DE2448297A1 - Festkoerperspeicheranordnung - Google Patents

Festkoerperspeicheranordnung

Info

Publication number
DE2448297A1
DE2448297A1 DE19742448297 DE2448297A DE2448297A1 DE 2448297 A1 DE2448297 A1 DE 2448297A1 DE 19742448297 DE19742448297 DE 19742448297 DE 2448297 A DE2448297 A DE 2448297A DE 2448297 A1 DE2448297 A1 DE 2448297A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
control
arrangement
memory
signal
control element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19742448297
Other languages
English (en)
Other versions
DE2448297C3 (de
DE2448297B2 (de
Inventor
Hendrik Klos
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2448297A1 publication Critical patent/DE2448297A1/de
Publication of DE2448297B2 publication Critical patent/DE2448297B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2448297C3 publication Critical patent/DE2448297C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

i'a ten !assessor
Ann-,c'i!cr: S. V Ρ;λ:ί:' (üoäJsmpenfabrieRen ;Akfcr. ::,-.; PHN 7150 "Anmeldung vom; 9· Okt. 1974
PHN 7130
Deen/RJ 26.9.74
"Festkörperspeicheranordnung".
Die Erfindung betrifft eine Speicheranordnung mit einem Speicher, insbesondere mit einem integrierten Festkörperspeicher, einer Adressierungsanordnung zum Erzeugen von Adressignalen und einer Ansteueranordnung mit Ausgängen, an denen aufeinanderfolgende Ansteuersignale erzeugbar sind. Sie erfordern in der Gleichzeitigkeit bestimmter Ansteuersignale oft bestimmte enge Toleranzen, die schwer zu erfüllen sind.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Speicher-
509820/069 2
PHN 7150 26.9.lh
anordnung anzugeben, bei der an die Gleichzeitigkeit der Signale an den Ausgängen der Ansteueranordnung keine grossen Anforderungen gestellt werden müssen.
Die erfindungsgemässe Lösung der Aufgabe ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei der Ausgänge der Ansteueranordnung mit Eingängen eines zusätzlichen Ansteuerelementes verbunden sind, das zur Vermeidung von Toleranzen zwischen den an diesen Ausgängen erzeugten Signaländerungen unter der Steuerung jeder dieser Signaländerung ein Ausgangsansteuersignal erzeugt. Das Ausgangsansteuersignal kann statt eines oder mehrerer der vom zusätzlichen Ansteuerelement empfangenen Ansteuersignale verwendet werden. Infolgedessen kommt der mögliche Zeitunterschied zwischen den Ansteuersignalen nicht mehr zur Wirkung.
Es ist vorteilhaft, wenn das zusätzliche
Ansteuerelement mit einem Ausgang eines Schreibansteuerelementes verbunden ist. Je nach dem Lese- oder Schreibzugriff (access) zum Speicher wird ein Schreibansteuersignal erzeugt oder nicht. Das Ausgangsansteuersignal tritt immer auf, so dass eine gute Wirkung erreicht wird. Im Falle eines Schreibzugriffs tritt eine richtige Synchronisierung zwischen dem Schreibansteuersignal und dem Ausgangsansteuersignal auf.
Es ist vorteilhaft, wenn die erwähnten Ansteuerelemente ein Schreibansteuerelement und ein
509 82 0/0692
PHN 7150 26.9-7'*
Auswahlansteuerelement sind. Auf diese Weise sind die Befehlssignale "chip enable" und "write enable" auf die richtige Weise synchronisierbar.
Ausführungsbeispiele der· Erfindung werden nachstehend an Hand der in -der Zeichnung wiedergegebenen Figuren näher erläutert. Es zeigen Fig. 1 eine Speicheranordnung, Fig. 2 ein zusätzliches Ansteuerelement.
Fig. 3 eine Anzahl Zeitdiagramme.
Fig. 1 stellt eine erfindungsgemässe Speicheranordnung dar, die eine Steueranordnung CONTR, drei Ansteuerelemente DRI 1,2,3» ein zusätzliches Ansteuerelement DRl h, einen integrierten Festkörp&rspeicher MEM, eine Adressierungsanordnung ADR, ein Datenregister IOREG und sechs Signalklemmen k1... 6 enthält.
Derartige integrierte Festkörperspeicher sind bekannt, so dass eine ausführliche Beschreibung unterbleiben kann. An den Klemmen k3, k4, k5 erscheint z.B. eine Anzahl binärer Adresssignale aus· einer nicht dargestellten Anrufanordnung. Die Adressierungsanordnung ADR kann einen Dekoder und einen Adressenverstärker enthalten. Je nach dem Speichertyp kann dadurch eine Anzahl Bitstellen oder nur eine Bitstelle; adressiert sein. Im letzteren Falle kann die 'Anordnung ADR mit einer Anzahl Speicher MEM kombiniert sein. Im Falle einer Leseoperation erscheinen Datensignal
509820/0692
PHX 7 1 >0 2'). 9. 7 Ί
im Datenregister IOREG und sie sind daher einer möglicherweise mehrfachen Datenklemme k6 zuführbar. Auch das Datenregister IOREG kann mit einer Anzahl Speicher MEM kombiniert sein. Im Falle einer schreibopei-ation muss die betreffende Information über die gegebenenfalls mehrfache Klemme k6 aus einer anderen Stelle zugeführt werden.
Die Klemmen k1 und k2 empfangen Taktimpul.se und Rückstellsignale. Unter der Steuerung der Taktimpulse erzeugt die Steueranordnung CONTR nacheinander die primären Ansteuersignale das Vorbereitungstaktsignal CCP (clock chip precharge), das Freigabetaktsignal (CCE) (clock chip enable) und im Falle einer Schreiboperation das Schreibtaktsignal (CIvE) (clock write enable). Bei einer Leseoperation unterbleibt das letztgenannte Signal.
Fig. 3 gibt Beispiele der dabei gebildeten sekundären Ansteuersignale. Das Ansteuerelement DRI 1 bildet unter der Steuerung der Anordnung CONTR das Signal auf. der Zeile A mit einer Länge von 275 ns. Dieses Ansteuerelement kann einen Ausgangsverstärker enthalten, wodurch z.B. eine grössere Anzahl Speicher MEM parallel angesteuert werden kann. Auf ähnliche Weise können die Ansteueranordnungen DRI 2 und 3 Verstärker enthalten. Das Signal am Ausgang 3 d«r Steueranordnung CONTR ist in Fig. 3 auf der Zeile B
509820/0692
-S-
PHN 7150 26.9.7h
angegeben. Es beginnt etwa 125 ns nach dem Anfang des Signals auf der Zeile A und hat eine Dauer von ungefähr 395 ns. Wenn am Ausgang 2 der Steueranordnung CONTR kein Signal vorhanden ist, wir.d das Signal der Zeile B ungeändert.weitergeleitet und in der Ansteueranordnung DRI 3 invertiert: Zeile C aus Fig. dabei handelt es sich um eine Leseoperation. Venn am Ausgang 2 der Steueranordnung CONTR ein Signal erscheint, handelt es sieh um eine Schreiboperation. Das Signal hat die Form der Zeile D nach Fig. 3'· es beginnt I65 ns nach dem Ende des Signals auf der Zeile A und endet ungefähr gleichzeitig mit dem Signal auf der Zeile B. Die Toleranz dieser Gleichzeitigkeit ist engo Deshalb wird dieses Signal auch der zusätzlichen Ansteueranordnung DRI k zugeführt, so dass auch das Signal auf der Zeile D den zweiten Signalübergang auf der Zeile E einleiten kann. Dies geschieht durch denjenigen abfallenden Signalübergang auf den Zeilen B und D, der am ersten auftritt: er bewirkt den ansteigenden Übergang des Signales auf der Zeile E.
Fig. 2 stellt ein zusätzliches Ansteuerelement dar und enthält vier Anschlussklemmen k7 ... 1O, vier Transistoren T1 ... 4, drei Kondensatoren C1 ... und drei Widerstände R1 ... 3· Die Klemme k7 ist an eine Versorgungsquelle mit einer Spannung von z.B. 20 Volt angeschlossen. In der Ruhelage führen die
5 09820/0 6 92
PHX 7150 26.9.7^
Klemmen k8 und k9 ein niedriges· Potential; sie sind mi . den Ausgängen 2 bzw. 3 der Steueranordnung CONTR nach Fig. 1 verbunden. In der Ruhelage führt dabei die Basiselektrode des Transistors T2 ein niedriges Potential, wodurch dieser Transistor gesperrt ist. Infolgedessen führt sein Kollektor durch den Widerstand R2 ein hohes Potential. Der Spannungsabfall zwischen Emitter und Kollektor des Transistors ,T1 ist gering, und dieser Transistor ist gesperrt, da das Potential an seiner Basis durch den Widerstand R1 etwa gleich dem Emitterpotential ist.
Die Basiselektroden der Transistoren T3 und Τ4 führen ein hohes Potential, so dass der Transistor T3 leitet und der Transistor T4 gesperrt ist. Die Klemme k10 führt ein hohes Potential. Bei einer Speicheroperation wird die Klemme k9 hoch (siehe Fig. 3)· Die Kombination des Widerstands R3 und des Kondensators C3 bildet ein differenzierendes Netz? werk, so dass die Basis des Transistors T2 rasch hoch wird und dieser in den leitenden Zustand kommt. Über den Kondensator C2 wird auch die Basis des Transistors TI hoch, der dadurch gesperrt bleibt. Die Basen der Transistoren T3 und Τ4 nehmen somit ein niedriges Potential an. Dadurch wird der Transistor T3 gesperrt und es leitet der Transistor T^. Die Klemme k10 führt dabei ein niedriges Potential. Nach einiger Zeit ent-
509820/0892
24A8297
lädt sich der Kondensator C3 über den Widerstand R3» wobei die Potentiale der Basis des Transistors T2 und der Klemme k9 beide hoch bleiben: der Transistor T2 ist nach wie vor leitend, während der Transistor T1 gesperrt bleibt. Die Einstellung der Basis des Transistors TI bleibt unter dem Einfluss des Widerstandes RI erhalten, wodurch nahezu kein Strom fliesst. Wenn die Klemme K9 darauf wieder ein niedriges Potential annimmt, wird der Transistor T2 gesperrt und der Transistor T1 vorübergehend leitend, und der Ausgangszustand ist \irieder erreicht.
Obiges galt, wenn an der Klemme K8 keine Signalübergänge auftreten. Die Klemme kQ hat eine Gleichstromkopplung mit' der Basis des Transistors T2, und nach dem Abklingen von Übergangserscheinungen ist es das Potential an dieser Klemme, das das Ausgangssignal bestimmt.
Venn die Klemme k°- ein hohes Potential führt und die Klemme k8 nimmt ein hohes Potential an, ändert sich sonst nichts. Venn die Klemme k°- bereits niedrig geworden ist und die Klemme k8 nimmt ein niedriges Potential an, ändert sich sonst ebenfalls nichts. Venn jedoch die Klemme k9 immer noch ein hohes Potential führt und die Klemme k8 nimmt ein niedriges Potential an, wird dieses absinkende Potential über die Kondensatoren CI, C2 und C3 der Basiselektrode
509820/0692
-B-
PHN 715O
des Transistors T2 zugeleitet. Dadurch sperrt der Traxisistor T2 und leitet der- Transistor T1 für eine Zeit, die von der Grössenordrmng der RC- Zeitkonstante R1 χ C1 ist. Angenommen wird weiter, dass die Werte von R1 χ C1 und R3 x C3 nicht sehr viel voneinander abweichen. Wenn in dieser Zeit auch die Klemm K9 ein niedriges Potential annimmt, wird der Zustand aufrechterhalten. Dies ist in der Fig. 3 in Zeilen B und D angegeben: die Ubergangszeitpunkte der Signale CCE und CWE liegen dicht beieinander, und in diesem Falle spricht das Ausgangssignal (Zeile E) bei dem zuerst auftretenden dieser beiden Signale an.
Etwas ähnliches gälte beim Annehmen eines hohen .Wertes der Signale CCE und CWE. Dabei ist jedoch der Zeitunterschied in den von der Steueranordnung CONTR abgegebenen Signalen so gross (um 300 ns), dass die Toleranzen keinen Einfluss ausüben. Die Toleranzen betragen in diesem Falle höchstens einige zehn ns. Sie werden durch elektronische Effekte in der Steueranordnung CONTR, und von Laufzeiteffekten der Signale in den Leitungen bewirkt.
509820/0692

Claims (2)

  1. mix 7150 26.9.7h
    FATEKTANSPRUECHE:
    Ί./ Speicheranordnung mit einem Speicher, insbesondere mit einem xntegrierten Festkörperspeicher, einer Adressierungsanordnung zum Erzeugen von Adressr Signalen und einer Ansteueranordnung· mit Ausgängen, an denen aufeinanderfolgende zweiwertige Ansteuersignale erzeugbar sind, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei der Ausgänge der Anstouerschaltung mit Eingängen eines zusätzlichen kombinatorisch arbeitenden Ansteuerelementes verbunden sind, das zur Vermeidung von Toleranzen zwischen den an diesen Ausgängen in einem Speicherzyklus erzeugten Signalübergängen unter der Steuerung eines beliebigen als erster empfangenen der letztgenannten Signalübergänge ein Ausgangsansteuersignalübergang erzeugen kann.
  2. 2. Speicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zusätzliche Ansteuerelement mit einem Ausgang eines Schreibans teuer el ententes verbunden ist.
    3· Speicheranordnung nach Anspruch 1, ,dadurch gekennzeichnet, dass die erwähnten Ansteuerelemente ein Schreibansteuerelement und ein Auswahlansteuereiement sind. '*
    5098 20/069 2.
    L e e r s e i t e
DE2448297A 1973-10-17 1974-10-10 Speicheranordnung Expired DE2448297C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7314271A NL7314271A (nl) 1973-10-17 1973-10-17 Vastestof-geheugeninrichting.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2448297A1 true DE2448297A1 (de) 1975-05-15
DE2448297B2 DE2448297B2 (de) 1979-02-22
DE2448297C3 DE2448297C3 (de) 1979-10-11

Family

ID=19819838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2448297A Expired DE2448297C3 (de) 1973-10-17 1974-10-10 Speicheranordnung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3931616A (de)
JP (1) JPS5068437A (de)
DE (1) DE2448297C3 (de)
FR (1) FR2248578B1 (de)
GB (1) GB1484716A (de)
NL (1) NL7314271A (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS585476B2 (ja) * 1974-12-28 1983-01-31 日本電気株式会社 キオクソウチ
JPS62287499A (ja) * 1986-06-06 1987-12-14 Fujitsu Ltd 半導体メモリ装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4328385Y1 (de) * 1965-01-28 1968-11-22
US3660826A (en) * 1970-10-02 1972-05-02 Sperry Rand Corp Noise protection and rollover lockout for keyboards
US3740730A (en) * 1971-06-30 1973-06-19 Ibm Latchable decoder driver and memory array

Also Published As

Publication number Publication date
NL7314271A (nl) 1975-04-21
GB1484716A (en) 1977-09-01
DE2448297C3 (de) 1979-10-11
JPS5068437A (de) 1975-06-07
FR2248578A1 (de) 1975-05-16
FR2248578B1 (de) 1981-05-08
DE2448297B2 (de) 1979-02-22
US3931616A (en) 1976-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2828726C2 (de) Monolithische integrierte Schaltungsstruktur mit einer Speichervorrichtung
DE2527486C3 (de) Verfahren zur Prüfung bistabiler Speicherzellen
DE3032620A1 (de) Bipolare speicherschaltung
DE2635028C2 (de) Auf einem Halbleiterplättchen integriertes Speichersystem
DE2721851A1 (de) Verriegelnder leseverstaerker fuer halbleiterspeicheranordnungen
DE1474388C3 (de) Schieberegisterspeicherstufe mit Feldeffekttransistoren
DE2514582C2 (de) Schaltung zur erzeugung von leseimpulsen
DE2302137C3 (de) Leseschaltung zum zerstörungsfreien Auslesen dynamischer Ladungs-Speicherzellen
DE2620187A1 (de) Monostabile multivibratorschaltung
EP0100772B1 (de) Elektrisch programmierbare Speichermatrix
DE3048108A1 (de) Speichervorrichtung mit schnellen wortleitungsladeschaltungen
DE2620749B2 (de) Matrixspeicher aus halbleiterelementen
DE2448297A1 (de) Festkoerperspeicheranordnung
DE1774702A1 (de) Steuerschaltung fuer die Aufzeichnung hochfrequenter digitaler Informationen
DE68927255T2 (de) Impulsgeneratorschaltung
DE2131939A1 (de) Logisch gesteuerte Inverterstufe
DE2840329A1 (de) Adresspuffer fuer einen mos-speicherbaustein
DE3028778C2 (de) Decodiereinrichtung
DE2021414A1 (de) Binaerspeicherschaltung
DE2744490C2 (de) Bipolar-Halbleiterspeicher
DE1499816C3 (de) Impuls Versorgungsvorrichtung
DE2834818C2 (de) Schaltungsanordnung zur wahlweisen Erzeugung eines Lesesignals oder eines Schreibsignals
DE2309532C3 (de) Digital/Analog-Wandler
DE2654460A1 (de) Schaltung zur erhoehung der schreibgeschwindigkeit fuer speicherzellen
DE2340814C3 (de) Selektionseinrichtung für monolithisch integrierte Speicheranordnungen

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee