DE2630542B2 - Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid

Info

Publication number
DE2630542B2
DE2630542B2 DE19762630542 DE2630542A DE2630542B2 DE 2630542 B2 DE2630542 B2 DE 2630542B2 DE 19762630542 DE19762630542 DE 19762630542 DE 2630542 A DE2630542 A DE 2630542A DE 2630542 B2 DE2630542 B2 DE 2630542B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
silicon tetrachloride
reactor
reaction
hydrogen chloride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19762630542
Other languages
English (en)
Other versions
DE2630542C3 (de
DE2630542A1 (de
Inventor
Fritz-Robert Dr.-Ing. Dr. Kappler
Hans Leuck
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huels AG
Original Assignee
Dynamit Nobel AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dynamit Nobel AG filed Critical Dynamit Nobel AG
Priority to DE19762630542 priority Critical patent/DE2630542C3/de
Priority to GB2798277A priority patent/GB1530986A/en
Priority to BE179082A priority patent/BE856480A/xx
Priority to CA282,169A priority patent/CA1085585A/en
Priority to JP8088977A priority patent/JPS536297A/ja
Priority to NL7707499A priority patent/NL7707499A/xx
Priority to ES460451A priority patent/ES460451A1/es
Priority to IT5015877A priority patent/IT1112065B/it
Priority to FR7720871A priority patent/FR2357481A1/fr
Publication of DE2630542A1 publication Critical patent/DE2630542A1/de
Publication of DE2630542B2 publication Critical patent/DE2630542B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2630542C3 publication Critical patent/DE2630542C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/04Hydrides of silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid, bei dem Silicium oder siliciumhaltige Materialien mit Chlorwasserstoff im Wirbelbett bei Temperaturen zwischen 250 und 500° C umgesetzt werden.
Die Reaktion zwischen Silicium und Chlorierungsmitteln wie Chlor oder Chlorwasserstoff ist bekannterweise stark exotherm. Je höher die Reaktionstemperatur liegt, um so größer ist der Anteil an Si 1 icium tctrachlorid.
Die Exothermic des Prozesses, die Höhe des angestrebten Stoffumsatzes und das Verhältnis der gewünschten Endprodukte bestimmen dabei weitgehend die angewandten Verfahren. Das Arbeiten an festangeordnetem, stückigem Silicium oder siliciumhaltigen Stoffen in Schachtofen erschwert das Ableiten der Reaktionswärme; dies führt zu örtlichen Überhitzungen im Kontaktbett bis zur Schmelze des eingesetzten Feststoffes. Dadurch wird die Raumzeitausbeute verringert und eine gezielte Beeinflussung des stark temperaturabhängigen Verhältnisses der bei der Reaktion gebildeten Trichlorsilan- und Siliciumtetrachloridmengen außerordentlich erschwert.
Diese Nachteile der ungleichmäßigen Temperaturverteilung im Schachtofen werden durch das Arbeiten im Wirbelbett herabgesetzt. Beim Arbeiten im Wirbelbett ist bei Verwendung von Chlor als Chlorierungsmittel die Reaktion immer noch so heftig, daß lokale Überhitzungen erfolgen. Es wurde deshalb in der DT-AS 1 219 454 bereits vorgeschlagen, die Chlorierung von Silicium bei Temperaturen oberhalb 400° C in Gegenwart eines Verdünnungsmittels durchzuführen, um die Heftigkeit der Reaktion herabzusetzen. Diese Maßnahmen sind aber hauptsächlich nur dann notwendig, wenn Chlor als Chlorierungsmittel eingesetzt wird und die Chlorierung bei Temperaturen oberhalb 400° C durchgeführt werden soll, d. h., wenn also SiCI4 als Hauptprodukt gewünscht wird.
Beim Arbeiten im Wirbelbett hängt das Verhältnis der erhaltenen Chlorsilane jedoch nicht nur direkt von der eingestellten Reaktortemperatur ab, sondern weiterhin auch von einer homogenen Füeßbettqualität.
Diese läßt sich nur in engen Grenzen aufrechterhalten, da sowohl das eingesetzte Fluidisationsmittel, der Chlorwasserstoff, als auch die fluidisierten Feststoffpartikel Reaktionspartner sind. Diese Grenzen sind gegeben durch
1. die Wirbelpunktgeschwindigkeit,
2. die Größe und Forin der Feststoff partikel,
3. dem Gasdurchsatz und
4. der Austragsmenge des Feststoffs aus dem Reaktor.
