DE2551444A1 - Verfahren zur formgebung eines halbleiterkoerpers - Google Patents

Verfahren zur formgebung eines halbleiterkoerpers

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DE2551444A1
DE2551444A1 DE19752551444 DE2551444A DE2551444A1 DE 2551444 A1 DE2551444 A1 DE 2551444A1 DE 19752551444 DE19752551444 DE 19752551444 DE 2551444 A DE2551444 A DE 2551444A DE 2551444 A1 DE2551444 A1 DE 2551444A1
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Germany
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resistance
relatively high
etched
semiconductor body
etching
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Pending
Application number
DE19752551444
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German (de)
English (en)
Inventor
Jocelyn Froom
Peter D Greene
Harold G B Hicks
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
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Publication date
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    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/60—Wet etching
    • H10P50/61—Electrolytic etching
    • H10P50/613—Electrolytic etching of Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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EP0309782A1 (de) * 1987-09-30 1989-04-05 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Ätzen von (100) Silizium
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