DE2505573A1 - Diodenschutzschaltung fuer mos- halbleiterbauelemente - Google Patents

Diodenschutzschaltung fuer mos- halbleiterbauelemente

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DE2505573A1 DE19752505573 DE2505573A DE2505573A1 DE 2505573 A1 DE2505573 A1 DE 2505573A1 DE 19752505573 DE19752505573 DE 19752505573 DE 2505573 A DE2505573 A DE 2505573A DE 2505573 A1 DE2505573 A1 DE 2505573A1
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Description

RCA 67413 10.Januar 1975
Ü.S.Ser.No. 441 050 77Τ6"64 Sch/E
Filing Date: 11 February 1974
RCA Corporation
New York N.Y. (V.St.A.)
Diodenschutzschaltung für MOS-Halbleiterbauelemente
Die Erfindung betrifft eine Schutzschaltung für Isolierschicht-Feldeffektbauelemente und Halbleiterbauelemente mit isolierter Steuerelektrode, insbesondere Isolierschicht-Feldeffekttransistoren erleiden eine bleibende Schädigung, wenn die am Isolator des Bauelementes anliegende Spannung das Durchbruchspotential des Isolators übersteigt. Man hat beobachtet, daß die Übertragungscharakteristika von Isolierschicht-Feldeffekttransistoren sich häufig sogar dann verändern, wenn die Spannungsbeanspruchung zwischen Gate- und Sourcebereich beträchtlich unter der Durchbruchsspannung für die Isolierschicht liegt. Ein solches Verhalten ist jedoch unerwünscht, insbesondere in linearen Schaltungen, wie Differenzverstärkern, wo die den eigentlichen Differenzverstärker bildenden Transistoren einander gut angepaßt sein müssen. Es werden daher Schutzschaltungen benötigt, welche verhindern, daß einen vorbestimmten Wert überschreitende Potentialunterschiede an den Isolator oder zwischen bestimmte Elektroden von Isolierschicht-Feldeffekttransistoren angelegt werden.
509833/0727
Bekannte Schutzschaltungen verwenden gegeneinander geschaltete Dioden an und/oder zwischen bestimmten Elektroden oder Schaltungsknoten, um die Elektroden oder die Schaltungspunkte gegen Überspannungen zu schützen. Nachteilig ist bei derartigen Schutzschaltungen, daß sie mehr Bauelemente und Fläche auf demjLntegrierten Schaltungsplättchen benötigen und kritische Schaltungspunkte zusätzlich kapazitiv belasten.
Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Vermeidung der Nachteile und wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Demzufolge liegt der Erfindung zum Teil die Erkenntnis zugrunde, daß bei Verwendung von zwei oder mehr Schaltungen mit gegeneinander geschalteten Dioden zum Schutz von einen Differenzverstärker bildenden Transistoren einige der Dioden in den Schutzschaltungen zusammengefaßt werden können zu einer einfachen Schutzschaltung mit geringer Bauelementezahl und niedriger Kapazität.
Bei einer Halbleiterschaltung, die sich in
integrierter Form aufbauen läßt und zwei Feldeffekttransistoren mit Source-, Drain- und Gate-Elektroden aufweist, deren Source-Elektroden an einen ersten gemeinsamen Punkt angeschlossen sind, und die mit Schutzdioden versehen ist, besteht die Erfindung darin, daß drei Dioden vorgesehen sind, die zwischen einen zweiten gemeinsamen Punkt und jeweils die Gate-Elektroden der beiden Transistoren bzw. den ersten gemeinsamen Punkt, mit dem die Source-Elektroden verbunden sind, angeschlossen sind und welche mit gleicher Leitungspolarität hinsichtlich des zweiten gemeinsamen Punktes geschaltet sind.
Die Erfindung ist nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert, es zeigen:
Fig. 1 eine Schaltung zur Veranschaulichung
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-3- . "■.■■■--■■■..
der durch die Erfindung gelösten Probleme;
Fig. 2 einen Teilquerschnitt durch eine in
integrierter Form ausgebildete Ausfuhrungsform der Erfindung und
Fig. 3 das zur Fig. 2 gehörige Schaltbild.
