DE2408540A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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DE2408540A1 DE19742408540 DE2408540A DE2408540A1 DE 2408540 A1 DE2408540 A1 DE 2408540A1 DE 19742408540 DE19742408540 DE 19742408540 DE 2408540 A DE2408540 A DE 2408540A DE 2408540 A1 DE2408540 A1 DE 2408540A1
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Description

R. 19*3
6.2.1971* Pb/Sm
Anlage zur
Patent- und
Gebrauchs muster-Hilfsanmeldung
ROBERT BOSCH GMBH3 Stuttgart
Halbleiterbauelement
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer topologischen Struktur, bestehend aus mindestens zxiei, vorwiegend jedoch mehreren gleichen bzw. annähernd gleichen Teilelementen.
Halbleiterbauelemente wie beispielsweise Dioden oder Transistoren, die für größere Ströme ausgelegt sind, werden häufig aus einer Vielzahl η gleicher Zellen zusammengesetzt 3 von denen jede ein n-tel des Gesamtstroms beiträgt. Diese Strukturen finden sich besonders in der monolithisch integrierten Technik.
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ORIGINAL INSPECTED
- 2 - ΙΟ?'3
Je größer nun die Fläche eines Halbleiterbauelements wird, desto größer wird auch die Wahrscheinlichkeit, daß kleine Teilbereiche des Halbleiterbauelements Fehler aufweisen. Obwohl diese Teilbereiche außerordentlich klein sein können, bewirken sie doch den Ausfall des ganzen Halbleiterbauelements. Hierdurch nimmt in der Fertigung die Ausbeute mit zunehmender Kristallfläche rasch ab; entsprechend nehmen die Herstellungskosten überproportional der Kristallfläche zu. Bei Halbleiterbauelementen, die aus zwanzig und mehr gleichartigen Einzelzellen bestehen können, ist oft nur eine einzige £elle betroffen. Trotzdem ist das ganze Bauelement unbrauchbar.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einem Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art diese Nachteile zu beseitigen.
Erfindungsgemäß ist diese Aufgabe dadurch gelöst, daß Mittel vorgesehen sind, ε-in oder mehrere defekte Teilelemente der topologischen Struktur zu erkennen und das erkannte defekte Teilelement bzw. die erkannten defekten Teilelemente von dem verbleibenden guten Teil abzutrennen. Dabei können Widerstände in mindestens einer Elektrodenanschlußleitung eines jeden Teilelements angeordnet sein, die es durch Messen der Potentialdifferenz zwischen ihren beiden Endpunkten erlauben, die defekten Teilelemente zu erkennen. Die Widerstände in den Elektrodenanschlußleitungen bedeuten in der Regel keinen Mehraufwand, da sie zur Stabilisierung der Stromverteilung meist ohnehin benötigt werden. Als Mittel zum Abtrennen defekter Teilelemente von dem verbleibenden guten Teil können Teilstrecken des metallischen Verbindungsnetzwerks dienen, die die einzelnen Teilelemente miteinander verbinden.
Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Erkennen und Abtrennen defekter Teilelemente bei dem beschriebenen Halbleiterbauelement. Das Verfahren sieht erfindungsgemäß vor,
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defekte Teilelemerite beim Vormessen meßtechnisch zu erfassen und die Verbindungsleitung jeweils mindestens einer Elektrode der erkannten defekten Teilelemente mittels eines Stromstoßes unmittelbar nach dem Erkennen abzutrennen. Zum Kontaktieren der Meßeinrichtung sind Lands vorgesehen, die zweckmäßigerweise auch gleich zum Kontaktieren der Stromstoßeinrichtung dienen, mittels derer die Verbindungsleitungen durch Zufuhr elektrischer Energie abgebrannt werden. Lands und Schmclzbrücken können über aktiven Kristallbereichen angeordnet sein, so daß sie kaum zusätzliche Kristallfläche beanspruchen. Ist ein Halbleiterbauelement, auf das dieses Verfahren angewandt wird, so dimensioniert, daß es sich trotz der üblichen Fertigungsstreuungen sicher.herstellen läßt, so können in der Regel. bis zu 20 % der Zellen des Zellverbandes abgetrennt werden, ohne daß die Daten des so behandelten Halbleiterbauelements aus ihren Grenzwerten herausfallen.
Die Anordnung von Schmelzbrücken in einer oder mehreren Elektrodenzuleitungen kann selbstverständlich auch dazu führen, daß bei bestimmten Fehlern, die bei zunächst guten Bauelementen im praktischen Einsatz au'ftreten können, sich davon betroffene Zellen dadurch von selbst abtrennen, daß der Strom in den Schmelzbrücken zu groß wird. Auf diese Weise wird durch die Anordnung der Schmelzbrücken ein Selbstheileffekt erzielt.
Es zeigen:
Fig. 1 die Zusammenschaltung mehrerer Zellen zu einem Multizellentransistor mit der Anordnung von Meßwiderständen und Schmelzbrücken in den Zuleitungen;
. Fig. 2 eine Zusammenschaltung mehrerer Zellen zu einem Multizellentransistor mit der Anordnung von Meßwiderständen in den Basis- und Emitterleitungen, . wobei die Meßwiderstände in den Emitterleitungen ·
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- ή . . J SU* J '
gleichzeitig Symrnetrierwiderstände für die Stabilisierung der Stromverteilung sein und auch als Schmelzbrücken dienen können;
Fig. 3 eine mögliche Vereinfachung der Zusammenschaltung mehrerer Zellen zu einem Multizellentransistor mit der Anordnung von Meßwiderständen nur noch in den Basisleitungen und Schmelzbrücken in Basis- und Emitterleitungen, wobei der Engewiderstand der Schmelzbrücke in der Emitterleitung auch noch als Meßwiderstand dienen kann;
Fig. 4a, b den Querschnitt durch die Struktur einer Zelle mit einer Fehlstelle und dem dazugehörigen Ersatzschaltbild;
Fig. 5a, b einen Querschnitt durch die Struktur einer Zelle mit einer anderen möglichen Fehlstelle und dem dazugehörigen Ersatzschaltbild;
Fig. 6a, b den Querschnitt durch eine Zelle in monolithisch integrierter Struktur mit zwei nur bei mono,-lithisch integrierten Strukturen vorkommenden Fehlstellen, sowie das dazugehörige Ersatzschaltbild;
Fig. 7 die Zusammenschaltung mehrerer Zellen zu einem Multizellentransistor in der monolithisch integrierten Anordnung nach Fig. 6 mit der Anordnung von Meßwiderständen in den Basis leitungen, von Schmelzbrücken und Meßpunkten;
Fig. 8a, b den Querschnitt durch eine Zelle in monolithisch integrierter Struktur und die Draufsicht mit der Anordnung von Schmelzbrücken in Basis- und Emitterleitungen, sowie von Lands zum Kontaktieren der
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'S- hti
Meßeinrichtungen und der Stromstoßeinrichtungen zum Abbrennen der Schraelzbrücken.
In dem Multizellentransistor nach Pig. 1 sind C, E, B die nach außen führenden Kollektor-, Emitter- und Basisanschlüsse; 11, 12 bis In sind die Teiltransistoren des Verbands, 2IB, 22B ... 2nB Meßwiderstände in den Basis leitungen, entsprechend 31E, 32E bis 3nE Meßwiderstände in den Emitterleitungen und illC, 42C bis 4nC Meßwiderstände in den Kollektorleitungen; die Schmelzbrücken sind mit 7nB, 7nE, und 7nC bezeichnet; die Anschlußpunkte zum Abgreifen der Meßpotentiale sind mit 5nB, 5nE und 5nC bezeichnet. Ebenso sind die Anschlußpunkte für die Stromstoßeinrichtung zum Abbrennen der Schmelzbrücken 7nB, 7nE, 7nC mit 6nB, 6nE und 6nC bezeichnet; die Verbindungs.-punkte mit den Sammeischienen der Elektroden B, E, C sind mit bn, en, cn bezeichnet. Als Beispiel für die Anordnung von Meßwiderständen und Trennstellen wurde in Pig. I ein Transistor gewählt; dabei wurden die Meßwiderstände und die Trennstellen rein formal in jeder einzelnen Elektrode angeordnet. Bei diskreten Leistungstransistoren sind die Kollektoren direkt über das Substrat miteinander verbunden, können also nicht einzeln erfaßt werden.
Pig. 2 dagegen stellt ein praktisches Beispiel dar. Die Bezeichnungen stimmen mit denen von Pig. I überein. Zusätzlich ist symbolisch ein Meßinstrument 120 zum Erfassen des Kollektorstromes IC bzw. ein Meßinstrument 121 zum Ermitteln der Spannungsabfälle an den Meßwiderständen 2nB bzw. 3nE eingezeichnet. Die Emitterwiderstände 3nE können zur Stabilisierung der Stromverteilung auf die einzelnen Teiltransistoren dienen; in diesem Falle können sie als aufgedampfte Chr.om-Nickel-Widerstände ausgeführt sein und auch als Schmelzbrücken 7nE verwendet werden. Aber umgekehrt können auch Schmelzbrücken 7nE, diß in Form von Engstellen des normalen Metallisierungsnetzwerks ausgebildet sind, als Meßwiderstände 3nE verwendet werden. Besondere Emitterwiderstände sind deshalb nicht unbe-
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dingt erforderlich. Wird die Stromverteilung im Gesamttransistor auch ohne Emitterwiderstände beherrscht, so können diese entfallen. Es sind, wie in Fig. 3 angedeutet, in den Emitterleitungen nur noch Schmelzbrücken 7nE erforderlich. Da in diesem Fall außer dem Widerstand 2nB zwischen Basisanschluß bn und Emitteranschluß en kein weiterer strombegrenzender Widerstand mehr eingeschaltet ist, ist zum Abbrennen der Schmelzbrücke 7nB vor der Basis nur noch ein einziges Land 5nB erforderlich. Der Abbrennstrorc fließt vom Land 5nB über die Schmelzbrücke 7nB, die Basis-Emitter-Diode sowie die Schmelzbrücke 7nE und zurück über die Emitterleitung. Der Aufwand läßt sich so erheblich reduzieren. In der Programmfolge ist lediglich darauf zu achten, daß die Schmelzbrücke 7nB in der Basis-Leitung vor der Schmelzbrücke 7nE in der Emitterleitung abgeschmolzen wird.
Im Querschnitt, Fig. 4a, durch die Struktur einer Zelle ist 100 des Substrat, 101 eine epitaxiale Schicht gleicher Leitfähigkeit, 102 die Basis und 103 der Emitter. Mit 104 ist eine mögliche Fehlstelle zwischen Basis und Kollektor bezeichnet. Diese Fehlstelle bewirkt, wie in Fig. 4b angedeutet ist, einen Widerstand 106 zwischen Kollektor und Basis. Dieser Widerstand kann ohmschen Charakter aufweisen, aber auch durch eine Diode mit einem Parallel- und Reihenwiderstand gebildet werden. Wird zwischen Kollektor und Basis eine hinreichend hohe Sperrspannung angelegt, wobei die Sperrspannung stets unterhalb der regulären Durchbruchspannung zwischen Kollektor und Basis liegen wird, so fließt über diese Fehlstelle ein Strom vom Kollektor zur Basis und über den in die Basisleitung eingeschalteten Widerstand 2nB weiter. Diese Fehlstelle läßt sich somit über den am Widerstand 2nB auftretenden Spannungsabfall erkennen.
Im' Querschnitt nach Fig. 5a ist ein anderer Fehler 105 dargestellt. Dieser Fehler bewirkt eine direkte Verbindung zwischen Emitter und' Kollektor. Zusätzlich zu dem Neben-
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schlußwiderstand 106 tritt ein in der Regel niederohmiger Nebenschluß zwischen Kollektor und Emitter auf, der in Fig. 5b mit 107 bezeichnet ist. Diese Fehler lassen sich leicht mittels der Emitterwiderstände 3nE, die ja auch, wie schon erwähnt, durch die Schmelzbrücken gebildet sein können, erfassen. Wird die Kollektor-Emitter-Spannung hinreichend hoch gewählt, so gelingt der Nachweis dieser Fehler auch über die Basiswiderstände 2nB. Da die Widerstände 107 sehr niederohmig sein können, ist es zweckmäßig, mit kurzzeitigen Spannungsimpulsen zu messen.
