DE2621765A1 - Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung

Info

Publication number
DE2621765A1
DE2621765A1 DE19762621765 DE2621765A DE2621765A1 DE 2621765 A1 DE2621765 A1 DE 2621765A1 DE 19762621765 DE19762621765 DE 19762621765 DE 2621765 A DE2621765 A DE 2621765A DE 2621765 A1 DE2621765 A1 DE 2621765A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
insulating layer
diffusion
substrate
area
areas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19762621765
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Ronald Philip Esch
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2621765A1 publication Critical patent/DE2621765A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01Manufacture or treatment
    • H10D30/021Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/027Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of lateral single-gate IGFETs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D64/011
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • H10D64/27Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
    • H10D64/311Gate electrodes for field-effect devices
    • H10D64/411Gate electrodes for field-effect devices for FETs
    • H10D64/511Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs
    • H10D64/514Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs characterised by the insulating layers
    • H10D64/516Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs characterised by the insulating layers the thicknesses being non-uniform

Landscapes

  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
DE19762621765 1975-06-30 1976-05-15 Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung Ceased DE2621765A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US59199575A 1975-06-30 1975-06-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2621765A1 true DE2621765A1 (de) 1977-01-20

Family

ID=24368826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19762621765 Ceased DE2621765A1 (de) 1975-06-30 1976-05-15 Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS5228276A (enExample)
CA (1) CA1049157A (enExample)
DE (1) DE2621765A1 (enExample)
FR (1) FR2316745A1 (enExample)
GB (1) GB1521625A (enExample)
IT (1) IT1063563B (enExample)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52112199A (en) * 1976-03-17 1977-09-20 Kyoei Kikou Kk Automatic fastening tool

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2445879A1 (de) * 1973-10-31 1975-05-07 Ibm Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2445879A1 (de) * 1973-10-31 1975-05-07 Ibm Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements

Also Published As

Publication number Publication date
FR2316745A1 (fr) 1977-01-28
FR2316745B1 (enExample) 1980-09-26
IT1063563B (it) 1985-02-11
JPS5228276A (en) 1977-03-03
CA1049157A (en) 1979-02-20
GB1521625A (en) 1978-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2646308C3 (de) Verfahren zum Herstellen nahe beieinander liegender elektrisch leitender Schichten
DE2212049C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Transistors
DE2541548A1 (de) Isolierschicht-feldeffekttransistor und verfahren zu dessen herstellung
DE69018374T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines MIS-Transistor-Bauelementes mit einem Gitter, welches über geringdotierte Teile der Source- und Drain-Gebiete herausragt.
DE4208537C2 (de) MOS-FET-Struktur und Verfahren zu deren Herstellung
CH623959A5 (enExample)
DE2547828B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Speicherelements mit einem Doppelgate-Isolierschicht-Feldeffekttransistor
DE4433086A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE2314260A1 (de) Ladungsgekoppelte halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DE2422195A1 (de) Verfahren zur vermeidung von grenzschichtzustaenden bei der herstellung von halbleiteranordnungen
EP0005165A1 (de) Verfahren zur Herstellung von isolierten Leitbereichen aus polykristallinem Silicium sowie entsprechend aufgebaute Halbleiteranordnungen mit Feldeffektelementen
DE2546314A1 (de) Feldeffekt-transistorstruktur und verfahren zur herstellung
DE3788470T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate.
EP0012220A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Kontakts mit selbstjustierter Schutzringzone
DE2922016A1 (de) Vlsi-schaltungen
DE2447354A1 (de) Verfahren zur herstellung eines feldeffekttransistors
EP0000545B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Selbstjustierung
DE2644832A1 (de) Feldeffekt-transistor und verfahren zu seiner herstellung
DE2723374A1 (de) Halbleiterstruktur mit mindestens einem fet und verfahren zu ihrer herstellung
DE1564829A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Feldwirkungstransistors
DE2111633A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Oberflaechen-Feldeffekt-Transistors
DE2752335C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors mit einem vertikalen Kanal
DE2450230A1 (de) Verfahren zur herstellung von feldeffekttransistoren
EP0028786B1 (de) Ionenimplantationsverfahren
DE2331393C2 (de) Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von Feldeffekttransistoren und ladungsgekoppelten Halbleitervorrichtungen

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
8131 Rejection