JPS6047725B2 - フエライトの加工法 - Google Patents
フエライトの加工法Info
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- JPS6047725B2 JPS6047725B2 JP52070231A JP7023177A JPS6047725B2 JP S6047725 B2 JPS6047725 B2 JP S6047725B2 JP 52070231 A JP52070231 A JP 52070231A JP 7023177 A JP7023177 A JP 7023177A JP S6047725 B2 JPS6047725 B2 JP S6047725B2
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
- C04B41/5338—Etching
- C04B41/5353—Wet etching, e.g. with etchants dissolved in organic solvents
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/133—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores composed of particles, e.g. with dust cores, with ferrite cores with cores composed of isolated magnetic particles
- G11B5/1335—Assembling or shaping of elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
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Description
【発明の詳細な説明】
例えば、フェライト磁気ヘッドを製造する場合、その
コアを構成するフェライトブロック体に、溝切りなどの
加工を施す必要が生ずる。
コアを構成するフェライトブロック体に、溝切りなどの
加工を施す必要が生ずる。
先ず、その理解を容易にするためにフェライト磁気ヘッ
ドの製造方法の一例を第１図ないし第５図を参照して説
明するに、対のフェライトコアブロック１及び２を用意
し、これらブロック１及び２を、その一側面１ａ及び２
ａが互に突き合せられるように接着合体する。第１図は
この合体されたブロック１及び２の正面図、第２図は裏
面図で、第３図は第１図の■−■線上の断面図、第４図
は第１図の■−■線からみた一方のブロック１の側面図
である。ブロック１は、その突き合せ面１ａに複数のト
ラック幅規制用溝３が所定の間隔を保持して平行に、且
つブロック１の突き合せ面１ａと隣り合い、ブロック１
の長手方向に沿う面ｌｂ及びｌｃ間にさし渡つて形成さ
れる。又ブロック１２の突き合せ面２ａには、ブロック
１の面ｌｂに対応する面２ｂ側に片寄り、且つ、面２ｂ
と所要の間隔を保持して作動磁気空隙の深さを規定し、
且つ巻線が施される巻線溝４が各溝３を横切る方向に延
長して形成されると共に、面２ａと、ブロック１の面ｌ
ｃに対応する面２ｃとの間の角部に切欠５が溝４の延長
方向に沿つて形成される。 そして、両ブロック１及び
２は、互いにその突き合せ面１ａ及び２ａを所定の位置
関係をもつて突き合せた状態で、その面ｌｃ及び２ｃを
上方に面ｌｂ及び２ｂを下方に配置して図示しないが切
欠５内と溝４内に例えばガラス棒を挿入し、これを加熱
熔融することによつて、各溝３内を含んで、面１ａ及び
２ａ間にガラス材を介在させ両ブロック１及び２を接着
合体する。
ドの製造方法の一例を第１図ないし第５図を参照して説
明するに、対のフェライトコアブロック１及び２を用意
し、これらブロック１及び２を、その一側面１ａ及び２
ａが互に突き合せられるように接着合体する。第１図は
この合体されたブロック１及び２の正面図、第２図は裏
面図で、第３図は第１図の■−■線上の断面図、第４図
は第１図の■−■線からみた一方のブロック１の側面図
である。ブロック１は、その突き合せ面１ａに複数のト
ラック幅規制用溝３が所定の間隔を保持して平行に、且
つブロック１の突き合せ面１ａと隣り合い、ブロック１
の長手方向に沿う面ｌｂ及びｌｃ間にさし渡つて形成さ
れる。又ブロック１２の突き合せ面２ａには、ブロック
１の面ｌｂに対応する面２ｂ側に片寄り、且つ、面２ｂ
と所要の間隔を保持して作動磁気空隙の深さを規定し、
且つ巻線が施される巻線溝４が各溝３を横切る方向に延
長して形成されると共に、面２ａと、ブロック１の面ｌ
ｃに対応する面２ｃとの間の角部に切欠５が溝４の延長
方向に沿つて形成される。 そして、両ブロック１及び
２は、互いにその突き合せ面１ａ及び２ａを所定の位置
関係をもつて突き合せた状態で、その面ｌｃ及び２ｃを
上方に面ｌｂ及び２ｂを下方に配置して図示しないが切
欠５内と溝４内に例えばガラス棒を挿入し、これを加熱
熔融することによつて、各溝３内を含んで、面１ａ及び
２ａ間にガラス材を介在させ両ブロック１及び２を接着
合体する。
このようにして合体されたブロック１及び２は、その
溝３を横切るように第１図、第２図及び第４図に鎖線で
示した切断面をもつて切断され、溝４に巻線６を巻き付
けることによつて第５図に示すように磁気ヘッド７が得
られる。
溝３を横切るように第１図、第２図及び第４図に鎖線で
示した切断面をもつて切断され、溝４に巻線６を巻き付
