DE2518668A1 - Rundfunkempfaenger mit einem durch eine kapazitaetsdiode abgestimmten vorwahlkreis - Google Patents

Rundfunkempfaenger mit einem durch eine kapazitaetsdiode abgestimmten vorwahlkreis

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DE2518668A1
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DE
Germany
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circuit
voltage
signal
diode
transistor
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DE19752518668
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English (en)
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Adalbertus Hermanus Jac Dijkum
Johannes Gerardus Albe Kropman
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G11/00Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general
    • H03G11/06Limiters of angle-modulated signals; such limiters combined with discriminators
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G11/00Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general
    • H03G11/04Limiting level dependent on strength of signal; Limiting level dependent on strength of carrier on which signal is modulated
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3052Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in bandpass amplifiers (H.F. or I.F.) or in frequency-changers used in a (super)heterodyne receiver

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  • Circuits Of Receivers In General (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
  • Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)

Description

PIiKT. 7536. WIJ/EVH.
5.h, 1975.
i. Y. Philips' Gioellampenfabrieken Z 5 I O D D O
a ie.- PHN- 7536
25. April 1975
"Rundfunkempfänger mit einem durch eine Kapazitätsdiode abgestimmten Vorwahlkreis"
Die Erfindung bezieht sich auf* einen Rundfunkempfänger mit einem durch eine Kapazitätsdiode abgestimmten Vorwahlkreis und einer diesem vorgeschalteten Regelstufe, die durch eine aus einem nachfolgenden ZF-Verstärker abgeleitete Regelspannung geregelt wird.
Bei Verwendung von Kapazitätsdioden zur Abstimmung von Rund funlcemp fange rn insbesonder von AM-Auto— empfängern besteht die Gefahr, dass der Vorwahlkreis derart grosse Signale verarbeiten muss, dass die in diesen Kreis aufgenommene(n) Kapazitätsdiode(n) übersteuert
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•wird (werden). Die Kapazität der Kapazitätsdiode ist dann nicht nur von der eingestellten Abstimmspannung abhängig, sondern auch von der Amplitude des am Kreis auftretenden Signals. Dies verursacht eine von der Signalamplitude abhängige Kreisverstimmung sowie sogenannte Falschabstimmungen (Störresonanzen) und Modulations-Terzernmgen,
Eine Methode zum Schützen des Vorwahlkreises vor zu grossen Signalen besteht in der Aufnahme einer Regelstufe vor den genannten Kreis,, die auf normale Ive5.se durch eine aus dem ZP-Signal des Empfängers abgeleitete Regelspannung geregelt wird. Bei Empfang eines starken Eingangssignals wird die Regelstufe soweit zurück geregelt, dass das Signal an der Kapazitätsdiode des Kreises klein genug bleibt.
Es stellt sich jedoch heraus, dass dies keine entscheidende Lösung für die auftretenden Probleme ist. Dies ist eine Folge der Tatsache, dass der ZF-Verstarker im allgemeinen wesentlich selektiver ist als der Vorwahlkreis. Ein Signal, das einigermassen ausserhalb der Selektivitätskurve des ZF-Verstärkers liegt, verursacht praktisch keine Regelspannung und daher keine Rückregelung der Regelstufe. Das Signal kommt dann in voller Stärke auf den Kreis und verursacht die genannten Signalverzerrungen»
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Um dies zu vermeiden wurde bereits vorgeschlagen, die Regelung der Regelstufe mit Hilfe einer Regelspannung erfolgen κιχ lassen die aus dem Signal am Vorwahlkreis selbst abgeleitet ist, gegebenenfalls zupamraen mit einer Regelung aus dem ZF-Verstärker. Ein Nachteil daboi ist jedoch dass eine gute und teuere Regelstufe mit einem RegelEpannuiigsverstärker (mit beispielsweise Feld~ effekttransistoren) erforderlich und eine gewisse unerwünschte Belastung des Vorvmhlkreises praktisch unvermeidbar iüt«
Die Erfindung bezweckt nun, in einem Rundfunkempfänger der eingangs erwähnten Art die beschriebenen Probleme auf einfache Weise"zu lösen, und der Empfänger nach der Erfindung ist dazu gekennzeichnet durch einen an den Vorwahlkreis angeschlossenen Begrenzer rnit regelbarer Schwellerispannung, der in dem Sinne aus der genannten Rege!spannung' geregelt wird, dass die Schwellenspannung bei zunehmendem ZP-Signal zunimmt.
Beim Abstimmen auf ein Sendersignal wird zunächst die Signalspannung am Vorwahlkreis ansteigen, während wegen der grösseren Selektivität des ZP-Kanals noch keine Regolspannung erzeugt wird. Sobald die Gefahr besteht, dass die Signalsxjannung am Kreis eine zu grosse .Amplitude ar-niunt, wird der Begrenzer leitend, wodurch die Selektivität des Kreises sinkt und die Signalasnplitiide
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auf zulässige Werte begrenzt wird. Gelangt das Signal bei weiterer Abstimmung in die Durchlassbreite des ZF-Kanals, so wird Regelspannung erzeugt, die die Schwellenspannung des Begrenzers erhöht, so dass die Selektivität des VorWahlkreises wiederhergestellt wird. Zugleich wird die Verstärkung der Regelstufe soweit verringert, dass die Signale am Kreis innerhalb der zulässigen Grenzen bleiben. Die Regelstufe übernimmt daher die signaldämpfende Funktion des Begrenzers.
Durch die erfindungsgemässe Massnahme "wird ein sehr ruhiges Abstimmverhalten des Empfängers erhalten.
Die Erfindung wird an Hand der in der Zeichnung dargestellten Figur näher erläutert, die einen AM-Rund=· funkempfanger nach der Erfindung darstellt.
Der in der Figur dargestellte AM~Rundfunkempfänger enthält eine Eingangsstufe mit zwei Transistoren 1 und 2, deren Emitterelektroden miteinander verbunden sind. Die Signale einer Antenne 3 werden über einen Widerstand 4 den Emitterelektroden der Transistoren 1 und 2 ztigeführt, Ueber einen Emitterwiderstand 5» einen Glättungskondensator 6 und eine Drosselspule 7 wird zugleich den beiden Emitterelektroden aus einer +i2V-Speisespannungsquelle Gleichstrom zugeführt. Im ICollektorkreis des Transistors 1 befijidet sich ein
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abstimmbarer HF-Eingangskreis mit einer Induktivität 8, einer Kapazitätsdiode 9 und einem festen Kondensator Der Kreis ist hochfrequent mit Masse verbunden und zwar mittels eines grossen Kondensators 11, und über eine an den Knotenpunkt der Induktivität 8 und des Kondensators 10 angeschlossene Drosselspule 12 fliesst der Gleichstrom vom Transistor 1 nach Masse ab. Der Kreis wird auf das gewünschte Eingangssignal abgestimmt und zwar mit Hilfe einer Abstimmspannung V\ , die über einen Widerstand 13 dem Knotenpunkt der Kondensatoren 10 und und der Kapazitätsdiode 9 zugeführt wird. Die Signale am Knotenpunkt der Induktivität 8 und des Kondensators werden zu einer zweiten HF-Stufe 14 weitergeleitet, danach zu einem ZF-Signal in einer selbstschwingenden Mischstufe 15 konvertiert, dann in einem selektiven ZF-Verstärker 16 verstärkt und zum Schluss in einem Detektor 17 detektiert.. Die daraus erhaltenen niederfrequenten Tonsignale werden auf nicht näher angegebene Weise weiter verstärkt und beispielsweise Lautsprechern zugeführt. Mit Hilfe eines Spannungsteilers mit Widerständen 18 und 19 und eines Glättungskondensators 20 wird eine Gleichspannung von beispielsweise +3V für die Basiselektrode des Transistors 1 erzeugt». Diese Gleichspannung wird ebenfalls der Kathode einer Regelspannungs-(AVR)-Diode 21 zugeführt, deren Anode über
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einen Kondensator 22 -einen Teil des im ZF-Verstärker verstärkten Signals erhält. Die durch Detektion an der Anode der Diode 21 erhaltene Regelspannung wird über ein Glättungsfilter mit dem Widerstand 23 und dem Kondensator Zh zur Verstärkungsregelung der zweiten HF—Stufe zugeführt und weiter über ein zweites Glättungsfilter mit dem Widerstand 25 und dem Kondensator 26 der Basis» elektrode des Transistors 2,
Ein Widerstand 27» der die +12V-Speisespannung mit dein Kondensator Zh verbindet, verursacht einen Vorstrom, der über den Widerstand 23 durch die Diode 21 fliesst. Dieser Vorstrom sorgt dafür, dass die Diode bereits Signalamplxtuden kleiner als die eigene Schwellenspannung detektieren kann. Aixsserdem verursacht der Vorstrom am Widerstand 23 und an der Diode 21 einen Spannungsabfall, der der Basis des Transistors 2 eine positive Spannung gegenüber der Basis des Transistors gibt* Dadurch wird, wenn die Diode 21 kein Signal oder nur geringe Signale detektiert, mit Gewissheit der Transistor 2 gesperrt und das ganze von der Antenne aufgefangene Signal wird über den Transistor 1 dem Kreis 8, 9, 10 zugeführt.
Wenn stärkere Signale vom ZF-Verstärker 16 der Diode 21 geliefert werden, ändert sich die Regalspannung an der Basis des Transistors 2 in negativer
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Richtung (beispielsweise von +5 nacli +2,5V). Dadurch, fliesst ein mit fortschreitender Regelung immer weiter anwachsender Teil des Antennensignalstromes durch den Transistor 2 und daher ein immer weiter abnehmender Teil durch den Transistor 1 zum Kreis 8, 9» 10. Auf diese Weise erfolgt die normale AVIi-Re ge lung.
Nach der Erfindung enthält der Kollektorkreis des Transistors 2 einen von einem Kondensator 28. überbrückten Widerstand 29» während zwischen die Kollektorelektroden der beiden Transistoren 1 und 2 eine Begrenzerdiode 30 aufgenommen ist. Pur die HP-Signalspannungen ist diese Begrenzerdiode über die Kondensatoren 28 und 11 dem Eingangskreis 8, 9» 10 para3.lelgescb.altet. Der Gleichstrom durch den Transistor 2 verursacht am Widerstand 29 eine Spannung, die als Schwellenspannung für die Begrenzerdiode 30 wirksam ist. Je nachdem die Diode mehr ZF-Signa.1 detektiert und dadurch der Transistor mehr Gleichstrom flihrt t nimmt auch die Schwellenspannung für die Begrenzerdiode 30 zu.
Bei geringen EingangsSignalen ist der Transistor 2 gesperrt. Die Signalamplituden am Kreis 8, 9» sind dann jedoch kleiner als die innere Schwelle (0,6V) der Diode 30, so da.ss diese nicht leitend wird. Ist jedoch der Empfänger auf ein stärkeres Signal abgestimmt, so liefert die Diode 21 eine Regelspannung zum Transistor 2,
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wodurch dieser einen Teil des Signalstromes übernimmt. Zugleich nimmt die Gleichspannung am Widerstand 29 und damit die Schwe11enspannung für die Diode 30 soviel zu, dass diese Diode immer im nicht-leitenden Zustand bleibt» In diesem Fall sorgt also die gestiegene Regelung der Eingangsstufe 1, 2 dafür, dass das Signal am Eingangskreis klein genug bleibt, um eine Verstimmung des Kreises und Modulationsverzerrungen durch die Kapazitätsdiode zu. vermeiden« Zugleich wird vermieden, dass die Begrenzerdiode 30 eine Verringerung der Selektivität des Kreises herbeiführt.
Bei Empfang eines starken Signals, das ausserhalb der Abstimmung liegt, erhält die Diode 21 kein Signal und die AVR-Regelung der Eingangsstufe 1, 2 ist unwirksam. Das starke Signal wird über den Transistor voll weitergeleitet. Die Diode 30, die in diesem Fall vom Widerstand 29 keine Schwellenspannung erhält, ist jedoch voll wirksam und begrenzt die Spannung am Kreis auf einen Wert, der klein genug ist, um Kapazitätsänderungen der Kapazitätsdiode zu vermeiden.
Selbstverständlich können die Regelstufe, der Vorwahlkreis und der Begrenzer auf verschiedenartigste Weisen ausgebildet werden. Die Erfindung beschränkt sich nicht auf AM-Empfänger und kann ebenfalls mit Erfolg in Empfängern für beispielsweise FM-Signale angewandt werden,
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Claims (5)

