildet wird. Eine Materialschicht, wie z.B. ein Metall, welches bei integrierten

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!Schaltungen für die Bildung der Verbindungsleitungen dient oder iein undurchsichtiges maskierendes Material für die Herstellung !von Masken, wird auf die Lackschicht und auf die freiliegenden Bereiche des Substrats aufgebracht. Die Lackschicht wird dann abgelöst und nimmt das auf ihr liegende Material mit sich, so daß nur das ; !Muster aus dem Material, welches direkten Kontakt mit dem Substrat hat, übrig bleibt. Solch ein Verfahren ist beispielsweise in dem Artikel von M. Hatzakis, "Electron Resists for Micro Circuit and Mask Production", Journal of the Electros chemical Society, Band 116, Nr. 7, Seiten 1033 ff., Juli 1969 und in einem Artikel von M. Hatzakis und A. Broers, in Record of the Eleventh Symposium on Electron, Ion and Laser Beam Technology, Seiten 337 ff. beschrieben.

Das beschriebene Verfahren nützt das natürliche Hinterschneiden (undercutting) des Lacks während der Hochenergiebestrahlung aus, welches die Wirkung hat, daß in dem entwickelten Lackmuster die öffnungen unten weiter sind als oben. Dieses Lackprofil hilft mit, Unterbrechungen zwischen dem aufgebrachten Material, welches sich auf der Substratoberfläche befindet, und zwischen dem aufgebrachten Material, welches den Lack bedeckt, herzustellen. Diese Unterbrechungen werden benötigt, um es der den Photolack lösenden Lösung zu ermöglichen, den nicht belichteten Photolack anzugreifen und ihn zusammen mit dem auf ihm liegenden Material zu entfernen.

Die bei dem Metal1-Abheb-Verfahren benötigte Lackschichtdicke muß beispielsweise so groß sein, daß mindestens ein Verhältnis von 1,5: 1 zwischen der Lackschichtdicke und der Metalldicke gegeben ist, um eine überbrückung mit Metall zwischen den Metallbereichen auf dem Substrat und den Metallbereichen, welche den Lack bedecken, zu verhindern. Deshalb muß der Verlust an nicht belichtetem Lack während des Entwickeins begrenzt werden. Dies kann erreicht werden, durch Erhöhung der Belichtungszeit, weil dadurch ein größerer Molekulargewichtsunterschied zwischen dem belichteten und dem nicht belichteten Lack erzeugt wird. Dies hat jedoch die Folge, daß der Belichtungsprozeß verlangsamt wird.

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Ein anderer Faktor, der beim Einsatz von Hochenergiebestrahlung zum Belichten von Lackschichten eine Rolle spielt, ist die Tatsache, daß es einige Vorteile gibt, die für den Gebrauch von beispielsweise Strahlen mit zunehmender Energie, welche beispielsweise mit Energien zwischen 10 und 50 kV betrieben werden, sprechen. Die Vorteile sind die Abnahme der Einschreibzeit in den Lack,

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weil höhere Amperezahlen pro cm mit der Elektronenkanone erzeugt werden können, und daß die Strahlen mit höherer Energie größere Ruckstreuelektronensignale geben, was die Registrierung und Beobachtung erleichtert. Es ist jedoch festgestellt worden, daß bei einer gegebenen Lackschichtdicke mit zunehmender Strahlenergie immer weniger Elektronenstreuung und damit immer weniger Hinterschneidung des Lacks erzeugt wird, so daß unmäßig lange Belichtungszeiten notwendig wären, um das gewünschte hintergeschnittene Profil allein durch die Belichtung zu erhalten.