Wenn z. B. der Gasdurchsatz vermindert wird, erfolgt eine Verdichtung und damit ebenfalls eine starke Überhitzung des Bettes mit der sich daraus ergebenden, in manchen Fällen unerwünschten, Erhöhung der Ausbeute an SiCl4. Weiterhin führen höhere Strömungsgeschwindigkeiten zu einem geringeren HCI-Umsatzund fördern den Austrag des Feststoffes. Dies bewirkt einen Rückgang der Ausbeute hinsichtlich der siliciumhaltigen Ausgangsstoffe und der Salzsäure und erhöht den Aufwand bei der Aufarbeitung des Reaktionsproduktes.
Es bestand nun die Aufgabe, bei der Umsetzung von Silicium mit Chlorwasserstoff in der Wirbelschicht Maßnahmen zu ergreifen, die eine Variation der Rcaktorleistung und die Einstellung eines bestimmten Verhältnisses von SiCI4: SiHCl3 durch Steuerung der Reaktionstemperatur ermöglichen.
In Erfüllung dieser Aufgabe wurde nun ein Verfahren zur gleichzeitigen Erzeugung von Siliciumtetrachlorid und Trichlorsilan in einem gewünschten Verhältnis durch Umsetzung von Silicium oder siliciumhaltigen Feststoffen mit Chlorwasserstoff in einer Wirbelschicht bei einer gewünschten Temperatur im Bereich von 250 bis 500° C gefunden, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man das Wirbelbett durch einen an sich bekannten Zusatz von Siliciumtetrachlorid dadurch bei der gewünschten Temperatur aufrechterhält, daß die Reaktorquerschnittsbelastung durch die Reaktionsteilnehmer im Bereich zwischen 250 und 2500 kg/m2 · h liegt und daß pro Volumenteil Chlorwasserstoff zwischen 0,2 und 10 Volumentesten gasförmiges Siliciumtetrachlorid eingesetzt wird.
Mit Hilfe dieser Verfahrensweise ist es möglich, die obengenannten Schwierigkeiten weitgehend zu reduzieren, und die Reaktion so zu führen, daß man auch bei unterschiedlichen Reaktorleistungen ein homogenes Wirbelbett, eine Konstanthaltung der eingestellten Temperatur und damit ein gewünschtes Verhältnis von SiCl4/SiHCi, erreicht. Ein Teil des dabei erhaltenen SiCl4 wird in einer bevorzugten Arbeitsweise nach dem Abdestillieren und Trennen des Reaktionsgemisches dampfförmig dem Reaktor wieder zugeführt, wobei die erforderliche Destillationswärme durch die Reaktionswärme gedeckt wird. Die Produktionsleistung des Wirbelschichtreaktors kann dabei je nach Menge des zusätzlich eingeleiteten Siliciumtetrachlorid-Dampfes innerhalb weiter Grenzen variiert werden. Die Maximalleistung des Wirbelbettes hängt selbstverständlich von der Reaktorgröße ab.
Die Menge des Siliciumtetrachlorid-Dampfes wird je nach gewünschter Produktionsleistung und dem gewünschten Verhältnis SiCl4/SiHCI3 so gewählt, daß sich nach Mischung mit dem eingesetzten Chlorwasserstoff eine spezifische Reaktorquerschnittsbelastung im Bereich von 250 kg/m2 · h bis 2500 kg/ m2 ■ h. Dabei soll das Verhältnis von zudosierter Menge an SiCl4: HCL zwischen 0,2:1 bis 10:1 liegen.
Wenn eine °erinaere Produktior!s!eistuno °e-
wünscht wird, misch! man einen hohen Anteil an SiIiciumtetrachlorid-Dampf mit dem Chlorwasserstoff und betreibt den Reaktor mit niedrigen spezifischen Querschnittsbelastungen. Wird dagegen eine hohe Produktionsleistung des Reaktor gewünscht, dann wird eine geringe Menge Siliciumtetrachlorid-Dampf zugemischt und eine hohe spezifische Querschnittsbelastung eingestellt.
Im allgemeinen wird die Reaktion ir» einer Reaktionssäule mit gleichbleibendem Durchmesser durchgeführt. Es ist jedoch auch möglich, die Geometrie des Reaktors so auszubilden, daß sich die spezifischen Querschnittsbelastungen in zwei ineinander übergehende Zonen mit verschiedenen Durchmessern ausbilden. Dabei ist der untere Teil des Reaktors mit hohen spezifischen Querschnittsbelastungen und der obere, erweiterte Teil mit niedrigen zu fahren. Es ist somit nicht notwendig, daß die spezifische Querschnittsbelastung gleichmäßig über den gesamten Reaktor hinweg gleich ist; sie muß nur innerhalb der angegebenen Grenzen liegen.
Die Feststoffe des Wirbelbettes umfassen metallisches Silicium sowie Legierungen oder intermetallische Verbindungen des Siliciums mit Eisen, Kohlenstoff, Phosphor oder Stickstoff, deren Siliciumanteil über 50% liegt. Als Beispiele seien Ferrosil'cium, Siliciumcarbid oder Siliciumnitrid genannt, ί )ie Korngröße des Siliciums oder der siliciumhaltigen Feststoffe soll bevorzugt zwischen 20 und 200 μνη liegen. Es ist jedoch durchaus möglich. Feststoffe mit vinem Korngrößendurchmesser bis zu 500 μηι einzusetzen.
