DE2408402A1 - Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen bzw. nach einem solchen verfahren hergestellte integrierte halbleiterschaltungseinheit - Google Patents

Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen bzw. nach einem solchen verfahren hergestellte integrierte halbleiterschaltungseinheit

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Anthony Gerard Dervan
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8103986A (nl) * 1980-08-29 1982-03-16 Tokyo Shibaura Electric Co Geintegreerde halfgeleiderschakeling en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
EP0041776A3 (en) * 1980-05-14 1983-12-21 Fujitsu Limited Method of manufacturing a semiconductor device comprising an isolation structure
EP0044082A3 (en) * 1980-07-16 1984-09-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a semiconductor device comprising a dielectric insulating region
WO1996024161A1 (en) * 1995-01-30 1996-08-08 The Whitaker Corporation Electronic device and process for making same

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55153345A (en) * 1979-05-18 1980-11-29 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
US4630343A (en) * 1981-03-16 1986-12-23 Fairchild Camera & Instrument Corp. Product for making isolated semiconductor structure
DE3273863D1 (en) * 1981-03-16 1986-11-20 Fairchild Camera Instr Co Low temperature melting binary glasses for leveling surfaces of integrated circuits containing isolation grooves
US4492717A (en) * 1981-07-27 1985-01-08 International Business Machines Corporation Method for forming a planarized integrated circuit

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0041776A3 (en) * 1980-05-14 1983-12-21 Fujitsu Limited Method of manufacturing a semiconductor device comprising an isolation structure
EP0044082A3 (en) * 1980-07-16 1984-09-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a semiconductor device comprising a dielectric insulating region
NL8103986A (nl) * 1980-08-29 1982-03-16 Tokyo Shibaura Electric Co Geintegreerde halfgeleiderschakeling en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
DE3134110A1 (de) * 1980-08-29 1982-04-08 Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa Integrierte halbleiterschaltung
WO1996024161A1 (en) * 1995-01-30 1996-08-08 The Whitaker Corporation Electronic device and process for making same

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