DE2417994A1 - Kompensationseinrichtung fuer elektronische schaltungen - Google Patents

Kompensationseinrichtung fuer elektronische schaltungen

Info

Publication number
DE2417994A1
DE2417994A1 DE19742417994 DE2417994A DE2417994A1 DE 2417994 A1 DE2417994 A1 DE 2417994A1 DE 19742417994 DE19742417994 DE 19742417994 DE 2417994 A DE2417994 A DE 2417994A DE 2417994 A1 DE2417994 A1 DE 2417994A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
gate electrode
mosfet
compensation circuit
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19742417994
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroto Kawagoe
Kosei Nomiya
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE2417994A1 publication Critical patent/DE2417994A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/301—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in MOSFET amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/345—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/01—Details
    • H03K3/011—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. voltage, temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

Priorität: 16. Januar 1974, Großbritannien, Nr. 2105/74
Kompensationseinrichtung für elektronische Schaltungen
In der modernen Technologie, bei der MOSI'C-Schaltkreistechnik für die verschiedensten elektronischen Schaltungen verwendet wird, sind neuerliche Verbesserungen darauf gerichtet, sämtliche für Kleinrechner erforderlichen Schaltungselemente in ein einzelnes Halbleiterplättchen einzubauen. Als eine Schaltung dieses Typs, die sich so herstellen läßt, ist eine Taktimpuls-Generatorschaltung entwickelt worden, die aus einer Anordnung von drei Invertern und dazwischengeschalteten Kondensatoren in geschlossener Schleife besteht. Diese Schaltung ist in der Patentanmeldung P 23 62 987.0, hinterlegt am 18. Dezember 1973, offenbart.
Eine gewisse Schwierigkeit, die bei einer derartigen elektronischen Schaltung auftreten kann, besteht in ihrer Instabilität infolge von Änderungen in der Umgebungstemperatur und der Very? sorgungsspannung. Außerdem können die Oszillationsperioden dann, wenn die elektronischen Schaltungen in Form eines MOSIC-Aufbaus hergestellt werden, zwischen den verschieden fabrizierten Schaltungen aufgrund der Unterschiede in den Kennlinien der einzelnen
509830/0818
Schaltungen innerhalb weiter Bereiche variieren.
Infolgedessen ist eine gewisse Art von Kompensation erforderlich, um die genannte Instabilität zu vermeiden und Unterschiede zwischen den in Massen produzierten MOSIC-Impulsgeneratoren hinsichtlich der Oszillationsperiode zu kompensieren.
Der Erfindung liegt die generelle Aufgabe zugrunde, Nachteile, wie sie bei Impulsgeneratoren des hier angesprochenen Typs nach dem Stand der Technik auftreten, zu beseitigen oder wenigstens abzumildern. In Anbetracht des oben geschilderten Standes der Technik kann eine speziellere Aufgabe der Erfindung darin gesehen werden, eine Kompensationsschaltung zu schaffen, die Instabilitäten in den elektrischen Eigenschaften einer MOSIC-Schaltung (insbesondere eines Last-MOSFETs) infolge von Änderungen in der Umgebungstemperatur und vorzugsweise auch infolge von Schwankungen der Versorgungsspannung zu kompensieren. Ferner sollen Unterschiede in den elektrischen Eigenschaften kompensiert werden, die bei in Massen produzierten MOSICs innerhalb weiter Bereiche streuen können. Zur Aufgabe der Erfindung gehört es ferner, einen Impulsgenerator vorzusehen, der ein gegenüber Änderungen in den Umgebungsbedingungen der Schaltung stabiles Tastverhältnis und eine stabile Oszillationsperiode aufweist. Ein solcher Impulsgenerator soll dabei nach der MOSIC-Technik herstellbar sein, so daß Schwankungen im Tastverhältnis oder der Oszillationsperiode zwischen den verschiedenen MOSICs auf einem Minimum gehalten werden.
Zur Lösung der genannten Aufgabe arbeitet die erfindungsgemäße Kompensationsschaltung mit einem hohen Widerstand und einem Paar von parallel geschalteten MOSFETs, von denen einer ein Transistor des Anreicherungstyps und der andere ein Transistor des Verarmungstyps ist, und die beispielsweise an den Eingang eines Impulsgerierators angeschlossen sind. Die Drain-Elektroden der betreffenden "MOSFETs sind über den Widerstand an die Energiequelle ange-
509830/0816
schlossen und außerdem mit der Gate-Elektrode des Verarmungs-Last-MOSFETs verbunden, der seinerseits mit dem Anreicherungs-MOSFET verbunden ist. Bei Schwankungen in der Umgebungstemperatur oder Versorgungsspannung werden Schwankungen in den elektrischen Eigenschaften des Impulsgenerators durch Änderungen in den elektrischen Eigenschaften und Bedingungen der Kompensationsschaltung kompensiert. In ihrer einfachsten Ausführungsform braucht die Kompensationsschaltung nur einen einzelnen MOSFET und einen damit verbundenen Y/iderstand zu umfassen und zwischen die zu kompensierende Schaltung und die Energiequelle eingeschaltet zu werden.
Die Erfindung wird in der nachstehenden Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels anhand der Zeichnungen näher er- ■ läutert. In den Zeichnungen zeigen
Figur 1 eine erfindungsgemäße Grundschaltung, bei der die Kompensationsschaltung mit einem einzelnen MOSFET und einem Widerstand arbeitet;
Figur 2 eine Variante der Schaltung nach Figur 1 bezüglich der Elektrodenverbindungen des kompensierenden MOSFETs;
Figur-3 eine weitere Variante der Erfindung bezüglich der Elektrodenverbindungen des kompensierenden MOSFETs;
Figur 4 eine weitere Variante der vorliegenden Erfindung, wobei nochmals die Elektroden des kompensierenden MOSFETs anders verbunden sind;
Figur 5 ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, «..das mit einem Paar von parallel geschalteten MOSFETs in der Kompensationsschaltung arbeitet;
Figur 6 die Verwendung der vorliegenden Erfindung in einem Impulsgenerator; und
509830/0816
Figur 7 ein Impulsdiagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise der Schaltung nach Figur 6.
Gemäß Figur 1 umfaßt die Kompensationsschaltung eine Serienverbindung aus einem hochohmigen Widerstand 4 mit einem Widerstandswert in der Größenordnung von 50 bis 100 ΚΩ und einem -MOSFET 3, wobei diese Serienverbindung zwischen eine Energiequelle V„„ und Erde eingeschaltet ist. Der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand 4 und dem MOSFET 3 ist an die Gate-Elektrode eines MOSFETs 1 angeschlossen, der zusammen mit einem MOSFET 2 eine Inverterschaltung bildet; der MOSFET 1 bildet dabei die Last für den MOS-FET 2.
Steigt nun die Umgebungstemperatur der Schaltung, so nimmt der durch den MOSFET 1 fließende Strom ab, da die Schwellenspannung VTH des MOSFETs 1 steigt. In ähnlicher Weise sinkt der Strom durch den MOSFET 3» so daß der Spannungsabfall am Widerstand 4 abnimmt. Mit anderen Worten steigt die der Gate-Elektrode des MOSFETs 1 zugeführte Spannung V. Dieser Anstieg in der Gate-Spannung bewirkt einen Anstieg in dem Strom durch den MOSFET 1, so daß Änderungen in den elektrischen Eigenschaften der die MOS-FETs 1 und 2 enthaltenden Inverterschaltung aufgrund des oben erwähnten, durch den Widerstand 4 und den MOSFET 3 bewirkten Effektes notwendigerweise kompensiert werden.
Bei der in Figur 2 gezeigten anderen Ausführungsform der Erfindung handelt es sich bei dem MOSFET 3 um einen Transistor des Anreicherungstyps, dessen Gate-Elektrode an die Versorgungsquelle VqG angeschlossen ist und der zur Kompensation von Schwankungen sowohl in der Umgebungstemperatur als auch in der Versorgungsspannung dient. Steigt die Versorgungsspannung VGG, so steigt auch die Spannung V an der Gate-Elektrode des MOSFETs 1. In ähnlicher Weise steigt die Spannung an der Gate-Elektrode des MOS-FETs 3, was einen Anstieg in dem· Strom durch den in Serie damit geschalteten Widerstand 4 bewirkt. Daher nimmt auch der Spannungsabfall am Widerstand 4 zu, wodurch eine kompensierende Abnahme in der Spannung V an der Gate-Elektrode des MOSFETs 1 bewirkt
509830/0816
wird. Infolgedessen wird die Spannung V unabhängig von Änderungen in der Versorgungsspannung auf den jeweils vorgeschriebenen Wert balanciert. Ist im vorliegenden Fall der MOSFET 3 in der gleichen MOSIC-Schaltung unter den gleichen Bedingungen wie der MOSFET 1 fabriziert worden, so kompensiert die Kompensationsschaltung Unterschiede in den elektrischen Eigenschaften der MOSICs.
Bei dem in Figur 3 gezeigten weiteren Ausführungsbeispiel handelt es sich im Gegensatz zu dem Fall der Figur 2 bei dem MOSFET 3 um einen Transistor des Verarmungstyps, dessen Gate-Elektrode nicht, wie vorher, an die·Versorgungsspannung angeschlossen sondern geerdet ist. Diese Anordnung kompensiert Änderungen in den elektrischen Eigenschaften der Schaltung" aufgrund von Schwankungen in der Umgebungstemperatur. Außerdem kompensiert diese Kompensationsanordnung Unterschiede in'den elektrischen Eigenschaften zwischen mehreren MOSICs', wenn der MOSFET 3 unter· den gleichen Bedingungen wie der MOSFET 1 in der gleichen MOSIC-Schaltung fabriziert worden ist.
In dieser Anordnung sollte der Widerstand 4 ferner einen wesentlich kleineren Temperaturkoeffizient aufweisen als die MOSFETs 1 und 3» wobei für den Widerstand 4 ein Widerstand mit hohem konstanten oder linearen Wider standswert verwendet werden kann, der getrennt von der MOSIC-Schaltung hergestellt wird.
