DE2654493A1 - Verfahren zur erzeugung einer oxidschicht auf einem siliciumsubstrat - Google Patents

Verfahren zur erzeugung einer oxidschicht auf einem siliciumsubstrat

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DE2654493A1 DE19762654493 DE2654493A DE2654493A1 DE 2654493 A1 DE2654493 A1 DE 2654493A1 DE 19762654493 DE19762654493 DE 19762654493 DE 2654493 A DE2654493 A DE 2654493A DE 2654493 A1 DE2654493 A1 DE 2654493A1
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3142548A1 (de) * 1981-10-27 1983-05-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von oxidschichten auf aus silizium oder anderem oxidierbarem material bestehenden substratscheiben in extrem trockener sauerstoffatmosphaere bzw. in sauerstoffatmosphaere mit chlorwasserstoffgas-zusaetzen

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JPS5826661B2 (ja) 1983-06-04
NL7613392A (nl) 1977-06-03
JPS5267268A (en) 1977-06-03
CA1074630A (en) 1980-04-01

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