けることによつて第５図に示すように磁気ヘッド７が得
られる。
８は溝３内に充填されたガラスを示す。
斯くすれば、ブロック１及び２の各一部よりなるコア
半体９及び１０が合体され、両者間に作動空隙ｇが形成
され、そのトラック幅方向が溝３によつて規定され、深
さが溝４によつて規定された磁気ヘッド７が得られる。
半体９及び１０が合体され、両者間に作動空隙ｇが形成
され、そのトラック幅方向が溝３によつて規定され、深
さが溝４によつて規定された磁気ヘッド７が得られる。
上述したように通常、フェライト磁気ヘッドを製造する
場合、そのフェライトコアブロックに対する平面加工、
溝入れ加工等の加工を伴なうが、これら加工は通常研削
盤、砥石等による機械的加工によつて行う。ところが、
このような機械的加工による場合、その寸法精度は充分
高められず、特に高い精度が要求されるビデオヘッド等
を得る場合において均一な特性を有する磁気ヘッドを歩
留りよく得る上に問題がある。
場合、そのフェライトコアブロックに対する平面加工、
溝入れ加工等の加工を伴なうが、これら加工は通常研削
盤、砥石等による機械的加工によつて行う。ところが、
このような機械的加工による場合、その寸法精度は充分
高められず、特に高い精度が要求されるビデオヘッド等
を得る場合において均一な特性を有する磁気ヘッドを歩
留りよく得る上に問題がある。
又、このような機械的加工による場合、残留歪が大でこ
れによつてフェライトの磁気特性が低下する等の欠点を
招来する。又更に機械的加工法による場合、自づから、
形状的制約が生する。このような欠点を回避するものと
して化学的エッチングによるものが提案された。
れによつてフェライトの磁気特性が低下する等の欠点を
招来する。又更に機械的加工法による場合、自づから、
形状的制約が生する。このような欠点を回避するものと
して化学的エッチングによるものが提案された。
この化学的エッチングは、例えば５０％塩酸水溶液ある
いは濃燐酸のような高濃度の酸を用いるものであり、特
に燐酸を用いる場合は、そのエッチング速度を或る程度
早めるために、５０℃程度に昇温して用いられる。又、
このような化学的エッチングによつて例えばフェライト
に対して溝入れを施さんとする場合５は、第６図に示す
ようにその被加工フェライトブロック１５上に所定のパ
ターン、即ち例えば溝を形成せんとする部分に窓１１ａ
を有するエッチングレジスト１１を被着する。
いは濃燐酸のような高濃度の酸を用いるものであり、特
に燐酸を用いる場合は、そのエッチング速度を或る程度
早めるために、５０℃程度に昇温して用いられる。又、
このような化学的エッチングによつて例えばフェライト
に対して溝入れを施さんとする場合５は、第６図に示す
ようにその被加工フェライトブロック１５上に所定のパ
ターン、即ち例えば溝を形成せんとする部分に窓１１ａ
を有するエッチングレジスト１１を被着する。
このエッチングレジスト１１は、例えば感光性樹脂（フ
オトレジス（卜）をブロック１５上に塗布し、これを所
定のパターンに露光現像して窓１１ａを形成する。そし
て、第７図に示すようにエッチングレジスト１１によつ
て覆われていない部分、即ち窓１１ａを通じてフェライ
ト１５に対して上述した酸に３よるエッチングを行つて
溝１２を形成する。ところがこのようにして酸のエッチ
ング液によつて形成した溝１２は、窓１１ａの縁部から
レジスト１１下に入り込む横方向に進行するエッチング
、いわゆるサイドエッチングが可成り大きくなつてし４
まう。即ち、今、溝１２の深さをＤとし横方向に入り込
むサイドエッチの幅をＲとするときｐで
ゝＲ表わされるエッチングファク
タは１より小となる。
オトレジス（卜）をブロック１５上に塗布し、これを所
定のパターンに露光現像して窓１１ａを形成する。そし
て、第７図に示すようにエッチングレジスト１１によつ
て覆われていない部分、即ち窓１１ａを通じてフェライ
ト１５に対して上述した酸に３よるエッチングを行つて
溝１２を形成する。ところがこのようにして酸のエッチ
ング液によつて形成した溝１２は、窓１１ａの縁部から
レジスト１１下に入り込む横方向に進行するエッチング
、いわゆるサイドエッチングが可成り大きくなつてし４
まう。即ち、今、溝１２の深さをＤとし横方向に入り込
むサイドエッチの幅をＲとするときｐで
ゝＲ表わされるエッチングファク
タは１より小となる。
従つて、この方法では、深いエッチング溝１２の形成が
困難で、前述したような例えば十数μｍ以上の深さの溝
を形成することが要求されるトラック幅規制用の溝３あ
いは巻線溝４あるいは切欠５等の形成にこの化学的エッ
チングを適用することは難しい。
困難で、前述したような例えば十数μｍ以上の深さの溝
を形成することが要求されるトラック幅規制用の溝３あ
いは巻線溝４あるいは切欠５等の形成にこの化学的エッ
チングを適用することは難しい。
又、５０℃程度にも高い温度に熱せられたエッチング液
としての燐酸に対して、エッチングレジスト１１として
用いるフォトレジストはノ耐酸性を持たないので、所望
の深い溝の加工は至難であつた。本発明者等は、上述し
た諸問題に鑑み種々の実験考察を行つた結果、新規なフ
ェライトの加工法を見い出すに至つた。
としての燐酸に対して、エッチングレジスト１１として
用いるフォトレジストはノ耐酸性を持たないので、所望
の深い溝の加工は至難であつた。本発明者等は、上述し
た諸問題に鑑み種々の実験考察を行つた結果、新規なフ
ェライトの加工法を見い出すに至つた。
即ち、本発明によるフェライトの加工法においては、電
