DE2453035A1 - Verfahren zum aufbringen einer metallischen schicht auf einer leitenden oberflaeche - Google Patents

Verfahren zum aufbringen einer metallischen schicht auf einer leitenden oberflaeche

Info

Publication number
DE2453035A1
DE2453035A1 DE19742453035 DE2453035A DE2453035A1 DE 2453035 A1 DE2453035 A1 DE 2453035A1 DE 19742453035 DE19742453035 DE 19742453035 DE 2453035 A DE2453035 A DE 2453035A DE 2453035 A1 DE2453035 A1 DE 2453035A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
photoresist
layer
pattern
anodic
boundaries
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19742453035
Other languages
English (en)
Other versions
DE2453035B2 (de
DE2453035C3 (de
Inventor
Lubomyr T Romankiw
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2453035A1 publication Critical patent/DE2453035A1/de
Publication of DE2453035B2 publication Critical patent/DE2453035B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2453035C3 publication Critical patent/DE2453035C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/0033D structures, e.g. superposed patterned layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022Electroplating of selected surface areas using masking means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/001Magnets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/32Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
    • H01F41/34Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/108Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0562Details of resist
    • H05K2203/0574Stacked resist layers used for different processes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0562Details of resist
    • H05K2203/0597Resist applied over the edges or sides of conductors, e.g. for protection during etching or plating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061Etching masks
    • H05K3/064Photoresists
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/388Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer

Description

Aktenzeichen der Anmelderin: YO 973 003
Verfahren zum Aufbringen einer metallischen Schicht auf einer leitenden Oberfläche
Die Erfindung betriff ein Verfahren zum Aufbringen einer metallischen, beispielsweise magnetischen Schicht auf einer leitenden Oberfläche und insbesondere das Aufbringen eines Musters mit magnetischen Eigenschaften aus einem Metall oder einer Legierung gleichförmiger Stärke und Zusammensetzung. Beim elektrolytischen Abscheiden von Ni-Fe oder anderen ähnlichen Legierungen hängt die Zusammensetzung der Legierung von der örtlichen Stromdichte in dem elektrolytischen System ab. Es ist allgemein bekannt, daß dann, wenn große Bereiche durch Masken abgedeckt sind und kleine Bereiche unterschiedlicher Größe oder ungleichmäßige Flächen zu metallisieren sind, es praktisch unmöglich ist, selektiv auf diesen Flächen Filme mit gleichförmiger Dicke, gleichförmiger Legierungszusammensetzung und gleichförmigen magnetischen Eigenschaften aufzubringen. Dies läßt sich leicht erkennen, wenn man
eine Fläche von 100 cm
annimmt, die mit einem Strom von 100 ma
elektrolytisch metallisiert werden soll. Die Stromdichte
beträgt oder 1 ma/cm . Werden jedoch die Bereiche r1, r9
lOOcirT 2 ' *
und τ der 100 cm großen Oberfläche während des Metallisierungs-.
i Verfahrens maskiert, dann beträgt die Stromdichte- i-, ■
Q IUU" It4Tx ~τΓ.
_,_„> 1 ma M_ _ _ .._, _
für die Bereiche
cm
, r„ und
509827/0913
Bei der Herstellung von Speichern von magnetischen Abfühlvorrich- ; tungen, d.h. Magnetköpfen und dergleichen aus Ni-ife oder ähnlichen
Legierungen ergeben sich dann, wenn die genaue Zusammensetzung \ der Legierung nicht eingehalten werden kann, schlechte magneti- I sehe Eigenschaften. Das hat zur Folge, daß beim elektrolytischen ! Metallisieren mit Materialien, deren Zusammensetzung für eine j Gleichförmigekeit der Betriebseigenschaften genau kontrolliert \ und gesteuert werden muß, die üblichen Maskenverfahren wirkungs- j los sind. Beim Metallisieren von Gegenständen mit einer Legierung, deren Zusammensetzung von der örtlichen Stromdichte abhing, hat man bisher die Metallisierung in Form von Folien aufgebracht und dann das gewünschte Muster durch Ätzen hergestellt. Wenn ! man jedoch dünne Filme durch elektrolytische Verfahren nieder- [ schlägt, muß man eine Haftschicht zwischen Legierung und Substrat vorsehen, die das aus Legierungsmaterial bestehende Muster trägt. Da man auf einigen Haftschichten keine elektrolytische Metallisierung durchführen kann, muß man auf der Haftschicht zunächst eine dünne Schicht eines verhältnismäßig edlen Metalls wie Gold, Platin, Palladium, Kupfer, Nickel oder dergleichen niederschlagen.
Unglücklicherweise werden viele für die Metallisierung benutzte Haftschichten und Basisschichten, die mit der magnetischen Legierung und dem Substrat verträglich sind, während des Ätzens für die magnetische Legierung kathodisch, so daß sich sehr starke Unterschneidungen ergeben. Beispielsweise kann man Kupfer- oder Nickel-Eisenschichten dadurch auf Glas oder Silicium zum Anhaften bringen, daß man eine dünne Schicht aus Chrom oder Titan zwischen dem Kupfer- oder Nickeleisen und dem zugehörigen Substrat vorsieht. Werden solche Mehrfachschichten geätzt, dann ergibt sich in dem geätzten Metall eine sehr starke Unterschneidung. Ein solches Unterschneiden geht auf drei voneinander getrennte Effekte zurück, die während des Ätzens auftreten und diese sind weder reproduzierbar noch steuerbar. Das Unterschneiden ist auf die Tatsache zurückzuführen, daß chemisches Ätzen eine beschleunigte Form der Korrosion darstellt. Korrosion ist im Prinzip isotro-
YO 973 003
509827/0913
pisch und sollte sowohl senkrecht zur Dicke des zu ätzenden Metalls als auch parallel zur Dicke des zu ätzenden Metalls mit gleicher Geschwindigkeit vor sich gehen. Daraus ergibt sich ein gleichförmiges Unterschneiden des Metalls.
Wenn jedoch die Dicke des Films, und die Abmessungen des gewünschten Musters sehr klein werden/ dann können die Abmessungen der j Kristallstruktur"und der Kornstruktur des Metalls nicht unbeachtet bleiben. Die Ätzung schreitet an den Korngrenzen mit einer j anderen Geschwindigkeit fort/ als im Korn selbst, so daß sich unregelmäßige Kanten ergeben. Wird die Korngröße des zu ätzenden Materials mit den Abmessungen des geätzten Musters vergleichbar, dann nimmt diese Unregelmäßigkeit eine immer größere Bedeutung an. Endlich ergeben sich im letzten Teil des Ätzvorganges, wenn j die Haftschicht und/oder die für die Metallisierung erforderliche Basismetallschicht dadurch freigelegt werden, daß das aufgebrachte Metall durch die Ätzlösung abgetragen wird, aus der Tatsache, daß es sich um verschiedene Metalle, wie z.B. Kupfer, Nickel, Eisen oder Nickeleisen, Chrom, Titan oder Gold handelt, die gleichzeitig vorhanden sind, daß sich zwischen den verschieden Metallen eine galvanische Zelle bildet, woraus sich ein außerordentlich rasches Abätzen des anodisehen Metalls ergibt. Titan und Chrom werden beide außergewöhnlich rasch passiviert und werden für Nickel und Nickeleisen sowie die Metalle der Eisen enthaltenden Gruppe kathodisch. Wenn Metalle wie Platin,' Palladium, Gold oder Kupfer in der Schichtung mit den Metallen der Eisen enthaltenden Gruppe vorhanden sind, so ist es offensichtlich, daß sie im Bezug'auf die Eisen enthaltende Gruppe von Metallen kathodisch wirken würden und daß das Ätzen von Nickel, Nickeleisen und dergleichen nicht mehr kontrollierbar wäre.
Offensichtlich ist ein derartiges Unterschneiden außergewöhnlich nachteilig bei der Herstellung von in großen Serien aufgelegten Anordnungen von sehr dünnen, eng beieinanderliegenden, parallelen Leitern oder metallischen Elementen, die gleichförmige Eigenschaften' aufweisen müssen.
YO 973 0Q3
50 9827/09 13
Kurzfassung der Erfindung
Um ein gleichförmiges Abätzen mehrschichtiger, elektrolytisch erzeugter Niederschläge ohne gleichzeitiges Unterschneiden zu erzielen, wird gemäß der vorliegenden Erfindung eine schmale Begrenzung aus Photoresist oder Photolack auf der Oberseite einer kathodischen, metallischen Haftschicht vor dem elektrolytischen Abscheiden des gewünschten anodischen Metalls aufgebracht, wobei die schmale Begrenzung allseitig geschlossen ist und als Rahmen dient. Eine zweite Photolackschicht wird niedergeschlagen, belichtet und entwickelt, so daß diese nur über dem anodischen Material vorhanden ist und außerdem über die äußeren Grenzen des aus Photoresist oder Photolack bestehenden Rahmens hinausragt. D.h. aber, daß die anodische Schicht, die z.B. aus Permalloy bestehen kann, durch den Photolack vollkommen eingekapselt ist, so daß das nachfolgende Ätzen des überflüssigen anodischen Materials, das für das endgültig zu erzeugende Muster nicht erforderlich ist, das zu erzeugende Muster nicht angreift und damit auch die Unterschneidung vermeidet, die dann auftritt, wenn zwei oder mehr verschiedene Metalle einem gemeinsamen Ätzmittel ausgesetzt werden.
Die Erfindung wird nunmehr anhand eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen näher beschrieben. Die unter Schutz zu stellenden Merkmale der Erfindung sind den ebenfalls beigefügten Patentansprüchen im einzelnen zu entnehmen.
In den Zeichnungen zeigt:
Fig. 1 den ersten Verfahrensschritt der Erfindung,
Fig. 2, 3 + 4 die nachfolgenden Verfahrensschritte der Erfindung zur Erzielung scharfer Grenzlinien mehrerer übereinanderliegender Metallschichten, wobei keine Unterschneidungen auftreten, obgleich chemische Ätzmittel verwendet werden, die alle
YO 973 003 509827/0913
Metalle in der aus mehreren Schichten bestehenden Struktur angreifen und
Fig. 5 eine perspektivische Ansicht einer gemäß den
Lehren der Erfindung hergestellten Struktur.
In vielen Technologien, wie in der Serienfertigung von Dünnfilmmagnetköpfen, Magnetblasenspeichern, Halbleitervorrichtungen mit Josephson-Tunn'elübergängen und dergleichen muß die Breite eines metallischen Streifens an der Oberseite gleich der Breite des
metallischen Streifens an seinem Fußpunkt sein. Die Toleranzen sind dabei so eng, daß selbst geringste Größenabweichungen zwij sehen der oberen und der unteren Fläche einer dünnen Schicht die ! Arbeitsweise der fertiggestellten Vorrichtung ernsthaft beeinj trächtigen. Bei der Hersteilung solcher metallischer Streifen ; müssen chemische Ätzlösungen in Verbindung mit einem photolitho-I graphischen Verfahren eingesetzt werden, wobei dann diese Ätzlösungen in denjenigen Bereichen, in denen sich zwei oder mehrere verschiedene Metalle berühren, eine beträchtliche Unterschneidung hervorrufen. Die Fign. 1 bis 4 zeigen in dieser Reihenfolge, wie dieses Unterschneiden beseitigt werden kann.
In Fig. 1 (oder Fig. 5) wird die gewünschte Schaltung auf einem Substrat 2 aus Siliciumdioxid, Glas oder einem ähnlichen selbsttragenden Isoliermaterial aufgebaut. Auf der Oberseite des Substrats 2 wird eine dünne Haftschicht aus Metall 4 niedergeschlagen. Beispiele für ein solches Metall sind Chrom, Titan, Tantal, Wolfram, Niob oder Aluminium. Eine solche metallische Haftschicht 4 dient vor allen Dingen dazu, das hauptsächlich interessierende Metall, das hier als das anodische Metall bezeichnet wird, an dem Substrat anhaften zu lassen. Da man eine Metallschicht auf einer solchen Haftschicht nicht einfach durch Elektrolyse oder stromloses Abscheiden von Metall aufbringen kann, ist es anschließend erwünscht, die metallische Haftschicht 4 mit einem leicht metaliisierbaren Metall 6, wie z.B. Gold, Platin, Palladium Kupfer, Nickel, Nickeleisen oder einer metallischen Legierung
YO 973 003
509827/0913
zu überziehen. In den Fällen, in denen das Substrat 2 aufgeheizt werden kann, kann man auch ein einziges Metall oder ein nur eine Legierung, wie z.B. Nickel, Nickeleisen, Kobalt und dergleichen verwenden, die sowohl als Haftschicht als auch als Basisschicht für die Metallisierung dienen. Eine solche Haftschicht 4 und leitende Schichten 6 können dabei durch Kathodenzerstäubung, Aufdampfen oder dergleichen aufgebracht werden.
Anschließend wird eine Schicht aus Photolack 8 mit der Dicke t durch übliche lithographische Verfahren mittels handelsüblicher Produkte aufgebracht. Dabei wird das Photoresist oder der Photolack entsprechend seiner Eigenschaft ausgewählt, daß beim Abziehen der Photolackschicht von der kathodischen Schicht 6 der so hergestellte Gegenstand nicht beschädigt wird. Die verbleibenden Streifen, die nach Belichten des Photolacks mit Ultraviolettstrahlung durch eine Maske und nach Abwaschen der nicht belichteten Teile durch ein dafür geeignetes Ätzmittel entstehen, sind zwischen 0,025 und 0,05 mm breit. Eine derart schmale Begrenzung aus Photolack oder Photoresist 8 begrenzt die letztendlich herzustellenden Muster (vergl. Fig. 5). Die Breite dieser Begrenzung stellt weniger als 10 % der zu ätzenden Fläche dar und sollte vorzugsweise bei etwa 1 bis 2 % der endgültigen Seitenabmessung des zu ätzenden Bereiches liegen. In der Praxis sollte die Abmessung dieses Streifens zwischen 2,5 ja und 10^1, vorzugsweise ungefähr 2,5 μ bis 5 μ betragen. Diese Streifen können sogar 1,0 bis 0,5 li breit sein, wenn man zur Herstellung des Musters einen Elektronenstrahl und einen elektronenempfindlichen Photolack benutzt. Aus praktischen Gründen wird man vorzugsweise die Höhe dieses Photolackstreifens kleiner oder gleich der Breite des Streifens wählen. Verwendet man also einen durch einen Elektronenstrahl belichtbaren Photolack und stellt man damit 0,5 fx breite Begrenzungen her, dann sollte die Dicke des niedergeschlagenen Metalls zwischen etwa 0#5 und 0,Bp. liegen.
Nach Herstellen der aus Photolack oder Photoresist bestehenden Begrenzungen 8 wird die erforderliche Schichtdicke aus anodischem
YO 973 003
509827/Ü913
; Material 10, wie z.B. aus der Legierung Permalloy, die häufig, zur Herstellung von Magnetköpfen benutzt wird, niedergeschlagen. Dieser aus einer Metallegierung bestehende Film 10 wird durch elektrolytische Verfahren niedergeschlagen, und dieses Verfahren o beeiflußt die örtliche Dickeverteilung der Schicht für nur etwa bis zu 0,005 oder 0,0075 mm von der Kante des Streifens 8 weg, wenn die Breite des Streifens kleiner ist als 0,0025 mm und beeinflußt in gleicher Weise die Zusammensetzung und magnetischen Eigenschaften des Films 10. Da die Breite des aus Photoresist oder Photolack bestehenden Streifens nur 0,005 mm beträgt, ist die Abweichung der Dicke des Filmes 10 in der Nähe der Kante des Streifens 8 kleiner als 5 % und der Fe-Gehalt der Legierung Permalloy (Ni-Fe) wurde zu weniger als 10 % des Eisengehalts der Permalloy-Zusammensetzung, die hier niedergeschlagen wird,
gemessen, d.h. 20 % Fe + 1 %. D.h. aber nichts anderes, daß bei Verwendung derart schmaler Begrenzungen 8 aus Photolack oder Photoresist, die sich aus der örtlichen Verteilung der Stromdichte ergebenden Unterschiede in der Zusammensetzung (Fe^Ni) und Dicke der Schicht praktisch vernachlässigbar sind.
Nach Aufbringen der Permalloyschicht 10 wird durch übliche photolithographische Verfahren auf der Oberseite des anodischen Metalls der Schicht 10 eine weitere Photoresistschicht 12 aufgebracht. Die für die Belichtung der Schicht 12 benutzte Maske braucht nicht besonders sorgfältig für die Belichtung ausgerichtet zu sein und kann sich bis zu 0,025 mm über die äußeren Kanten 14 und 16 der Streifen 8 hinaus erstrecken. Das überschüssige anodische Metall 10, das außerhalb des Streifens oder der Begrenzung 8 liegt, wird anschließend abgeätzt (wobei FeCl_ ein für Fe-Ni geeignetes Ätzmittel darstellt), wobei das gewünschte Muster vollständig durch Photoresist oder Photolack 8 und 12 eingekapselt ist. Diese Begrenzungen aus Photolack, die hier mit 8 und 12 bezeichnet sind, verhindern, daß das aktive Metall Fe-Ni bei Anwesenheit eines kathodischen Metalls, wie z.B. Chrom, Titan, Gold usw. angeätzt wird. Nachdem das aktivere
YO 973 003
.5 09827/0913
Metall 10 mit FeCl- abgeätzt ist, wird das für die elektrolytische Abscheidung benutzte Basismetall 6 und die Haftschicht 4 durch geeignete chemische Ätzmittel abgeätzt. Anschließend werden die Photolackschichten 8 und 12 entfernt, wobei man z.B. bei einem bekannten Photolack Azeton verwendet. Der verbleibende schmale Streifen der Basisschicht 6 und der Haftschicht 4 und alle beim chemischen Ätzen noch nicht entfernten Bestandteile werden dann durch ein kurzes Zerstäubungsätζen entfernt.
Andererseits kann man auch nach Beendigung des Ätzens von Fe-Ni den Photolack durch Azeton entfernen und das Werkstück anschließend für eine kurze Zeit einem Zerstäubungsätzen aussetzen und damit das Basismetall 6 und die Haftschicht 4 entfernen. Fig. 4 und 5 zeigen das Endergebnis, nach dem alle Materialien mit Ausnahme des gewünschten Musters entfernt sind.
Das bisher beschriebene Verfahren, das vor allen Dingen dann besonders wertvoll ist, wenn die Stromdichte bei der elektrolytischen Abscheidung von magnetisierbaren Legierungen durch die gesamte metallisierte Schicht gleichmäßig sein muß, ist in gleicher Weise auch dann anwendbar, wenn das anodische Metall 10 ein metallisches Element, wie z.B. Kupfer ist. Es wurde festgestellt, daß sich die Erfindung selbst dann anwenden läßt, wenn der anodische, aus einem metallischen Element bestehende Film 10, durch Verdampfung aufgebracht worden ist. In diesem Fall soll die Breite der Begrenzung 8 aus Photolack oder Photoresist etwa 1,2 bis 2-mal so groß sein wie die Dicke des aufgedampften Metalls, damit das unerwünschte Unterschneiden zwischen anodischen und kathodischen Metallen vermieden wird.
Das im Vorangegangenen dargestellte und beschriebene Verfahren ist besonders wertvoll dann, wenn man zwei übereinanderliegende metallische Schichten einsetzen muß, wobei die untenliegende Schicht als Haftschicht für die darüberliegende elektrisch leitende Schicht dient oder die untenliegende Schicht ein wesentliches Element einer Vorrichtung ist, die die obere Schicht be-
YO 973 003
50982770913
\ nutzt und diese beiden Schichten aus verschiedenen Metallen bestehen. Die Erfindung ist ebenfalls ganz besonders wertvoll, wenn eine Legierung, deren Zusammensetzung von der örtlichen j Stromverteilung oder Stromdichteverteilung abhängt, über einer j untenliegenden Schicht niedergeschlagen werden muß. Verwendet man sehr dünne Begrenzungen rund um die Kanten eines mit einer solchen Legierung aufzubringenden und zu metallisierenden Musters und schützt man dann die Oberseite dieses Musters, während alle unerwünschten Teile der Legierung abgeätzt werden, so erhält man drei wesentliche Merkmale, nämlich 1. ein Unterschneiden zwischen weitgehend verschiedenen Metallen wird verhindert;
2. eine gleichförmige Dicke und eine gleichförmige Zusammensetzung der aufzubringenden metallischen Legierung, unabhängig davon, daß verschiedene Bereiche des Musters metallisiert werden und
3. eine außerordentlich präzise Definition des Musters, die so gut ist, wie die optische Belichtung des Photolackstreifens 8. Man kann noch eine weitere Verbesserung in der hermetischen Abdichtung dadurch erreichen, daß man den Photolack vor der Beendigung des Ätzverfahrens rasch (für etwa 1 bis 2 min) auf 150 bis 160 0C aufheizt. Durch eine solche Aufheizung werden die Photolackbereiche 8 und 12 fließend und verschließen jeden Spalt oder jede öffnung in den Photolackbereichen 8 und 12, die beispielsweise während des Ätzens aufgetreten sein könnten.
YO973003 509827/0913

Claims (2)

PATENTANSPRÜCHE
1. Verfahren zum Aufbringen einer metallischen Schicht in Form eines Musters auf einem Substrat, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:
- Aufbringen einer ersten dünnen, metallischen Schicht auf einem inerten Substrat,
- Herstellen sehr dünner, selbsttragender Begrenzungen vorgegebener Höhe aus Photoresist oder Photolack auf dieser metallischen Schicht, welche Begrenzungen die Formen von anschließend niederzuschlagenden dünnen metallischen Mustern umschließen, wobei diese zweite metallische Schicht bei einem nachfolgenden Ätzvorgang anodisch wird,
- Niederschlagen dieser zweiten dünnen, metallischen Schicht über der ersten dünnen, metallischen Schicht,
- Niederschlagen einer Photoresistschicht nur über dem Muster aus anodischem Material und
- Chemisches Abätzen von allem nicht eingeschlossenen anodischen Material.
2. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
auf dem inerten Substrat zunächst eine Haftschicht oder eine Basisschicht für eine Metallisierung aufgetragen wird, welche Schicht bei einer nachfolgenden Ätzung anodisch wird
und daß die zweite metallische Schicht elektrolytisch auf der ersten metallischen Schicht bis zu einer Höhe niedergeschlagen wird, die die Höhe der aus Photolack oder Photoresist bestehenden selbsttragenden Begrenzungen des aufzubringenden Musters nicht überschreitet.
YO 973 003
509827/0913
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als anodisehes Material eine tibergangs-Metall-Legierung verwendet wird, die der Legierungsgruppe Fe-Ni, Fe-Ni-Cr, Fe-Ni-Q, Fe-Ni-Wo, Fe-Ni-Co und Ni-Co entnommen ist.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Begrenzungen des aufzubringenden metallischen Musters nicht breiter sind als 0,5 tun-.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der Begrenzungen kleiner ist als 10 % der Fläche des das Muster bildenden anodischen Materials.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der Begrenzungen zwischen 1 und 2 % der Fläche des das Muster bildenden anodischen Materials ist.
Verfahren zum Aufbringen einer metallischen Schicht in Form eines Musters auf einem Substrat, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte;
- Aufbringen einer ersten Haft- oder Basisschicht auf einem inerten Substrat für eine Metallisierung, welche Schicht bei einem nachfolgenden Ätzvorgang kathodisch wird,
- Herstellen sehr dünner selbstragender Begrenzungen vorgegebener Höhe aus Photoresist oder Photolack auf dieser kathodischen Schicht, welche Begrenzungen die Formen von anschließend niederzuschlagenden dünnen Mustern aus anodischem Material umschließen,
- Aufheizen der Photoresist- oder Photolackbegrenzungen für ein bis zwei Minuten zum Verschmelzen der Begrenzungen miteinander,
- Elektrolytisches Abscheiden von anodischem Material auf dem kathodischen Material bis zu einer Höhe, die etwa gleich groß ist wie die Höhe der aus Photoresist oder Photolack bestehenden selbsttragenden Begrenzungen,
YO 973 003
509827/0913
Niederschlagen einer Schicht aus Photoresist oder Photolack nur auf dem das Muster bildenden anodischen Material, wodurch das das Muster bildende anodische Material allseitig umschlossen wird und Abätzen alles übrigen anodischen Materials. ■
YO 973 003
B09827/Ü913
DE2453035A 1973-12-20 1974-11-08 Verfahren zum Aufbringen einer metallischen Schicht in Form eines Musters auf einem mit einer ersten dünnen, metallischen Schicht überzogenen inerten Substrat Expired DE2453035C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US00426862A US3853715A (en) 1973-12-20 1973-12-20 Elimination of undercut in an anodically active metal during chemical etching

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2453035A1 true DE2453035A1 (de) 1975-07-03
DE2453035B2 DE2453035B2 (de) 1981-04-16
DE2453035C3 DE2453035C3 (de) 1982-04-22

Family

ID=23692512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2453035A Expired DE2453035C3 (de) 1973-12-20 1974-11-08 Verfahren zum Aufbringen einer metallischen Schicht in Form eines Musters auf einem mit einer ersten dünnen, metallischen Schicht überzogenen inerten Substrat

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3853715A (de)
JP (1) JPS5636706B2 (de)
DE (1) DE2453035C3 (de)
FR (1) FR2255392B1 (de)
GB (1) GB1422300A (de)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5541786A (en) * 1978-09-19 1980-03-24 Mitsubishi Electric Corp Method of forming metal image
IE51854B1 (en) * 1980-12-03 1987-04-15 Memorex Corp Method of fabricating a metallic pattern on a substrate
US4454014A (en) * 1980-12-03 1984-06-12 Memorex Corporation Etched article
US4488781A (en) * 1982-01-25 1984-12-18 American Cyanamid Company Method for manufacturing an electrochromic display device and device produced thereby
DE3368447D1 (en) * 1982-03-18 1987-01-29 Ibm Method for selectively coating metallurgical patterns on dielectric substrates
US4424271A (en) * 1982-09-15 1984-01-03 Magnetic Peripherals Inc. Deposition process
DE3517729A1 (de) * 1985-05-17 1986-11-20 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zum herstellen von spinnduesenplatten
DE3517730A1 (de) * 1985-05-17 1986-11-20 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zum herstellen von spinnduesenplatten
US4900650A (en) * 1988-05-12 1990-02-13 Digital Equipment Corporation Method of producing a pole piece with improved magnetic domain structure
US5059278A (en) * 1990-09-28 1991-10-22 Seagate Technology Selective chemical removal of coil seed-layer in thin film head magnetic transducer
JPH07114708A (ja) * 1993-10-18 1995-05-02 Fuji Elelctrochem Co Ltd 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US5932396A (en) * 1996-10-18 1999-08-03 Tdk Corporation Method for forming magnetic poles in thin film magnetic heads
US6375063B1 (en) * 1999-07-16 2002-04-23 Quantum Corporation Multi-step stud design and method for producing closely packed interconnects in magnetic recording heads
US6791794B2 (en) 2000-09-28 2004-09-14 Nec Corporation Magnetic head having an antistripping layer for preventing a magnetic layer from stripping
US6682999B1 (en) 1999-10-22 2004-01-27 Agere Systems Inc. Semiconductor device having multilevel interconnections and method of manufacture thereof
US6496328B1 (en) 1999-12-30 2002-12-17 Advanced Research Corporation Low inductance, ferrite sub-gap substrate structure for surface film magnetic recording heads
JP3343341B2 (ja) 2000-04-28 2002-11-11 ティーディーケイ株式会社 微細パターン形成方法及びそれに用いる現像/洗浄装置、及びそれを用いためっき方法、及びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2001319312A (ja) 2000-05-10 2001-11-16 Tdk Corp 薄膜コイルおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3355175B2 (ja) 2000-05-16 2002-12-09 ティーディーケイ株式会社 フレームめっき方法および薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法
GB0207724D0 (en) 2002-04-03 2002-05-15 Seagate Technology Llc Patent submission-Ruthenium as non-magnetic sedlayer for electrodeposition
JP3763526B2 (ja) * 2002-04-04 2006-04-05 Tdk株式会社 マイクロデバイス及びその製造方法
JP2003317210A (ja) * 2002-04-25 2003-11-07 Tdk Corp パターン形成方法、マイクロデバイスの製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドスライダの製造方法、磁気ヘッド装置の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法
JP3857624B2 (ja) * 2002-07-19 2006-12-13 Tdk株式会社 導電薄膜パターンの形成方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法、薄膜インダクタの製造方法、およびマイクロデバイスの製造方法
JP3874268B2 (ja) * 2002-07-24 2007-01-31 Tdk株式会社 パターン化薄膜およびその形成方法
JP3957178B2 (ja) * 2002-07-31 2007-08-15 Tdk株式会社 パターン化薄膜形成方法
JP2004264415A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Pioneer Electronic Corp 電子ビーム記録基板
US8144424B2 (en) 2003-12-19 2012-03-27 Dugas Matthew P Timing-based servo verify head and magnetic media made therewith
JP2007536683A (ja) 2004-05-04 2007-12-13 アドバンスト・リサーチ・コーポレーション 任意形状のギャップ・パターンのための集積型薄膜サブギャップ/サブ磁極構造、磁気記録ヘッド、及びその製造方法
ITMI20051074A1 (it) * 2005-06-10 2006-12-11 Marco Mietta "modello di sommergibile radiocomandato a immersione statica"
WO2009121073A1 (en) 2008-03-28 2009-10-01 Advanced Research Corporation Thin film planar arbitrary gap pattern magnetic head
WO2011014836A2 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Advanced Research Corporation Erase drive systems and methods of erasure for tape data cartridge

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3723210A (en) * 1970-09-29 1973-03-27 Int Rectifier Corp Method of making a semiconductor wafer having concave rim
US3745094A (en) * 1971-03-26 1973-07-10 Ibm Two resist method for printed circuit structure
US3700445A (en) * 1971-07-29 1972-10-24 Us Navy Photoresist processing method for fabricating etched microcircuits

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NICHTS ERMITTELT *

Also Published As

Publication number Publication date
DE2453035B2 (de) 1981-04-16
DE2453035C3 (de) 1982-04-22
FR2255392A1 (de) 1975-07-18
JPS5636706B2 (de) 1981-08-26
JPS5095147A (de) 1975-07-29
FR2255392B1 (de) 1976-12-31
GB1422300A (de) 1976-01-21
US3853715A (en) 1974-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2453035C3 (de) Verfahren zum Aufbringen einer metallischen Schicht in Form eines Musters auf einem mit einer ersten dünnen, metallischen Schicht überzogenen inerten Substrat
DE2424338C2 (de) Verfahren zum Aufbringen von Mustern dünner Filme auf einem Substrat
DE3340563C2 (de) Schichtkondensator und Verfahren zur Herstellung desselben
DE2722557A1 (de) Verfahren zum aufbringen von metallisierungsmustern auf einem halbleitersubstrat
DE2849971A1 (de) Hybrid-schaltkreis und verfahren zu seiner herstellung
DE4203114C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Bandträgervorrichtung für Halbleitereinrichtungen
DE2425464C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Dunnschicht-Aperturblenden für Korpuskularstrahlgeräte
DE2549861C3 (de) Verfahren zur Anbringung von lokalisierten Kontakten auf einer Dünnschichtschaltung
DE2835577A1 (de) Verfahren zum herstellen eines duennfilmmagnetkopfes und duennfilmmagnetkopf mit einem nickel-eisen-muster mit boeschungen
EP0308816A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Anschlusskontakten für Dünnfilm-Magnetköpfe
EP0141335B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Röntgenmaske mit Metallträgerfolie
DD112145B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur erzeugung von wischfesten haftbelaegen auf metallfolien, insbesondere auf kupferfolien
DE2458079C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Magnetkopfes in Dünnschichttechik
DE2804602C2 (de) Verfahren zum Aufbringen einer elektrisch isolierenden Schicht auf ein Substrat für eine integrierte Schaltung
DE19501693C2 (de) Verfahren zum Herstellen von elektronischen Bauelementen und mit diesem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement
DE2606563A1 (de) Verfahren zur herstellung von magnetischen einzelwanddomaenen-anordnungen
DE3147401C2 (de)
DE2363516A1 (de) Verfahren zum herstellen eines musters mit teilplattierten bereichen
DE2645081C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Dünnfilmstruktur
DE4034365C2 (de)
CH503121A (de) Verfahren zur Herstellung von Metallniederschlägen durch Elektrolyse
DE2356958A1 (de) Verfahren zum herstellen eines aus einer wolfram-thorium-legierung bestehenden films
DE2526382A1 (de) Kathodenzerstaeubungsverfahren zur herstellung geaetzter strukturen
DE1772461A1 (de) Strahlenempfindliche Elemente
DE2512115B2 (de) Verfahren zur Herstellung mikroskopisch kleiner Metall- und Metallegierungs-Strukturen für einen Zylinderdomänenspeicher

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee