DE2604351B2 - Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, bei dem eine Siliciumschicht auf einem Substrat angebracht wird - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, bei dem eine Siliciumschicht auf einem Substrat angebracht wirdInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordn^ngen nach dem
■to Oberbegriff des Anspruches 1.
Ein solches Verfahren ist z.B. aus. DE-AS 12 23 951
bekannt, wobei auf eine Trägerplatte aus polykristallinem Werkstoff eine dünne Schicht polykristallinen
Halbleitermaterials aufgebracht und anschließend geschmolzen wird bei einer Temperatur, die etwas über
dem Schmelzpunkt des Halbleitermaterials, jedoch unterhalb des Schmelzpunktes des Trägerwerks^offes
liegt, woraufhin die Temperatur zunächst auf etwa 20 bis 1000C unterhalb des Schmelzpunktes des Halbleitermaterials
und nach dem Erstarren der Halbleiterschicht bis auf Normaltemperatur abgesenkt wird; auf die so
erhaltenen Halbleiter-Einkristalle wird eine zusätzliche Halbleiterschicht gleichen Materials und gleicher
Orientierung epitaktisch aufgebracht. Diese Kombinats tion von Maßnahmen hat den Nachteil, umständlich zu
sein.
Aus der FR-PS 21 44 675 ist ein Flüssigphasen-Epitaxieverfahren
zur Erzeugung von Halbleiterschichten bekannt. Mit diesem bekannten Verfahren und der dazu
angewendeten Vorrichtung ist es nicht möglich, Halbleiterschichfen großen Flächeninhalts zu erzeugen.
Die Erfahrung hat gezeigt, daß hohe Wirkungsgrade auch durch Anwendung polykristallinen Siliciums
erhalten werden können. In der FR-PS 13 43 740 sind 6^ Fotozellen beschrieben, die aus polykristallinem Silicium
in Graphitbehältern sehr geringer Tiefe hergestellt werden. Dadurch kann polykriEtallines Material erhalten
werden, das Korngrößen aufweist, die genügen, um
Photodioden mit einem Wirkungsgrad in der Größenordnung von 6% zu erhalten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Herstellung von Halbleitermaterialschichten großen
Flächeninhalts in einem kontinuierlich durchgeführten Vorgang zu ermöglichen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch das Verfahren nach Anspruch 1 gelöst
Es wurde gefunden, daß das Verfahren mit Erfolg zur
Herstellung von Siliciumschichten verwendet werden kann, die auf diese einfache Weise in polykristalliner
Form geeigneter Qualität zur Herstellung von Sonnenzellen mit akzeptablen Umwandlungsausbeuten erhalten werden können, trotz der Anforderung, daß zum
Erhalten flüssigen Siliciums auf eine Temperatur von mindestens 1420"C erhitzt werden muß.
Unter dem Ausdruck »schwimmend« in bezug auf das flüssige Silicium ist hier zu verstehen, daß das flüssige
Silicium nicht völlig lateral von festen Wänden eingeschlossen ist Das flüssige Silicium kann an der
annähernd waagerechten Oberfläche auf der Unterseite des Trägers infolge von Haftkräften in Verbindung mit
Kohäsionskräften hängen. In diesem Falle besteht die Gefahr, daß wenigstens der größte Teil des Volumens
des geschmolzenen Siliciums sich von dem Träger ablöst und über das Substrat fließt wodurch der
Kontakt zwischen dem noch an der annähernd waagerechten Trägeroberfläche haftenden Silicium und
der mit der Halbleitermaterialschicht zu überziehenden Substratoberfläche unterbrochen wird. Diese Gefahr
wird herabgesetzt wenn das flüssige Silicium auf der Oberseite einer annähernd waagerechten die obere
Fläche des Trägers bildenden Oberfläche angeordnet ist wobei das flüssige Silicium über diesen Träger
hinausragt Die Kontaktstelle zwischen dem flüssigen Silicium und dem Substrat zum Anbringen der
Siliciumschicht befindet sich dann oberhalb der waagerechten Trägeroberfläche oder wenigstens auf
etwa der gleichen Höhe wie die genannte Trägeroberfläche.
Unter dem Ausdruck »waagerecht« in bezug auf die Oberfläche des Trägers, auf der das flüssige Silicium
angebracht wird, ist zu verstehen, daß, wenn von einer genau waagerechten Lage abgewichen wird, das flüssige
Silicium nicht von der genannten Oberfläche abfließen oder abtropfen kann, und daß, wenn diese Oberfläche
die obere Fläche des Trägers ist das flüssige Silicium zum größten Teil abgeflossen wäre, wenn die einzigen
auf das geschmolzene Silicium einwirkenden Kräfte Schwerkräfte gewesen wären. Das geschmolzene
Silicium kann z. B. durch Oberflächenspannung an der
Stelle gehal'en werden.
Der Träger kann aus einem feuerfesten Material hoher Reinheit an der waagerechten Oberfläche z. B.
Siliciumoxid hoher Reinheit bestehen. Geschmolzenes, vom Substrat aufgenommenes Silicium kann dadurcli
ergänzt werden, daß flüssiges Halbleitermaterial durch einen oder mehrere Kapillarkanäle in der Trägeröffnung an der waagerechten Oberfläche zugesetzt wird,
wobei die genannten Kapillarkanäle flüssiges Silicium aus Einern Schmelzbad empfangen, das den Träger an
einer anderen Stelle als die waagerechte Oberfläche kontaktiert. Es ist jedoch auch möglich, das flüssige
Silicium dadurch zu ergänzen, daß Silicium in Pulverform zugesetzt wird. <·■''
Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
besteht der Feststoffträgrr aus Silicium in fester Form. Dies hat den Vorteil, daß das Material des Trägers die
gleiche oder eine sogar höhere Reinheit als das flüssige Silicium selbst haben kann. Das flüssige Silicium kann
anfänglich dadurch gebildet werden, daß ein Endteil des Feststoffträgers geschmolzen wird. Das flüssige Silicium
kann einen hängenden Tropfen bilden oder kann nach einer Weiterbildung nahezu auf der Oberseite des
Trägers schwimmen. Geeignete Heizer können zur
Bildung einer waagerechten Flüssigkeit-Feststoffgrenzfläche verwendet werden, die auch die waagerechte
Oberfläche des Trägers für das flüssige Silicium bildet
Grundsätzlich kann auch eine Abwärtsbewegung des streifenförmigen Substrats benutzt werden. Es muß
jedoch dafür gesorgt werden, daß durch die Substratoberfläche geschmolzenes Silicium auf gleichmäßige
Weise aufgenommen wird, um örtliche Anhäufung von Silicium, das über bereits erstarrtes Material abfließt zu
vermeiden.
Das Substrat wird aufwärts bewegt Dadurch werden ungleichmäßige Dicken unwahrscheinlicher, weil jede
etwaige irtigenblicklich vergrößerte vom Substrat
aufgenommene Flüssigkeitsmenge . entweder einer nächsten herabgesetzten Flüssigkeitsiuenge, die in
einem nächstfolgenden Augenblick aus der etwas verringerten Flüssigkeitsmenge auf der Trägeroberfläche aufgenommen wird, zugesetzt werden oder zu dem
genannten flüssigen Silicium zurückfließen kann.
Die Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens enthält Mittel, mit deren Hilfe der Träger für das flüssige
Silicium während der Bildung der Siliciumschicht auf der Substratoberfläche in senkrechter Richtung bewegt
wird. Dadurch kann das Silicium in eine Lage in bezug auf die Heizer gebracht werden, in der das geschmolzene Silicium gebildet und mit der Substratoberfläche
kontaktiert wird. Wenn das Substrat aus Silicium besteht kann dieser Träger in Richtung auf das flüssige
Silicium bewegt werden, um das geschmolzene Silicium zu ergänzen, wie oben bereits erwähnt wurde.
Um verhältnismäßig breite Siliciumschichten zu erhalten, ist es vorteilhaft daß eine Kontalustelle
zwischen dem streifenförmigen Substrat und dem geschmolzenen Silicium vorhanden ist die in einer zu
der Bewegungsrichtung des Streifens an der Kontaktstelle mit dem flüssigen Silicium senkrechten Richtung
verhältnismäßig groß ist. Für diesen Zweck vird nach einer bevorzugten Ausführungsform dip waagerechte
Oberfläche des Trägers für das flüssige Silicium von einem geradlinigen Rand begrenzt, der sich etwa über
die Länge der genannten waagerechten Oberfläche erstreckt, wobei der Streifen sich in geringer Entfernung
vom genannten Rand fortbewegt.
Außerdem kann das streifenförmige Substrat infolge
seiner Form auf einer verhältnismäßig niedrigen Temperatur gehalten werden, bevor es mit dem
flüssiger; Silicium in Kontakt kommt wodurch die Gefahr einer Verunreinigung des Halbleitermaterial
herabgesetzt wird. Weiter können im Hod/requenzmagnetfeld Kräfte auf das flüssige Silicium ausgeübt
werden, die zusammen mit der Oberflächenspannung fördern, daß das flüssige Silicium auf der waagerechten
Substratoberfläche in seiner Lage gehalten wird.
Zum Durchführen eines kontinuierlichen Vorgangs unter Verwendung von Streifen großer Länge sind diese
Streifen biegsam. Ein derartiger Streifen kann anfänglich auf eine Spule aufgewickelt worden sein, derart, daß
er während des Vorgangs /.um Anbringen der Halbleiterschicht abgewickelt werden kann.
Es ist erforderlich, daß wenigstens die Hauptoberfläche des Streifens, auf der die Halbleitermaterialschicht
angebracht werden muß, mil dem Flüssigen Halbleitermaterial benetzt werden kann. Der benetzbare Winkel
ist vorzugsweise nicht größer als 20°. In diesem Zusammenhang ist unter dem Ausdruck »benetzbarer
Winkel« in bezug auf eine bestimmte Oberfläche, die mit der genannten Flüssigkeit benetzt werden kann, hier der
Winkel zwischen dem Meniskus der bestimmten Flüssigkeit und der bestimmten Oberfläche am Übergang
zwischen diesen beiden zu verstehen, wenn die genannte Oberfläche teilweise in senkrechter Lage in
die genannte Flüssigkeit eingesetzt wird. Je größer die Benetzbarkeit ist, je größer ist der Aufstieg der
Flüssigkeit entlang der Wand und je kleiner ist der benetzbare Winkel.
Es ist möglich, verschiedene Materialien für den Streifen zu verwenden. Feuerfeste Metalle können als
elektrisch leitendes Material für den Streifen verwendet werden. Metalle können in die Form biegsamer Folien
gebracht werden. Ein anderes teuerfestes Material ist elementarer Kohlenstoff. Kohlenstoff in Form von
Graphit oder in amorpher Form kann eine geeignete Benetzbarkeit mit geschmolzenem Silicium aufweisen
und ist weiter elektrisch leitend. Er kann in Form eines Überzugs auf weniger benetzbarem Material verwendet
werden. Das Substrat kann auch völlig aus Kohlenstoff bestehen.
Wenn das für den Streifen zu verwendende Material ziemlich hart und spröde ist, derart, daß es sich schwer
als das Hauptmaterial des Streifens in kompakter Form verwenden läßt, können solche Materialien, wie
Kohlenstoff oder keramische Materialien, in Faserform angewendet werden, um einen biegsamen Streifen zu
erhalten. Kohlenstoff ist in Faserform, wie Graphitfilz und Kohlenstoffgewebe, verfügbar. Ein solcher faseriger
Kohlenstoff kann auf bekannte Weise durch Verkohlung von Fasern aus organischen Materialien
erhalten werden.
Wenn der Streifen aus elektrisch leitendem Material besteht, kann er als elektrischer Kontakt für die
Halbleiteranordnungen verwendet werden, die aus der erhaltenen Halbleitermaterialschicht hergestellt werden.
Um einen Kontakt zwischen dem flüssigen Silicium und dem Streifen herzustellen, kann das flüssige Silicium
in einer derartigen Menge verwendet werden, daß es anfänglich bereits seitlich aus dem Rand der annähernd
waagerechten Substratoberfläche hervorragt. Auch kann der Streifen zu dem flüssigen Silicium hin bewegt
werden, um einen Kontakt mit ihm herzustellen, wobei, wenn der Streifen in seine Anfangslage frei von dem
Träger zurückver-atzt wird, das flüssige Silicium durch Haftung an der Substratoberfläche verformt wird,
derart, daß der Kontakt aufrechterhalten wird.
Weiter wurde gefunden, daß die Dicke der Halbleitermaterialschicht,
die auf dem Substrat gebildet ist, dadurch geregelt werden kann, daß dem Streifen eine
geeignete Neigung an der Kontaktstelle mit dem flüssigen Silicium gegeben wird. Zu diesem Zweck
enthält eine geeignete Vorrichtung Mittel zur Einstellung der Neigung des streifenförmigen Substrats an der
betreffenden Stelle.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnungen beispielsweise näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 schematisch eine Vorrichtung zum Durchführen des erfindungsgemäßen Verfahrens unter Verwendung
zweier beweglicher Substrate,
F i g. 2 eine isometrische Projektion in vergrößertem Maßstab eines Teiles mit einem Träger in Form eines
polykristallinen Körpers zwischen zwei beweglichen Substraten und einer Hochfrequenzspule, und
F i g. 3 eine andere Vorrichtung zum Durchführen einer anderen Ausführungsform des Verfahrens nach
der Erfindung.
Fig. I zeigt einen geschlossenen Raum t mit Metallwänden und mit mindestens einem Einlaß und
einem Auslaß 2 bzw. 3. wodurch eine inerte Atmosphäre gebildet werden kann. Senkrecht in der Mitte befindet
ίο sich ein Körper 4 aus polykristallinem Silicium, der
einen Träger für das flüssige Silicium 5 bildet, das am oberen Ende 6 des Trägers 4 mit Hilfe von Heizern
erhalten wird, die z. B. durch eine Hochfrequenzspule 7 gebildet werden. Der Träger 4 wird am Ende eines
ii senkrechten Stabes 8 gehaltert, der durch eine öffnung
9 in den Raum 1 eintritt. Zu beiden Seiten des Trägers 4 liegen Substrate in Form von Streifen 10 und II, die zu
dem Träger 4 symmetrisch sind. Die Streifen 10 und 11,
die von Führungen i2 genaiiert werden, ireien durch
öffnungen 13 bzw. 14 in den Raum 1 ein und treten durch öffnungen 15 bzw. 16 aus dem oberen Teil des
Raumes 1 heraus.
Die genannten Streifen 10 und 11 werden in Richtung
der Pfeile F durch nicht dargestellte Antriebsmittel
:5 bewegt.
F i g. 2 zeigt den polykristallinen Siliciumkörper 4, der den Träger für das flüssige Silicium 5 bildet, das durch
Erhitzu:.^ mittels der Hochfrequenzspule 7 erhalten wird. Zu beiden Seiten des Trägers 4 liegen Streifen 10
und 11, die zu dem Träger 4 symmetrisch sind. Die Streifen 10 und la werden von nicht in der Figur
dargestellten Antriebsmitteln in Richtung der Pfeile F bewegt.
Das Verfahren wird auf folgende Weise durchgeführt:
Das obere Ende 6 des Siliciumkörpers 4 wird derart erhitzt, daß das flüssige Silicium 5 auf einer annähernd
waagerechten Feststoff-Flüssigkeit-Grenzfläche gebildet wird, die die obere Fläche des Trägers bildet Der
Träger kann aus reinem Silicium bestehen, das gegebenenfalls auf geeignete Weise dotiert wird.
Infolge der unmittelbaren Nähe der Streifen 10 und 11
aus einem mit Silicium benetzbaren Material, im vorliegenden Falle aus Kohlenstoffaser, benetzt das
Silicium der Zone 5 die Streifen. Die Streifen werden
*5 aufwärts in Richtung des Pfeiles Fbewegt.
Das von den Substratstreifen 10 und 11 festgehaltene
flüssige Silicium wird durch die gleichmäßige Bewegung in Richtung der Pfeile Fder Träger 10 und 11 getrieben
und kristallisiert in Form von Schichten 17 bzw. 18, je nachdem das Silicium von den Heizern 7 ab bewegt
wird.
Auf diese Weise werden ununterbrochene Siliciumschichten
auf dem Träger gebildet und außerhalb des Metallraumes 1 gesammelt
Durch dieses Verfahren werden Siliciumstreifen mit einer Dicke in der Größenordnung von etwa βΟμητ,
einer Breite von 2 cm und einer Länge von mehreren Zentimetern auf einem Träger erhalten, der aus
faserigem Kohlenstoff besteht und mit einer Geschwindigkeit von 20 cm/min angetrieben wird. Das Material
war polykristallin mit lateralen Korngrößen in der Größenordnung von 300 μίτι. Die mittlere Kristallorientierung
war (211) in der Bewegungsrichtung des Streifens und (111) in der Ebene der Schicht
Fig.3 zeigt einen Raum 1 mit mindestens einem
Einlaß und einem Auslaß 2 bzw. 3, wodurch eine inerte Atmosphäre gebildet werden kann. Ein Träger 4 aus
einem Körper aus polykristallinem Silicium wird
senkrecht in der Mitte des Raurr.es angeordnet, wobei
eine geschmolzene Zone 5 am oberen Ende 6 des Stabes 4 durch Hochfrequenzinduktion mittels einer Hochfrequenzspule
7 geLildet wird. Der Träger 4 wird am Ende eines senkrechten Stabes 8 gehaltert, der durch eine
Öffnung 9 in den Raum 1 eingeführt wird. Zu beiden Seiten des Trägers 4 liegen Substrate in Form von
Stre;i-n 10 und 11, die von Führungen 12 gehaltert
werdert; diese Streifen 10,11 treten durch Öffnungen 13
bzw. 14 in den Raum 1 ein und aus dem oberen Teil des Raumes durch die öffnung 15 heraus, die ir, diesem Falle
gemeinsam ist. weil sich die beiden Träger nähern. Geeignete Mittel können zum Erhalten einer gewünschten
Neigung der genannten Streifen verwendet werden, die ersetzbare Führungen 36 und 37 enthalten, die auch π
eine Einstellung der genannten Neigung während der Bildung der Schicht gestatten. Die Streifen 10, U
werden in Richtung der Pfeile F' von in F i g. 3 nicht
rlarupctplltpn Anlriphsmittpln hpu/ρσί
σ - - — ■ -ο·-
σ - - — ■ -ο·-
Je nachdem die Neigung eines Streifens an der Kontaktstelle mit dem flüssigen Silicium weiter von
einer senkrechten Richtung abweicht, ist die erhaltene Siliciumschicht auf dem Substrat dicker.
Es wurden Versuche durchgeführt, bei denen der Neigungswinkel des streifenförmigen Substrats zu der
senkrechten Richtung um etwa 10° vergrößert wurde, wobei die Dicke der Siliciumschicht auf einem
geeigneten Träger, z. B. aus Graphit, das sehr gut benetzbar ist, von 10 μιτι auf 160 μπι vergrößert wurde.
Die so erhaltenen Schichten können weiter für die Herstellung von Sonnenzellen mit Halbleiteranordnungen
aus polykristallinem Silicium oder anderen Halbleiteranordnungen, wie Gleichrichtern, bearbeitet werden.
Versuche wurden mit normalen zylindrischen Stäben durchgeführt, aber es leuchtet ein, daß breitere
Schichten mit Siliciumträgern in Form eines Parallelepipedons erhalten werden können, wie in F i g. 2
dargestellt ist. Auch können normalerweise vorhandene zylindrische nach dem Zonenschmelzverfahren gereinigte
Stäbe aus polykristallinen Silicium in der Längsrichtung in zwei Stücke gesägt werden, wobei
jpdps Sliirk als Träger (Sockel) für eine geschmolzene
Siliciummasse auf seiner Oberseite verwendet wird, während sich der Substratstreifen längs des infolge des
Sägevorgangs gebildeten geraden Randes bewegt.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (17)
1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen,
bei dem eine Siliciumsciiicht auf einer Hauptoberfläche eines Feststoffsubstrats durch
Erstarrung geschmolzenen Siliciums angebracht wird, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:
a) eine flüssige Masse des Siliciums wird auf einer annähernd waagerechten Oberfläche eines
Feststoffträgers gebildet;
b) diese flüssige Masse wird mit der genannten Hauptoberfläche des Feststoffsubstrats, auf der
die Siliciumschicht angebracht werden soll, in
Kontakt gebracht, wobei die letztere Hauptoberfläche mit dem flüssigen Silicium benetzt
wird;
c) dem Feststoffsubstrat wird die Form eines Streifes" gegeben;
d) an der kontaktstelle mit der geschmolzenen
Masse auf der Trägeroberfläche wird dem genannten Streifen eine Aufwärtsbewegung
erteilt, derart, daß eine flüssige Schicht des Siliciums auf dem genannten Streifen gebildet
und von diesem mitgeführt wird;
e) die flüssige Schicht wird erstarren gelassen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet da:; die annähernd waagerechte Oberfläche
des Feststoffsubstrats die obere Räche dieses Substrats ist, wobei die flüssige Halbleitermaterialmasse
über diesen Feststoffträger hinausragt
3. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Feststoffträger
aus dem Halbleiter..laterial in fester Form besteht
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß während der Bildung der Schicht Halbleitermaterial dadurch der flüssigen Masse
zugegeben wird, daß allmählich an der nüssigen Masse grenzendes Halbleitermaterial des Trägers
geschmolzen wird.
5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat
ein biegsamer Streifen ist.
6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Winkel,
der von der Substratoberfläche und der Oberfläche des flüssigen Halbleitermaterials eingeschlossen
wird, höchstens 20° beträgt
7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein isolierendes
feuerfestes Material als Material für den Streifen verwendet wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein elektrisch leitendes
feuerfestes Material als Material für den Streifen verwendet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein metallisches feuerfestes Material
für den Streifen verwendet wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8, bei dem das Halbleitermaterial aus Silicium besteht, dadurch
gekennzeichnet, daß elementarer Kohlenstoff als Material für den Streifen verwendet wird.
11. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß des Material
des Streifens faserig ist.
12. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die annähernd
waagerechte Oberfläche des Trägers der flüssigen Masse von einem geradlinigen Rand etwa
gemäß der Länge der genannten annähernd waagerechten Oberfläche begrenzt wird, wobei sich
der Streifen dicht am genannten Rand vorbeibewegt
13. Verfahren nach Anspruch 12, uadurch
gekennzeichnet daß der Träger die Form eines Parallelepipedons aufweist
14. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet daß Ränder
der annähernd waagerechten Oberfläche des Körpers Ränder etwa senkrecht angeordneter Oberflächen
des Trägers bilden.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3
und 5 bis 14, dadurch gekennzeichnet daß während
der Bildung der Halbleitermaterialschicht die flüssige Halbleitermaterialmasse dadurch ergänzt wird,
daß Halbleitermaterial in Pulverform der genannten Masse zugesetzt wird.
16. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet daß die flüssige
Halbleitermaterialmasse durch Hochfrequenzinduktion erhitzt wird.
17. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet daß an der
Kontaktstelle zwischen der flüssigen Halbleitermaterialmasse und der Hauptoberfläche des Streifens
die genannte Hauptoberfläche in bezug auf die annähernd waagerechte Oberfläche des Trägers
eine geneigte Lage einnimmt
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