解エッチングを適用するものであり、更にこの電解エッ
チングによつてフェライトに対するエッチングファクタ
Ｒを充分高め得る方法を見い出すに至つた。
解エッチングを適用するものであり、更にこの電解エッ
チングによつてフェライトに対するエッチングファクタ
Ｒを充分高め得る方法を見い出すに至つた。
即ち、本発明においては、第８図に示すように、槽１３
中に収容された電解エッチング液１４内に、加工を施さ
んとする即ち被加工フェライト１５と、これと所要の間
隔を保持して例えば白金よりなる対向電極１６とを浸漬
配置し、フェライト１５を負極側としてこのフェライト
１５と対向電極１６間に３〜２０Ｖの直流電圧を持続的
又は断続的に印加する。
中に収容された電解エッチング液１４内に、加工を施さ
んとする即ち被加工フェライト１５と、これと所要の間
隔を保持して例えば白金よりなる対向電極１６とを浸漬
配置し、フェライト１５を負極側としてこのフェライト
１５と対向電極１６間に３〜２０Ｖの直流電圧を持続的
又は断続的に印加する。
この被加工フェライト１５は、第６図を参照して説明し
たと同様に、加工を施さんとする部分、即ち例えばトラ
ック幅規制用溝３、あるいは巻線溝４、又は切欠５を形
成せんとする部分を、窓１１ａを通じて露出し、他部を
エッチングレジスト１１によつて覆う。
たと同様に、加工を施さんとする部分、即ち例えばトラ
ック幅規制用溝３、あるいは巻線溝４、又は切欠５を形
成せんとする部分を、窓１１ａを通じて露出し、他部を
エッチングレジスト１１によつて覆う。
尚被加工フェライト１５は、例えばステンレス等よりな
る導電体１７上にこれと電気的に連結されるように取着
し、この導電体１７と対向電極１６との間に直流電圧源
Ｖ，を接続するようになす。そして、ここに被加工フェ
ライト１５の露出表面積（例えば前述したようにエッチ
ングレジスト１１が被覆されている場合はこのエッチン
グレジスト１１の窓１１ａを通じて露出した表面積の総
和ＳＦ）と、対向電極１６の表面積Ｓ。
る導電体１７上にこれと電気的に連結されるように取着
し、この導電体１７と対向電極１６との間に直流電圧源
Ｖ，を接続するようになす。そして、ここに被加工フェ
ライト１５の露出表面積（例えば前述したようにエッチ
ングレジスト１１が被覆されている場合はこのエッチン
グレジスト１１の窓１１ａを通じて露出した表面積の総
和ＳＦ）と、対向電極１６の表面積Ｓ。
との比？は１０以下とし、更に電解エッチング液１４の
濃度を０．００５〜１０モル／ｅに選定して、その電解
エッチングを行う。同図中１８は、電解エッチング液の
攪拌用スターラー例えばマグネツトスターラーを示す。
次に本発明の実施例を説明する。
濃度を０．００５〜１０モル／ｅに選定して、その電解
エッチングを行う。同図中１８は、電解エッチング液の
攪拌用スターラー例えばマグネツトスターラーを示す。
次に本発明の実施例を説明する。
実施例１
鏡面研磨加工した単結晶フェライト上にゴム系のネガタ
イプのエッチングレジストを被着する。
イプのエッチングレジストを被着する。
このエッチングレジストには、前述した露光現−像処理
によつて一定の幅の直線的な帯状のエッチング窓を設け
る。そして、このエッチングレジストが施されたフェラ
イトと白金よりなる対向電極とを電解エッチング液とし
ての０．２モル／ｅの常温の燐酸水溶液に浸漬し、フェ
ライト側を負極としてこれと対向電極間に６Ｖの電圧を
印加して電解エッチングを行つた。この実施例による電
解エッチングのエッチングファクタＰ１エッチング速度
、更にエッチングレジストの窓の周縁部下に入り込むサ
イドエッチングのエッチングのばらつきの態様即ち、サ
イドエッチの凹凸を表１に示す。
によつて一定の幅の直線的な帯状のエッチング窓を設け
る。そして、このエッチングレジストが施されたフェラ
イトと白金よりなる対向電極とを電解エッチング液とし
ての０．２モル／ｅの常温の燐酸水溶液に浸漬し、フェ
ライト側を負極としてこれと対向電極間に６Ｖの電圧を
印加して電解エッチングを行つた。この実施例による電
解エッチングのエッチングファクタＰ１エッチング速度
、更にエッチングレジストの窓の周縁部下に入り込むサ
イドエッチングのエッチングのばらつきの態様即ち、サ
イドエッチの凹凸を表１に示す。
この表１における比較例１及び２は実施例１と同様のレ
ジストを、同様のパターンに形成するも、本発明による
電解エッチングによれず、従来の化学エッチングによる
場合を示すもので、比較例１はその化学エッチング液と
して常温の塩酸（塩化水素３６％）を用いた場合、比較
例２はエッチング液として６０゜Ｃ（７）燐酸（８５％
以上）を用いた場合である。
ジストを、同様のパターンに形成するも、本発明による
電解エッチングによれず、従来の化学エッチングによる
場合を示すもので、比較例１はその化学エッチング液と
して常温の塩酸（塩化水素３６％）を用いた場合、比較
例２はエッチング液として６０゜Ｃ（７）燐酸（８５％
以上）を用いた場合である。
この表１から明らかなように、本発明によるときは、そ
のエッチファクタＲを２〜３、即ち従来の化学的エッチ
ングによるときの１２〜１皓にも高めることができる。
のエッチファクタＲを２〜３、即ち従来の化学的エッチ
ングによるときの１２〜１皓にも高めることができる。
したがつてサイドエッチの小さく深いエッチング、即ち
、幅狭で深い溝の形成が可能となることがわかる。又、
そのエッチング速度も比較例１及び２に比して格段的に
大となるので、工業上の利益も大である。
、幅狭で深い溝の形成が可能となることがわかる。又、
