DE2645783C2

DE2645783C2 - Verfahren zur Herstellung von Chipwiderständen

Info

Publication number: DE2645783C2
Application number: DE19762645783
Authority: DE
Inventors: Edmund Dipl.-Phys. 8671 Schönwald Breitfelder; Dietrich Dipl.-Phys. Dr. 8672 Selb Hoeffgen
Original assignee: Draloric Electronic 8500 Nuernberg De GmbH
Current assignee: Draloric Electronic 8500 Nuernberg De GmbH
Priority date: 1976-10-09
Filing date: 1976-10-09
Publication date: 1983-06-23
Also published as: DE2645783A1

Description

a) ein Streifen (11) aus dem Isoliermaterial wird mit den zwei längsseitigen Schmalflächen durch zwei sich gegenüberliegende Rollen (6) transportiert und gleichzeitig mit den beiden Kontaktierungsfeldern (2) beschichtet;

b) die aufgebrachten Kontaktierungsfelder (2) werden getrocknet;

c) dann wird mit einer weiteren, auf der einen Hauptfläehe abrollenden Rolle (7) die Widerstandischicht(3) aufgetragen und getrocknet;

d) die Kontakücrungsfdder (2) und die Wäderstandsschicht (3) werden eingebrannt;

e) der Streifen (11) wird senkrecht zu seiner Längsrichtung in Einzelwiderstände (1) auseinandergeschnitten.

2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die mit der Widerstandsschicht (3) bedeckte Hauptfläehe des Streifens (11) mittels einer weiteren Rolle mit einer Schicht aus elektrisch isolierendem Material bedeckt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dab der Streifen (11) mit einer Mehrfachsäge mit gleicher Teilung in Einzelwiderstände (1) auseinandergeschninen wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Streifen (11) nach dem Messen des Gesamtwiderstandes der Widerstandsschicht (3) an genau definierten Stellen auseinandergeschnitten wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Feinabgleich in an sich bekannter Weise durch Abtrag von Teilen der Widerstandsschicht durchgeführt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Abtrag mittels Sandstrahles, mittels Schleifscheibe oder mittels Laserstrahles geschieht.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Chipwiderständen gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1.

Derartige Chipwiderstände sind bekannt und werden in Hybridschaltungen überall dort eingesetzt, wo nur ein beschränktes Raumangebot gegeben ist. Beispielsweise sind in »Electronics Engineers Master, eem, 1973, Band 3, Seite 1147 solche Chipwiclerstände beschrieben, bei denen die Kontaktierungsfelder und die Widerstandsschicht im Siebdruckverfahren auf den Trägerkörper aufgebracht werden. Die Kontaktierungsfelder sind bei diesen bekannten Chipwiderständen durch Tauchen jedes Trägerkörpers in eine Metallpaste verstärkt. Diese Tauchvorgänge sind jedoch sehr aufwendig und arbeitsintensiv.

Aus der DE-OS 2107 424 sind Verfahren zum Auftragen von mikrodünnen Kunststoffüberzügen auf eine dielektrische Grundschicht und ein nach diesen Verfahren hergestelltes Widerstandselement bekannt Beim Aufsprühverfahren kommen Schablonen zur Anwendung, während beim Auffließverfahren das Widerstandsschichtmaterial durch einen Schlitz stranggepreßt wird. Bei dem aus der DE-OS 2107 424 bekannten Aufstreichverfahren werden nebeneinander befindliche Streifenüberzüge, die ineinanoerfließen, mittels eines Auftragkopfes mit nebeneinanderliegenden Austragkammern flächig auf einen ebenen Trägerkörper aufgestrichen. Das aus dieser Druckschrift bekannte Verfahren eignet sich nicht zur Beschichtung

> 5 eines Trägerkörpers um die Längsschmalflächen herum. Außer dem Auftragkopf zur Mehrfachbeschichtung eines streifenförmigen Trägerkörpers sind dort auch Rollen bekannt die zum Trägerkörper so angeordnet sind, wie die erfindungsgemäßen. Jene Rollen dienen jedoch dort ausschließlich zum Transport der zu beschichtenden Trägerkörper.

Aus der DE-PS 4 99 606 ist eine Vorrichtung zum Aufbringen eines schraubenlinienförmigen Widerstandspfades auf die Mantelfläche eines zylinderförmigen Trägerkörpers bekannt Die Vorrichtung enthält eine Scheibe, die zur Mantelfläche des zylindrischen Trägerkörpers senkrecht steht und mit welcher der schraubenlinienförmige Widerstandspfad aufgebracht wird.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art so weiterzubilden, daß unter Vermeidung von Siebdruckvorgängen die beiden Kontaktierungsfelder gleichzeitig aufgebracht werden und damit rationeller gefertigt werden kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des kennzeichnenden Teiles des Anspruches I gelöst
Zum Schutz der Widerstandsschicht gegen äußere

«ο Einflüsse kann die mit der Widers."-indsschicht bedeckte Hauptfläehe des Streifens mittels einer weiteren Rolle mit einer Schicht aus elektrisch isolierendem Material bedeckt werden. Der Streifen kann mit einer Mehrfachsäge bei gleicher Teilung in Einzelwiderstände auseinandergeschnitten werden; es ist jedoch auch möglich, den Streifen nach dem Messen des Gesamtwiderstandes an genau definierten Stellen auseinanderzuschneiden. Diese definierten Einzellängen sind der Gesamtlänge des Trägerkörpers und dem Gesamtwiderstand direkt

so und dem gewünschten Widerstandswert umgekehrt proportional. Um die dabei auftretenden Toleranzen auszugleichen, ist es auch möglich, in an sich bekannter Weise durch Abtrag von Teilen der Widerstandsschicht einen Feinabgleich durchzuführen.

Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen darin, daß Siebdruckvorgänge vermieden werden, und im einfachen Verfahrensablauf, bei dem die beiden Kontaktierungsfelder gleichzeitig und auch die Widerstandsschicht kontinuierlich hergestellt werden können.

Ein Ausfuhrungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt. Es zeigt

Fig. 1 einen Streifen II, der durch zwei rotierende Rollen 6 hindurchbewegt wird. Dabei werden die beiden Längsseiten 4 und ihnen nahe Bereiche der beiden Hauptflächen des Streifens 11 mit elektrisch leitenden Kontaktierungsfeldern 2 versehen. Im anschließenden Verfahrensschritt wird nach dem Trocknen der Kontaktierungsfelder 2 mittels einer Rolle 7 zwischen

Contaktierungsfeidern 2 die WMerstandsschieht 3 ien Trägerkörper 11 aufgebracht. Nach dem cnen und Einbrand der Widerstandsschicht 3 und Lontaktierungsfelder 2 wird der längliche Träger- :r 11 in Einzelwiderstände auseinandergeschnitten. g.2 zeigt einen derartigen Einzelwiderstand 1, hend aus einer zwischen zwei um die Längsseiten 4 herumreichenden Kontaktierongsfeldern 2 befindlichen Widerstandsschicht 3 auf einer Hauptfläche eines ebenen Trägerkörpers aus Glas oder Keramik,

Es ist auch möglich, den Verfahrensschritt c des kennzeichnenden Teiles des Anspruches 1 vor den Verfahrensschritten a und b durchzuführen.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche;

1. Verfahren zur Herstellung von Chipwiderstlnden, die auf einer Hauptfläehe eines ebenen rechteckigen Trägerkörpers aus Isoliermaterial zwischen zwei Kontaktierungsfeldern eine Widerstandsschicht besitzen und bet denen die Kontaktierungsfelder über die Stirnflächen bis zur gegenüberliegenden Hauptfläehe reichen, gekennzeichnet durch die folgenden Merkmale: