NL7613392A - Werkwijze voor de vorming van een oxydelaag op een siliciumsubstraat. - Google Patents

Werkwijze voor de vorming van een oxydelaag op een siliciumsubstraat.

Info

Publication number
NL7613392A
NL7613392A NL7613392A NL7613392A NL7613392A NL 7613392 A NL7613392 A NL 7613392A NL 7613392 A NL7613392 A NL 7613392A NL 7613392 A NL7613392 A NL 7613392A NL 7613392 A NL7613392 A NL 7613392A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
forming
oxide layer
silicone substrate
silicone
substrate
Prior art date
Application number
NL7613392A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of NL7613392A publication Critical patent/NL7613392A/xx

Links

Classifications

    • H10P14/6309—
    • H10P14/6322—
NL7613392A 1975-12-01 1976-12-01 Werkwijze voor de vorming van een oxydelaag op een siliciumsubstraat. NL7613392A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50143472A JPS5826661B2 (ja) 1975-12-01 1975-12-01 サンカマクノ ケイセイホウホウ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7613392A true NL7613392A (nl) 1977-06-03

Family

ID=15339483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7613392A NL7613392A (nl) 1975-12-01 1976-12-01 Werkwijze voor de vorming van een oxydelaag op een siliciumsubstraat.

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS5826661B2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
CA (1) CA1074630A (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE (1) DE2654493A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
FR (1) FR2334200A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
GB (1) GB1549256A (cg-RX-API-DMAC10.html)
NL (1) NL7613392A (cg-RX-API-DMAC10.html)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3142548A1 (de) * 1981-10-27 1983-05-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von oxidschichten auf aus silizium oder anderem oxidierbarem material bestehenden substratscheiben in extrem trockener sauerstoffatmosphaere bzw. in sauerstoffatmosphaere mit chlorwasserstoffgas-zusaetzen
CN111785612B (zh) * 2020-08-21 2022-05-17 中电晶华(天津)半导体材料有限公司 一种vdmos功率器件用二氧化硅层的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
FR2334200A1 (fr) 1977-07-01
GB1549256A (en) 1979-08-01
FR2334200B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1983-02-11
JPS5826661B2 (ja) 1983-06-04
JPS5267268A (en) 1977-06-03
DE2654493A1 (de) 1977-06-08
CA1074630A (en) 1980-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL176818C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL185690C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakdrukvorm.
NL183244C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elastisch vlies.
NL7710659A (nl) Werkwijze voor het vormen van een epitaxiale laag op het oppervlak van een substraat.
NL7613487A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een buig- zame lamellaire tussenlaag.
NL186427C (nl) Werkwijze voor het vormen van een elektrisch verwarmde glasplaat.
NL178088B (nl) Werkwijze voor het vormen van een hoogglanzende bekleding op een substraat.
NL7614578A (nl) Werkwijze voor het modificeren van polyvinylideen- fluoride.
NL186478C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7511898A (nl) Substraatdrager voor vacuumbekledingsinstallaties.
NL7602264A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een metaalbe- kleding op een metaalsubstraat.
NL174795C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een gedrukte schakeling.
NL7706107A (nl) Werkwijze voor het vormen van een geleiderpatroon op een isolerende laag.
NL7608923A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7609420A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half-geleiderinrichting.
NL188668C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7710742A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een mono- kristallijne laag op een onderlaag.
NL181156C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een metaaloxide varistor.
NL7613644A (nl) Werkwijze voor het plakken van een vezelig substraat op polyvinylideenfluoride.
NL174848C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een magnetische oxydefilm.
NL7505134A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7611057A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7710607A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een laag met een structuur op een substraat.
NL186208C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een snelle halfgeleider-gelijkrichter.
NL181243C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een commutator.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed