DE2454187C3 - Schaltungsanordnung für HF-Eingangsstufen eines Fernsehempfängers - Google Patents
Schaltungsanordnung für HF-Eingangsstufen eines FernsehempfängersInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung für HF-Eingangsstufen eines Fernsehempfängers
mit mindestens einer zum Abschwächen der H F-Verstärkung bei stärker einfallenden Sendern aus dem
Sperr- in den Durchlaßbereich oder umgekehrt übergehenden PIN-Diode und einem als HF-Verstärker
und gegebenenfalls als Gleichstromverstärker für diese PIN-Diode geschalteten und mit einer Regelspannung
verbundenen Transistor in Basisschaltung.
Aus der allgemeinen Elektrotechnik sind an sich Gegenkopplungsschaltungen bekannt So zeigt die
GB-PS 12 88 880 einen Gleichstromverstärker in Emitterschaltung, bestehend aus drei Transistoren und
mit einem Transistor im Gegenkopplungszweig. Die NLOS 65 00 665 bzw. die DE-AS 1193 557 zeigen
einen Wechselspannungs-Transistorverstärker mit
einem Transistor in Emitterschaltung mit nachgeschaltetem Übertrager im Verstärkungsweg und einen
Transistor in Basisschaltung für die Gegenkopplung, in dessen Basiskreis ein Heißleiter liegt
fungsglied für hochfrequente Signale unter Verwendung von zwei gegeneinander geschalteten PIN-Dioden,
deren Anoden mit einer Regelspannung verbunden sind und die eine Linearitätsverbesserung des übertragenen
hochfrequenten Signals bewirken sollen. Bei dieser Schaltungsanordnung muß aber im Übertragungsweg
ein Widerstand nicht zu vernachlässigender Größe angeordnet sein. In dem gezeigten Beispiel zeigt dieser
Widerstand eine Größe von 220 Ohm.
ίο Die DE-AS 11 32 975 zeigt eine Regelschaltung für
eine Eingangsschaltung zum Anschluß für Mikrofone, Bandgeräte usw. Dieser NF-Verstärker ist schon allein
durch die Verwendung des Verstärkertransistors in Emitterschaltung infolge der dadurch bedingten
is Schmalbandigkeit nicht für brcitbandige HF-Eingangsschaltungsanordnungen
im Fernsehbereich geeignet Die gezeigte Diode im Emitterkreis tritt anstelle eines
von Hand einstellbaren Widerstandes. Sie wird im Sperrbereich ihrer Kennlinie betrieben, vergrößert den
*> Regelbereich, wirkt jedoch nicht als sogenannter
PIN-Abschwächer, da dies Problem im NF-Bereich nicht auftritt
Schließlich bezieht sich die Literaturstelle »FUNKSCHAU« 1974, Heft 2, S. 121 auf einen Fernsehempfän-
2s ger und zeigt praktisch eine Ausführungsform eines
sogenannten PIN-Dioden-Abschwächers für eine HF-Eingangsstufe eines Fernsehempfängers, bestehend aus
zwei PIN-Dioden, von denen die eine im Signalweg liegt und wobei beide PIN-Dioden über einen als Gleich-
3» stromverstärker geschalteten Transistor, dessen Basis
mit der Regelspannung, der sogenannten A GQ verbunden ist, gesteuert werden. Der Transistor wird
hier im Bereich +9V auf +3V gesteuert Die angegebene Type ist ein NF-Transistor. Bei stark
einfallenden Signalen steigt die Regelspannung an, und der Transistor sorgt dafür, daß die eine Diode mehr in
Durchlaßrichtung und die andere Diode mehr in Sperrichtung gesteuert wird, wodurch sich dann
schließlich am Ausgang des Abschwächers ein abgeschwächtcs Hochfrequenzsignal ergibt.