In den oben erläuterten- Schaltungen nach Figur 2 und 3 werden, wie gesagt, Unterschiede in den elektrischen Eigenschaften der verschiedenen, in Massenproduktion hergestellten MOSICs kompen?- · siert. Beispielsweise ist die Schwellenspannung Vmrr des MOSFETs 1 in einem MOSIC hoch, und ebenso ist auch die Schwellenspannuijg ν des MOSFETs 3 in dem MOSIC hoch, was bedeutet, daß der Strom \ durch den MOSFET 3 verhältnismäßig klein ist. Dies bedeutet andererseits, daß die Spannung V ansteigt, da der Spannungsabfall am Widerstand 4 klein ist; infolgedessen wird eine Abnahme des Stroms durch den MOSFET 1 infolge der hohen Schwellenspannung VTH-des MOSFETs durch einen Anstieg in der Vorspannung V kompensiert. 509Ö30/0816
Da, wie oben beschrieben, die elektrischen Eigenschaften der MOSIC-Schaltungen kompensiert werden, lassen sich die obigen Kompensationsschaltungen in Impulsgeneratoren verwenden, um deren Oszillationsfrequenz zu stabilisieren. Da außerdem durch die oben beschriebenen Kompensationsschaltungen Unterschiede in den elektrischen Eigenschaften bei einer Vielzahl von in Massenproduktion hergestellten MOSICs kompensiert werden, schwanken, wenn diese Kompensationsschaltungen in Impulsgeneratoren der MOSIC-Technik eingefügt werden, deren Oszillationsperioden nur innerhalb kleinerer Bereiche, so daß sich im wesentlichen gleichmäßige MOSIC-Impulsgeneratoren in Massenproduktion herstellen lassen.
Gemäß anderen Ausführungsformen der Erfindung kann die Gate-Elektrode des MOSFETs 3 gemäß Figur 4 auch an den Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand 4 und dem MOSFET 1 angeschlossen werden.
Handelt es sich bei.dem MOSFET 1 um einen Transistor des Verarmungstyps, so kann in der Kompensationsschaltung ein Paar von MOSFETs verwendet werden. Wie in Figur 5 gezeigt, wird dabei ein MOSFET 5 des Anreicherungstyps "Rücken an Rücken" parallelgeschaltet mit einem ^MOSFET 6 des Verarmungstyps verbunden. Die Gate-Elektrode des MOSFETs 6 ist geerdet, während die Gate-Elektrode des MOSFETs 5 an die Versorungsspannung V«G angeschlossen ist.
In Figur 6 ist die Verwendung einer erfindungsgemäßen Kompensationsschaltung in einem praktischen Ausführungsbeispiel eines Impulsgenerators des oben erwähnten Typs gezeigt, wie er etwa in elektronischen Kleinrechnern verwendet wird. In den beiden strichpunktierten Kästchen sind der Impulsgenerator 22 und die damit verbundene Kompensationsschaltung 23 dargestellt.
Die Schaltung des Impulsgenerators umfaßt eine Vielzahl von Anreicherungs - Feldeffekttransistoren 11, 13» 15 mit isoliertem Gate und P-Kanal. Die damit verbundene Kompensationsschaltung 23 umfaßt einen Anreicherungs-Feldeffekttransistor 19 mit isoliertem Gate'und P-Kanal, der "Rücken an Rücken" mit einem Verarmungs-MOSFET 20 zusammengeschaltet ist. Zwischen die Versorgungsspannung
S09830/0Ö16
V-,,-, und das Transistorpaar der Kompensationsschaltung ist ein hochohmiger Widerstand 21 mit einem Wert von beispielsweise etwa 50 ΚΩ eingeschaltet.
Zwischen den jeweiligen Transistoren 11-13 und 13-15 einerseits und Erde andererseits liegen Kondensatoren 17 und 18, die beispielsweise jeweils einen Wert von 0,1 bis -10 pF haben. Weitere MOSFETs 12, 14 und 16 bilden Lasttransistoren für die jeweiligen MOSFETs 11, 13, 15 und sind mit ihren Gate-Elektroden gemeinsam an den Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand 21 und dem Transistorpaar 19» 20 angeschlossen.
Sämtliche in Figur 6 gezeigten MOSFETs können in dem gleichen Halbleiterplättchen aus monokristallinem Silicium gebildet sein, während der Widerstand 21 und die Kondensatoren 17 und 18 extern an. die MOSIC-Schaltung angeschlossen sein können.
Die Eingangs- und Ausgangsverbindungen für die jeweiligen Inverter 11-12, 13-14 und 15-16 sind zu einer geschlossenen Schleife in Kaskade geschaltet. Die Source-Elektroden der MOSFETs 19, 20, 11, 13 und 15, die Kondensatoren 17 und 18 und die Gate-Elektrode des Transistors 20 sind geerdet, während die Gate-Elektrode des Transistors 19 und die Drain-Elektroden der Transistoren 12, 14 und 16 an die Versorgungsspannung V„G angeschlossen sind. Der Ausgang des Impulsgenerators wird an der Drain-Elektrode des Transistors 15 abgenommen.
Im folgenden soll die Arbeitsweise der Schaltung nach Figur 6 unter Bezugnahme auf Figur 7 erläutert werden.
Zum Zwecke der Erläuterung soll angenommen werden, daß der MQSFET 15 während einer Zeitperiode ti leitend ist, wobei an dem Verbindungspunkt c, an den die Ausgangsklemme 0 angeschlossen ist, eine Spannung aufgritt, deren Absolutwert kleiner ist als die Schwellenspannung des MOSFETs 11. Gleichzeitig ist der MOSFET 13 nicht—leitend und der Kondensator 18 lädt sich mit dem durch
609830/0818
den MOSFET 14 fließenden Strom auf. Während derselben Periode" ti "beginnt der Kondensator 17 aufzuladen, da der MOSFET 11 nichtleitend ist.
Erreicht in diesem Zustand während einer Zeitperiode t2 gemäß Figur 7a der Ausgang a der ersten Inverterschaltung einen Absolutwert, der über dem Schwellenwert des MOSFETs 13 liegt, so beginnt der MOSFET 13 zu leiten. Die in dem Kondensator 18 gespeicherte Ladung entlädt sich dann über den MOSFET 13.
Erreicht anschließend während einer Zeitperiode t3 gemäß Figur 7b der Ausgang b der Inverterschaltung 13-14 einen Absolutwert, der unter dem Schwellenwert des MOSFETs 15 liegt, so wird der MOSFET 15 nicht-leitend. Die Spannungsänderung am Ausgang des Inverterpaars 15-16 bzw. an der Ausgangsklemme 0 (dem Verbindungspunkt c) erfolgt rasch, da der Ausgang des MOSFETs 15 nicht mit einem großen Kondensator verbunden ist. Infolgedessen erreicht der Ausgang c des MOSFETs 15 während einer Zeitperiode t4 gemäß Figur 7c einen Absolutwert, der über dem Schwellenwert des MOSFETs 11 liegt, so daß der MOSFET 11 leitet.
