DE2643750A1 - Verfahren zum aetzen von halbleiterscheiben, insbesondere fuer sonnenzellen, und vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens - Google Patents

Verfahren zum aetzen von halbleiterscheiben, insbesondere fuer sonnenzellen, und vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens

Info

Publication number
DE2643750A1
DE2643750A1 DE19762643750 DE2643750A DE2643750A1 DE 2643750 A1 DE2643750 A1 DE 2643750A1 DE 19762643750 DE19762643750 DE 19762643750 DE 2643750 A DE2643750 A DE 2643750A DE 2643750 A1 DE2643750 A1 DE 2643750A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rollers
disks
etching solution
etching
rotate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19762643750
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2643750C2 (enExample
Inventor
Gerard Andre David
Pierre Leger
Yvon Salles
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2643750A1 publication Critical patent/DE2643750A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2643750C2 publication Critical patent/DE2643750C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/12—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H10P90/129—Preparing bulk and homogeneous wafers by polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
DE19762643750 1975-10-03 1976-09-29 Verfahren zum aetzen von halbleiterscheiben, insbesondere fuer sonnenzellen, und vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens Granted DE2643750A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7530332A FR2326479A1 (fr) 1975-10-03 1975-10-03 Procede de decapage de plaquettes semi-conductrices, notamment pour cellules solaires et appareillage de mise en oeuvre du procede

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2643750A1 true DE2643750A1 (de) 1977-04-14
DE2643750C2 DE2643750C2 (enExample) 1989-11-23

Family

ID=9160796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19762643750 Granted DE2643750A1 (de) 1975-10-03 1976-09-29 Verfahren zum aetzen von halbleiterscheiben, insbesondere fuer sonnenzellen, und vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4113543A (enExample)
JP (1) JPS5256034A (enExample)
AU (1) AU504240B2 (enExample)
DE (1) DE2643750A1 (enExample)
FR (1) FR2326479A1 (enExample)
GB (1) GB1556069A (enExample)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2424635A1 (enExample) * 1978-04-24 1979-11-23 Atlantic Richfield Co
DE112004001425B4 (de) * 2003-07-31 2013-03-07 Komatsu Denshi Kinzoku K.K. Ätzverfahren und Ätzvorrichtung zum Ätzen von scheibenförmigen Teilen

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53139481A (en) * 1977-05-12 1978-12-05 Hamamatsu Tv Co Ltd Method of producing solar battery
JPS5928036Y2 (ja) * 1980-07-15 1984-08-14 信越化学工業株式会社 化学エツチング処理装置
JPS5729140U (enExample) * 1980-07-24 1982-02-16
US5944588A (en) * 1998-06-25 1999-08-31 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polisher
KR100604051B1 (ko) * 2004-06-30 2006-07-24 동부일렉트로닉스 주식회사 게이트 산화막의 전세정방법
KR100644054B1 (ko) * 2004-12-29 2006-11-10 동부일렉트로닉스 주식회사 세정 장치 및 게이트 산화막의 전세정 방법
US8192822B2 (en) * 2008-03-31 2012-06-05 Memc Electronic Materials, Inc. Edge etched silicon wafers
CN102282647A (zh) * 2008-11-19 2011-12-14 Memc电子材料有限公司 剥除半导体晶片边缘的方法和系统
US20120175343A1 (en) 2011-01-12 2012-07-12 Siltronic Corporation Apparatus and method for etching a wafer edge

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1146723B (de) * 1959-03-31 1963-04-04 Ind Gravure Company AEtzvorrichtung fuer Druckzylinder oder gewoelbte Platten
DE1190291B (de) * 1960-12-03 1965-04-01 Siemens Ag Vorrichtung zur AEtzung von runden Halbleiterscheiben
DE1464412A1 (de) * 1962-03-16 1968-12-12 Ass Elect Ind Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE2459892A1 (de) * 1973-12-19 1975-09-04 Monsanto Co Verfahren und vorrichtung fuer die chemische behandlung von halbleiterplaettchen
US3951728A (en) * 1974-07-30 1976-04-20 Hitachi, Ltd. Method of treating semiconductor wafers

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3964957A (en) * 1973-12-19 1976-06-22 Monsanto Company Apparatus for processing semiconductor wafers

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1146723B (de) * 1959-03-31 1963-04-04 Ind Gravure Company AEtzvorrichtung fuer Druckzylinder oder gewoelbte Platten
DE1190291B (de) * 1960-12-03 1965-04-01 Siemens Ag Vorrichtung zur AEtzung von runden Halbleiterscheiben
DE1464412A1 (de) * 1962-03-16 1968-12-12 Ass Elect Ind Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE2459892A1 (de) * 1973-12-19 1975-09-04 Monsanto Co Verfahren und vorrichtung fuer die chemische behandlung von halbleiterplaettchen
US3951728A (en) * 1974-07-30 1976-04-20 Hitachi, Ltd. Method of treating semiconductor wafers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2424635A1 (enExample) * 1978-04-24 1979-11-23 Atlantic Richfield Co
DE112004001425B4 (de) * 2003-07-31 2013-03-07 Komatsu Denshi Kinzoku K.K. Ätzverfahren und Ätzvorrichtung zum Ätzen von scheibenförmigen Teilen

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5256034A (en) 1977-05-09
DE2643750C2 (enExample) 1989-11-23
GB1556069A (en) 1979-11-21
AU1851576A (en) 1978-04-13
US4113543A (en) 1978-09-12
FR2326479A1 (fr) 1977-04-29
FR2326479B1 (enExample) 1979-04-06
AU504240B2 (en) 1979-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19905737C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit verbesserter Ebenheit
DE1298209B (de) Photoelektrische Halbleiterdiode
DE1621473B2 (de) Verfahren zum chemisch mechanischen polieren von silizium oberflaechen
DE1544275C3 (de) Verfahren zur Ausbildung von Zonen unterschiedlicher Leitfähigkeit in Halbleiterkristallen durch Ionenimplantation
DE2643750C2 (enExample)
DE69108838T2 (de) Vorrichtung zum Ätzen von Plättchen.
DE1216651B (de) Verfahren zum polierenden Abtragen von einkristallinen Halbleiterkoerpern, insbesondere Halbleiterscheiben
DE2007865A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Polieren einer Silicium-Oberflache
DE1546063B2 (de) Verfahren und vorrichtung zum polieren von galliumarsenid mit einem aetzmittel
DE2613490C3 (de) Verfahren zum Entfernen von Vorsprüngen von der Oberfläche einer Halbleiterschicht
DE3885160T2 (de) Verfahren zur Bearbeitung der kanten Halbleiterplättchen sowie dazugehörige Apparatur.
DE2441352A1 (de) Verfahren zum polieren von zinkselenid
DE2540430C2 (de) Verfahren zum Zerteilen eines aus einkristallinem Material bestehenden Halbleiterplättchens
DE1521794A1 (de) Vorrichtung zum chemischen Polieren von Halbleiterscheiben
DE1589946C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
DE2716419A1 (de) Verfahren zum passivieren von leistungs-halbleiterbauelementen
DE1614351C2 (de) Verfahren zum Herstellen von CdS Photowiderstanden
DE2013625A1 (de) Verfahren zur Vorablagerung von Fremdstoffen auf eine Halbleiteroberfläche
DE2021460A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE2214197C3 (de) Verfahren zum Ätzen von PN-Übergänge enthaltenden Halbleiterscheiben
DE1546031C (de) Losung zum chemischen Polieren von Siliziumscheiben
AT241540B (de) Verfahren zum polierenden Abtragen von einkristallinen Halbleiterkörpern, insbesondere Halbleiterscheiben
DE1764809C (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstel len einer gesinterten Halbleiterschicht
DE1789065B1 (de) Verfahren zur herstellung einer elektrischen vorric htung
DE1464412A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee