DE2551444A1 - Verfahren zur formgebung eines halbleiterkoerpers - Google Patents

Verfahren zur formgebung eines halbleiterkoerpers

Info

Publication number
DE2551444A1
DE2551444A1 DE19752551444 DE2551444A DE2551444A1 DE 2551444 A1 DE2551444 A1 DE 2551444A1 DE 19752551444 DE19752551444 DE 19752551444 DE 2551444 A DE2551444 A DE 2551444A DE 2551444 A1 DE2551444 A1 DE 2551444A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resistance
relatively high
etched
semiconductor body
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19752551444
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Jocelyn Froom
Peter D Greene
Harold G B Hicks
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche ITT Industries GmbH filed Critical Deutsche ITT Industries GmbH
Publication of DE2551444A1 publication Critical patent/DE2551444A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P50/613
    • H10P50/617

Landscapes

  • Weting (AREA)
DE19752551444 1974-11-28 1975-11-15 Verfahren zur formgebung eines halbleiterkoerpers Pending DE2551444A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB5157474A GB1469005A (en) 1974-11-28 1974-11-28 Standard telephones cables ltd semiconductor device manufacture

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2551444A1 true DE2551444A1 (de) 1976-08-12

Family

ID=10460546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752551444 Pending DE2551444A1 (de) 1974-11-28 1975-11-15 Verfahren zur formgebung eines halbleiterkoerpers

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS5622368B2 (enExample)
DE (1) DE2551444A1 (enExample)
GB (1) GB1469005A (enExample)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0309782A1 (de) * 1987-09-30 1989-04-05 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Ätzen von (100) Silizium
US6401009B1 (en) 1999-02-16 2002-06-04 Suzette M. Chandonnet Sundry article vending apparatus

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6047725B2 (ja) * 1977-06-14 1985-10-23 ソニー株式会社 フエライトの加工法
GB8426915D0 (en) * 1984-10-24 1984-11-28 Marconi Instruments Ltd Fabricating devices on semiconductor substrates

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0309782A1 (de) * 1987-09-30 1989-04-05 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Ätzen von (100) Silizium
US6401009B1 (en) 1999-02-16 2002-06-04 Suzette M. Chandonnet Sundry article vending apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5177074A (enExample) 1976-07-03
GB1469005A (en) 1977-03-30
JPS5622368B2 (enExample) 1981-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2036139A1 (de) Dunnfümmetallisierungsverfahren fur Mikroschaltungen
DE3138960A1 (de) Verfahren zur erzeugung elektrisch leitender schichten
DE3706127A1 (de) Diskontinuierliches aetzverfahren
DE1614356B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterbaugruppe mit komplementären Feldeffekttransistoren und Material zur Durchführung des Verfahrens
DE3103615A1 (de) Verfahren zur erzeugung von extremen feinstrukturen
DE1544214A1 (de) Verfahren zum Zuechten von duennen,schwach dotierten homogenen epitaktischen Siliziumschichten bei niedrigen Temperaturen,insbesondere zum Herstellen von UEbergaengen mit extrem niedrigem Widerstand in Flussrichtung
DE2259829A1 (de) Verfahren zur behandlung von galliumhaltigen verbindungshalbleitern
DE2413792A1 (de) Verfahren zum behandeln von galliumhaltiger verbindungshalbleiter
DE1803024C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Feldeffekttransistorbauelementen
DE2621165A1 (de) Verfahren zum herstellen eines metallkontaktes
DE2422120A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung
DE2132034A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Zwischenverbindungen fuer elektrische Baueinheiten auf Festkoerpern
DE1514018A1 (de) Verfahren zur Verbesserung der Betriebseigenschaften von Halbleiterbauelementen
DE1231812B (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Halbleiterbauelementen nach der Mesa-Diffusionstechnik
DE1944131A1 (de) Verfahren zum Herabsetzen der Stapelfehlerdichte in epitaktischen Schichten von Halbleiterbauelementen
DE1764758A1 (de) Verfahren zum Bilden von Anschlussleitungen an einen Koerper aus Halbleitermaterial
DE1614829C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
DE1614233A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
DE2551444A1 (de) Verfahren zur formgebung eines halbleiterkoerpers
DE1614995B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Aluminiumkontakten an planaren Halbleiteranordnungen
DE2020531C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Silizium-Höchstfrequenz-Planartransistoren
DE1564528A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines elektrisch leitenden Kanals in einem kristallinen Halbleiterkoerper
DE1915084A1 (de) Verbesserte Photoharze fuer die Halbleiterfertigung
DE1546014A1 (de) Verfahren zum AEtzen von Metallschichten mit laengs der Schichtdicke unterschiedlicher Zusammensetzung
DE1589852B2 (de) Feldeffekttransistor

Legal Events

Date Code Title Description
OHJ Non-payment of the annual fee