In Fig. 1 ist ein Differenzverstärker mit
Transistoren T1 und T2 dargestellt, der durch drei gleiche Schutzschaltungen gegenüber Spannungen geschützt ist. Jede Schaltung enthält zwei gegeneinander geschaltete Dioden DlO und D20 mit einem gemeinsamen Bereich, dem eine parasitäre Leckstrecke zugeführt ist. Die Leckstrecke umfaßt eine in Durchlaßrichtung gespannte Diode Dp20, eine in Sperrichtung gespannte Leckdiode Dp,Q mit einer niedrigen Sperrimpedanz. Die parasitäre Leckstrecke bildet sich gleichzeitig mit der Ausbildung einer einzigen Schutzdiode im Material der meisten integrierten Siliciumschaltungen aus, welche sich für die Herstellung von Isolierschicht- Feldeffekttransistoren für lineare Schaltungsanwendungen eignen. Demnach werden zwei gegeneinander geschaltete Dioden in jeder Schutzschaltung benutzt, um die Leckstrecke von den zu schützenden Elektroden oder Schaltungspunkten zu isolieren.
In Differenzschaltung angeordnete Transistoren T1 und T2 sind gemeinsam mit ihren Source-Elektroden an ein Ende eines Widerstandes Rs angeschlossen, dessen anderes Ende an einer Spannung +V liegt. Zwischen Gate- und Source-Elektrode des Transistors T1 liegt eine Schaltung 1, zwischen Gate- und Source-Elektrode T2 liegt eine Schaltung 2, und zwischen den Gates der beiden Transistoren T1 und T2 liegt eine Schaltung 3.
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Es sei angenommen, daß die Dioden D1O und
D2O identisch sind und eine Sperrdurchbruchsspannung von V sowie einen Durchlaßspannungsabfall von VRp Volt haben. Die Schaltungen 1 und 2 verhindern, daß die Spannung zwischen den Gates und den Source-Elektroden der Transistoren T1 bzw. T2 größer als iVß+VBEJ Volt werden. Die Spannung 3 begrenzt die maximale Spannung zwischen den Gates der Transistoren T1 und T2 auf |VB+VBE| Volt. Bei Fehlen der Schaltung 3 könnte die Spannung zwischen den Gates auf 2 mal |Vß+VBE| Volt ansteigen.
Problematisch bei der Einfügung dieser Schutzschaltungen ist es, daß zwei Dioden an die Gates der Transistoren T1 und T2 angeschlossen werden. Dadurch wird an den Gates zusätzliche Kapazität wirksam. Auch ist mit den Dioden eine bestimmte Leckwirkung verbunden, selbst wenn die Diodenschaltungen speziell daraufhin entworfen sind, den Leckstrom zu begrenzen. Weiterhin vergrößern die Diodenschaltungen die Anzahl der Bauelemente und benötigen Platz und Oberfläche des Schaltungsplättchens.
Die Anmelderin hat nun festgestellt, daß die von der Schaltung 3 ausgeübte Funktion auch von einer Kombination der Schaltungen 1 und 2 übernommen werden kann, wenn man eine Verbindung zwischen den gemeinsamen Bereichen (Anoden) der Dioden D10 und D20 in den Schaltungen 1 und 2 herstellt. Die Anmelderin hat ferner festgestellt, daß die Dioden D20 in den Schaltungen 1 und 2 dann parallel liegen würden und daß dann eine dieser beiden Dioden entfallen kann.
Bei einer nach der Erfindung ausgeführten
Schaltung wird ein Schutz für einen Differenzverstärker mit weniger Komponenten erreicht, wobei ferner die Schaltung mit geringerer Kapazität und niedrigerem Leckstrom belastet wird.
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Die in Fig. 2dargesteilte Schaltung ist in
einem p-leitenden Substrat ausgebildet, auf dem eine n-leitende epitaktische Schicht 11 gebildet ist. In die epitaktische Schicht sind stark dotierte p-leitende Zonen 15 hineindiffundiert, welche die Teile lla und lib der n-leitenden Schicht gegeneinander isolieren.
Durch Diffusion von p-leitenden Zonen 14s
und 14d mit gegenseitigem Abstand in den Teil lla der n-leitenden Schicht wird ein Isolierschicht-Feldeffekttransistor 14 gebildet, über dem Zwischenraum zwischen den Zonen 14s und 14d befindet sich eine (kreuzschraffierte) Oxidschicht, auf der eine Gate-Elektrode 14g ausgebildet ist. Durch Diffusion p-leitender Zonen 16s und 16d mit gegenseitigem Abstand in den Teil lla wird ein Isolierschicht-Feldeffekttransistor 16 gebildet, über dem Zwischenraum zwischen den Zonen 16s und 16d befindet sich eine (kreuzschraffierte) Oxidschicht, auf der eine Gate-Elektrode 16g ausgebildet ist. Die Zonen 14s und 16s sollen die Source-Bereiche der Transistoren 14 bzw. 16 sein, die am Schaltungspunkt 17 miteinander verbunden sind. Natürlich können die Source-Bereiche der Transistoren 14 und auch durch eine einzige p~Zone gebildet werden. Benachbart der Zone 16s ist eine stark dotierte η-leitende Zone 16N diffundiert, und ein elektrischer Kontakt 18, welcher den beiden Zonen 16s und 16N gemeinsam ist, schließt die Verbindung des Substrates lla mit den Source-Bereichen 14s und 16s.
Die Schutzschaltung für die Transistoren 14
und 16 enthält eine in die Zone 11b eindiffundierte p-leitende Zone 20. Zu den Zonen 11b und 20 brauchen keine metallischen Verbindungen hergestellt zu werden. Die p-leitende Zone 20 kann gleichzeitig mit der die Source- und Drain-Bereiche der Transistoren 14 und 16 bildenden p-Zonen ausgebildet werden und sich in die gleiche Tiefe erstrecken.
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Drei stark dotierte η-leitende Bereiche 22,
24 und 26 sind in den Bereich 20 zur Bildung der Dioden D1, D2 und D3 eindiffundiert. Zwischen den Bereichen 22 und dem Gate 16g des Transistors 16 sowie zwischen dem Bereich 24 und den Source-Elektroden der Transistoren 14 und 16 sowie zwischen dem Bereich 26 und dem Gate 14g des Transistors 14 werden Metallverbindungen oder andere niederohmige Verbindungen hergestellt. Die Bereiche 22, 24 und 26 dienen als Kathoden dar Dioden D1, D2 bzw. D3, und der Bereich 20 dient als Anode für diese drei Dioden.
Zwischen dem Bereich 20 und dem Träger 10
sind parasitäre Dioden vorhanden. Die Bereiche 10 und 11b bilden einen pn-übergang D ., bei dem der Bereich 10 als Anode und der Bereich 11b als Kathode der Diode wirkt«. Die Bereiche lib und 20 bilden einen pn-übergang D2/ wobei der Bereich lib als Kathode und der Bereich 20 als Anode dieser Diode wirkt.
Die Bereiche 22, 24 und 26 sind stärker dotiert als der Bereich 20, welcher aber im Verhältnis zu den l Bereichen 11b und 10 ebenfalls stark dotiert ist. Der Bereich 10 ist am schwächsten dotiert. Als Folge davon ist die Diode Dp. eine verhältnismäßig leckbehaftete Diode mit niedriger Sperrimpedanz und relativ hoher Durchbruchspannung. Die Dioden D1, D2 und D3 sind weniger leckbehaftet und haben eine hohe Sperrimpedanz und relativ niedrige Durchbruchspannung, Bei einer typischen Schaltungsanwendung kann die Durchbruchspannung Vß der Dioden D1, D2 und D3 aus etwa 9 Volt dimensioniert werden. Wie im folgenden noch genauer erläutert werden wird, sorgen die Dioden D1, D2 und D3 nicht nur für einen überspannungsschutz für die mit ihnen verbundene Schaltung, sondern isolieren auch die Leckstrecke aus den Dioden Dp. und Dp2 von der geschützten Schaltung.
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Das dein Aufbau gemäß Fig. 2 entsprechende
Schaltbild ist zusammen mit einigen zusätzlichen Komponenten in Fig. 3 dargestellt. Die Transistoren 14 und. "16 "sind" mit" ihren Gate-Elektroden 14g bzw. 16g an die Eingänge 1 bzw. 2 angeschaltet. Ihre Source-Elektroden 14s und 16s sind über Symmetrierwiderstände TL·* und Rß2 an einen gemeinsamen Schaltungspunkt 17 zusammengeführt, der mit einem Ende eines Widerstandes Rs verbunden ist.. Bei den folgenden Erläuterungen sei angenommen, daß die Symmetrierwiderstände vernachlässigbar kleine Impedanzen haben. Das andere Ende des Widerstandes Rs ist mit dem positivsten Punkt, der Betriebsspannung +V2/ verbunden. Die Drain-Elektroden 14d und 16d der Transistoren bzw. 16 sind über Widerstände RL1 bzw. R^2 an den die Spannung -V_ Volt führenden negativsten Punkt der Schaltung angeschlossen.
Die Dioden D1, D2 und D3 sind mit ihren Kathoden an das Gate 16g des Transistors 16 bzw. die mit dem Substrat verbundenen Source-Bereiche der Transistoren 14 und 16 bzw. dem Gate 14g des Transistors 14 verbunden. Die Anoden der Dioden D1 , D2 und D3 sind zusammen an die Anode der parasitären Diode Dp2 angeschlossen. Die Kathode der Diode Dp2 ist mit der Kathode der Diode Dp1 verbunden. Die Spannung -V0 wird ebenfalls dem Substrat 10 zugeführt.
Das negativste Schaltungspotential -VQ wird
der Anode der Diode Dp1 zugeführt. Demzufolge ist die Diode Dp1 normalerweise in Sperrichtung und die Diode Dp2 in Durchlaßrichtung gespannt. Das Potential oder der Signalpegel, welcher den Kathoden der Dioden D1, D2 oder D3 zugeführt wird, ist normalerweise größer als -Vn und kleiner als +V0. Daher sind die Schutzdioden im gesamten linearen und ausnutzbaren Betriebsbereich in Durchlaßrichtung gespannt und isolieren
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die Leckstrecke der Diode Dp-jr so daß sie keinen Einfluß .auf die Signale an den Gate- oder Source-Elektroden der Transistoren 14 und 16 hat.
Die Diodenschutzschaltung verhindert, daß
das Potential zwischen den Gates der Transistoren einerseits und den Gates und gemeinsamen Source-Bereichen andererseits größer"wird als [VB+V„E| Volt, wobei angenommen ist, daß die Dioden gleiche Sperrdurchbruchsspannungen V und gleiche Durchlaßspannungsabfälle V haben. Wenn beispielsweise das Signal an der Eingangsschaltung 1 stark positiv wird, so daß an der Diode D3 ein Spannungsdurchbruch erreicht wird, dann wird das Potential an der Eingangsschaltung 1 auf den Wert V oberhalb des Potentials am Bereich 20 gespannt, und das Potential am Bereich 20 ist dann um einen Spannungsabfall VßE größer als das niedrigste Potential, welches entweder am Schaltungspunkt 17 oder an der Eingangsschaltung 2 auftritt. Wenn das am gemeinsamen Source-Schaltungspunkt 17 auftretende Potential größer als Vß der Diode D2 wird, dann wird das Potential am Schaltungspunkt 17 auf den Wert Ivb+VBE^ Volt oberhalb des niedrigsten der an einer der beiden Gate-Elektroden herrschenden Spannungspegel geklemmt«
Entsprechend gilt symmetrisch, daß eine der
an den anderen Eingang oder die Source-Elektrode angeschlossenen Dioden durchbricht, wenn das einem der Eingänge zugeführte Potential stark negativ wird. Das Potential an dem1 betreffenden Eingang wird dann auf den Wert I V +Vn^, I Volt unterhalb des positivsten Potentials geklemmt, welches an der Source-Elektrode oder dem anderen Gate liegt. Wenn das Potential stark negativ wird, erfolgt ein Durchbruch an einer der Dioden D1 oder D3, so daß das Source-Potential auf iv^+V^-i
Ja asu
Volt unter das positivste Potential geklemmt wird, welches an einander beiden Gates herrscht.
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Im interessierenden linearen Betriebsbereich sind die Schutzdioden D1, D2 und D3 normalerweise in Sperrrichtung vorgespannt. Auch ist das Potential an den Source-Elektroden der Transistoren 14 und 16 normalerweise positiver als das Potential an ihren Gate-Elektroden.
Es sei daran erinnert, daß die Dioden D1, D2 und D3 eine hohe Sperrimpedanz haben, während die Diode Dpi eine relativ niedrige Sperrimpedanz hat und die Diode D_? in Durchlaßrichtung gespannt ist. Wenn der Anode der Diode D„,. die Spannung -Ί zugeführt wird, liegt dementsprechend das. sich im Bereich 20 ausbildende Potential dicht bei ~VD Volt, Im normalen Betrieb ist das Potential am Punkt 17, der Source-Elektrode des Transistors, positiver als das Potential an den Gate-Elektroden 14g oder 16g. Infolgedessen herrscht am pnübergang der Diode D2 eine höhere Spannungsbeanspruchung als bei den Dioden D1 oder D3. Also führt die Diode D2 normalerweise in Sperrichtung den durch die parasitäre Leckstrecke fließenden Strom. Dieser Diodenstrom läßt das Potential am Bereich 20 auf einen Pegel ansteigen, der positiver als ~V Volt ist.
Die vorstehenden Erläuterungen lassen sich anhand des nachfolgenden Beispiels am besten verstehen. Es sei angenommen, daß -VD gleich -10 Volt und +Vg gleich +10 Volt sei, die Durchbruchspannung Vß der Dioden Dt, D2 und D3 gleich 9 Volt und ihr Durchschlagspannungsabfall V_B gleich 0,8 Volt sei. Ferner sei angenommen, daß anfangs die Gate-Elektroden der Transistoren auf einem Potential von -2 Volt liegen und das Potential am Schaltungspunkt 17 +1 Volt betrage. Die Diode Dp1 niedriger Sperrimpedanz und die in Durchlaßrichtung gesperrte Diode Dp2 lassen die Spannung -V- zum Bereich 20 gelangen. Die Dioden D1 und D2, an deren pn-übergängen
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eine Sperrvorspannung von weniger als 9 Volt liegte wirken als hochohmige Bauelemente, welche nur einen geringen Leckatrom fuhren. Jedoch ist die Diode D2 mit +1 Volt an der Kathode und -10 Volt an der Anode im Durchbruchspunkt beansprucht, und der sie in Sperrichtung durchfließende Leckstrom steigt an. Dieser anwachsende Leckstrom fließt durch die Leckstrecke mit den Dioden Dp1 und Dp2» Wenn auch die Diode Dp. im Verhältnis zu den Dioden D1 und Ό2 eine niedrige Sperrimpedanz hat," so liegt diese Impedanz immerhin im Megohm-Bereich und ist noch relativ hoch. Daher führt jedes Anwachsen des Sperrstroms durch die Diode D2 zu einem Potentialanstieg des Bereiches 20. Wenn die den Eingängen 1 und 2 zugeführten Signale anwachsen, dann wächst auch das Potential am Schaltungspunkt 17 entsprechend. Dieses Potential ist normalerweise etwas positiver als das Potential an den Eingängen. Die Diode D2 führt weiterhin einen Sperrstrom, welcher das Potential des Bereiches 20 weiterhin ansteigen läßt.
Die betrachteten Leckströme sind klein. Sie
liegen für die Dioden Dp1 und D„2 höchstens im Mikroamperebereich, Die äquivalente Impedanz der Leckstrecke liegt daher iin Megohm-Bereich, und es ist nur ein sehr geringer Stromfiuß durch die Diode D2 notwendig, um das Potential des Bereichs 2O anzuheben.
Wenn ein Leckstrom fließt, ist es sehr von Vorteil, wenn der durch die parasitäre Schaltung fließende Leckstrom durch die Diode D2 anstatt durch die Dioden D1 oder D3 fließt* Der in die zusammengeschalteten Source-Bereiche fließende Strom kann um mehrere Größenordnungen größer als der Leckstrom in der parasitäien Strecke sein. Wenn daher etwas Leckstrom vom Source-Bereich abfließt, hat dies keine bemerkenswerte Wirkung auf den Betrieb der Schaltung» Wenn dagegen andererseits etwas Leckstrom von den Gate-Elektroden abgezogen
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wird oder diesen zugeführt wird, dann würde der Betrieb der Schaltung erheblich und nachteilig beeinträchtigt. Um die außerordentlich hochohmigen Eingänge der Isolierschicht-Feldeffekttransistoren einander anzupassen? bemißt man die Schutzdioden DI4. D2 und D3 so, daß ihre maximalen Leckströme unter normalen Betriebsbedingungen im Nanoamperebereich liegen.
Durch die Einschaltung einer in Sperrichtung
gespannten Diode D 2 zwischen die zusammengeschalteten Source-Bereiche 14s und 16s einerseits und den gemeinsamen Anodenbereich 20 andererseits wird zusätzlich zum DurchbrucliS"-schutz erreicht, daß die mit den Gate-Elektroden verbundenen Dioden in einem Bereich niedriger Leckströme betrieben werden.