Das Molverhältnis zwischen Silicium und Chlorwasserstoffsoll so gewählt werden, daß der Chlorwasserstoff mindestens in der Menge zudosiert wird, die stöchiometrisch zur Bildung des gewünschten Verhältnisses von SiCI.,/SiHCl3 notwendig ist.
Die Reaktionsteniperatur liegt je nach gewünschter Produktzusammensetz'jng zwischen 250 und 500° C, bevorzugt unter 400° C, wenn der Anteil an Trichlorsilan überwiegen soll.
Anhand der Skizze wird die erfindungsgemäße Verfahrensweise kurz erläutert·
Durch die Leitung 1 wird auf etwa 300° C überhitzter SiCl4-Dampf in den Anströmteil am unteren Ende des Reaktors eingeleitet, in dem sich Silicium oder Ferrosilicium mit einem mittleren Korndurchmesser von 150 bis 20ü μπι befinden. Nach Einstellen einer spezifischen Querschnittsbelastung von 1500 kg/m: ■ h und einer Systemtemperatur von ebenfalls 300° C wird durch Leitung 2 oberhalb der SiCIj-Einleitung Chlorwasserstoff, entsprechend der gewünschten Produktionshöhe und gleichfalls auf 300° C erhitzt, eingespeist und dabei in entsprechendem Maße die SiCl4-Menge gedrosselt, so daß die spezifische Reaktorquerschnittsbelastung konstant bleibt. Durch Leitung 3 wird nun kontinuierlich Silicium oder Ferrosilicium der obengenannten Korngröße in die Reaktionszone 4 dosiert, in der sich der Umsatz von Chlorwasserstoff und Silicium vollzieht. Die dabei entstehende Reaktionswärme wird durch ein im Reaktor installiertes Kühlsystem 7 abgeführt und damit die Temperatur entsprechend dem gewünschten Trichloranteil im Reaktionsprodukt auf eineu bestimmten Wert gehalten. Das Reaktionsprodukt verläßt durch Leitung 5 gasförmig den Apparat. Der Austrag des Feststoffrückstandes geschieht kontinuierlich oder absatzweise durch Leitung 6 am unteren Teil des Reaktors.
Hierzu 1 Blatt Zcichnuiieen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Verfahren zur gleichzeitigen Erzeugung von Siliciumtetrachlorid und Trichlorsilan in einem gewünschten Verhältnis durch Umsetzung von Silicium oder siliciumhaltigen Feststoffen mit Chlorwasserstoff in einer Wirbelschicht bei einer gewünschten Temperatur im Bereich von 250 bis 500° C, dadurch gekennzeichnet, daß man das Wirbelbett durch einen an sich bekannten Zusatz von Siliciumtetrachlorid dadurch bei der gewünschten Temperatur aufrechterhält, daß die Reaktorquerschnittsbelastung durch die Reaktionsteilnehmer im Bereich zwischen 250 und 2500 kg/m2 · h liegt und daß pro Volumenteil Chlorwasserstoff zwischen 0,2 und 10 Volumenteilen gasförmiges Siliciumtetrachlorid eingesetzt wird.
DE19762630542 1976-07-07 1976-07-07 Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Siliciumtetrahlorid Expired DE2630542C3 (de)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19762630542 DE2630542C3 (de) 1976-07-07 1976-07-07 Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Siliciumtetrahlorid
GB2798277A GB1530986A (en) 1976-07-07 1977-07-04 Preparation of trichlorsilane and silicon tetrachloride
BE179082A BE856480A (fr) 1976-07-07 1977-07-05 Procede pour la production de trichlorosilane et de tetrachlorure de silicium
JP8088977A JPS536297A (en) 1976-07-07 1977-07-06 Manufacturing process for trichlorosilan and silicon tetrachloride
CA282,169A CA1085585A (en) 1976-07-07 1977-07-06 Method for the preparation of trichlorosilane and silicon tetrachloride
NL7707499A NL7707499A (nl) 1976-07-07 1977-07-06 Werkwijze voor het bereiden van trichloorsilaan en siliciumtetrachloride.
ES460451A ES460451A1 (es) 1976-07-07 1977-07-06 Procedimiento para la preparacion de tetracloruro de silicio y de triclorosilano.
IT5015877A IT1112065B (it) 1976-07-07 1977-07-06 Procedimento per la produzione di triclorosinalo e tetracloruro di silicio
FR7720871A FR2357481A1 (fr) 1976-07-07 1977-07-06 Procede pour la production de trichlorosilane et de tetrachlorure de silicium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19762630542 DE2630542C3 (de) 1976-07-07 1976-07-07 Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Siliciumtetrahlorid

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2630542A1 DE2630542A1 (de) 1978-01-12
DE2630542B2 true DE2630542B2 (de) 1980-05-08
DE2630542C3 DE2630542C3 (de) 1981-04-02

Family

ID=5982438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19762630542 Expired DE2630542C3 (de) 1976-07-07 1976-07-07 Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Siliciumtetrahlorid

Country Status (9)

Country Link
JP (1) JPS536297A (de)
BE (1) BE856480A (de)
CA (1) CA1085585A (de)
DE (1) DE2630542C3 (de)
ES (1) ES460451A1 (de)
FR (1) FR2357481A1 (de)
GB (1) GB1530986A (de)
IT (1) IT1112065B (de)
NL (1) NL7707499A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3230590A1 (de) * 1981-08-17 1983-03-10 Nippon Aerosil Co., Ltd., Tokyo Verfahren zur herstellung von trichlorsilan und siliciumtetrachlorid aus silicium und chlorwasserstoff
DE3828344C1 (de) * 1988-08-20 1989-07-06 Huels Ag, 4370 Marl, De

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2704975C2 (de) * 1977-02-07 1982-12-23 Wacker-Chemie GmbH, 8000 München Wärmeaustauschvorrichtung für Wirbelbettreaktoren zur Durchführung von Gas/Feststoff-Reaktionen, insbesondere zur Herstellung von Siliciumhalogenverbindungen mittels Silicium-enthaltender Kontaktmassen
DE3303903A1 (de) * 1982-02-16 1983-08-25 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Verfahren zum herstellen von trichlorsilan aus silizium
US5051248A (en) * 1990-08-15 1991-09-24 Dow Corning Corporation Silane products from reaction of silicon monoxide with hydrogen halides
DE4033611A1 (de) * 1990-10-23 1992-04-30 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur gewinnung von chloridarmer ofenasche bei der umsetzung von rohsilicium zu chlorsilanen
US5176892A (en) * 1990-12-06 1993-01-05 Dow Corning Corporation Supported metal catalyzed production of tetrachlorosilane
US5160720A (en) * 1990-12-12 1992-11-03 Dow Corning Corporation Metal catalyzed production of tetrachlorosilane
DE102006009954A1 (de) * 2006-03-03 2007-09-06 Wacker Chemie Ag Wiederverwertung von hochsiedenden Verbindungen innerhalb eines Chlorsilanverbundes
US8178051B2 (en) * 2008-11-05 2012-05-15 Stephen Michael Lord Apparatus and process for hydrogenation of a silicon tetrahalide and silicon to the trihalosilane
JP5980308B2 (ja) * 2011-03-25 2016-08-31 エボニック デグサ ゲーエムベーハーEvonik Degussa GmbH フランジ端部又は縁曲げ端部を有する炭化ケイ素管の使用
DE102012216356A1 (de) * 2012-09-14 2014-03-20 Evonik Industries Ag Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen mittels hochsiedender Chlorsilane oder chlorsilanhaltiger Gemische
KR102507061B1 (ko) 2014-12-19 2023-03-07 다우 실리콘즈 코포레이션 모노하이드로겐트라이할로실란의 제조 공정
CN110002449A (zh) * 2019-04-12 2019-07-12 四川永祥多晶硅有限公司 一种氯硅烷精制系统及精制方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU120510A1 (ru) * 1958-05-06 1958-11-30 К.А. Андрианов Способ одновременного получени трихлорсилана и четыреххлористого кремни
GB963745A (en) * 1961-01-05 1964-07-15 British Titan Products Halogenation of silicon-containing materials
US3704104A (en) * 1970-06-01 1972-11-28 Texas Instruments Inc Process for the production of trichlorosilane

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3230590A1 (de) * 1981-08-17 1983-03-10 Nippon Aerosil Co., Ltd., Tokyo Verfahren zur herstellung von trichlorsilan und siliciumtetrachlorid aus silicium und chlorwasserstoff
DE3828344C1 (de) * 1988-08-20 1989-07-06 Huels Ag, 4370 Marl, De

Also Published As

Publication number Publication date
BE856480A (fr) 1977-10-31
DE2630542C3 (de) 1981-04-02
GB1530986A (en) 1978-11-01
CA1085585A (en) 1980-09-16
FR2357481A1 (fr) 1978-02-03
JPS536297A (en) 1978-01-20
IT1112065B (it) 1986-01-13
ES460451A1 (es) 1978-06-01
DE2630542A1 (de) 1978-01-12
NL7707499A (nl) 1978-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2630542B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid
DE69835078T2 (de) Verfahren zur herstellung von polysilizium unter verwendung von exothermer reaktionswärme
EP1737790B1 (de) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HSiCl3 DURCH KATALYTISCHE HYDRODEHALOGENIERUNG VON SiCl4
DE2365273C3 (de) Verfahren zur Hydrochlorierung von elementaren Silicium
EP1370490B1 (de) Verfahren zur herstellung von chlorsilanen
DE2919086C2 (de) Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Silizium durch thermische Zersetzung von Tribromsilan
DE19740923B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
DE102005005044A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan mittels thermischer Hydrierung von Siliciumtetrachlorid
EP2086879B1 (de) Verfahren zur herstellung von trichlorsilan
DE19918114C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Vinylchlorsilanen
DE69720301T2 (de) Herstellung von Silanen
WO2002048024A2 (de) Verfahren zur herstellung von trichlorsilan
WO2002022501A1 (de) Verfahren zur herstellung von trichlorsilan
EP1046645B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Vinylchlorsilanen
DE1767905A1 (de) Verfahren zur Disproportionierung von Chlorsilanen und Organosilanen
EP2877475B1 (de) Verfahren zur herstellung von alkenylhalogensilanen und dafür geeigneter reaktor
EP0519181A1 (de) Verfahren zur Herstellung von 3-Chlorpropylsilanen
DE3910343C2 (de)
EP0841342B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Vinyltrichlorsilan
WO2015140027A1 (de) Verfahren zur herstellung von trichlorsilan
DE3443961C2 (de) Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung von Carbonsäuretrimethylsilylestern und Trimethylsilylcarbonsäureamiden
DE10358080A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Bortrichlorid
DE1143797B (de) Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
DE10126558C1 (de) Verfahren zur Herstellung von Silanen
US3188178A (en) Process of producing silicon tetrahalide

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: HUELS TROISDORF AG, 5210 TROISDORF, DE

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: HUELS AG, 4370 MARL, DE