DE2403191A1 - Integrierte halbleiterschaltung mit seitlichem transistor - Google Patents

Integrierte halbleiterschaltung mit seitlichem transistor

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Noboru Horie
Naonobu Sato
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    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
    • H10D62/133—Emitter regions of BJTs
    • H10D62/134—Emitter regions of BJTs of lateral BJTs
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