DE2453035A1 - Verfahren zum aufbringen einer metallischen schicht auf einer leitenden oberflaeche - Google Patents
Verfahren zum aufbringen einer metallischen schicht auf einer leitenden oberflaecheInfo
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Description
Aktenzeichen der Anmelderin: YO 973 003
Verfahren zum Aufbringen einer metallischen Schicht auf einer leitenden Oberfläche
Die Erfindung betriff ein Verfahren zum Aufbringen einer metallischen,
beispielsweise magnetischen Schicht auf einer leitenden Oberfläche und insbesondere das Aufbringen eines Musters mit magnetischen
Eigenschaften aus einem Metall oder einer Legierung gleichförmiger Stärke und Zusammensetzung. Beim elektrolytischen
Abscheiden von Ni-Fe oder anderen ähnlichen Legierungen hängt die Zusammensetzung der Legierung von der örtlichen Stromdichte
in dem elektrolytischen System ab. Es ist allgemein bekannt, daß dann, wenn große Bereiche durch Masken abgedeckt sind und kleine
Bereiche unterschiedlicher Größe oder ungleichmäßige Flächen zu metallisieren sind, es praktisch unmöglich ist, selektiv auf
diesen Flächen Filme mit gleichförmiger Dicke, gleichförmiger
Legierungszusammensetzung und gleichförmigen magnetischen Eigenschaften
aufzubringen. Dies läßt sich leicht erkennen, wenn man
eine Fläche von 100 cm
annimmt, die mit einem Strom von 100 ma
elektrolytisch metallisiert werden soll. Die Stromdichte
beträgt — oder 1 ma/cm . Werden jedoch die Bereiche r1, r9
lOOcirT 2 ' *
und τ der 100 cm großen Oberfläche während des Metallisierungs-.
i Verfahrens maskiert, dann beträgt die Stromdichte- i-, ■
Q IUU" It4Tx ~τΓ.
_,_„>
1 ma M_ _
_ .._, _
für die Bereiche
cm
, r„ und
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Bei der Herstellung von Speichern von magnetischen Abfühlvorrich- ;
tungen, d.h. Magnetköpfen und dergleichen aus Ni-ife oder ähnlichen
Legierungen ergeben sich dann, wenn die genaue Zusammensetzung \
der Legierung nicht eingehalten werden kann, schlechte magneti- I sehe Eigenschaften. Das hat zur Folge, daß beim elektrolytischen !
Metallisieren mit Materialien, deren Zusammensetzung für eine j Gleichförmigekeit der Betriebseigenschaften genau kontrolliert \
und gesteuert werden muß, die üblichen Maskenverfahren wirkungs- j los sind. Beim Metallisieren von Gegenständen mit einer Legierung,
deren Zusammensetzung von der örtlichen Stromdichte abhing, hat man bisher die Metallisierung in Form von Folien aufgebracht
und dann das gewünschte Muster durch Ätzen hergestellt. Wenn ! man jedoch dünne Filme durch elektrolytische Verfahren nieder- [
schlägt, muß man eine Haftschicht zwischen Legierung und Substrat vorsehen, die das aus Legierungsmaterial bestehende Muster
trägt. Da man auf einigen Haftschichten keine elektrolytische Metallisierung durchführen kann, muß man auf der Haftschicht
zunächst eine dünne Schicht eines verhältnismäßig edlen Metalls wie Gold, Platin, Palladium, Kupfer, Nickel oder dergleichen
niederschlagen.
Unglücklicherweise werden viele für die Metallisierung benutzte Haftschichten und Basisschichten, die mit der magnetischen Legierung
und dem Substrat verträglich sind, während des Ätzens für die magnetische Legierung kathodisch, so daß sich sehr starke
Unterschneidungen ergeben. Beispielsweise kann man Kupfer- oder
Nickel-Eisenschichten dadurch auf Glas oder Silicium zum Anhaften bringen, daß man eine dünne Schicht aus Chrom oder Titan zwischen
dem Kupfer- oder Nickeleisen und dem zugehörigen Substrat vorsieht. Werden solche Mehrfachschichten geätzt, dann ergibt sich
in dem geätzten Metall eine sehr starke Unterschneidung. Ein
solches Unterschneiden geht auf drei voneinander getrennte Effekte zurück, die während des Ätzens auftreten und diese sind weder
reproduzierbar noch steuerbar. Das Unterschneiden ist auf die
Tatsache zurückzuführen, daß chemisches Ätzen eine beschleunigte Form der Korrosion darstellt. Korrosion ist im Prinzip isotro-
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pisch und sollte sowohl senkrecht zur Dicke des zu ätzenden Metalls
als auch parallel zur Dicke des zu ätzenden Metalls mit gleicher Geschwindigkeit vor sich gehen. Daraus ergibt sich ein
gleichförmiges Unterschneiden des Metalls.
Wenn jedoch die Dicke des Films, und die Abmessungen des gewünschten
Musters sehr klein werden/ dann können die Abmessungen der j Kristallstruktur"und der Kornstruktur des Metalls nicht unbeachtet
bleiben. Die Ätzung schreitet an den Korngrenzen mit einer j anderen Geschwindigkeit fort/ als im Korn selbst, so daß sich unregelmäßige
Kanten ergeben. Wird die Korngröße des zu ätzenden Materials mit den Abmessungen des geätzten Musters vergleichbar,
dann nimmt diese Unregelmäßigkeit eine immer größere Bedeutung an. Endlich ergeben sich im letzten Teil des Ätzvorganges, wenn
j die Haftschicht und/oder die für die Metallisierung erforderliche Basismetallschicht dadurch freigelegt werden, daß das aufgebrachte
Metall durch die Ätzlösung abgetragen wird, aus der Tatsache, daß es sich um verschiedene Metalle, wie z.B. Kupfer, Nickel,
Eisen oder Nickeleisen, Chrom, Titan oder Gold handelt, die gleichzeitig vorhanden sind, daß sich zwischen den verschieden
Metallen eine galvanische Zelle bildet, woraus sich ein außerordentlich rasches Abätzen des anodisehen Metalls ergibt. Titan und
Chrom werden beide außergewöhnlich rasch passiviert und werden für Nickel und Nickeleisen sowie die Metalle der Eisen enthaltenden
Gruppe kathodisch. Wenn Metalle wie Platin,' Palladium, Gold oder Kupfer in der Schichtung mit den Metallen der Eisen enthaltenden
Gruppe vorhanden sind, so ist es offensichtlich, daß sie im Bezug'auf die Eisen enthaltende Gruppe von Metallen kathodisch
wirken würden und daß das Ätzen von Nickel, Nickeleisen und dergleichen nicht mehr kontrollierbar wäre.
Offensichtlich ist ein derartiges Unterschneiden außergewöhnlich
nachteilig bei der Herstellung von in großen Serien aufgelegten Anordnungen von sehr dünnen, eng beieinanderliegenden, parallelen
Leitern oder metallischen Elementen, die gleichförmige Eigenschaften'
aufweisen müssen.
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Kurzfassung der Erfindung
Um ein gleichförmiges Abätzen mehrschichtiger, elektrolytisch
erzeugter Niederschläge ohne gleichzeitiges Unterschneiden zu
erzielen, wird gemäß der vorliegenden Erfindung eine schmale Begrenzung aus Photoresist oder Photolack auf der Oberseite einer
kathodischen, metallischen Haftschicht vor dem elektrolytischen Abscheiden des gewünschten anodischen Metalls aufgebracht, wobei
die schmale Begrenzung allseitig geschlossen ist und als Rahmen dient. Eine zweite Photolackschicht wird niedergeschlagen, belichtet
und entwickelt, so daß diese nur über dem anodischen Material vorhanden ist und außerdem über die äußeren Grenzen
des aus Photoresist oder Photolack bestehenden Rahmens hinausragt. D.h. aber, daß die anodische Schicht, die z.B. aus Permalloy
bestehen kann, durch den Photolack vollkommen eingekapselt ist, so daß das nachfolgende Ätzen des überflüssigen anodischen
Materials, das für das endgültig zu erzeugende Muster nicht erforderlich ist, das zu erzeugende Muster nicht angreift und damit
auch die Unterschneidung vermeidet, die dann auftritt, wenn zwei
oder mehr verschiedene Metalle einem gemeinsamen Ätzmittel ausgesetzt
werden.
Die Erfindung wird nunmehr anhand eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen näher beschrieben.
Die unter Schutz zu stellenden Merkmale der Erfindung sind den ebenfalls beigefügten Patentansprüchen im einzelnen zu entnehmen.
In den Zeichnungen zeigt:
Fig. 1 den ersten Verfahrensschritt der Erfindung,
Fig. 2, 3 + 4 die nachfolgenden Verfahrensschritte der Erfindung zur Erzielung scharfer Grenzlinien
mehrerer übereinanderliegender Metallschichten, wobei keine Unterschneidungen auftreten, obgleich
chemische Ätzmittel verwendet werden, die alle
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Metalle in der aus mehreren Schichten bestehenden Struktur angreifen und
Fig. 5 eine perspektivische Ansicht einer gemäß den
Lehren der Erfindung hergestellten Struktur.
In vielen Technologien, wie in der Serienfertigung von Dünnfilmmagnetköpfen,
Magnetblasenspeichern, Halbleitervorrichtungen mit Josephson-Tunn'elübergängen und dergleichen muß die Breite eines
metallischen Streifens an der Oberseite gleich der Breite des
metallischen Streifens an seinem Fußpunkt sein. Die Toleranzen sind dabei so eng, daß selbst geringste Größenabweichungen zwij
sehen der oberen und der unteren Fläche einer dünnen Schicht die ! Arbeitsweise der fertiggestellten Vorrichtung ernsthaft beeinj
trächtigen. Bei der Hersteilung solcher metallischer Streifen ; müssen chemische Ätzlösungen in Verbindung mit einem photolitho-I
graphischen Verfahren eingesetzt werden, wobei dann diese Ätzlösungen in denjenigen Bereichen, in denen sich zwei oder mehrere
verschiedene Metalle berühren, eine beträchtliche Unterschneidung hervorrufen. Die Fign. 1 bis 4 zeigen in dieser Reihenfolge, wie
dieses Unterschneiden beseitigt werden kann.
In Fig. 1 (oder Fig. 5) wird die gewünschte Schaltung auf einem Substrat 2 aus Siliciumdioxid, Glas oder einem ähnlichen selbsttragenden
Isoliermaterial aufgebaut. Auf der Oberseite des Substrats 2 wird eine dünne Haftschicht aus Metall 4 niedergeschlagen.
Beispiele für ein solches Metall sind Chrom, Titan, Tantal, Wolfram, Niob oder Aluminium. Eine solche metallische Haftschicht
4 dient vor allen Dingen dazu, das hauptsächlich interessierende Metall, das hier als das anodische Metall bezeichnet wird, an
dem Substrat anhaften zu lassen. Da man eine Metallschicht auf einer solchen Haftschicht nicht einfach durch Elektrolyse oder
stromloses Abscheiden von Metall aufbringen kann, ist es anschließend erwünscht, die metallische Haftschicht 4 mit einem
leicht metaliisierbaren Metall 6, wie z.B. Gold, Platin, Palladium Kupfer, Nickel, Nickeleisen oder einer metallischen Legierung
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zu überziehen. In den Fällen, in denen das Substrat 2 aufgeheizt werden kann, kann man auch ein einziges Metall oder ein nur
eine Legierung, wie z.B. Nickel, Nickeleisen, Kobalt und dergleichen verwenden, die sowohl als Haftschicht als auch als
Basisschicht für die Metallisierung dienen. Eine solche Haftschicht 4 und leitende Schichten 6 können dabei durch Kathodenzerstäubung,
Aufdampfen oder dergleichen aufgebracht werden.
Anschließend wird eine Schicht aus Photolack 8 mit der Dicke t durch übliche lithographische Verfahren mittels handelsüblicher
Produkte aufgebracht. Dabei wird das Photoresist oder der Photolack entsprechend seiner Eigenschaft ausgewählt, daß beim Abziehen
der Photolackschicht von der kathodischen Schicht 6 der
so hergestellte Gegenstand nicht beschädigt wird. Die verbleibenden Streifen, die nach Belichten des Photolacks mit Ultraviolettstrahlung
durch eine Maske und nach Abwaschen der nicht belichteten Teile durch ein dafür geeignetes Ätzmittel entstehen,
sind zwischen 0,025 und 0,05 mm breit. Eine derart schmale Begrenzung aus Photolack oder Photoresist 8 begrenzt die letztendlich
herzustellenden Muster (vergl. Fig. 5). Die Breite dieser Begrenzung stellt weniger als 10 % der zu ätzenden Fläche dar und
sollte vorzugsweise bei etwa 1 bis 2 % der endgültigen Seitenabmessung des zu ätzenden Bereiches liegen. In der Praxis sollte die
Abmessung dieses Streifens zwischen 2,5 ja und 10^1, vorzugsweise
ungefähr 2,5 μ bis 5 μ betragen. Diese Streifen können sogar
1,0 bis 0,5 li breit sein, wenn man zur Herstellung des Musters
einen Elektronenstrahl und einen elektronenempfindlichen Photolack benutzt. Aus praktischen Gründen wird man vorzugsweise
die Höhe dieses Photolackstreifens kleiner oder gleich der Breite des Streifens wählen. Verwendet man also einen durch
einen Elektronenstrahl belichtbaren Photolack und stellt man damit 0,5 fx breite Begrenzungen her, dann sollte die Dicke des
niedergeschlagenen Metalls zwischen etwa 0#5 und 0,Bp. liegen.
Nach Herstellen der aus Photolack oder Photoresist bestehenden
Begrenzungen 8 wird die erforderliche Schichtdicke aus anodischem
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; Material 10, wie z.B. aus der Legierung Permalloy, die häufig,
zur Herstellung von Magnetköpfen benutzt wird, niedergeschlagen. Dieser aus einer Metallegierung bestehende Film 10 wird durch
elektrolytische Verfahren niedergeschlagen, und dieses Verfahren o
beeiflußt die örtliche Dickeverteilung der Schicht für nur etwa bis zu 0,005 oder 0,0075 mm von der Kante des Streifens 8 weg,
wenn die Breite des Streifens kleiner ist als 0,0025 mm und beeinflußt in gleicher Weise die Zusammensetzung und magnetischen
Eigenschaften des Films 10. Da die Breite des aus Photoresist oder Photolack bestehenden Streifens nur 0,005 mm beträgt, ist
die Abweichung der Dicke des Filmes 10 in der Nähe der Kante des Streifens 8 kleiner als 5 % und der Fe-Gehalt der Legierung
Permalloy (Ni-Fe) wurde zu weniger als 10 % des Eisengehalts
der Permalloy-Zusammensetzung, die hier niedergeschlagen wird,
gemessen, d.h. 20 % Fe + 1 %. D.h. aber nichts anderes, daß bei
Verwendung derart schmaler Begrenzungen 8 aus Photolack oder Photoresist, die sich aus der örtlichen Verteilung der Stromdichte
ergebenden Unterschiede in der Zusammensetzung (Fe^Ni) und Dicke der Schicht praktisch vernachlässigbar sind.
Nach Aufbringen der Permalloyschicht 10 wird durch übliche photolithographische
Verfahren auf der Oberseite des anodischen Metalls der Schicht 10 eine weitere Photoresistschicht 12 aufgebracht.
Die für die Belichtung der Schicht 12 benutzte Maske braucht nicht besonders sorgfältig für die Belichtung ausgerichtet
zu sein und kann sich bis zu 0,025 mm über die äußeren Kanten 14 und 16 der Streifen 8 hinaus erstrecken. Das überschüssige anodische Metall 10, das außerhalb des Streifens oder
der Begrenzung 8 liegt, wird anschließend abgeätzt (wobei FeCl_
ein für Fe-Ni geeignetes Ätzmittel darstellt), wobei das gewünschte
Muster vollständig durch Photoresist oder Photolack 8 und 12 eingekapselt ist. Diese Begrenzungen aus Photolack, die
hier mit 8 und 12 bezeichnet sind, verhindern, daß das aktive Metall Fe-Ni bei Anwesenheit eines kathodischen Metalls, wie
z.B. Chrom, Titan, Gold usw. angeätzt wird. Nachdem das aktivere
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Metall 10 mit FeCl- abgeätzt ist, wird das für die elektrolytische
Abscheidung benutzte Basismetall 6 und die Haftschicht 4 durch geeignete chemische Ätzmittel abgeätzt. Anschließend werden
die Photolackschichten 8 und 12 entfernt, wobei man z.B. bei einem bekannten Photolack Azeton verwendet. Der verbleibende
schmale Streifen der Basisschicht 6 und der Haftschicht 4 und alle beim chemischen Ätzen noch nicht entfernten Bestandteile
werden dann durch ein kurzes Zerstäubungsätζen entfernt.
Andererseits kann man auch nach Beendigung des Ätzens von Fe-Ni den Photolack durch Azeton entfernen und das Werkstück anschließend
für eine kurze Zeit einem Zerstäubungsätzen aussetzen und damit das Basismetall 6 und die Haftschicht 4 entfernen. Fig. 4
und 5 zeigen das Endergebnis, nach dem alle Materialien mit Ausnahme des gewünschten Musters entfernt sind.
Das bisher beschriebene Verfahren, das vor allen Dingen dann besonders
wertvoll ist, wenn die Stromdichte bei der elektrolytischen Abscheidung von magnetisierbaren Legierungen durch die gesamte
metallisierte Schicht gleichmäßig sein muß, ist in gleicher Weise auch dann anwendbar, wenn das anodische Metall 10
ein metallisches Element, wie z.B. Kupfer ist. Es wurde festgestellt, daß sich die Erfindung selbst dann anwenden läßt, wenn
der anodische, aus einem metallischen Element bestehende Film 10, durch Verdampfung aufgebracht worden ist. In diesem Fall soll
die Breite der Begrenzung 8 aus Photolack oder Photoresist etwa 1,2 bis 2-mal so groß sein wie die Dicke des aufgedampften Metalls,
damit das unerwünschte Unterschneiden zwischen anodischen und kathodischen Metallen vermieden wird.
Das im Vorangegangenen dargestellte und beschriebene Verfahren ist besonders wertvoll dann, wenn man zwei übereinanderliegende
metallische Schichten einsetzen muß, wobei die untenliegende Schicht als Haftschicht für die darüberliegende elektrisch
leitende Schicht dient oder die untenliegende Schicht ein wesentliches Element einer Vorrichtung ist, die die obere Schicht be-
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\ nutzt und diese beiden Schichten aus verschiedenen Metallen bestehen.
Die Erfindung ist ebenfalls ganz besonders wertvoll, wenn eine Legierung, deren Zusammensetzung von der örtlichen
j Stromverteilung oder Stromdichteverteilung abhängt, über einer j untenliegenden Schicht niedergeschlagen werden muß. Verwendet
man sehr dünne Begrenzungen rund um die Kanten eines mit einer solchen Legierung aufzubringenden und zu metallisierenden Musters
und schützt man dann die Oberseite dieses Musters, während alle unerwünschten Teile der Legierung abgeätzt werden, so erhält
man drei wesentliche Merkmale, nämlich 1. ein Unterschneiden
zwischen weitgehend verschiedenen Metallen wird verhindert;
2. eine gleichförmige Dicke und eine gleichförmige Zusammensetzung
der aufzubringenden metallischen Legierung, unabhängig davon, daß verschiedene Bereiche des Musters metallisiert werden und
3. eine außerordentlich präzise Definition des Musters, die so gut ist, wie die optische Belichtung des Photolackstreifens 8.
Man kann noch eine weitere Verbesserung in der hermetischen Abdichtung dadurch erreichen, daß man den Photolack vor der Beendigung
des Ätzverfahrens rasch (für etwa 1 bis 2 min) auf 150 bis 160 0C aufheizt. Durch eine solche Aufheizung werden die Photolackbereiche
8 und 12 fließend und verschließen jeden Spalt oder jede öffnung in den Photolackbereichen 8 und 12, die beispielsweise
während des Ätzens aufgetreten sein könnten.
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Claims (2)
1. Verfahren zum Aufbringen einer metallischen Schicht in
Form eines Musters auf einem Substrat, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:
- Aufbringen einer ersten dünnen, metallischen Schicht
auf einem inerten Substrat,
- Herstellen sehr dünner, selbsttragender Begrenzungen vorgegebener Höhe aus Photoresist oder Photolack auf
dieser metallischen Schicht, welche Begrenzungen die Formen von anschließend niederzuschlagenden dünnen metallischen
Mustern umschließen, wobei diese zweite metallische Schicht bei einem nachfolgenden Ätzvorgang
anodisch wird,
- Niederschlagen dieser zweiten dünnen, metallischen Schicht über der ersten dünnen, metallischen Schicht,
- Niederschlagen einer Photoresistschicht nur über dem Muster aus anodischem Material und
- Chemisches Abätzen von allem nicht eingeschlossenen anodischen Material.
2. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
auf dem inerten Substrat zunächst eine Haftschicht oder eine Basisschicht für eine Metallisierung aufgetragen wird,
welche Schicht bei einer nachfolgenden Ätzung anodisch wird
und daß die zweite metallische Schicht elektrolytisch auf der ersten metallischen Schicht bis zu einer Höhe niedergeschlagen
wird, die die Höhe der aus Photolack oder Photoresist bestehenden selbsttragenden Begrenzungen des
aufzubringenden Musters nicht überschreitet.
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Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
als anodisehes Material eine tibergangs-Metall-Legierung verwendet wird, die der Legierungsgruppe Fe-Ni, Fe-Ni-Cr,
Fe-Ni-Q, Fe-Ni-Wo, Fe-Ni-Co und Ni-Co entnommen ist.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Begrenzungen des aufzubringenden metallischen Musters nicht breiter sind als 0,5 tun-.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Breite der Begrenzungen kleiner ist als 10 % der Fläche des das Muster bildenden anodischen Materials.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der Begrenzungen zwischen 1 und 2 % der Fläche
des das Muster bildenden anodischen Materials ist.
Verfahren zum Aufbringen einer metallischen Schicht in Form eines Musters auf einem Substrat,
gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte;
- Aufbringen einer ersten Haft- oder Basisschicht auf
einem inerten Substrat für eine Metallisierung, welche Schicht bei einem nachfolgenden Ätzvorgang kathodisch
wird,
- Herstellen sehr dünner selbstragender Begrenzungen vorgegebener Höhe aus Photoresist oder Photolack auf dieser
kathodischen Schicht, welche Begrenzungen die Formen von anschließend niederzuschlagenden dünnen Mustern aus
anodischem Material umschließen,
- Aufheizen der Photoresist- oder Photolackbegrenzungen für ein bis zwei Minuten zum Verschmelzen der Begrenzungen
miteinander,
- Elektrolytisches Abscheiden von anodischem Material auf dem kathodischen Material bis zu einer Höhe, die etwa
gleich groß ist wie die Höhe der aus Photoresist oder Photolack bestehenden selbsttragenden Begrenzungen,
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Niederschlagen einer Schicht aus Photoresist oder Photolack nur auf dem das Muster bildenden anodischen
Material, wodurch das das Muster bildende anodische Material allseitig umschlossen wird und
Abätzen alles übrigen anodischen Materials. ■
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Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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DE2453035A1 true DE2453035A1 (de) | 1975-07-03 |
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DE2453035C3 DE2453035C3 (de) | 1982-04-22 |
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Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5541786A (en) * | 1978-09-19 | 1980-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | Method of forming metal image |
IE51854B1 (en) * | 1980-12-03 | 1987-04-15 | Memorex Corp | Method of fabricating a metallic pattern on a substrate |
US4454014A (en) * | 1980-12-03 | 1984-06-12 | Memorex Corporation | Etched article |
US4488781A (en) * | 1982-01-25 | 1984-12-18 | American Cyanamid Company | Method for manufacturing an electrochromic display device and device produced thereby |
DE3368447D1 (en) * | 1982-03-18 | 1987-01-29 | Ibm | Method for selectively coating metallurgical patterns on dielectric substrates |
US4424271A (en) * | 1982-09-15 | 1984-01-03 | Magnetic Peripherals Inc. | Deposition process |
DE3517729A1 (de) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zum herstellen von spinnduesenplatten |
DE3517730A1 (de) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zum herstellen von spinnduesenplatten |
US4900650A (en) * | 1988-05-12 | 1990-02-13 | Digital Equipment Corporation | Method of producing a pole piece with improved magnetic domain structure |
US5059278A (en) * | 1990-09-28 | 1991-10-22 | Seagate Technology | Selective chemical removal of coil seed-layer in thin film head magnetic transducer |
