DE2445594A1 - Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen - Google Patents

Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen

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DE2445594A1
DE2445594A1 DE19742445594 DE2445594A DE2445594A1 DE 2445594 A1 DE2445594 A1 DE 2445594A1 DE 19742445594 DE19742445594 DE 19742445594 DE 2445594 A DE2445594 A DE 2445594A DE 2445594 A1 DE2445594 A1 DE 2445594A1
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DE
Germany
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gate
phosphorus
conductor track
integrated circuits
circuits
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Pending
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DE19742445594
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German (de)
English (en)
Inventor
Heinz Dr Splittgerber
Dezsoe Takacs
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/40Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
    • H10W74/43Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising oxides, nitrides or carbides, e.g. ceramics or glasses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3218309A1 (de) * 1982-05-14 1983-11-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von integrierten mos-feldeffekttransistoren mit einer aus metallsiliziden bestehenden zusaetzlichen leiterbahnebene

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