DE2534477C3 - Kapazitätsarmer Kontaktierungsfleck - Google Patents

Kapazitätsarmer Kontaktierungsfleck

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DE2534477C3
DE2534477C3 DE19752534477 DE2534477A DE2534477C3 DE 2534477 C3 DE2534477 C3 DE 2534477C3 DE 19752534477 DE19752534477 DE 19752534477 DE 2534477 A DE2534477 A DE 2534477A DE 2534477 C3 DE2534477 C3 DE 2534477C3
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Hansjoerg Dipl.-Phys. Dr. 8000 Muenchen Reichert
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    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
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    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
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Description

Die Erfindung betrifft einen kapazitätsarmen Kontaktierungsfleck für Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Elektr jde an einer aktiven Halbleiterzone, die über eine Leiterbahn mitrfem au^jrhalb der aktiven Halbleiterzone liegenden Kon'aktierungsfleck verbunden ist, der seinerseits an einen Zuleitungsdraht angeschlossen ist
Vor allem bei HF-Halbleiterbauelementen, wie insbesondere HF-Transistoren, ist der mit einem Zuleitungsdraht zu versehende Kontaktierungsfleck von den aktiven Haibieiterzonen des Halbleiterbauelements entfernt, das heißt also mittels einer Leiterbahn von diesen im Abstand angeordnet
Um die Kapazität zwischen dem Kontaktierungsfleck auf einer Isolationsschicht und dem Halbleitersubstrat möglichst gering zu halten, sollte der Kontaktierungsfleck kleine Abmessungen besitzen. Wenn aber der Kontaktierungsfleck klein ausgebildet wird, kann der Zuleitungsdraht nicht automatisch mit ihm verschweißt werden, sondern muß unter dem Mikroskop von Hand über den kleinen Kontaktierungsfleck geführt werden.
Um die Kapazität zu verringern und gleichzeitig einen größeren Kontaktierungsfleck zu ermöglichen, wurde bisher schon angeregt, die Dicke der Isolationsschicht zwischen dem Halbleitersubstrat und dem Kontaktierungsfleck möglichst groß zu machen. Dies führt aber ab einer bestimmten Dicke dieser sogenannten »Podeste« zu technologischen Schwierigkeiten.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, die Fläche des Kontaktierungsflecks (Zielgebiet) bei gleicher Dicke der Isolationsschicht ohne Kapazitätszuwachs zwischen Kontaktierungsfleck und Halbleitersubstrat zu vergrö* Bern, so daß der Zuleitungsdraht mit dem Kontaktierungsfleck automatisch verbunden werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Kontaktierungsfleck aus mehreren Teilen besteht, von denen mindestens einer elektrisch nicht mit der Leiterbahn verbunden ist.
Eine Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß
der Kontaktierungsfleck aus fingerförmigen Leitern besteht, zwischen denen im Abstand Metallbelegungen vorgesehen sind.
Es ist vorteilhaft, wenn die Metallbelegungen rechteckförmig ausgebildet sind.
Der Kontaktierungsfleck wird also in kapazitätsaktive und inaktive Teile unterteilt. Kapazitätsaktive Teile sind dabei solche, die mit der zu kontakiierenden Elektrode leitend verbunden sind. Kapazitätsina'uive
ίο Teile sind elektrisch isoliert, das heißt durch schmale Zwischenräume von den Kapazitätsaktiven Teilen getrennt Als aktive Teile kommen netzartige, ring- beziehungsweise streifenförmige Strukturen in Frage, deren Zwischenräume durch inaktive Teile ausgefüllt sind. Die aktiven Teile selbst können ihrerseits wieder mehrfach unterteilt sein.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert Es zeigt
F i g. 1 eine Draufsicht auf einen Teil eines kapazitäts-
armen Kontaktierungsflecks,
F i g. 2 einen Schnitt durch den Kontaktierungsfleck nach Fig. 1 längs der Linie H-Il,
F i g. 3 einen Schnitt durch den Kontaktierungsfleck nach F ig. 1 längsder Linie III-III und
Fig.4 eine Draufsicht auf den kapazitätsarmen Kontaktierungsfleck.
Ein KontaktierungsfJeck 2 ist über eine Leiterbahn 3 auf einer Sperr- beziehungsweise Isolationsschicht 10 mit einer Halbleiterzone 4 verbunden, die im Ausführungsbeispiel entgegengesetzt zum Halbleitersubstrat 1 dotiert ist (vergleiche Fi g. 2 und 4). Die Halbleiterzone 4 kann auch wie das Halbleitersubstrat 1 dotiert sein, wenn sie z. B. als Emitter eines Transistors dient. Mit dem Kontaktierungsfleck 2 ist ein Zuleitungsdraht 5 (in F i g. 1 in Strichpunktlinie dargestellt) durch Thermokompressen verbunden. Der Kontaktierungsfleck 2, der über die Isolationsschicht 10 (z. B. aus Siliciumdioxid) vom Halbleitersubstrat 1 isoliert ist, besteht aus einzelnen Teilen 6, 7 und 8. Die Teile 6 sind mit der Leiterbahn 3 elektrisch nicht verbunden. Dagegen sind die Teile 8 direkt oder über die Teile 7 an die Leiterbahn 3 elektrisch angeschlossen. In der F i g. 1 ist der Draht 5 durch eine Strichpunktlinie dargestellt. Ohne Draht 5 sind alle Teile 6 kapazitätsinaktiv, während die Teile 7 und 8 kapazitätsaktiv sind. Durch den Draht 5 werden die von ihm berührten Teile 6 kapazitätsaktiv. Diese kapazitätsaktiven Teile sind in der F i g. 1 schraffiert dargestellt Der Draht 5 bewirkt also, daß die von ihm kontaktierten inaktiven Teile 6 zu aktiven werden. Bei genügend feiner Unterteilung des Kontaktierflecks 2 wird die Kapazität unabhängig von der Lage des Drahtes. Dies ist in der F i g. 1 durch einen weiteren Draht 15 gezeigt, dessen Querschnitt ebenfalls in Strichlinie gezeichnet ist. Dieser Draht 15 berührt 14 verschiedene Teile 6. Der Draht 5 berührt 15 verschiedene Teile 6, so daß sich bei beiden Möglichkeiten nahezu die gleiche Kapazität ergibt.
Die Gesamtkapazität ist ungefähr gleich der Kapazität des Draht- oder Bond-Abdrucks zusätzlich der
Kapazität der aktiven Teile oder Streifen 7 und 8.
Da bei der Erfindung das Verhältnis zwischen der Fläche kapazitätsaktiver Teile zur Fläche kapazitätsinaktiven Teile sehr klein gehalten werden kann, ist es möglich, bei einem großen Zielgebiet für den Draht 5 eine Kapazität zu halten, die nur unwesentlich über der Kapazität des eigentlichen Draht-Abdrucks liegt. Die vom Draht-Abdruck nicht beanspruchte Fläche ist im wesentlichen kapazitiv unwirksam.
Die Herstellung der Zwischenräume oder Kanäle, die die kapazitätsiuaktiven Teile 6 von den kapazitätsaktiven Teilen 7,8 trennen, erfordert keinen Mehraufwand, da sie gleichzeitig mit der gesamten Metallisierungsstruktur des Halbleiterbauelements geätzt werden können. Die Breite der aktiven Teile 7,8 ergibt sich aus dem maximal fließenden Strom bzw., wenn dieser sehr klein ist, aus der kleinsten möglichen Breite der Streifen 7,8.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Kapazitätsarmer Kontaktierungsfleck für Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Elektrode an einer aktiven Halbleiterzone, die über eine Leiterbahn mit dem außerhalb der aktiven Halbleiterzone liegenden Kontaktierungsfleck verbunden ist, der seinerseits an einen Zuleitungsdraht angeschlossen wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktierungsfleck (2) aus mehreren Teilen (6, 7, 8) besteht, von denen mindestens einer (6) elektrisch nicht mit der Leiterbahn (3) verbunden ist
2. Kapazitätsarmer Kontaktierungsfleck nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktierungsfleck (2) aus fingerförmigen Leitern (8, 7) besteht, zwischen denen im Abstand Metallbelegungen (6) vorgesehen sind.
3. Kapazitätsarmer Kontaktierungsfleck nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallbelegungen (6) rechteckförmig ausgebildet sind.
4. Kapazitätsarmer Kontaktierungsfleck nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktierungsfleck (2) aus ringförmigen Strukturen besteht
DE19752534477 1975-08-01 1975-08-01 Kapazitätsarmer Kontaktierungsfleck Expired DE2534477C3 (de)

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AT834675A AT359128B (de) 1975-08-01 1975-11-03 Kapazitaetsarmer kontaktierfleck
FR7622725A FR2319975A1 (fr) 1975-08-01 1976-07-26 Plage de contact a faible capacite, notamment pour un composant a semi-conducteurs
IT2572276A IT1067180B (it) 1975-08-01 1976-07-27 Macchina di contatto a bassa capacita per un componente a semiconduttori
GB3159476A GB1503449A (en) 1975-08-01 1976-07-29 Semiconductor components

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DE2534477B2 DE2534477B2 (de) 1978-07-27
DE2534477C3 true DE2534477C3 (de) 1979-04-05

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DE (1) DE2534477C3 (de)
FR (1) FR2319975A1 (de)
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IT (1) IT1067180B (de)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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IT1067180B (it) 1985-03-12
FR2319975B1 (de) 1982-11-19
ATA834675A (de) 1980-03-15
FR2319975A1 (fr) 1977-02-25
AT359128B (de) 1980-10-27
DE2534477B2 (de) 1978-07-27
DE2534477A1 (de) 1977-02-10

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