JPH07114708A (ja) * | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
US5932396A (en) * | 1996-10-18 | 1999-08-03 | Tdk Corporation | Method for forming magnetic poles in thin film magnetic heads |
US6375063B1 (en) * | 1999-07-16 | 2002-04-23 | Quantum Corporation | Multi-step stud design and method for producing closely packed interconnects in magnetic recording heads |
US6791794B2 (en) | 2000-09-28 | 2004-09-14 | Nec Corporation | Magnetic head having an antistripping layer for preventing a magnetic layer from stripping |
US6682999B1 (en) | 1999-10-22 | 2004-01-27 | Agere Systems Inc. | Semiconductor device having multilevel interconnections and method of manufacture thereof |
US6496328B1 (en) | 1999-12-30 | 2002-12-17 | Advanced Research Corporation | Low inductance, ferrite sub-gap substrate structure for surface film magnetic recording heads |
JP3343341B2 (ja) | 2000-04-28 | 2002-11-11 | ティーディーケイ株式会社 | 微細パターン形成方法及びそれに用いる現像/洗浄装置、及びそれを用いためっき方法、及びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
JP2001319312A (ja) | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Tdk Corp | 薄膜コイルおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
JP3355175B2 (ja) | 2000-05-16 | 2002-12-09 | ティーディーケイ株式会社 | フレームめっき方法および薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法 |
GB0207724D0 (en) | 2002-04-03 | 2002-05-15 | Seagate Technology Llc | Patent submission-Ruthenium as non-magnetic sedlayer for electrodeposition |
JP3763526B2 (ja) * | 2002-04-04 | 2006-04-05 | Tdk株式会社 | マイクロデバイス及びその製造方法 |
JP2003317210A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Tdk Corp | パターン形成方法、マイクロデバイスの製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドスライダの製造方法、磁気ヘッド装置の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法 |
JP3857624B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2006-12-13 | Tdk株式会社 | 導電薄膜パターンの形成方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法、薄膜インダクタの製造方法、およびマイクロデバイスの製造方法 |
JP3874268B2 (ja) * | 2002-07-24 | 2007-01-31 | Tdk株式会社 | パターン化薄膜およびその形成方法 |
JP3957178B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2007-08-15 | Tdk株式会社 | パターン化薄膜形成方法 |
JP2004264415A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Pioneer Electronic Corp | 電子ビーム記録基板 |
US8144424B2 (en) | 2003-12-19 | 2012-03-27 | Dugas Matthew P | Timing-based servo verify head and magnetic media made therewith |
JP2007536683A (ja) | 2004-05-04 | 2007-12-13 | アドバンスト・リサーチ・コーポレーション | 任意形状のギャップ・パターンのための集積型薄膜サブギャップ/サブ磁極構造、磁気記録ヘッド、及びその製造方法 |
ITMI20051074A1 (it) * | 2005-06-10 | 2006-12-11 | Marco Mietta | "modello di sommergibile radiocomandato a immersione statica" |
WO2009121073A1 (en) | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Advanced Research Corporation | Thin film planar arbitrary gap pattern magnetic head |
WO2011014836A2 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Advanced Research Corporation | Erase drive systems and methods of erasure for tape data cartridge |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3723210A (en) * | 1970-09-29 | 1973-03-27 | Int Rectifier Corp | Method of making a semiconductor wafer having concave rim |
US3745094A (en) * | 1971-03-26 | 1973-07-10 | Ibm | Two resist method for printed circuit structure |
US3700445A (en) * | 1971-07-29 | 1972-10-24 | Us Navy | Photoresist processing method for fabricating etched microcircuits |
-
1973
- 1973-12-20 US US00426862A patent/US3853715A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-10-22 FR FR7441887*A patent/FR2255392B1/fr not_active Expired
- 1974-11-08 DE DE2453035A patent/DE2453035C3/de not_active Expired
- 1974-11-18 GB GB4978374A patent/GB1422300A/en not_active Expired
- 1974-11-22 JP JP13373774A patent/JPS5636706B2/ja not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
NICHTS ERMITTELT * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2453035B2 (de) | 1981-04-16 |
DE2453035C3 (de) | 1982-04-22 |
FR2255392A1 (de) | 1975-07-18 |
JPS5636706B2 (de) | 1981-08-26 |
JPS5095147A (de) | 1975-07-29 |
FR2255392B1 (de) | 1976-12-31 |
GB1422300A (de) | 1976-01-21 |
US3853715A (en) | 1974-12-10 |
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