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Claims (7)

  1. Patentansprüche;
    I 1.)Halbleiterschaltung mit zwei Feldeffekttransistoren, deren Source-Elektroden mit einem ersten gemeinsamen Schaltungspunkt verbunden sind, und mit Schutzdioden, die zur Verhinderung von Überspannungen zwischen die Gate-Elektroden der beiden Transistoren sowie zwischen Gate- und Source-Elektroden jedes Transistors geschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, daß drei Dioden (D1, D2, D3) zwischen einerseits einen zweiten Schaltungspunkt (20) und andererseits die Gate-Elektroden (14g, 16g) der beiden Transistoren (14,16) bzw. den mit den Source-Elektroden verbundenen ersten Schaltungspunkt (17) in solcher Polarität geschaltet sind, daß sie bezüglich des zweiten Schaltungspunktes (20) in derselben Richtung leiten.
  2. 2. Halbleiterschaltung nach Anspruch 1 in
    integrierter Schaltung mit einem Halbleitersubstrat aus einem Material eines ersten Leitungstyps und einer darauf unter Ausbildung eines pn-übergangs mit dem Substrat gebildeten zweiten Schicht eines zweiten Leitungstyps f wobei die Source- und Drain-Bereiche vom ersten Leitungstyp der beiden Transistoren an der Oberfläche dieser Schicht im Abstand ausgebildet sind und eine Gate-Elektrode die Oberfläche zwischen Source- und Drainbereich überdeckt, dadurch gekennzeichnet, daß ein zusätzlicher Bereich (20) des ersten Leitungstyps (p-leitend) in der ersten Schicht (11) unter Bildung eines pn-übergang (D 2\ ausgebildet ist und drei beabstandete Bereiche (22, 24,26) vom zweiten Leitungstyp (η-leitend) enthält, die mit dem zusätzlichen Bereich (20) die pn-übergänge der Dioden (D1, D2, D3) bilden, wobei zwei der Bereiche (22, 26) mit den Gate-Elektroden (14g, 16g) der beiden Transistoren (14, 16) verbunden sind und der dritte Bereich (24) mit den zusammengeschalteten Source-Zonen (14s,
    509833/0727
    -"T2-16s) der beiden Transistoren verbunden ist.
  3. 3. Halbleiterschalter nach Anspruch 2, dad urch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Bereich (20) in einem Teil (lib) isoliert von einem Teil (lla) der Schicht angeordnet ist und die Source- und Drain-Zonen (14sf 14d)(16s, 16d) der Transistoren (14, 16) enthält, und daß die Source-Zonen (14, 16s) der beiden Transistoren mit dem zuletzt erwähnten Teil (Hb) der Schicht in Ohm1scher Verbindung stehen.
  4. 4. Halbleiterschaltung nach Anspruch 2 oder 3, gekennzeichnet durch Anschlüsse zur Zuführung einer die zwischen der Schicht (11) und dem Substrat (10) und zwischen dem zusätzlichen Bereich (20) und den drei beabstandeten Bereichen (22, 24, 26) gebildeten pn-übergänge (Dp1, Dp2) in Sperrichtung vorspannende Spannung zum Substrat (LO) und den Source-Zonen (14s, 16s) der beiden Transistoren.
  5. 5.Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
    beiden Transistoren mit Hilfe eines zwischen einem ersten Betriebsspannungsanschluß (+V) und die Source-Elektrode (14s, 14d) der beiden Transistoren geschaltetes Impedanzelement (Rs) zu einem Differenzverstärker zusammengeschaltet sind.
  6. 6. Halbleiterschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein weiteres Impedanzelement (R1. „) zwischen die Drain-Elektrode (14d)
    ^4 mindestens eines der Transistoren (., η ) und einen zweiten Betriebsspannungsanschluß (-VQ) unter Bildung eines Teiles der Differenzschaltung geschaltet ist.
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  7. 7. Halbleiterschaltung nach Anspruch 2 oder
    3 und 6, dadurch gekennzeichnet,; daß
    das Substrat (10) und der zweite Anschluß *~VD) zur Sperrvorspannung der von den pn-übergängen zwischen dem zusätzlichen Bereich (20) und den drei in ihm ausgebildeten beabsfcandeten
    Bereichen (22 f 24, 26) gebildeten Dioden auf dem gleichen Potential liegen, wenn die Betriebsspannung (+Vc, -V) an den
    ersten und zweiten Anschluß liegt.
    509833/0727
DE2505573A 1974-02-11 1975-02-10 Halbleiterschaltungsanordnung mit zwei Isolierschicht-Feldeffekttransistoren Expired DE2505573C3 (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
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DE2505573B2 DE2505573B2 (de) 1978-01-19
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Application Number Title Priority Date Filing Date
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US (1) US3879640A (de)
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