Ein Verfahren, um das metallurgische Abhebverfahren zu verbessern, ist in der Offenlegungsschrift 2 4 51 902 beschrieben. In der Anmeldung wird die Benutzung von zwei oder mehr Lackschichten gelehrt, wobei die Lackschichten unterschiedliche Lösungsgeschwindigkeiten haben. Die Schichten können aus denselben oder aus unterschiedlichen Polymermaterialien bestehen. Die unterschiedlichen Lösungsgeschwindigkeiten können darauf zurückzuführen sein, daß die Polymere unterschiedliche Molekulargewichte oder unterschiedliche Taktizitäten haben. Die in den genannten Verfahren benutzten beschichteten Materialien können im selben Lösungsmittel gelöst werden. Dieses Verfahren bringt jedoch keine ausreichende Verbesserung der Lackempfindlichkeit, um den Abhebprozeß bei Belichtungen

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unter 2 · 10 Coulomb/cm zuzulassen. Bei Belichtungen, welche

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niedriger sind als 2 · 10 Coulomb/cm ist die erforderliche Entwicklungszeit so lang, daß eine nots Hinterschneidung der Lackkombination nicht erreicht werden kann. Obwohl die Lösungs»· geschwindigkeit der zwei oder mehr Lackfilme bei diesem Verfahren unterschiedlich ist, hat der oberste Lack doch eine endliche Entwicklungsgeschwindigkeit, welche dazu führt, daß die Öffnungen in dem oberen Film sich erweitern, und dadurch

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die Hinterschneidung zerstören, wenn die Gesamtentwicklungszeit ',

lang ist. ,

Eine der Begrenzungen eines mit hoher Geschwindigkeit arbeitenden Elektronenstrahlfabrikationssystems ist die Geschwindigkeit» mit · der der Lack abgebaut wird (resist speed), was besonders für eine i Abhebmetallisierung wichtig ist, bei der eine Belichtung mit hoher j

Intensität erforderlich ist, um eine gewisse Hinterschneidung in dem entwickelten Lackprofil zu gewährleisten. Alle bisher bekann- j ten Lacksysteme benötigen für ein befriedigendes Arbeiten eine Be- j

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lichtung mit mindestens 2 · 10 Coulomb/cm . I

Es ist die Aufgabe der Erfindung, eine gegenüber Hochenergiestrahlung empfindliche Lackstruktur und ein Verfahren anzugeben, mit dem ausgehend von dieser Lackstruktur und aufgrund deren günstiger Eigenschaften Lackmasken hergestellt werden können, in welchen die herausentwickelten Bereiche unten weiter sind als oben, welche eine Auflösung von mindestens 0,5 >um aufweisen, bei denen die Dicke der nicht bestrahlten Bereiche beim Herstellen nicht unter einen festgelegten Wert abs:
Ätzmaskierung zu dienen vermögen.

unter einen festgelegten Wert absinkt und die als zuverlässige j

Diese Aufgabe wird mit einer Lackstruktur der eingangs genannten Art mit den Merkmalen des kennzeichnenden Teils des Anspruchs 1 und mit einem Verfahren der eingangs genannten Art mit den Merkmalen des kennzeichnenden Teils des Anspruchs 11 gelöst.

Die günstigen Eigenschaften der erfindungsgemäßen Lackstrukturen, auf welche in der Beschreibung noch im einzelnen eingegangen wird, machen sie als Ausgangsstruktur für die Herstellung von Masken geeignet, die gleichermaßen beim Ätzen und beim Abheb-Verfahren ausgezeichnete Dienste leisten. Aus der erfindungsgemäßen Lack- \ Struktur lassen sich insbesondere Masken herstellen, die bei der > Herstellung von besonders hochintegrierten und mikrominiaturisierten, intergrierten Schaltungen Anwendung finden können.

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Es ist vorteilhaft, wenn die Schichten aus Polymeren bestehen, j von deren zugrundeliegenden Monomeren mindestens eines in allen i Schichten vorhanden ist. Dadurch wird eine gute Haftung der Schichten untereinander gefördert. Eine günstige Struktur, die diese Vor-* aussetzung erfüllt, liegt vor, wenn eine Schicht aus Polymethyl- ' methacrylat (PMMA) und eine andere aus einem Copolymer aus PMMA und Methacrylsäure (MAS) besteht. Zur Belichtung einer solchen Schichtstruktur genügen geringe Strahlintensitäten was die Belichtungszeit vermindert, und außerdem ist eine solche Lackstruktur j durch eine kurze Entwicklungszeit ausgezeichnet.

Es ist günstig, wenn das erwähnte Copolymer zwischen etwa 5 und etwa 60 % MAS enthält, wobei ein Gehalt von etwa 24 % MAS besonders vorteilhaft ist. %-Angaben beziehen sich - sofern nichts , anderes angegeben ist - immer auf Gewichtsmengen.

Günstige Molekulargewichte (M ) des Copolymers und des PMMA liegen Zwischen etwa 20,000 und etwa einer Million wobei sich als besonders vorteilhaft Molekulargewichte (M ) des Copolymers von

Vr

etwa 642.000 und des PMMA von etwa 494.000 erwiesen haben.

Es kann auch vorteilhaft sein, wenn die Struktur aus Schichten aufgebaut ist, welche aus PMMA und MAS zusammengesetzten Copolyineren bestehen. Dabei ist es günstig, wenn ein Copolymer etwa 76 % und ein anderes etwa 95 % PMMA enthalten.

kur Erzielung einer möglichst guten Haftung und einer möglichst {juten Ätzcharakteristik ist es vorteilhaft, wenn jeweils dasjenige der oben genannten Copolymeren, welches am wenigsten PMMA enthält Üie unterste Schicht der Lackstruktur bildet. Es sei jedoch klargestellt, daß es - wenn besondere Umstände dies nahelegen - es auch durchaus möglich ist, die Reihenfolge der Schichten umzukehren.

Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich in besonders vorteilhafter Weise durchführen, wenn von einer Lackstruktur ausgegangen wird, deren Schichten aus PMMA und/oder Copolymeren aus PMMA und MAS

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bestehen. Es kann dann mit der sehr geringen Ladungsdichte von 2 5 · 10 Coulomb/cm bei einer angelegi etwa 10 und etwa 30 kV bestrahlt werden.

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\Z 5 · 10 Coulomb/cm bei einer angelegten Spannung zwischen

Bei der Verwendung dieser Schichtmaterialien bieten sich in vorteilhafter Weise im Handel in reiner Form und preisgünstig erhältliche Lösungsmittel als Entwickler an. Als Entwickler für die PMMA-reichste Schicht, welche das Copolymer mit einem relativ großen MAS-Gehalt nicht in nennenswerter Weise angreifen, lassen sich günstig trockenes Methylisobutylketon oder Chlorbenzol und für die PMMA-armen Schichten eine Mischung aus Äthylcellosolveazetat und Äthylalkohol bevorzugt im Volumteile-Verhältnis 1 : 5 oder eine Mischung aus Äthylcellosolve und Wasser bevorzugt im Volumteile-Verhältnis 9 : 1 verwenden, wobei die Mischungen die PMMA-reichen Schichten nicht in nennenswertem Umfang angreifen.

In vorteilhafter Weise werden zum Spülen im Handel in jeder beliebigen Reinheit erhältliche Alkohole wie z.B. Äthylalkohol oder Isopropylalkoho1 verwendet.

Die Erfindung wird anhsjad von Ausführungsbeispielen beschrieben.

Für die Erfindung sind solche Lacke nützlich, welche abgebaut werden, wenn sie einer Bestrahlung mit Elektronen einer Ladungs-

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dichte j> 5 · 10 Coulomb/cm ausgesetzt werden, welche mindestens eine Auflösung von 0,5 um haben und bei denen keine Dickenschrumpfung der Hauptlackschicht eintritt. Der benutzte Lack enthält ein Copolymer von Polymethylmethacrylat (PMMA) und Methacrylsäure (MAS), welches ein Elektronenlack mit hohem Kontrast ist (high contrast electron resist). Bevorzugt wird dieser Lack als untere Schicht benutzt, weil seine Haftung und seine Ätz-Charakteristik derjenigen von reinem PMMA überlegen ist, aus welchem die zweite oder obere Schicht des Lacksystems besteht. Es sei aber klargestellt, daß die Reihenfolge der Schichten auch umgekehrt werden kann.

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Das Copolymer kann aus 40 bis 95 % PMMA und 5 bis 60 % MAA zusammengesetzt sein. Bevorzugt wird eine Zusammensetzung von 76 % PMMA und 24 % MAA. Das Copolymer kann ein Molekulargewicht zwischen etwa 20.000 und etwa einer Million haben. Beim Belichten mit

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5 · 10 bis 3 · 10 Coulomb/cm unter Anwendung einer Spannung zwischen 10 und 30 kV, ist der Copolymer-Lack nicht entwickelbar in nicht polaren Lösungsmitteln wie z.B. Methylisobutylketon oder Chlorbenzol. Er kann aber entwickelt werden in einer geeigneten Lösung wie z.B. Athylcellosolveazetat und Äthylalkohol.

Das benutzte PMMA hat ein Molekulargewicht zwischen etwa 20.000 und etwa einer Million. Es kann in geeigneten Lösungsmitteln wie z.B. trockenem Methylisobutylketon oder Chlorbenzol entwickelt werden. Es kann nicht in polaren Lösungsmitteln wie z.B. Äthylalkohol oder Isopropylalkohol entwickelt werden, wenn es mit 5 · 1O~⁶ bis 1O~
bestrahlt wurde.

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5 · 10 bis 10 Coulomb/cm bei Spannungen zwischen 10 und 30 kV

Es sei klargestellt, daß es ein Merkmal der vorliegenden Erfindung ist, daß jede Schicht des Lacks mit einem anderen Lösungsmittel entwickelt wird. Die Entwickler sind von der Art, daß der Entwickler für die eine Schicht die andere Schicht auch in den belichteten Bereichen nicht angreift. Dies verhindert Überentwicklung der einen Schicht, während die andere entwickelt wird und erlaubt es, eine viel höhere Auflösung zu erreichen als mit jedem anderen bekannten bisher vorgeschlagenen Lacksystem.

Die Lackschichtdicken, welche angewandt werden, liegen im allgemeinen in dem Bereich, welcher üblicherweise für Anwendungen der Lacke beim Ätzen und bei Äbhebeprozeßschritten (lift-off processing) benutzt werden. Die Enddicke der Lackschichten sollte mindestens so dick sein, daß eine übermäßige Anzahl von durchgehenden Löchern (pinholes) vermieden wird, und ausreichend dick für die Durchführung des Abhebeprozesses sein. Im allgemeinen wird die untere Schicht zwischen etwa 2.000 8 und etwa 20.000 8 dick

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sein. Die obere Schicht sollte mindestens so dick sein, daß j von ihr, was von ihrer Lösungsgeschwindigkeit in dem Entwickler abhängt, noch eine Schicht gewisser Dicke übrig ist, wenn die untere Schicht bis 2um Substrat hinunter entwickelt ist. Im allgemeinen wird die Dicke der oberen Schicht zwischen etwa 4.000 8. und etwa 10.000 S liegen.

Das Aufbringen der Lackschichten kann mittels bekannter Verfahren, wie z.B. durch Aufschleudern oder durch Eintauchen in Lösungen des Lacks erfolgen. Es ist günstig, die untere Schicht bei einer Temperatur oberhalb der Glasumwandlungstemperatur aber unterhalb ; des Zersetzungspunktes vorzubehandeln (prebake), um eine Auflösung der Schicht zu vermeiden, wenn die obere Schicht mittels Aufschleu-i dern aufgebracht wird. Auch die obere Schicht wird vor der Belichtung temperaturbehandelt.

Die Belichtung erfolgt mittels Hochenergiestrahlung, wie z.B. Röntgenstrahlung, Kernstrahlung, Elektronenstrahlung und ähnlichen Strahlungen. Bevorzugt wird eine Bestrahlungsmethode, bei der ein Elektronenstrahl bei Spannungen zwischen etwa 10 und 30 kV ■ solange angewandt wird, bis eine Dosis von etwa 5 bis etwa :

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30 · 10 Coulomb/cm eingestrahlt worden ist, wobei die genaue Dosis von der Empfindlichkeit der im Einzelfall angewandten Lack- [ struktur abhängt.

Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung noch näher erläutern, wobei aber klargestellt sei, daß die Anwendung der Erfindung nicht \

auf diese Beispiele beschränkt ist. ;

Beispiel 1

Eine 6.000 8 dicke Schicht eines 76/24 Copolymers aus 76/24 PMMA- ; MAS (M = 642.000 M = 298.000) wurde unter Aufgießen einer 7 Gew.-*· %igen Lösung des Copolymers in Äthylcellosolveazetat auf ein SiIiciumplättchen aufgeschleudert. Der Lackfilm wurde bei einer Temperatur von etwa 200 ⁰C in Luft etwa 1 Stunde lang behandelt. Eine zweite Schicht aus PMMA (M = 459.000 M = 114.000) wurde unter

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Aufgießen einer 10 Gew.%igen Lösung des Polymers in Chlorbenzol auf die erste Lackschicht aufgeschleudert. Der PMMA-FiIm wurde dann einer Temperatur von etwa 160 ⁰C in Luft etwa 20 Minuten lang ausgesetzt. Der aus zwei Schichten bestehende Film wurde dann einer Ladungsdichte von 5 · 10 Coulomb/cm mittels eines Elektronenstrahls, welcher mit einer Energie von 25 kV betrieben wurde und einen Durchmesser von 0,1 ρ hatte, bestrahlt. Der Lack wurde dann in trockenem Methylisobutylketon entwickelt, bis das gewünschte Muster vollständig aus der oberen Lackschicht heraus entwickelt war, was je nach dem Molekulargewicht des PMMA 4 bis 40 Minuten· lang dauerte. Die Probe wurde dann in Äthylalkohol gespült und dann in einer zweiten Lösung, welche aus einem Volumteil Äthylcellosolveazetat und 5 Volumteilen Äthylalkohol bestand, etwa 4 Minuten lang entwickelt. Anschließend wurde mit Äthylalkohol gespült und dann getrocknet. Das entwickelte Muster hatte eine Auflösung von mindestens 0,5 um. Der Lack widerstand chemischem Ätzen sowohl mit basischen als auch mit sauren Ätzlösungen einschließlich den Ätzlösungen für Polysilicium, außerdem war die Lackstruktur gut verwendbar zum Abheben von überschüssigem Metall (metal lift-off).

In dem folgenden Beispiel 2 wurden zwei Copolymere mit unterschiedlicher Zusammensetzung benutzt. Dieses Beispiel wurde durchgeführt, um den breiten Anwendungsbereich der Erfindung zu zeigen, bei der auch andere polymere Materialien als die hier beschriebenen verwendet werden können, vorausgesetzt, daß sie mittels verschiedenen jeweils nur das eine aber nicht das andere der beiden Polymere angreifenden Entwicklern entwickelt werden können.

Beispiel 2

Ein Copolymer von 76/24 PMMA-MAS wurde 10.000 S dick durch Aufschleudern einer 7 Gew.%igen Lösung in Äthylcellosolveazetat auf Siliciumplättchen erzeugt und anschließend 30 Minuten lang einer Temperatur von 200 ⁰C ausgesetzt.

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Eine zweite Schicht eines 95/5 PMMk-MAS Copolymers (M =1/5 Millionen M = 500.000) wurde 8.000 8 dick mittels Aufschleudern einer 5 Gew.%igen Lösung in Athylcellosolveazetat auf der ersten Copolymerschicht erzeugt und dann 30 Minuten lang einer Temperatur von 200 ⁰C ausgesetzt. Die Proben wurden mit einer Strahlung von 2 * 10 Coulomb/cm welche bei einer Spannung von 20 kV betrieben wurde, bestrahlt und anschließend wie folgt entwickelt: Die obere Schicht wurde 30 Minuten lang in Methylisobutylketon bzw. bis ein klares Bild in der oberen Schicht vorhanden war, entwickelt. Die untere Schicht wurde in einer Mischung, welche 9 Volumteile Äthylcellosolve und ein Volumteil Wasser enthielt 8 Minuten lang bzw. bis ein klares Bild in der unteren Schicht vorhanden war, entwickelt. Nach dem Spülen mit Isopropanol und nach dem Trocknen wurde das Lacksystem erfolgreich benutzt, um im Abhebeverfahren die Metalliesierung (lift-off metallization) zu erzeugen. Nach dem Entwickeln hatte die obere Schicht noch eine Schichtdicke von 3.000 Ä.

Wie gezeigt wurde, stellt die Erfindung ein Lacksystem zur Verfügung, welches durch Elektronenstrahlenergien, welche 1 2 · 10

Coulomb/cm sind, abgebaut werden kann, das eine Auflösung von mindestens 0,5 um hat und bei dem keine Dickenverminderungen der Hauptlackschicht eintritt. Das Lacksystem kann wirkungsvoll·'zur Herstellung der Metallisierung/bei Abheb-Verfahrensschritten(- } (lift-off metallization) angewandt werden.

Die Anwendung der Erfindung ist nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann die Reihenfolge der zwei Lackschichten umgekehrt werden, so daß das PMMA als erste und das Copolymer als zweite Schicht aufgebracht wird. Dies kann bei bestimmten Anwendungen, welche eine höhere Temperaturstabilität der oberen Schicht erfordern, nützlich sein. Diese Umkehr beeinflußt nicht die günstigen Eigenschaften des Zwei-Schichten-Lacksystems, da die beiden Entwickler jeweils nur die eine, aber nicht die andere Schicht angreifen. Es ist auch möglich, mehr als zwei Lackschichten zu verwenden, wenn es wünschenswert ist, die Empfindlichkeit des Systems noch weiter zu erhöhen.

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Claims

PATENTANSPRÜCHE

1. j Lackstruktur mit mindestens zwei aus durch Bestrahlung

chemisch abbaubaren Polymeren bestehenden Schichten auf einem Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten aus chemisch so unterschiedlichen Materialien bestehen, daß jede Schicht entwickelt werden kann, ohne daß dabei die andere Schicht bzw. die anderen Schichten wesentlich angegriffen werden.

2. Lackstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten aus Polymeren bestehen, von deren zugrundeliegenden Monomeren mindestens eines in allen Schichten vorhanden ist.

3. Lackstruktur nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht aus Polymethymethacrylat (PMMA) und eine andere aus einem Copolymer aus PMMA und Methacrylsäure (MAS) besteht.

4. Lackstruktur nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Copolymer zwischen etwa 5 und etwa 60 % MAS enthält.

5. Lackstruktur nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Copolymer etwa 24 % MAS enthält.

6. Lackstruktur nach einem oder mehreren der Ansprüche

3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Copolymer und das PMMA Molekulargewichte (M ) zwischen etwa 20.000 und etwa einer Million haben.

7. Lackstruktur nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Copolymer ein Molekulargewicht (M^) von etwa 642.000 und das PMMA ein Molekulargewicht (M_w) von etwa 494.000 haben.

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8. Lackstruktur nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus Schichten aufgebaut ist, welche aus PMMA und MAS zusammengesetzten Copolymeren bestehen.

9. Lackstruktur nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein Copolymer etwa 76 % PMMA und ein anderes etwa 95 % PMMA enthalten.

10. Lackstruktur nach einem oder mehreren der Ansprüche 3 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils die am meisten PMMA enthaltende Schicht die obere Schicht bildet.

11. Verfahren zum Herstellen einer Lackmaske mit gewünschtem Muster, wobei von einer Lackstruktur nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10 ausgegangen wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Lackstruktur durch eine Maske, die das gewünschte Muster wiedergibt mit einer Strahlung festgelegte Energie und Intensität bestrahlt wird, daß dann beginnend mit der obersten Schicht der Reihe nach alle Schichten entwickelt werden und nach jedem Entwicklungsschritt gespült wird und daß am Schluß getrocknet wird.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß von einer Lackstruktur gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 3 bis 9 ausgegangen wird.

13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß mit einer Ladungsdichte von ^L 5 · 10 Coulomb/cm¹⁶ bei einer angelegten Spannung zwischen etwa 10 und etwa 30 kV belichtet wird.

14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die PMMA-reichste Schicht mit trockenem Methyl-

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isobutylketon oder Chlorbenzol und die PLMA-ärmste Schicht mit einer Mischung aus Athylcellosolveazetat xind Äthylalkohol oder einer Mischung aus Äthylcellosolve und Wasser entwickelt werden.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Volumteile-Verhältnis der Bestandteile in den Mischungen 1 : 5 bzw. 9 ; 1 beträgt.

16. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß zum Spülen Äthylalkohol oder Isopropy!alkohol verwendet wird.

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