Wird nun der Ausgang a des MOSFETs 11 während einer Zeitperiode t5 kleiner als der Schwellenwert des MOSFETs 13, so wird der MOSFET 13 nicht-leitend, während der MOSFET 15 nicht beeinflußt wird. Wird der Ausgang b des MOSFETs 13 während der nächsten Zeitperiode t6 größer als die Schwellenspannung des MOSFETs 15, so wird der MOSFET 15 leitend und der Ausgang c fällt sofort auf Erdpotential ab. Wird der Ausgang c des MOSFETs 15 während der nächsten Zeitperiode t7 kleiner als der Schwellenwert des MOSFETs 11, so wird der MOSFET 11 abgeschaltet und die Spannung am Ausgang a steigt allmählich. Im Anschluß daran wiederhole^ sich während der Arbeit des Impulsgenerators 22 die oben beschriebenen Vorgänge.
Der Ausgang des Impulsgenerators an der Klemme 0 hat infolgedessen die in Figur 7c gezeigte Wellenform.
S09830/Ö816
Wie oben erwähnt, wird jedoch die Oszillationsperiode des Impulsgenerators 22 durch Schwankungen in der Umgebungstemperatur und in der Versorgungsspannung beeinträchtigt. Außerdem haben die zur Bildung eines derartigen Impulsgenerators erzeugten MOSICs unterschiedliche Schwingungsperiode infolge der Unterschiede in den Schaltungskonstanten der die MOSICs bildenden einzelnen MOSFETs. Um diese Mängel zu beseitigen, ist, wie oben beschrieben, die Kompensationsschaltung 23 vorgesehen. Da der mit dem MOSFET 19 zusammengeschaltete MOSFET 20 unter den gleichen Bedingungen wie die MOSFETs 12, 14 und 16 hergestellt worden ist, weist er die gleiche Schwellenspannung Vm1T auf, wie jene.
Im folgenden soll die kompensierende Wirkung der Kompensationsschaltung 23.untersucht werden. Nimmt die Umgebungstemperatur des Impulsgenerators 22 zu, so nimmt der durch die MOSFETs 12 und 14 fließende Strom ab, was zu einem Anstieg der zur Aufladung der Kondensatoren 17 und 18 erforderlichen Zeit führt. Infolgedessen steigt auch das Tastverhältnis oder die Periode des Impulsgenerators, bis etwas zur Kompensation dieses Zustands unternommen wird.
Erfindungsgemäß nimmt jedoch wegen der Kompensationsschaltung der durch die MOSFETs 19 und 20 fließende Strom mit steigender Umgebungstemperatur ab. Da dann der Spannungsabfall am Widerstand 21 steigt, nimmt auch die an den Gate-Elektroden der MOSFETs und 14 liegende Gate-Spannung zu, so daß der Strom durch diese Transistoren steigt. Daher wird die sonst auftretende Abnahme im Tastverhältnis bzw. in der Oszillationsperiode kompensiert.
In ähnlicher Weise tritt bei einer Zunahme in der Versorgungsspannung V«« ein Anstieg in den jeweiligen Strömen durch die' MOSFETs 12 und 14 auf. Dieser Anstieg wird jedoch durch eine Zunahme des Spannungsabfalls am Widerstaid 21 kompensiert, da auch der Strom durch den MOSFET 19 ansteigt. Auf diese Art und Weise wird eine Kompensation von Schwankungen in der Versorgungsspannung bewirkt. . " ,
509830/081G
Wie ersichtlich, vermittelt die Erfindung eine Kompensation von Schwankungen in der Umgebungstemperatur, der Versorgungsspannung sowie von Unterschieden in den elektrischen Eigenschaften der einzelnen unterschiedlich hergestellte MOSICs bildenden MOSFETs unter den gleichen Arbeitsbedingungen, da die MOSFETs der Kompensationsschaltung unter den gleichen Produktionsbedingungen wie die MOSFETs des Impulsgenerators hergestellt worden sind.
£09830/0816

Claims (9)

  1. 24179&4
    Paten tansprüc he
    M .) Elektronische Kompensationsschaltung mit einer zwischen eine Klemme zum Anschluß an eine Bezugspotentialquelle und eine Klemme zum Anschluß an eine Energieversorgungsquelle eingeschalteten Serienschaltung aus einem ersten und einem zweiten Feldeffekttransistor, gekennzeichnet durch einen dritten Feldeffekttransistor (3, 6), dessen Source-Elektrode an die Bezugspotentialklemme, dessen Gate-Elektrode an eine feste Vorspannungsklemme und dessen Drain-Elektrode an die Gate-Elektrode des zweiten Feldeffekttransistors (1) angeschlossen ist, sowie einen zwischen" die Drain-Elektrode des dritten Transistors (3) und die Energieversorgungsklemme (VGG) eingeschalteten Widerstand (4).(Figur 1 ...5)
  2. 2. Kompensationsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Drain-Elektrode des zweiten Transistors (1) an die Energieversorgungsklemme (VGG) und die Source-Elektrode des ersten Transistors (2) an die Bezugspotentialklemme angeschlossen ist. (Figur 1 ... 5)
  3. 3. Kompensationsschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
    gekennzeichnet , daß die Gate-Elektrode des ■ dritten Transistors (3) an die Energieversorgungsklemme angeschlossen ist. (Figur 2)
    SÖ983Ö/0816
    241799
  4. 4. Kompensationsschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Gate-Elektrode des dritten Transistors (3) mit dessen Source-Elektrode verbunden ist. (Figur 4)
  5. 5. Kompensationsschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Gate-Elektrode des dritten Transistors (3, 6) mit dessen Drain-Elektrode verbunden ist. (Figur 3, 5)
  6. 6. Kompensationsschaltung nach Anspruch 4, gekennzeichnet, durch einen vierten Feldeffekttransistor (5), dessen Drain- und Source-Elektroden mit den Drain- bzw. Source-Elektroden des dritten Transistors (6) verbunden sind und dessen Gate-Elektrode an eine seiner Drain-Elektroden und an die Energieversorgungsklemme angeschlossen ist. (Figur 5)
  7. 7. Kompensationsschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß der erste und der vierte Transistor (2, 5) Feldeffekttransistoren des Anreicherungstyps mit isolierter Gate-Elektrode und der zweite und der dritte Transistor (1, 6) Feldeffekttransistoren des Verarmungstyps mit isolierter Gate-Elektrode sind. (Figur 5)
  8. 8. Impulsgenerator». g e k e a^Ii zeichne j^^^ifirch einen ersten, einen zweiten^ai^[^einen dritten Feldeffekttransistor (11, 13, 15) des^^eicherüngsi^p^^it>^olierter Gate-Elektrode, wobei^iie Drain-Elektrode jMs ersten^Transistors (11)
    509830/0816
    ORIGINAL INSPECTED
    INAOHQEHEIOHT
    DITTMANN SCHIFF V. FÜNER STREHL SCHÜBEL-HOPF EBBINGIIAtJS Q / -1 ΠΛΛ I
    Hitachi, Ltd. . ' .
    DA-11157 3. September 1974 /Q
    Neue Patentansprüche
    8. Verwendung der Kompensationsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7 in einem Impulsgenerator, bei dem zu der den ersten und den zwe it en Transistor (11, 12) enthaltenden Serienschaltung v/eitere gleiche Serienschaltungen aus jeweils einem ersten und einem zweiten Transistor (13...16) parallel geschaltet sind, die Gate-Elektroden aller zweiter Transistoren (12, 14, 16)'miteinander verbunden sind,, die Drain-Elektrode des ersten Transistors einer Serienschaltung jeweils an die Gate-Elektrode des ersten Transistors der nächsten Serienschaltung und die Drain-Elektrode des ersten Transistors (15) der letzten Serienschaltung an die Gate-Elektrode des ersten Transistors (11) der ersten Serienschaltung angeschlossen ist*
  9. 9. Verwendung der Kompensationsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7 in dem Impulsgenerator nach Anspruch 8, bei dem die Gate-Elektrode des ersten Transistors (13, 15) der zweiten bis letzten Serienschaltung jeweils über einen Kondensator (17» 19) mit der Bezugspotentialklemme verbunden ist.
    PS/CW . '
    509830/0816
DE19742417994 1974-01-16 1974-04-11 Kompensationseinrichtung fuer elektronische schaltungen Pending DE2417994A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB210574A GB1494491A (en) 1974-01-16 1974-01-16 Compensation means in combination with a pulse generator circuit utilising field effect transistors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2417994A1 true DE2417994A1 (de) 1975-07-24

Family

ID=9733714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19742417994 Pending DE2417994A1 (de) 1974-01-16 1974-04-11 Kompensationseinrichtung fuer elektronische schaltungen

Country Status (8)

Country Link
JP (1) JPS50104552A (de)
DE (1) DE2417994A1 (de)
FR (1) FR2258051B1 (de)
GB (1) GB1494491A (de)
HK (1) HK30779A (de)
IT (1) IT1010214B (de)
MY (1) MY7900225A (de)
NL (1) NL7412561A (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3009447A1 (de) * 1979-03-15 1980-09-25 Nat Semiconductor Corp Integrierter cmos-halbleiterbaustein
DE3017654A1 (de) * 1980-05-08 1981-11-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integrierte schaltungsanordnung
EP0052504A1 (de) * 1980-11-19 1982-05-26 Fujitsu Limited Halbleiterpufferverstärkerschaltung
EP0218333A1 (de) * 1985-08-13 1987-04-15 Nec Corporation Schaltungsanordnung für die Vorspannungsversorgung von Feldeffekttransistoren
DE3811949A1 (de) * 1988-04-11 1989-10-19 Telefunken Electronic Gmbh Schaltung zur einstellung des arbeitspunktes eines transistors

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5150641A (ja) * 1974-10-30 1976-05-04 Hitachi Ltd Parusuhatsuseikairo
JPS5267550A (en) * 1975-12-03 1977-06-04 Hitachi Ltd Compensation circuit
US4066982A (en) * 1976-03-30 1978-01-03 Itt Industries, Incorporated Oscillator circuit comprising integrated MIS field-effect transistors
GB2126030A (en) * 1982-06-25 1984-03-14 Atari Inc Digital delay circuit with compensation for parameters effecting operational speed thereof
US4710730A (en) * 1987-03-20 1987-12-01 Motorola, Inc. Data clock oscillator having accurate duty cycle
NL8701316A (nl) * 1987-06-05 1989-01-02 Philips Nv Oscillatorschakeling, omvattende een oscillator met een cmos-poort.

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3009447A1 (de) * 1979-03-15 1980-09-25 Nat Semiconductor Corp Integrierter cmos-halbleiterbaustein
DE3017654A1 (de) * 1980-05-08 1981-11-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integrierte schaltungsanordnung
EP0052504A1 (de) * 1980-11-19 1982-05-26 Fujitsu Limited Halbleiterpufferverstärkerschaltung
EP0218333A1 (de) * 1985-08-13 1987-04-15 Nec Corporation Schaltungsanordnung für die Vorspannungsversorgung von Feldeffekttransistoren
DE3811949A1 (de) * 1988-04-11 1989-10-19 Telefunken Electronic Gmbh Schaltung zur einstellung des arbeitspunktes eines transistors

Also Published As

Publication number Publication date
IT1010214B (it) 1977-01-10
NL7412561A (nl) 1975-07-18
MY7900225A (en) 1979-12-31
JPS50104552A (de) 1975-08-18
FR2258051B1 (de) 1977-03-04
HK30779A (en) 1979-05-18
GB1494491A (en) 1977-12-07
FR2258051A1 (de) 1975-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2541131C2 (de) Schaltungsanordnung zum Konstanthalten der Schaltverzögerung von FET-Inverterstufen in einer integrierten Schaltung
DE4034371C1 (de)
DE3625949A1 (de) Schaltung zum erzeugen eines stabilisierten stromes, insbesondere fuer integrierte mos-schaltungen
DE2153828B2 (de) Oszillatorschaltung mit Feldeffekttransistoren
DE2550107A1 (de) Schaltungsanordnung mit feldeffekttransistoren
DE2312414A1 (de) Verfahren zur herstellung von integrierten mos-schaltkreisen
DE69122541T2 (de) Statischer Schalter für mittlere Spannung
EP0010137A1 (de) Substratvorspannungs-Generatorschaltung
DE2323858A1 (de) Monolithisch integrierbare quarzoszillatorschaltung
DE102013106744A1 (de) Spannungsregelschaltung
DE2417994A1 (de) Kompensationseinrichtung fuer elektronische schaltungen
DE2316619A1 (de) Halbleiterschaltung
DE3779808T2 (de) Mikrowellen-frequenzvervielfacher mit selbstpolarisierender diode.
DE3872446T2 (de) Vorspannungseinrichtung, um eine spannungsunabhaengige kapazitanz zu verwirklichen.
DE3634637A1 (de) Differentiell geschalteter kondensator-integrator mit einem einzelnen integrationskondensator
DE3237778A1 (de) Dynamisches schieberegister
DE2524496A1 (de) Rechteckwellen-generator
DE69532423T2 (de) Gatetreiberschaltung zur Steuerung eines Halbleiterbauelements
DE2336123A1 (de) Bootstrap-schaltung
DE3300690A1 (de) Mos-schaltung mit fester verzoegerung
DE2548457A1 (de) Konstantspannungsschaltung
DE3705147C2 (de)
DE2819834C2 (de)
DE10136798B4 (de) Eingangsschnittstellenschaltung für eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung
DE69113414T2 (de) Integrierte Konstantstromversorgung.

Legal Events

Date Code Title Description
OHJ Non-payment of the annual fee