DE2617521A1 - Integrierte halbleiterschaltung - Google Patents

Integrierte halbleiterschaltung

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DE2617521A1
DE2617521A1 DE19762617521 DE2617521A DE2617521A1 DE 2617521 A1 DE2617521 A1 DE 2617521A1 DE 19762617521 DE19762617521 DE 19762617521 DE 2617521 A DE2617521 A DE 2617521A DE 2617521 A1 DE2617521 A1 DE 2617521A1
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DE
Germany
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conductivity type
semiconductor
zone
epitaxial layer
isolated
Prior art date
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Ceased
Application number
DE19762617521
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Hiroshi Mochizuki
Kazuo Sato
Hajime Sawazaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/60—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
    • H10D84/67—Complementary BJTs
    • H10D84/673—Vertical complementary BJTs
    • H10W10/031—
    • H10W10/30—

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  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
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JP50048189A JPS51123577A (en) 1975-04-22 1975-04-22 Semiconductor integrating circuit including epitaxial base typ vertica l directional transistor

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FR2309040A1 (fr) 1976-11-19
GB1496306A (en) 1977-12-30
IT1058177B (it) 1982-04-10
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JPS51123577A (en) 1976-10-28

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