そのエッチング速度も比較例１及び２に比して格段的に
大となるので、工業上の利益も大である。
更にサイドエッチのパターン、即ちフェライトの表面と
エッチング溝の周縁との接する縁部が、従来のエッチン
グ法では、５ＰＴｒＬ幅にも亘つて凹凸が生じていたも
のを、このような凹凸を殆んど回避できるので、繊細な
パターンのエッチングを高精度に形成できる。
エッチング溝の周縁との接する縁部が、従来のエッチン
グ法では、５ＰＴｒＬ幅にも亘つて凹凸が生じていたも
のを、このような凹凸を殆んど回避できるので、繊細な
パターンのエッチングを高精度に形成できる。
又、上述した例においては、エッチングレジストとして
ゴム系のネガタイプフォトレジストを用いた場合である
が、他のエッチングレジスト例えばノボラック樹脂系の
ポジタイプフォトレジスト、あるいはＳｉＯ２蒸着膜、
又はＳｉＯ２スパッタリング膜等を用いても同様の結果
が得られることが確められた。
ゴム系のネガタイプフォトレジストを用いた場合である
が、他のエッチングレジスト例えばノボラック樹脂系の
ポジタイプフォトレジスト、あるいはＳｉＯ２蒸着膜、
又はＳｉＯ２スパッタリング膜等を用いても同様の結果
が得られることが確められた。
実施例２
実施例１と同様のパターンのエッチングレジストを、単
結晶フェライト上に形成し、電解エッチング液として０
．１モル／ｅの燐酸を用いて電源電圧■ｓとして４Ｖを
印加し、２扮の電解エッチングを行つた。
結晶フェライト上に形成し、電解エッチング液として０
．１モル／ｅの燐酸を用いて電源電圧■ｓとして４Ｖを
印加し、２扮の電解エッチングを行つた。
このような電解エッチングを行つたフェライトの、その
一半部のエッチングレジストを除去した４０＠の顕微鏡
写真を第９図に示す。
一半部のエッチングレジストを除去した４０＠の顕微鏡
写真を第９図に示す。
第１０図は第９図の説明図で、フェライト１５の符号２
０で示す領域は、エッチングレジスト１１が残された側
の一半部を示し、その一部に帯状の窓１１ａが形成され
ている。符号２１で示す領域はエツチンノグレジスト】
１を除去した側の他半部を示す。１２は電解エッチング
によつて形成されたエッチング溝で、その両側には、サ
イドエッチによつて生じた傾斜部２２が形成されている
も、傾斜部２２の縁部２２ａはきれいな直線をなしてい
る。尚こ７の場合エッチング溝１２の深さは４２μ瓦で
あつたのに比し、サイドエッチングの幅は１４μｍとな
り、エッチファクタＲは３となつた。第１１図は、化学
エッチングによつて溝を形成フした従来法による同様の
顕微鏡写真で、この場合、常温の塩酸で１分間のエッチ
ングを行つたもので、そのエッチング溝１２の深さは２
μｍであるに比し、サイドエッチ幅Ｒは１０μｍにもお
よび、そのエッチファクタＲは０．２となつた。
０で示す領域は、エッチングレジスト１１が残された側
の一半部を示し、その一部に帯状の窓１１ａが形成され
ている。符号２１で示す領域はエツチンノグレジスト】
１を除去した側の他半部を示す。１２は電解エッチング
によつて形成されたエッチング溝で、その両側には、サ
イドエッチによつて生じた傾斜部２２が形成されている
も、傾斜部２２の縁部２２ａはきれいな直線をなしてい
る。尚こ７の場合エッチング溝１２の深さは４２μ瓦で
あつたのに比し、サイドエッチングの幅は１４μｍとな
り、エッチファクタＲは３となつた。第１１図は、化学
エッチングによつて溝を形成フした従来法による同様の
顕微鏡写真で、この場合、常温の塩酸で１分間のエッチ
ングを行つたもので、そのエッチング溝１２の深さは２
μｍであるに比し、サイドエッチ幅Ｒは１０μｍにもお
よび、そのエッチファクタＲは０．２となつた。
第１２図はその説明図で、第１０図と対応する部分には
同一符号を付す。これより明らかなように従来の化学エ
ッチングによる場合、深いエッチング溝を形成すること
ができないばかりでなく、そのサイドエッチングの縁部
は写真より明らかなように激しいジグザグ凹凸が生じて
いる。尚、本発明による加工法において電解エッチング
濃度０．００５モル／Ｉ）〜１０モル／′に選定する理
由は、その濃度が０．００５モル／′未満では、電解エ
ッチングが生じ難く、そのエッチング速度が遅すぎて工
業的に不利益となること、又、その濃度が１０モル／ｅ
を超えるときは、エッチファクタが低下してくることと
エッチング速度が速くなりすぎて微細パターンを得る場
合高い精度の微細パターンの加工を行い難くなることに
よる。
同一符号を付す。これより明らかなように従来の化学エ
ッチングによる場合、深いエッチング溝を形成すること
ができないばかりでなく、そのサイドエッチングの縁部
は写真より明らかなように激しいジグザグ凹凸が生じて
いる。尚、本発明による加工法において電解エッチング
濃度０．００５モル／Ｉ）〜１０モル／′に選定する理
由は、その濃度が０．００５モル／′未満では、電解エ
ッチングが生じ難く、そのエッチング速度が遅すぎて工
業的に不利益となること、又、その濃度が１０モル／ｅ
を超えるときは、エッチファクタが低下してくることと
エッチング速度が速くなりすぎて微細パターンを得る場
合高い精度の微細パターンの加工を行い難くなることに
よる。
第１３図は、フェライトと対向電極間に印加するフェラ
イトを負極とする直流電圧とエッチファクタＲの結果を
示すもので、同図において曲線３１，３２及び３３は、
夫々０．１モル／ＦｌＯ．５モル／′、及び１．０モル
／ｅの燐酸を電解エッチング液として用いた場合の測定
結果を示す。これよりも明らかなように電解エッチング
液の濃度がこの範囲では殆んど同程度のエッチングファ
クタを示すものであるが、その濃度が高くなるとエッチ
ファクタＰが小となる傾向を示している。又、この結果
から明らかなように電圧が３〜２０Ｖにおい。ては、エ
ッチングファクタに殆んど影響をもたらしていないが、
３Ｖ未満においては、エッチファクタが急激に低下して
いる。従つて本発明においては、その印加電圧を３Ｖ以
上に選定するものである。そして、この印加電圧を２０
Ｖ以下に選定す３る理由は、２０Ｖを越えると、電解エ
ッチング液が比較的高い濃度である楊合、特に発熱が大
となりフェライトにその熱膨脹の影響による亀裂が発生
してくることを認めたことによる。又、電解エッチング
液の濃度が低い場合においても、２０Ｖを越４える高圧
を印加する場合に、フェライト表面に金属光沢を有する
異質相が形成されたり、あるいは対向電極の金属が析出
し始めることを認めたことによる。尚、この場合の異質
相は対向電極として炭素を使う場合においても生じた。
又、第１４図はフェライトの露出表面積ＳＦに対する対
向電極の表面積ＳＩＣの比、？に対する工ＩＤツチフア
クタｋを測定した結果を示すもので、図において曲線４
１，４２，４３，４４，４５，４６，４７は、夫々電源
電圧Ｖ，を２Ｖ１３Ｖ１４Ｖ１９■、１４Ｖ１１８Ｖ１
２０Ｖに選定した場合である。
イトを負極とする直流電圧とエッチファクタＲの結果を
示すもので、同図において曲線３１，３２及び３３は、
夫々０．１モル／ＦｌＯ．５モル／′、及び１．０モル
／ｅの燐酸を電解エッチング液として用いた場合の測定
結果を示す。これよりも明らかなように電解エッチング
液の濃度がこの範囲では殆んど同程度のエッチングファ
クタを示すものであるが、その濃度が高くなるとエッチ
ファクタＰが小となる傾向を示している。又、この結果
から明らかなように電圧が３〜２０Ｖにおい。ては、エ
ッチングファクタに殆んど影響をもたらしていないが、
３Ｖ未満においては、エッチファクタが急激に低下して
いる。従つて本発明においては、その印加電圧を３Ｖ以
上に選定するものである。そして、この印加電圧を２０
Ｖ以下に選定す３る理由は、２０Ｖを越えると、電解エ
ッチング液が比較的高い濃度である楊合、特に発熱が大
となりフェライトにその熱膨脹の影響による亀裂が発生
してくることを認めたことによる。又、電解エッチング
液の濃度が低い場合においても、２０Ｖを越４える高圧
を印加する場合に、フェライト表面に金属光沢を有する
異質相が形成されたり、あるいは対向電極の金属が析出
し始めることを認めたことによる。尚、この場合の異質
相は対向電極として炭素を使う場合においても生じた。
又、第１４図はフェライトの露出表面積ＳＦに対する対
向電極の表面積ＳＩＣの比、？に対する工ＩＤツチフア
クタｋを測定した結果を示すもので、図において曲線４
１，４２，４３，４４，４５，４６，４７は、夫々電源
電圧Ｖ，を２Ｖ１３Ｖ１４Ｖ１９■、１４Ｖ１１８Ｖ１
２０Ｖに選定した場合である。
こ９の場合、電解エッチング液としては０．１モル／ｅ
の燐酸を用いた場合である。これより明らかなように電
源電圧が低くなるとそのエッチファクタは小となるが比
表面積ＳＦ／ＳＥが大になるにつれ、そのエッチファク
タが低下してくる傾向を示す。７そしてその比表面積が
大になると、特に１０以上になると、電流密度の不均一
が生じ、エッチングにむらが生じてくることを認め、こ
こに本発明においては、その比表面積ＳＦ／ＳＥを１昧
満に選定する所以があるが、好ましくはそのエッチング
ファｊクタを高めるために、上述した対向電極及びフェ
ライト間電圧は４■以上に、更に比表面積ＳＦ／Ｓ。
の燐酸を用いた場合である。これより明らかなように電
源電圧が低くなるとそのエッチファクタは小となるが比
表面積ＳＦ／ＳＥが大になるにつれ、そのエッチファク
タが低下してくる傾向を示す。７そしてその比表面積が
大になると、特に１０以上になると、電流密度の不均一
が生じ、エッチングにむらが生じてくることを認め、こ
こに本発明においては、その比表面積ＳＦ／ＳＥを１昧
満に選定する所以があるが、好ましくはそのエッチング
ファｊクタを高めるために、上述した対向電極及びフェ
ライト間電圧は４■以上に、更に比表面積ＳＦ／Ｓ。
は５以下に選定することが好ましい。尚上述した例にお
いては、電解エッチング液として燐酸水溶液を用いた場
合であるが燐酸エチルアルコールあるいは過塩素酸水溶
液、過塩素酸エチルアルコール、蓚酸水溶液、塩酸水溶
液等を用いることもできる。
いては、電解エッチング液として燐酸水溶液を用いた場
合であるが燐酸エチルアルコールあるいは過塩素酸水溶
液、過塩素酸エチルアルコール、蓚酸水溶液、塩酸水溶
液等を用いることもできる。
又、本発明においては、被加工フェライトと対向電極と
の間の電界の形成は、フェライトに直接あるいは導電体
を介して直接的に電源を接続する場合に限らず、間接的
に電界を与える手段をとることもできる。
の間の電界の形成は、フェライトに直接あるいは導電体
を介して直接的に電源を接続する場合に限らず、間接的
に電界を与える手段をとることもできる。
尚、上述したようにフェライトを負極側とする電解エッ
チングを行うときは、これらこのフエライトナ側を正極
側として電解エッチングを行う場合に比し、そのエッチ
ング速度は格段的に大になると共に、サイドエッチング
の凹凸において優れたエッチングをなすことができ精度
の高いエッチングができることを確めた。
チングを行うときは、これらこのフエライトナ側を正極
側として電解エッチングを行う場合に比し、そのエッチ
ング速度は格段的に大になると共に、サイドエッチング
の凹凸において優れたエッチングをなすことができ精度
の高いエッチングができることを確めた。
因みに、本発明の実施例１によれば、そのエッチング速
度は、表１に示したように４．５μＷＬ／分であつたが
、実施例１と同様の方法によるも、その極性を反転させ
てフェライトを正極に、白金電極を負極とし、電解エッ
チング液として０．２モル／ｅの燐酸水溶液を用いて印
加電圧を２０Ｖにした場合そのエッチング速度は、０．
１μｍ／分となり、同様に極性を反転させ、電解エッチ
ング液として３モル／′の燐酸水溶液を用い、印加電圧
を６Ｖとしたときのエッチング速度は０．５μ７７１，
／分となつた。このようにフェライトを正極側とすると
きは、フェライトを負極側とするときに比し、そのエッ
チング速度は遅くなるが、サイドエッチング部の凹凸は
、化学エッチングによる場合に比しては小となつた。又
、本発明による加工法を実施する電解エッチングの装置
としては、例えば第１５図に示すようにベルト５０、プ
ーリ−５１による回転伝達機構によつて図示しないがモ
ータによつて回転するようになされた回転体５２を設け
、この回転体５２にフェライト１５を被着した導電体１
７を配し、この導電体１７に絶縁支柱５４を介して対向
電極１６をフェライト１５と所要の間隔を保持して対向
するように配置し、導電体１７と対向電極１６間に直流
電源■ｓを接続するようにして回転体５２の回転によつ
て槽１３中の電解液１４中にこの電解液を攪拌しつつ、
電解エッチングがなされるようにすることもできる。上
述したように本発明によるフェライト加工法によれば、
フェライトに対して深い、しかもきれいなエッチングを
行うことができるので本発明法をフェライト磁気ヘッド
の加工法に適用する場合に冒頭に述べた機械加工による
場合の諸欠点を全廃でき、均一な特性を有し、磁気的特
性にも優れた磁気ヘッドを得ることができ実用に供して
その利益は甚大である。
度は、表１に示したように４．５μＷＬ／分であつたが
、実施例１と同様の方法によるも、その極性を反転させ
てフェライトを正極に、白金電極を負極とし、電解エッ
チング液として０．２モル／ｅの燐酸水溶液を用いて印
加電圧を２０Ｖにした場合そのエッチング速度は、０．
１μｍ／分となり、同様に極性を反転させ、電解エッチ
ング液として３モル／′の燐酸水溶液を用い、印加電圧
を６Ｖとしたときのエッチング速度は０．５μ７７１，
／分となつた。このようにフェライトを正極側とすると
きは、フェライトを負極側とするときに比し、そのエッ
チング速度は遅くなるが、サイドエッチング部の凹凸は
、化学エッチングによる場合に比しては小となつた。又
、本発明による加工法を実施する電解エッチングの装置
としては、例えば第１５図に示すようにベルト５０、プ
ーリ−５１による回転伝達機構によつて図示しないがモ
ータによつて回転するようになされた回転体５２を設け
、この回転体５２にフェライト１５を被着した導電体１
７を配し、この導電体１７に絶縁支柱５４を介して対向
電極１６をフェライト１５と所要の間隔を保持して対向
するように配置し、導電体１７と対向電極１６間に直流
電源■ｓを接続するようにして回転体５２の回転によつ
て槽１３中の電解液１４中にこの電解液を攪拌しつつ、
電解エッチングがなされるようにすることもできる。上
述したように本発明によるフェライト加工法によれば、
フェライトに対して深い、しかもきれいなエッチングを
行うことができるので本発明法をフェライト磁気ヘッド
の加工法に適用する場合に冒頭に述べた機械加工による
場合の諸欠点を全廃でき、均一な特性を有し、磁気的特
性にも優れた磁気ヘッドを得ることができ実用に供して
その利益は甚大である。
第１図ないし第５図は、夫々本発明によるフエライト加
■法を適用し得るフェライト磁気ヘッドの説明に供する
図で、第１図は対のコアブロックの正面図、第２図はそ
の裏面図、第３図及ひ第４図は夫々第１図の■−■線上
及び■−■線上の断面図及び側面図、第５図はフェライ
トブロックより切り出して得た磁気ヘッドの斜視図、第
６図及び第７図は選択的エッチングの説明に供する断面
図、第８図は本発明によるフェライト加工法の説明図、
第９図は本発明加工法によつて得た選択的電解エッチン
グの顕微鏡写真図、第１０図はその説明図、第１１図や
従来の化学エッチングによる選択的エッチング溝の顕微
鏡写真図、第１２図はその説明図、第１３図及び第１４
図はエッチファクタの測定曲線図、第１５図は本発明に
よる加工ａ法を実施する装置の一例を示す路線図である
。 １及び２はフェライトコアブロック、３はトラック幅規
制用溝、４は巻線溝、５は切欠、９及び１０は磁気コア
半体、６は巻線、１５は被加工フェライト、１１はエッ
チングレジスト、１１ａは・その窓、１２はエッチング
溝、１３は電解エッチング槽、１４は電解エッチング液
、１６は対向電極である。
■法を適用し得るフェライト磁気ヘッドの説明に供する
図で、第１図は対のコアブロックの正面図、第２図はそ
の裏面図、第３図及ひ第４図は夫々第１図の■−■線上
及び■−■線上の断面図及び側面図、第５図はフェライ
トブロックより切り出して得た磁気ヘッドの斜視図、第
６図及び第７図は選択的エッチングの説明に供する断面
図、第８図は本発明によるフェライト加工法の説明図、
第９図は本発明加工法によつて得た選択的電解エッチン
グの顕微鏡写真図、第１０図はその説明図、第１１図や
従来の化学エッチングによる選択的エッチング溝の顕微
鏡写真図、第１２図はその説明図、第１３図及び第１４
図はエッチファクタの測定曲線図、第１５図は本発明に
よる加工ａ法を実施する装置の一例を示す路線図である
。 １及び２はフェライトコアブロック、３はトラック幅規
制用溝、４は巻線溝、５は切欠、９及び１０は磁気コア
半体、６は巻線、１５は被加工フェライト、１１はエッ
チングレジスト、１１ａは・その窓、１２はエッチング
溝、１３は電解エッチング槽、１４は電解エッチング液
、１６は対向電極である。
Claims (1)
- １ 電解エッチング液中に、フェライトと対向電極とを
浸漬し、上記フェライトを負極側としてフェライトと対
向電極間に３〜２０ボルトの電圧を持続的又は断続的に
印加し、上記フェライトの露出表面積と、上記対向電極
の表面積の比を１０以下とし、上記電解エッチング液の
濃度を０．００５〜１０モル／ｌに選定して電解エッチ
ングを行うことを特徴とするフェライトの加工法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52070231A JPS6047725B2 (ja) | 1977-06-14 | 1977-06-14 | フエライトの加工法 |
| US05/912,994 US4214960A (en) | 1977-06-14 | 1978-06-06 | Method of electrolytically etching ferrite |
| GB7826709A GB2000190B (en) | 1977-06-14 | 1978-06-12 | Methods of electrolytically etching ferrite bodies and magnetic transducer heads including bodies so etched |
| DE19782825890 DE2825890A1 (de) | 1977-06-14 | 1978-06-13 | Verfahren zum elektrolytischen aetzen von ferritkoerpern |
| NL7806433A NL7806433A (nl) | 1977-06-14 | 1978-06-14 | Het electrolytisch etsen van een voorwerp van ferriet. |
| FR7817832A FR2428690A1 (fr) | 1977-06-14 | 1978-06-14 | Procede d'attaque electrochimique d'un element en ferrite |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52070231A JPS6047725B2 (ja) | 1977-06-14 | 1977-06-14 | フエライトの加工法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS544398A JPS544398A (en) | 1979-01-13 |
| JPS6047725B2 true JPS6047725B2 (ja) | 1985-10-23 |
Family
ID=13425573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52070231A Expired JPS6047725B2 (ja) | 1977-06-14 | 1977-06-14 | フエライトの加工法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4214960A (ja) |
| JP (1) | JPS6047725B2 (ja) |
| DE (1) | DE2825890A1 (ja) |
| FR (1) | FR2428690A1 (ja) |
| GB (1) | GB2000190B (ja) |
| NL (1) | NL7806433A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5645774A (en) * | 1989-09-19 | 1997-07-08 | Ferronics Incorporated | Method for establishing a target magnetic permeability in a ferrite |
| DE10034427B4 (de) * | 2000-07-14 | 2004-04-15 | Ralph Jagals | Verfahren zum Herstellen eines aus einem magnetischen Werkstoff hergestellten Gegenstandes mit vorbestimmten magnetischen Eigenschaften |
| ITTO20010447A1 (it) * | 2001-05-11 | 2002-11-11 | Promotec Srl | Taglio di lastre metalliche. |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1047995A (en) * | 1910-03-09 | 1912-12-24 | Edward G Schwuchow | Process of etching plates by electricity. |
| GB761795A (en) * | 1954-03-09 | 1956-11-21 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to the manufacture of semi-conductor devices |
| US3078219A (en) * | 1958-11-03 | 1963-02-19 | Westinghouse Electric Corp | Surface treatment of silicon carbide |
| NL250075A (ja) * | 1959-04-10 | 1900-01-01 | ||
| US3409523A (en) * | 1966-03-10 | 1968-11-05 | Bell Telephone Labor Inc | Electroetching an aluminum plated semiconductor in a tetraalkylammonium hydroxide electrolyte |
| NL6703014A (ja) * | 1967-02-25 | 1968-08-26 | ||
| US3527682A (en) * | 1967-04-24 | 1970-09-08 | Philco Ford Corp | Process for electrolytically etching indium antimonide |
| US3560357A (en) * | 1968-07-26 | 1971-02-02 | Rca Corp | Electroetching of a conductive film on an insulating substrate |
| US3560358A (en) * | 1968-09-12 | 1971-02-02 | Motorola Inc | Electrolytic etching of platinum for metallization |
| NL7005296A (ja) * | 1969-04-15 | 1970-10-19 | ||
| NL6910274A (ja) * | 1969-07-04 | 1971-01-06 | ||
| NL7211910A (ja) * | 1972-09-01 | 1974-03-05 | ||
| US3929591A (en) * | 1974-08-26 | 1975-12-30 | Polychrome Corp | Novel lithographic plate and method |
| GB1469005A (en) * | 1974-11-28 | 1977-03-30 | Standard Telephones Cables Ltd | Standard telephones cables ltd semiconductor device manufacture |
| US4169026A (en) * | 1976-07-23 | 1979-09-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Etchant for electrolytic etching of a ferrite for a magnetic head and method of producing a magnetic head |
| JPS5312740A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid for electrolytically etching ferrite |
-
1977
- 1977-06-14 JP JP52070231A patent/JPS6047725B2/ja not_active Expired
-
1978
- 1978-06-06 US US05/912,994 patent/US4214960A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-06-12 GB GB7826709A patent/GB2000190B/en not_active Expired
- 1978-06-13 DE DE19782825890 patent/DE2825890A1/de not_active Withdrawn
- 1978-06-14 NL NL7806433A patent/NL7806433A/xx not_active Application Discontinuation
- 1978-06-14 FR FR7817832A patent/FR2428690A1/fr active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2428690B1 (ja) | 1981-08-28 |
| FR2428690A1 (fr) | 1980-01-11 |
| GB2000190A (en) | 1979-01-04 |
| US4214960A (en) | 1980-07-29 |
| GB2000190B (en) | 1982-03-17 |
| NL7806433A (nl) | 1978-12-18 |
| DE2825890A1 (de) | 1979-01-04 |
| JPS544398A (en) | 1979-01-13 |
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