  1. PHN.7536. 5Λ.75.
  2. PATENTANSPRUECHE;
  3. [ 1 · J Rundfunkenrpfänger mit einem durch, eine Kapazitätsdiode abgestimmten Vorwahlkreis und einer diesem vorgeschalteten Regelstufe, die durch, eine aus einem nachfolgenden.
  4. ZF-Verstärker abgeleitete Regelspannung geregelt wird, gekennzeichnet durch einen an den Vorwahlkreis (8, 9f 10)" angeschlossenen Begrenzer (30) mit regelbarer Schwellenspannung, der in dem Sinne aus der Regelspannung geregelt wird, dass die Schwellenspannung bei zunehmendem ZF-Signal zunimmt« 2, Rundfunkempfänger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Regelstufe zwei emittergekoppelte Transistoren (1, 2.) enthält, zwischen deren Basiselektroden die Regelspannung zugeführt wird, dass der Vorwahlkreis in. den Kollektorkreis des einen Transistors (i) und ein RC-Glied (28, 29) in den Kollektorkreis des anderen Transistors (2) aufgenommen ist, und dass der Begrenzer (3θ) zwischen den beiden Kollektorkreisen liegt.
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DE19752518668 1974-05-10 1975-04-26 Rundfunkempfaenger mit einem durch eine kapazitaetsdiode abgestimmten vorwahlkreis Withdrawn DE2518668A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7406291A NL7406291A (nl) 1974-05-10 1974-05-10 Radio-ontvanger met een door een kapaciteitsdiode afgestemde preselectiekring.

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DE2518668A1 true DE2518668A1 (de) 1975-11-20

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ID=19821330

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Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752518668 Withdrawn DE2518668A1 (de) 1974-05-10 1975-04-26 Rundfunkempfaenger mit einem durch eine kapazitaetsdiode abgestimmten vorwahlkreis

Country Status (10)

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US (1) US3968439A (de)
JP (1) JPS50153813A (de)
AU (1) AU499642B2 (de)
CA (1) CA1063179A (de)
DE (1) DE2518668A1 (de)
ES (1) ES437485A1 (de)
FR (1) FR2270717B1 (de)
GB (1) GB1508482A (de)
IT (1) IT1032831B (de)
NL (1) NL7406291A (de)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3571719A (en) * 1968-12-13 1971-03-23 Motorola Inc Overload compensation circuit for antenna tuning system

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FR2270717B1 (de) 1979-10-05
AU499642B2 (en) 1979-04-26
IT1032831B (it) 1979-06-20
CA1063179A (en) 1979-09-25
AU8084575A (en) 1976-11-11
ES437485A1 (es) 1977-02-01
NL7406291A (nl) 1975-11-12
FR2270717A1 (de) 1975-12-05
JPS50153813A (de) 1975-12-11
GB1508482A (en) 1978-04-26
US3968439A (en) 1976-07-06

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