Derartige Schaltungsanordnungen sind auch noch in anderen Ausführungen bekannt, z. B. aus dem Fernsehtuner
nach der DE-OS 21 24 377 der Anmelderin, sog. Large-Signal-Tuner. Auch bei diesen bekannten Schaltungsanordnungen
liegt immer eine PIN-Diode im Signalweg, aber auch der Transistor liegt hier im Signalweg. Er ist in Basisr -haltung geschaltet und seine
Basis ist mit der Regelspannung ΛGCverbunden, so daß
bei stark einfallenden HF-Signalen sowohl die PIN-Diode als auch der Transistor regeln. Da in diesen
bekannten Tunern ein Hochstrom-Transistor mit breiter ft-Kennlinie verwendet wird, d.h. mit einer
Verstärkung, die im breiten Frequenzbereich unabhängig vom Arbeitspunkt ist, wird er bei dieser Ausfüh-
S5 rungsform im VHF-Bereich nicht geregelt. Dagegen
regelt der Hochstrom-Transistor, hier die Type BF 480, an den Grenzen des Bereiches. Bei UHF werden
zunächst bei ansteigendem HF-Signal im Eingang des Tuners zunächst die PIN-Dioden durch Regelung
wirksam und dann erst bei sehr stark einfallendem HF-Signal der Hochstrom-Transistor BF 480. Dies ist
bedingt durch die Kennlinie des Transistors, der in Abhängigkeit vom Strom, z. B. vom Kollektorstrom, in
Basisschaltung geschaltet zunächst einen Anstieg des übertragenen HF-Signals zeigt, dann aber bei sehr
großen Strömen wiederum einen Abfall der Verstärkung dieses HF-Signals.
aus. Die Aufgabe der Erfindung bestand darin, einen PIN-Dioden-Abschwächer, der mit einem transistorisierten
HF-Verstärker in Basisschaltung kombiniert ist, zu schaffen und bei dem im Signal weg keine
zusätzlichen Bauteile, also entweder ein Widerstand oder eine PIN-Diode selbst, eingeschaltet werden
müssen, weil nämlich diese Bauteile bei schwach einfallenden HF-Signalen eine merkbare Dämpfung im
Signalweg selbst bewirken. Die HF-Eingangsstufe eines derartigen Fernsehempfängers wird nämiich hierdurch
unempfindlicher.
Zur Lösung dieser Aufgabe sind bei einer Schaltungsanordnung für HF-Eingangsstufen eines Fernsehempfängers
der eingangs genannten Art nach der Erfindung zur Spannungsgegenkopplung zwischen den Kollektor
und die Basis des Transistors die Reihenschaltung einer PIN-Diode und eines Kondensators und/oder zur
Stromgegenkopplung zwischen die Basis des Transistors und Masse die Reihenschaltung einer PIN-Diode
und eines Kondensators angeordnet, wobei die Kondensatoren
in beiden Fällen an die Basis des Transistors angeschlossen sind, die Regelspannung bei der Spannungsgegenkopplungsschaltung
an der Anode der PIN-Diode, deren Kathode am Kollektor angeschlossen ist, liegt, oder bei Verbindung der Anode der PIN-Diode
mit dem Kollektor unmittelbar an der Basis bei der Stromgegenkopplungsschaltung an der Basis des
Transistors unmittelbar oder an der Anode der gegen Masse geschalteten Diode.
in weiterer Ausgestaltung der Erfindung kann die Kathode der PIN-Diode über eine Drossel und
gegebenenfalls einen Widerstand und die Anode der PIN-Diode über eine Drossel und gegebenenfalls einen
Widerstand mit diesem überbrückenden Kondensator mit dem gemeinsamen Bezugspunkt (Masse) verbunden
sein.
Ferner kann nach der Erfindung die PIN-Diode zwecks Kompensation seiner Restkapazität durch die
Serienschaltung eines Kondensators und einer Spule überbrückt sein.
Bei Einsatz der Maßnahmen nach der Erfindung können Hochstrom-Verstärker-Transistoren verwendet
werden, die eine breite ft-Kennlinie aufweisen und die
eine erhebliche Vergrößerung der möglichen Abschwächung ergeben. Während nämlich dieser Dämpfungsregelhub
mit einer Diode allein als Spannungs- oder Stromgegenkopplung geschaltet etwa 15 dB ergeben,
kann dieser Rügelhub für die Dämpfung durch den Transistor um weitere 25 dB erweitert werden, so daß
jeweils mit nur einer Diode eine Abschwächung von etwa 40 dB erzielbar ist In einer besonderen Ausführung
nach der Erfindung mit der Anordnung von zwei Dioden kann eine Abschwächung von 3OdB erreicht
werden, so daß sich insgesamt mit der Abschwächung von 25 dB des Transistors eine Gesamtabschwächung
von 55 dB erreichen läßt Dabei ist noch von besonderem Vorteil, daß bei einer geschickt dimensionierten
Schaltungsanordnung, wie nachfolgend an Hand der Figurenbeschreibung gezeigt wird, im Regelbereich
der PIN-Dioden der Transistor jeweils bei Arbeitspunkten betrieben wird, wo auch seine Kreuzmodulationseigenschaften
am besten sind. Wenn der Transistor schließlich danach regeln soll, ist die Abschwächung
durch die PIN-Dioden bereits so weit getrieben, daß der Einfluß auf die Kreuzmodulationseigenschaften des
Transistors bei seinen Arbeitspunkten im Regelbereich nicht nur vernachlässigbar werden, sondern sich sogar
überraschenderweise verbessern.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der
Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben.
Fi g. 1 eine Schaltungsanordnung nach der Erfindung
Fi g. 1 eine Schaltungsanordnung nach der Erfindung
S mi: einem Transistor in Basisschaltung und einer Diode
im Spannungsgegenkopplungsweg,
Fi g. 2 eine Schaltungsanordnung nach der Erfindung mit einem Transistor in Basisschaltung und einer Diode
im Spannungsgegenkopplungsweg und mit einer besonderen Einführung der Regelspannung,
F i g. 3 eine Kennlinie der verstärkten Hochfrequenzspannung in Abhängigkeit vom Kollektorstrom des
Transistors,
'S mit einem Transistor in Basisschaltung und einer
PIN-Diode im Stromgegenkopplungsweg,
F i g. 5 eine Schaltungsanordnung nach der Erfindung mit einem Transistor in Basisschaltung und einer
PIN-Diode im Stromgegenkopplungsweg und einer besonderen Einführung der Regelspannung,
F i g. 6 eine Schaltungsanordnung, kombiniert aus den Schaltungsanordnungen nach F i g. 2 und 5.
In der F i g. 1 ist die Eingangsschaltungsanordnung für die HF-Eingangsstufe eines Fernsehempfängers dargestellt
Das HF-Signal wird von der Antenne herkommend an den Eingang E geführt und über den
Koppelkondensator Ck 1 in diese HF-Stufe eingekoppelt. Es verläßt diese Stufe über den Koppelkondensator
Ck 2 am Ausgang A. Die H F-Eingangsstufe weist einen Transistor Tr auf, dessen Emitter über den
Emitterwiderstand Re 1 an einer festen positiven Vorspannung liegt wenn z. B. ein Hochstrom-HF-Transistor
der Type AF 379, also ein pnp-Transistor, verwendet wird, wie dargestellt Die Basis des
Transistors Tr liegt über einen festen Basiswiderstand Rb I, der durch einen Kondensator Cb überbrückt ist,
am gemeinsamen Bezugspunkt z. B. Masse. Der Kollektor des Transistors Tr ist über eine Drossel Dr 1
mit dem gemeinsamen Bezugspunkt verbunden.
Nach der Erfindung liegt nun im Ausgangskreis des Transistors Tr zwischen dessen Kollektor und Basis eine
PIN-Diode D1 in Serie mit einem Trennkondensator
Ct Dabei ist die Kathode der PIN-Diode D1 mit dem
Kollektor des Transistors Tr und die Anode der PIN-Diode D1 mit dem Trennkondensator Ct verbunden.
Die Regelspannung AGC wird über einen Vorwiderstand Rv an die Anode der PIN-Diode D1
geführt.
Bei schwach einfallenden HF-Signalen am Eingang E ist die PIN-Diode D i nicht wirksam, weil durch sie ein sehr geringer Reststrom fließt, der bedingt ist durch ihre sogenannte Restkapazität Um diese zu kompensieren, ist die PIN-Diode D1 durch die Serienschaltung eines Kondensators Cd und einer Spule Ld überbrückt.
Bei schwach einfallenden HF-Signalen am Eingang E ist die PIN-Diode D i nicht wirksam, weil durch sie ein sehr geringer Reststrom fließt, der bedingt ist durch ihre sogenannte Restkapazität Um diese zu kompensieren, ist die PIN-Diode D1 durch die Serienschaltung eines Kondensators Cd und einer Spule Ld überbrückt.
Hierdurch wird also bewirkt daß nur ein vernächlässigbarer Teil der Ausgangs-HF-Spannung über diesen
zusätzlichen Zweig abfließen kann.
Die Gleichstrom-Vorwiderstände bzw. die Schaltungsanordnung können derart dimensioniert sein, daß
bei kleinen HF-Signalen der Transistor in einem Arbeitspunkt betrieben wird, der zwischen den mit B1
und B2 in Fig.3 bezeichneten Arbeitspunkten liegt.
Werden die HF-Eingangssignale jetzt größer und ist der Frequenzbereich im VHF-Bereich, dann erfolgt in
dieser Schaltungsanordnung nach F i g. 1 lediglich eine Regelung durch die PIN-Diode D1, die nämlich in ihrer
Anode bei größerer Regelspannung AGC eine höhere positive Spannung erhält und mit weiter zunehmender
H F-Ausgangsspannung weiter in Durchlaßrichtung aufgesteuert wird. Praktisch wirkt sie also als Spannungsgegenkopplung
und dämpft zu starke Ausgangssignale, weil nämlich ein größerer Hochfrequenzstrom
über den Trennkondensator Ct, der z. B. die Größe von 220 pF aufweisen kann, zurück auf die Basis des
Transistors Tr geführt wird. Es liegt, wie bereits erwähnt, eine echte HF-Spannungsgegenkopplung vor.
Zu den Werten sei noch folgendes gesagt: Die Diode D1 kann vom Typ BA 379 sein, der Kondensator Cb ι ο
kann eine Größe von 12 pF aufweisen und der Widerstand Rv eine Größe von 1 kOhm. Die Diodensteuerung
erfordert eine AGQ die einen Diodenstrom von etwa 0 bis 5 mA aufbringen muß. Die Restkapazität
der genannten PIN-Diode DX beträgt etwa 0,3 pF, die zusammen mit dem Kondensator Cd und der Induktivität
Ld einen Resonanzkreis bildet, der für die Bandmittenfrequenz ausgelegt wird.
Die Dimensionierung der Schaltungsanordnung nach F i g. 1 kann derart getroffen sein, daß bei sehr stark
einfallenden Sendern bzw. HF-Signalen am Eingang E im UHF-Bereich auch eine Regelung bzw. Abschwächung
durch den Transistor Tr erfolgt. Dann befindet sich nämlich bei sehr stark einfallenden Sendern der
Transistor Trim Arbeitspunkt nach 52 in Fig.3. Bei
größer werdendem Strom durch den Transistor erfolgt dann wegen der fallenden Kennlinie eine kleinere
Verstärkung der HF-Wechselspannung.
F i g. 2 zeigt das Grundprinzip der Schaltungsanordnung nach F i g. 1, nun erfolgt nunmehr die Regelung der
PIN-Diode und des Transistors in etwa anderer Weise. Zunächst ist in dem Schaltbild nach Fig.2 der
Gleichstromkreis für den Kollektor des Transistors erweitert eingezeichnet, nämlich durch Verbindung des
Fußpunktes der Drossel Dr 1 über einen Kondensator
CX und damit Schaltung eines Wechselstromweges zum gemeinsamen Bezugspunkt sowie Einfügung eines
Widerstandes RX zum besseren Einstellen des Ausgangsarbeitspunktes
B1 nach F i g. 3 für den Transistor Tr. Die PIN-Diode DX liegt wieder im HF-Spannungsgegenkopplungsweg
im Ausgangskreis des Transistors Tr zwischen dessen Kollektor und Basis. Dabei ist sie in
der Ausführung nach der F i g. 2 mit ihrer Anode mit dem Kollektor des Transistors Tr und mit ihrer Katode
mit dem Trennkondensator Ct verbunden, dessen anderer Anschluß an der Basis des Transistors Tr liegt.
Die Katode der PIN-Diode D1 liegt über eine Drossel
Dr 2 und einen Festwiderstand Rd am gemeinsamen Bezugspunkt Die Restkapazität der Diode DX ist
wiederum durch das Überbrückungsglied, d.h. die Serienschaltung des Kondensators Ct/und der Spule Ld,
kompensiert Der Emitter des Transistors Tr liegt über einen Festwiderstand Re 1 an einer festen Vorspannung,
aber seine Basis liegt in diesem Ausführungsbeispiel nach Fig.2 über den Vorwiderstand Rv an der
Regelspannung AGC
Der Vorteil dieser Schaltungsanordnung liegt darin,
daß gegenüber dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 der AGC-Regelstrom viel kleiner sein kann. liegt der
Arbeitspunkt des Transistors Tr bei kleinen HF-Eingangssignalen bei Bi und werden diese jetzt größer,
dann wird auch der Strom durch den Transistor Tr größer, und der Strom durch die Diode D1 wird größer,
bis schließlich der Widerstand der PIN-Diode Dl den Wert von etwa OOhm erreicht hat Dies ist auch
wiederum der Punkt BI im Kennlinienfeld nach Fi g.3.
Werden jetzt die HF-Eingangssignale noch größer, dann erfolgt eine Regelung des Transistors Tr, d. h, das
H F-Ausgangssignal wird bei größeren Strömen durch den Transistor Trkleiner.
Fig.4 zeigt schließlich die Anordnung eines PIN-Dioden-Abschwächers
mit einer PIN-Diode D 2 in der Basiszuführung des Transistors Tr. Hier liegt also eine
Stromgegenkopplung vor. In F i g. 4 liegen der Emitter und die Basis des Transistors Trüber feste Widerstände
Re X und Rb 2 an einer festen Vorspannung, die Basis des Transistors Tr an einem Spannungsteiler, zu dem
auch noch der zum gemeinsamen Bezugspunkt führende Festwiderstand Rb X gehört Die Drossel DrX schafft
wieder einen Gleichstromweg zum Kollektor des Transistors Tr. Die Regelspannung A GC ist über einen
Vorwiderstand Rv an die Anode der PIN-Diode D 2 angeschlossen, während die Katode der PIN-Diode D 2
mit dem gemeinsamen Bezugspunkt verbunden ist Der Basiskondensator Cb wirkt hier als Trennkondensator
für die beiden Gleichstrom-Arbeitspunkte des Transistors 7>und der PIN-Diode DZ In diesem Falle fließt,
wenn ein kleines HF-Signal am Eingang £Terscheint, ein
großer Strom durch die Diode. Wird die Hochfrequenz-Eingangsspannung stärker, dann wird, und so ist die
Regelspannung in diesem Falle ausgebildet, der AGC-Steuerstrom kleiner und der Widerstand der
PIN-Diode D 2 wird größer, so daß praktisch die Basis des Transistors Trmit ansteigendem HF-Eingangssignal
über einen immer größer werdenden Widerstand der PIN-Diode D 2 mit dem gemeinsamen Bezugspunkt
verbunden ist, was ebenfalls einer Dämpfung des H F-Ausgangssignals gleichkommt Die Diode erreicht
schließlich Werte von etwa 03 pF parallel zu 600 Ohm. Der Arbeitspunkt des Transistors Tr ist hier im VHF-
und UHF-Bereich fest Wird die Schaltungsanordnung nur für VHF ausgelegt, so muß der Kondensator Cb z. B.
eine Größe von 220 pF aufweisen, bei UHF genügen 22 pF. Beispielsweise können die Widerstände
Äf>l=5,6kOhm, i?62=l,8kOhm und Äv=lkOhm
groß sein.
F i g. 5 zeigt schließlich eine Abwandlung der F i g. 4 mit einem Gleichspannungsteiler am Emitter des
Transistors. Der Strom, der von der festen Vorspannungsquelle bei + über den Widerstand Rs 2 in die
Schaltungsanordnung fließt, ist immer gleich. In diesem Falle wird bei größeren HF-Eingangssignalen auch der
/4GC-Steuerstrom größer. Wenn aber dieser Strom
größer wird, wird auch der Emitterstrom durch den Transistor Tr größer und damit der Strom durch Re 1,
wodurch der Strom durch Rb 2 und damit auch wieder der Strom durch die PIN-Diode D 2 kleiner wird. Auch
hier wird der Widerstand der PIN-Diode D 2 zu größeren HF-Signalen hin größer. Auch hier ist die
Schaltungsanordnung wieder derart ausgelegt, daß bei kleinen HF-Signalen der Transistor im Arbeitspunkt B1
nach F i g. 3 arbeitet Wenn zunächst die PIN-Diode D2 durch Erhöhung ihres Widerstandes infolge des durch
sie fließenden kleineren Stromes als Abschwächer wirksam wird, und zwar bis etwa zum Arbeitspunkt B 2
nach Fig.3, dann regelt der Transistor Tr wie oben
beschrieben.
Fig.6 zeigt schließlich eine Kombination der
Schaltungsanordnungen nach Fig.5 tmd Fig.2. Bei größer werdenden HF-Eingangssignalen regeln zunächst
die beiden Dioden DX und D2, dh, die
Abschwächung des Ausgangssignals erfolgt zunächst durch diese beiden PIN-Dioden Dl und D 2, wobei
gegenüber den Schaltungsanordnungen nach F i g. 1,2,4
und 5, die eme PIN-Dioden-Abschwächung von etwa ISdB erreichten, hier die doppelten Werte, nämlich
3OdB, erreichbar sind. In allen Fällen bringt die Transistorregelung eine Abschwächung von 25 dB, so
daß in der Schaltungsanordnung nach F i g. 6 Werte der Abschwächung in der Größe von 55 dB verwirklichbar
sind.
Abschließend sollen noch einige praktische Werte angegeben werden: Die Dioden DX und Dl können
vom Typ BA 379 sein, die Transistoren Tr in allen
gezeigten Beispielen vom Typ AF 379. Die Widerstände können folgende Werte aufweisen: Re 1 = 100 Ohm,
Re 2 = 560 Ohm, Rb 2 = 2 kOhm, R 1 = 220 Ohm, und die
Kondensatoren die Werte Cb= 220 pF oder 22 pF(wie oben erläutert), Ct= 22OpF, Cl=680pF, CKi und
CK 2=je 10 pF.
Ilicr/u 1 I)IaIt Zeichnungen
Claims (3)
1. Schaltungsanordnung für H F-Eingangsstufen
eines Fernsehempfängers mit mindestens einer zum Abschwächen der H F-Verstärkung bei stärker
einfallenden Sendern aus dem Sperr- in den Durchlaßbereich oder umgekehrt übergehenden
PIN-Diode und einem als HF-Verstärker und gegebenenfalls als Gleichstromverstärker für diese
PIN-Diode geschalteten und mit einer Regelspannung verbundenen Transistor in Basisschaltung,
dadurch gekennzeichnet, daß zur Spannungsgegenkopplung zwischen den Kollektor und
die Basis des Transistors (Tr) die Reihenschaltung einer PIN-Diode (Dl) und eines Kondensators (Ct)
und/oder zur Stromgegenkopplung zwischen die Basis des Transistors (Tr) und Masse die Reihenschaltung
einer PIN-Diode (D 2) und eines Kondensators (Cb) angeordnet sind, wobei die Kondensatoren
(Ct; Cb) in beiden Fällen an die Basis des Transistors (Tr) angeschlossen sind, die Regelspannung
(AGC) bei der Spannungsgegenkopplungsschaltung an der Anode der PIN-Diode (D 1), deren
Kathode am Kollektor angeschlossen ist, liegt, oder bei Verbindung der Anode der PIN-Diode (D 1) mit
dem Kollektor unmittelbar an der Basis, bei der Stromgegenkopplungsschaltung an der Basis des
Transistors (Tr) unmittelbar oder an der Anode der gegen Masse geschalteten Diode (D 2).
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathode der PIN-Diode
(D 1) über eine Drossel (Dr 2) und gegebenenfalls einen Widerstand (Rd) und die Anode der PIN-Diode
(D 1) über eine Drossel (Dr 1) und gegebenenfalls einen Widerstand (R 1) mit diesem überbrückenden
Kondensator (Cl) mit dem gemeinsamen Bezugspunkt (Masse) verbunden sind.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die PIN-Diode (Dl)
zwecks Kompensation seiner Restkapazität durch die Serienschaltung eines Kondensators (Cd) und
einer Spule (Ld) überbrückt ist
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DE19742454187 DE2454187C3 (de) | 1974-11-15 | 1974-11-15 | Schaltungsanordnung für HF-Eingangsstufen eines Fernsehempfängers |
Applications Claiming Priority (1)
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE3210454A1 (de) | 1982-03-22 | 1983-09-22 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Empfaenger-eingangsschaltung |
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1974
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