Den Querschnitt eines Multizellentransistors in monolithisch integrierter Struktur stellt Fig. 6a dar. Hier ist 100 wieder das Substrat, 101 die jetzt entgegengesetzt dotierte epitaktische Schicht, 102 die Basis und 103 der Emitter. Um einen niederohmigen Kollektoranschluß zu ermöglichen, enthalten diese Strukturen wie üblich eine hochdotierte vergrabene Schicht und häufig eine hochdotierte Anschlußdiffusion 112, die es erlaubt, den an der Oberfläche befindlichen Kollektoranschluß niederohmig mit der vergrabenen Schicht zu verbinden. Bei diesen Strukturen können nicht nur die Fehler 104 und 105 auftreten, sondern auch noch weitere Fehler, wie etwa der Fehler 108 in Fig. 6a, der vom Emitter bis zum Substratkontakt reicht, oder aber der Fehler 109, der zwischen der vergrabenen Schicht 111 und dem Substrat 100 besteht. Entsprechend zeigt die Ersatzschaltung von Fig. 6b einen zusätzlichen Nebenschlußwiderstand 110 vom Kollektor C zum Substrat S. Diese Fehler lassen sich dann erfassen, wenn jede einzelne Zelle mittels der bei integrierten Strukturen üblichen Isolierungsdiffusion 113 von den übrigen Zellen elektrisch isoliert wird. Der zum Substrat fließende Strom hebt das Potential des Substrats in der näheren Umgebung des Fehlers an. Versieht man beispielsweise wie in Fig. 8b die Isolierungsdiffusion 113 auf den zwischen den einzelnen Zellen liegenden Abschnitten an der Oberfläche mit einer Metallisierung 117, die mit Lands verseilen ist, so läßt sich der Fehler durch Messen der Potentialdifferenz zwischen den Metallisierungen 117n und 117n + 1 lokalisieren.
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- 8 - . a g 6 ,
Fig. 7 zeigt eine mögliche Zusammenschaltung von Zellen in monolithisch integrierter Struktur zu einem Zellverband. In Fig. 7 ist zusätzlich die zwischen den einzelnen Zellen liegende Isolierungsdiffusion 113 1, 113 2, 113 3 bis 113n, die dazugehörenden Lands 8lS, 82S, 83S bis 8nS, sowie die Abschnitte des Substratwiderstands 9IS, 92S, 93S bis 9nS eingezeichnet.
Sind wie in den Fig. 6, 7 unß 8 die einzelnen Zellen gegeneinander isoliert, so lassen sich alle vorkommenden Fehler einzeln erfassen und die betreffenden Zellen abtrennen. Hierzu sind Schmelzbrücken 7nC in den Kollektorleitungen erforderlich. Die Schme'lzbrücken 7nE in den Emitter leitungen dagegen werden nicht benötigt. Sind die in die Basis leitungen eingeschalteten Basis vorwiderstände 2nB hinreichend hochohmig, so können unter Umständen auch die Schmelzbrücken 7nB in den Basis leitungen entfallen. Da jedoch die Isolierung der einzelnen Zellen gegeneinander durch die Isolierungsdiffusion 113n verhältnismäßig viel Platz beansprucht, kann es zweckmäßig sein, auf die Erfassung der Fehler I08 und 109 zu verzichten, zumal diese Fehler gegenüber den Fehlern 104, I05 verhältnismäßig selten auftreten. In diesem Falle wird man auch bei monolithisch integrierten Transistoren die Zellen in der Schaltung nach Fig. 3 miteinander verbinden.
Die bereits erwähnte Fig. 8 stellt Querschnitt (Fig. 8a) und Layout (Fig. 8b) einer gegen die übrigen Zellen isolierten Zelle dar. Neben den bereits bekannten Bezeichnungen ist hier 2nB der Basisvorwiderstand mit seinem anschlußseitigen Kontaktfenster bn; 114 ist die Metallisierung des Basisanschlußkontaktes, 115 die des Emitteranschlußkontaktes und II6 die des Kollektoranschlußkontaktes. 117n bzw. II7 (n+1) ist die Metallisierung der Isolierungsdiffusion zwischen den einzelnen Zellen, die am einen Ende jeweils mit einem Land 8nS bzw. 8(n+l)S zum Messen der jeweiligen Potentialdifferenz verbunden ist. Auf die Anordnung von Schmelzbrücken
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"9" ί &3j?
und den dazugehörigen Lands in den Kollektorleitungen wurde in diesem Ausführungsbeispiel verzichtet,
Defekte Zellen eines Zellverbandes werden beim Vormessen der Schaltkreise erfaßt. Wie im einzelnen vorzugehen ist, sei an Hand der Zusammenschaltung nach Fig. 3 beschrieben. Beispielsweise wird zunächst der Emitteranschluß E mit dem Basisanschluß B verbunden. Dann wird zwischen dem Kollektoranschluß C und dem gemeinsamen Anschluß E, B die geforderte Kollektorbetriebsspannung UCB angelegt. Liegt der mittels des Strommessers 120 erfaßte Kollektorstrom Ic unterhalb des zugelassenen Grenzwerts, so ist der Zellverband in Ordnung; eine weitere Prüfung auf Fehler erübrigt sich, und die Prüfung d.es Zellverbands tcann hier abgebrochen werden.
Ist der Strom jedoch zu groß, so wird in Folgeschritten des Programms mittels des Spannungsmessers 121 durch Abtasten des an den Basisvorwiderständen 2nB auftretenden Spannungsgefälles die erste schadhafte Zelle χ ermittelt. Ist diese Zelle gefunden, so wird vom Programm her die Stromstoßeinrichtung aufgerufen und mit ihrer Hilfe zuerst die Schmelzbrücke 7XB in der Basisleitung und danach die Schmelzbrücke 7XE in der Emitterleitung der x-ten Zelle abgeschmolzen. Ist diese Zelle herausgetrennt, so wird mittels des Strommessers 120 erneut wieder der Kollektorstrom Ic gemessen; liegt er jetzt unterhalb des zugelassenen Grenzwerts, so kann die Prüfung auf schadhafte Zellen beendet werden. Ist der Kollektorstrom noch: zu hoch, so müssen auch noch die verbliebenen Zellen nacheinander abgetastet werden; der beschriebene Vorgang wiederholt sich.
Enthält eine Zelle mehr als einen Widerstand zum Erfassen von Fehlern, so wird der Zustand dieser Zelle durch die Potentialdifferenz aller Widerstände gekennzeichnet. Man kann nun entweder mittels einer Spannungsmeßeinrichtung 121 die Potentiale an den Widerständen einer Zelle nacheinander erfassen, oder aber, um Meßzeit einzusparen, mit mehr als einer Spannungsmeßeinrichtung parallel messen. Ebenso kann es vorteil-
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haft sein, mit mehr als einer Meßeinrichtung mehr als eine Zelle - bis zu allen Zellen - parallel zu messen und mit mehr als einer Stromstoßeinrichtung mehr als eine Schmelzbrücke gleichzeitig aufzutrennen. Wird mit mehr als einer Spannungsmeßeinrichtung gemessen, so kann auch hier der Vorgang abgebrochen werden, sobald die schadhaften Zellen erkannt worden sind.
Bei monolithisch integrierten Strukturen mit isolierten Einzelzellen sind die Spannungsabfälle an den Substratwiderständen 9 (X-I)S, 9XS und 9 (X+I)S für die x-te Zelle charakteristisch. Statt direkt zu messen, können auch die Potentialdifferenzen zwischen den Lands 8 (X-I)S und 8XS aowie 8XS und 8 (X+I)S gemessen werden.
Das hier beschriebene Verfahren läßt sich auch auf andere Bauelemente als Transistoren wie etwa Dioden, Thyristoren, Triacs, feldgesteuerte und ähnliche Elemente anwenden; die Zahl der erforderlichen Meßwiderstände richtet sich stets nach der Zahl der Elektroden des Bauelements. Dabei kann es, um Fläche zu sparen, vorteilhaft sein, auf Meßwiderstände in einzelnen Elektrodenzuleitungen zu verzichten, wenn die dadurch zu erfassenden Fehler nur mit geringer Wahrscheinlichkeit auftreten.
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Claims (27)

  1. Ansprüche
    .y Haltleiterbauelement mit einer topologischen Struktur, bestehend aus mindestens zwei, vorwiegend jedoch mehreren gleichen bzw. annähernd gleichen Teilelementen, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel vorgesehen sind, ein oder mehrere defekte Teilelemente der topologischen Struktur zu erkennen und das erkannte defekte Teilelement bzw. die erkannten defekten Teilelemente von dem vorbleibenden guten Teil abzutrennen.
  2. 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Mittel zum Erkennen defekter Teilelemente Widerstände in mindestens einer Elektrodenanschlußleitung eines jeden Teilelements angeordnet sind.
  3. 3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zum Erkennen eines defekten Teilelements dienende Widerstand ein ohmscher Widerstand ist.
  4. 4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß der zum Erkennen eines defekten Teüelements dienende Widerstand durch die gleiche Halbleiterzone wie •die zugehörige Elektrode gebildet ist.
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  5. 5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zum Erkennen eines defekten Teileiements dienende Widerstand durch eine beliebige Halbleiterzone des Halbleiterbauelements gebildet ist.
  6. 6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3S dadurch gekennzeichnet , daß der zum Erkennen eines defekten Teilelements dienende Widerstand durch Teilstrecken des metallischen Verbindungsnetzwerks der Teilelemente miteinander gebildet ist.
  7. 7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die zum Erkennen eines defekten Teilelements dienenden Teilstrecken des metallischen Verbindungsnetzwerks einen gegenüber dem übrigen Verbindungsnetzwerk verminderten Querschnitt aufweisen und/oder aus einem hochohmigeren Material, beispielsweise aus Nickel - Chrom, bestehen.
  8. 8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zum Erkennen eines defekten Teilelements dienende Widerstand aus der Parallelschaltung von mindestens zwei Widerständen besteht, die entweder durch verschiedene Halbleiterzonen oder durch mindestens eine Halbleiterzone und Teilstrecken des metallischen Verbindungsnetzwerks gebildet werden.
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    U $ h
  9. 9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zum Erkennen eines defekten Teilelements dienende Widerstand ein nichtlinearer Widerstand ist.
  10. 10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9S dadurch gekennzeichnet, daß der zum Erkennen eines defekten Teilelements dienende Widerstand eine Diode ist.
  11. 11. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der zum Erkennen eines defekten Teilelements dienende Widerstand ein zu diesem Zweck zusätzlich eingeführter Widerstand ist.
  12. 12. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der zum Erkennen eines defekten Teilelements dienende Widerstand ein zum Zu- sammensehalten der einzelnen Zellen zum Zellverband ohnehin erforderlicher Widerstand ist.
  13. 13. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der zum Erkennen eines defekten Teilelements dienende Widerstand ein von der Struktur der einzelnen Zelle her gegebener Widerstand ist.
  14. 14. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß als Merkmal zum Erkennen de-
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    fekter Teilelemente der von ihrem fehlerbedingten Leckstrom in den Widerständen erzeugte Spannungsabfall dient.
  15. 15. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß als Mittel zum Abtrennen defekter Teilelemente von dem verbleibenden guten Teil Teilstrecken des metallischen Verbindungsnetzwerks dienen, die die einzelnen Teilelemente miteinander verbinden.
  16. 16. Halbleiterbauelement nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die zum Abtrennen defekter Teilelemente dienenden Teilstrecken des metallischen Verbindungsnetzwerks einen verminderten Querschnitt aufweisen und/oder aus einem anderen Material, vorzugsweise aus einem hochohmigeren Material als das übrige Verbindungsnetzwerk, beispielsweise aus Nickel - Chrom, bestehen.
  17. 17. Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 6 und 15, dadurch gekennzeichnet, daß zum Erkennen defekter Teilelemente dienende Teilstrecken des metallischen Verbindungsnetzwerks auch zum Abtrennen defekter Teilelemente dienen.
  18. 18. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 15 und 16, dadurch gekennzeichnet, daß die zum Abtrennen defekter Teilelemente dienenden Teilstrecken des metallischen 'Verbindungsnetzwerks durch einen elektrischen Stromstoß zerstörbar sind.
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  19. 19. Halbleiterbauelement nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß pro Tsilelemont mindestens ein Land angeordnet ist, das zum Kontaktieren von mindestens einer Meßeinrichtung dient.
  20. 20. Halbleiterbauelement nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß pro Teilelement mindestens ein Land angeordnet ist, das zum Kontaktieren von mindestens einer Stromstoßeinrichtung dient.
  21. 21. Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 19 und 20, dadurch gekennzeichnet, daß die zum Kontaktieren der Meßeinrichtung dienenden Lands auch zum Kontaktieren dar Stromstoßeinrichtung verwendet werden.'
  22. 22. Verfahren zum Erkennen und Abtrennen defekter Teilelernente bei einem Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 2 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Elektrodenpaar in Sperrichtung mit einer Spannung, die unterhalb der regulären Durchbruchspannung liegt, beansprucht wird und daß die Messung der einzelnen Teilelemente auf Erkennung fehlerhafter Teilelemente eingeleitet wird, wenn der nach Anlegen der Sperrspannung fließende Sperrstrom einen zugelassenen Grenzifert überschreitet.
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  23. 23· Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß mehr als ein Elektrodenpaar gleichzeitig oder nacheinander in Sperrichtung mit einer Spannung beaufschlagt wird, die unterhalb der regulären Durchbruchsρannung liegt.
  24. 24. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 22 und 23,
    gekennzeichnet durch eine Spannung in Sperrichtung, die
    aus mindestens einem kurzzeitigen Spannungsimpuls besteht.
  25. 25· Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 22 bis 24, gekennzeichnet durch die Programmfolge:
    1. Prüfen des Zellverbands auf Grenzwerte des Reststroms bzw. der Restströme;
    2. bei Restströmen unterhalb des Grenzwerts Akzeptieren des Halbleiterbauelements und Abbrechen der Programmfolge bzw. bei überschrittenem Grenzwert Portsetzen der Programmfolge mit Messen des leckstrombedingten Spannungsabfalls bzw. der leckstrombedingten Spannungsabfälle an den dafür vorgesehenen Widerständen der einzelnen Zellen, beginnend bei einer ersten Zelle und Prüfen auf den zugehörenden Grenzwert bzw. die zugehörenden Grenzwerte;
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    - 17 - ^ * A
    3. Abbrechen der Programmfolge, sobald bei einer Zelle der (erste zulässige) Grenzwert überschritten ist, und Abtrennen der schadhaften Zelle;
    M. nach dem Abtrennen der schadhaften Zelle Messen des Reststroms des verbleibenden Zellverbands; liegt dieser unterhalb des Grenzwerts, dann Abbrechen der Programmfolge und Akzeptieren des Halbleiterbauelements; wenn nicht, V/eiterführen des Programms mit dem nächstfolgenden Teilelement so lange, bis das Halbleiterbauelement beim Messen des Reststroms des verbleibenden Zeliverbands als gut akzeptiert wird oder aber dadurch, daß, wenn mehr Teilelemente des Zellverbands als zugelassen abgetrennt werden müßten, die Programmfolge abgebrochen und das Halbleiterbauelement als schlecht verworfen wird.
  26. 26. Verfahren nach Anspruch 25, gekennzeichnet durch die Verwendung von mehr als einer Meßeinrichtung zum gleichzeitigen Erfassen der zulässigen, leckstrombedingten Grenzwerte von mehr als einer Elektrode und/oder mehr als einer Zelle.
  27. 27. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 26, gekennzeichnet durch den Einsatz von mehr als einer Stromstoßeinrichtung zum parallel betriebenen Abtrennen mehr als eines defekten Teilelementes vom Zellverband.
    1 Z.
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