DE2363620A1 - Trockene vorsensibilisierte planographische platte - Google Patents
Trockene vorsensibilisierte planographische platteInfo
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Description
Patentanwalt»
DipL-lng. A. Grünecker
Dr.-Inc) H. Kinkdaoy 20. Dszomber 1973
Dr.-lr.j. '//. Stccknair
8 München C-S, Ma.rimi/ianstr. 43 ρ
236362Q
Fuji Photo Film Co., Ltd.
No. 210, Nakanuma, Minarai Ashigara-shi-, Kanagawa,
Japan
Platte
Die Erfindung betrifft eine trockene vorsensibilisierte planographische
Platte.
Platten der genannten Art erfordern keine Quellösung und
werden daher als "trocken" bezeichnet.
Ss ist eine trockene vorsensibilisierte pianographische Platte bekannt, bei der man sich der Eigenschaft von Siliconkautschulcen
bedient, Druckfarben abzustossen. Sine solche trockene vorsensibilisierte
pianographische Platte weist eine Schicht eines photoempfindlichen Materials und eine von dieser getrennte
Schicht eines Siliconkauischuks auf. Platten dieser
Art sind beispielsweise in den US-PSen 3 677 178 und 3 511 173 · beschrieben.
Die bekannten Platten weisen jedoch die folgenden Nachteile auf:
(1) Aufgrund ihrer Mehr Schichtenstruktur f die in der Regel
aus der photoempfindlichen Schicht und der Kautschukschicht
besteht, muss bei der Herstellung dieser planogräphischen Platten vor allem auf einen festen Verbund zwischen diesen
beiden Schichten geachtet werden.
(2) Bei jenen Typen pianographischer Platten, deren Oberschicht
die Siliconkautschukschicht ist, ist diese hinsichtlich ihrer Stärke engen Grenzen ausgesetzt, da sie
den Durchtritt eines Entwicklers nicht verhindern darf.
(3) Im entgegengesetzten Plattentyp, bei dem die photoempfindliche
Schicht auf der Siliconkautschukschicht aufgebracht ist, ist zusätzlich ein temporärer Träger erforderlich.
.Ausserdem ist ein festes Haften der photoempfindlichen
Schicht auf der Kautschukschicht kaum zu erreichen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die bekannten pianographischen Platten zu verbessern, die vorstehend beschriebenen Nachteile zu vermeiden und Platten
der genannten Art zu schaffen, die einfach und billig herzustellen sind und ein fehlerfreies und sicheres Arbeiten
erlauben. · ■
Zur Lösung dieser Aufgabe xvärd erfindungsgemäss eine trockene
vorsensibxlisierte pianographische Platte vorgeschlagen, die dadurch gekennzeichnet ist,, dass man auf einem Träger eine
oder zwei Schichten aus (a) einem Siliconkautschuk, (b) einer photoempfindlichen Azidverbindung, (c) einem cyclisierten
Kautschuk und (d) einem Vinylidenchlorid-Äcrylnitril-Copolymerisat
aufgebracht sind, wobei, wenn die planogra— phische Platte zwei Schichten hat, die obere Schicht zumindest
die Komponenten (a) und (b) und die untere Schicht zumindest· die Komponente (c) enthält.
Die Platte gemäss der Erfindung v/eist also eine vollkommen
neue Struktur auf, die vor allem dadurch gekennzeichnet ist, dass das photoempfindliche Material und der Siliconkautschuk
in einer einzigen Schicht vorliegen. Die Platten gemäss der Erfindung eignen sich vor allem als Positivplatten.
,
Einer der v/ichtigsten Aspekte der Erfindung liegt dabei
in der Tatsache, dass man äne photo empfindliche Stickstoffverbindung
und einen Siliconkautschuk in einer einzigen Schicht verwendet. Ein weiteres wichtiges Merkmal der Erfindung liegt darin, dass man einen cyclisierten Kautschuk
in Kombination mit der photoempfindlichen Stickstoffverbindung· und weiterhin ein Copolymerisat von Vinylidenchlorid
und Acrylnitril als Kombinationskomponenten der vorgenannten Bestandteile zur Erhöhung der Festigkeit der das photoempfihdliche
Material enthaltenden Siliconkautschukschicht verwendet. Dadurch wird gleichseitig eine bessere Entwicklungsfähigkeit
der Platten erzielt.
Praktische Ausf ührungsbeispiele der trockenen vorsensibilisierten
pianographischen Platte gemäss.der Erfindung können wie folgt hercjestellt v/erden:
1) Sine homogene Lösung eines Gemisches aus einem Silicongummi
("a), einer photoempfindlichen Stickstoffverbindung (b),
eines cyclisierten Kautschuks (c) und eines Vinylidenchlorid-Acrylnitril-Copolymerisats
(d) wird auf einen geeigneten Träger, beispielsweise auf eine Aluminiumfolie, aufgetragen.
2) Eine aus einem cyclisierten Kautschuk (c) und einem Copolymerisat von Vinylidenchlorid und Acrylnitril (d)
bestehende Beschichtungsmasse wird als Unterschicht auf einen geeigneten Träger, beispielsv/eise auf eine Aluminiumfolie oder ein Aluminiumblech, aufgetragen. Auf diese Schicht
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wird anschliessend eine homogene 'Lösung eines Silicongumrais
(a) und einer photοempfindlichen Stickstoffverbindung (b)
aufgetragen.
3) Eine Beschichtungsmasse, die eine cyclisierten Kautschuk (c) enthält, wird auf einen geeigneten Träger, beispielsweise
auf eine Aluminiumfolie, aufgebracht.- Auf diese Unterschicht wird dann anschliessend eine homogene Lösung eines Gemisches
aus einem Silicongummi (a), einer photoempfindlichen Stickstoffverbindung
(b) und einem Copolymerisat aus Vinyliden-'
Chlorid und Acrylnitril (d) aufgetragen.
Die im Rahmen der Erfindung verwendeten Stoffe sind nachstehend
eingehender beschrieben»
Als Silicongummi kann Einkoiuponentenmaterial und Zweikomponentemraterial
verwendet werden, das bei Raumtemperatur vulkanisier bar ist. Im Rahmen dieser Beschreibung wird -zwischen
den Ausdrücken "Silicongummi" und "Siliconkautschuk" unterschieden,
und zwar bedeutet "Silicongummi" ein nichtvul— kanisiertes Polyorganosiloxan, während der'Ausdruck "Siliconkautschuk"
ein vulkanisiertes Polyorganosiloxan bezeichnet. Die Silicongunimis können einzeln oder als Gemisch verwendet
v/erden.
Zu den Einkomponenten-Silicongummis gehören beispielsweig e
jene, die Dimethylpolysiloxanketten mit endständigen Acetyl-,
Oxim-, Alkyl- oder Aminogruppen enthalten. Siliconguramis
vom Einkomponententyp sind lineare Verbindungen mit wiederkehrenden
Baugruppen der allgemeinen Formel
H«
-Si - ΟΙ
Η«.
4O982S/O88?.= 2-2000
wobei die Reste R' je gleich oder, verschieden voneinander
sein können und eine einwertige Alkyl- oder Arylgruppe oder eine Cyanoarylgruppe bedeuten lcönneri. Im. allgemeinen
sind weniger als 2-3 Mo 1-% der Reste R' Vinylphenyl oder Halogenvinyl oder Phenyl, am häufigsten· und wichtigsten hat
der Rest R1 jedoch die 3edeutung einer Methylgruppe.
Silicongummis dieser Art enthalten die folgenden Endgruppen:
Si-O-
wobei R eine Alkylgruppe mit 1-3 Kohlenstoffatomen und R'
die gleiche Bedeutung- wie vorstehend angegeben hat;
R1
(AcO)P -Si-O- I
(AcO)P -Si-O- I
wobei Ac eine Äcetylgruppe ist und R1 die gleiche Bedeutung
wie vorstehend hat;'
R'
(RKHO)2 - Si - 0 -
wobei R- eine Alkylgruppe mit 1 — 3 Kohlenstoffatomen ist und
R1 die gleiche Bedeutung wie vorstehend hat; und
C=H-015-Si - 0 - i
ß  Ί
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wobei R eina Alley !gruppe mit 1 - ·3 Kohlenstoff atomen ist
und R1 die" gleiche Bedeutung wie vorstehend beschrieben hat.
Die Sinkomponentensilicongummis können durch Vernetzen an
den vorstehend beschriebenen Kndgruppen'durch Hydrolyse zu ·
einem hochmolekularen Siliconkautschuk vulkanisiert oder polymerisiert werden. Die bei der Hydrolyse entstehenden
Nebenprodukte sind je nach Art der Endgruppe Essigsäure, ein Alkohol oder ein Oxim; .Je nach Art der in Freiheit gesetzten
Komponenten werden die im Handel erhältlichen SiIicongumniis
nach vier Gruppen klassifiziert: Essigsäure abgebender Typ, Oxim abgebender Typ, Alkohol abgebender Typ
und Amine abgebender Typ. Im Rahmen der Erfindung, warden die
Alkohole abgebenden Typen bevorzugt.
Nachstehend sind einige im Handel erhältliche Silicongummis
vom Essigsäure abgebenden Typ zusammengestellt: KS-41RTV
(wob'ei RTV für Raumtemperaturvulkanisation steht) und KE-42RTV
(Shin-etsu Chemical Industries Co.), SH-781RTV, SH-9731RTV1
SH-9732RTV, SH-9737RW.und SH-914ORTV (TorayrSilicone Co.)
und TSS-370 (Tokyo Shibaura Electric Co.), wobei die genannten
Produkte die allgemeine Formel " -
(AcO)a - Si - 0 -
haben, in der \R eine Alkylgruppe mit 1-3 Kohlenstoffenatoine
■ und Ac eine Acetylgruppe "bedeuten.
Die im Handel erhältlichen Silicongumais vom Oxim in Freiheit
setzenden Typ sind die folgenden: KE-44RTV und KE-45RTV (Shin-'etsu
Chemical Industries Co.) und SH-7S0-RTV und PRX-3O5-Dis-
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'ί ■ f
236362OiHvI
persion (Toray Silicone Co.), wobei diese Silicongummis die
allgemeine Formel
B
R-,
R-,
C=N-O-Hr-Si - 0 -
J^
haben, wobei Pv. eine Alkylgruppe mit 1-3 Kohlenstoffatomen ist.
Die im Handel erhältlichen Silicongummis vom Alkohol liefernden Typ seien an folgenden Beispielen spezifiziert: DC-3140RTV
(Dow-Corning Co.) und Silaseal B (Fuji Kobunshi Co.).
Als Vertreter für die im Handel erhältlichen Silicongummis
vom Amin liefernden Typ seien schliesslicr* folgende genannt:
Elastseal 33, Elastseal 34, Slastseal 50 und Elastseal 59 (Wacker Chemie Co.). , wobei diese Gumnu. typen die allgemeine
Formel
E
(RNHO)2 - Si - 0
(RNHO)2 - Si - 0
haben, wobei R eine Alkylgruppe mit 1-3 Kohlenstoffatomen ist.
Die auf der Basis von Zweikomponentensystemen aufgebauten
Silicongummis können nach zwei Gruppen klassifiziert werden:
der Kondensat ions typ und der Additions typ-.
Die Zweikomponentensilicongummis vom Additionstyp beruhen auf einem der folgenden beiden Reaktionsprinzipien:
R. 'Γ. Β-.-' B' ". ?' !
A-O-Si-CH=CH, + H-Si-O-B-^-A-O-Si-CH2-CH2-Si-O-B'
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δ' Β* ' β« ■ " Β»
I- ι · ι ι
3-Si-CH2-CH=CH2 + H-Si-O-B-^A-O-Si-CHp-CHp-CHp-Si-O-B
I Il t
£·
^- ^ ι
wobei R1 die gleiche Bedeutung wie vorstehend beschrieben hat.
In den vorstehenden Reaktionsgleichungen bedeuten die Symbole A und B die Organosiloxanreste, die an diesen Additionspolymerisationsendgruppen
sitzen. Die Gruppen A und B können gleich oder auch verschieden voneinander sein. Ihre Zusammensetzung
kann schwanken, da das Hauptmerkmal dieser Art Organosiloxane in der Art ihrer zur Additionspolymerisation
fähigen Endgruppen liegt. Bei der Additionspolvüierisation
v/erden Palladiumverbindungen oder Platinverbindungen als Katalysatoren verwendet. Die Vernetzung zum Kautschuk er-·
folgt dabei im Falle der Additionspolymerisation durch Reaktion zwischen den ungesättigten Gruppen, wie beispielsweise
einer Vinylgruppe oder einer Allylgruppe und der Gruppe
R1
- 0 - Si - H,j
Die zwei Komponenten solcher Zweikomponentensiliconguiiunifcypen.
bestehen also zum einen aus der Katalysatorkomponente und
zum anderen aus der Siloxankomponente, die bei der Verwendung miteinander vermischt werden.
Ein spezifisches Beispiel für einen Zweijcomponentensiliconguiiimi
vom Additions typ ist ein System, dessen eine Komponente ~B±rr Gemisch eines Organopoiysiloxans mit einer Vinylgruppe
im Molekül und eines Organohydrogenpolvsiloxans ist, beispiels-
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v/eise also ein Gemisch, von Verbindungan mit endständigen
Gruppen dar allgemeinen Formel
R1
- O' - Si - CH =
R'
R'
für die Endgruppe des Polyorganosiloxans und
R«
~ 0 - Si - H
R*
R*
für die Bndgruppe das Organohydrogenpolysiloxans, wobei R1
die-vorstehend beschriebene Bedeutung hat. Die andere Komponente
ist der Katalysator, beispielsweise eine Platinverbindung
oder eine Palladiumverbindung. Häufig wird als Katalysator HpPtCl,. verwendet. Dia beiden Komponenten v/arden
unmittelbar vor dem Gebrauch miteinander vermischt.
Die im Handel erhältlichen Silicongumraisorten" vom Additions—
typ sind beispielsweise folgende: KE-1O3RTV, KE-1O6RW und
KS-13OORTV (Shin-etsu Chemical Industries Co.) und SH-9555RTV
(Toray—Silicone Co.J1 wobei R1 in der vorstehenden Formel
eine Allcylgruppe mit 1-3 Kohlenstoffatotaen isfc.
Die Zv/eikoraponentensiliconguiTiniis vom Kondensationstyp
vernetzen im. allgemeinen auf der Grundlage der folgenden Reaktion: ·
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R» ■ R1 R» R1
! ■ ' i I ■ I ■. ■
A-O-Si-OR + B-O-Si- OH —?■ A-O-Si-O-Si-OB + EOH
R« R« R' R«
wobei R1 , R, A und B die gleiche Bedeutung wie vor stallend
beschrieben haben. Die an der Kondansation beteiligten
Endgruppen können beispielsweise folgende Gruppen sein:
R1 I
- 0 - Si - OR
R« -
H1
- 0 - Si - OH
I R1
Als geeigneter Katalysator, also als zweite Komponente, sei
SnCl- genannt.
Die im Handel erhältlichen Silicongumrais vom. Kondensations typ
unifassen beispielsweise folgende Verbindungen: KK-ICRTV, KB-12RTV,
K3-15RTV, KS-17RTV, 1C3-2ORTV, KS-1O2RTV (Shin-etsu
Chemical Industries Co.) und SH-95SlRTV, SH-9552RTV, SH-9553RTV
und SH-9554RTV (Toray-Silicona Co.), \^bei R1. in
den vorstehenden Formeln eine Alkylgruppa mit 1 — 3 Kohlenstoff
at omen ist. . -.
Als Stickstoffverbindungen können insbesondere und Vorzugspreise
an sich bekannte photoempfindliche Azidoverbindungen
mit einer Äzidgruppe ira Molekül verwendet werden. Dabei
sind die aromatischen Azide bevorzugt. Azide dieser Art sind im einzelnen beispielsweise bei M.S. Dinaburg, "Photosensitive
Diazo Compounds", The Focal Library, bei Takahiro Tsunoda, "Kankosei Jushi" (Photoerapfindlicha Harze), Insatsu
Gakkai, und bei -J. Kosar, "Light-Sensitive Systems", S. 330-336,
John Wiley &. Sons, beschrieben.
Spezielle Beispiele für solche photoempfindlichen Azide sind die folgenden: 2, ö-Dichlor-^V-nitro-azidobenzol, Azidophenylarnin,
3,3'-Dimethoxy-4,4'-diaz idodiphenyl, 4'-Methoxy-4-azidodiphenylamin,
4,4' -Diazidodiphenylamin, 4,4' -Diazidodiphenylme than,
4' -ITit rophenylazobenzol-4-azid, 1-Azidopyren, .3,3' -DimethyI-4,4'-diazidodiphenyl,
4,4'-Diazidophenyiazonaphthalin, p-Phenylen-bisazid,
p—Azidobenzophenon, 4,4'-Diazidophenyl- ·
methan, 4,4'-diazidostilben, 4,4'-Diazidocarcon, 2,6-Di-(4'-azidobenzal)-cyclohexanon
oder 2,6-Di-(4-asidobenzal).-··■
4-methylcyclohexanon. Diese Azide können allein verwendet
werden, jedoch ist es vorteilhafter, bei einem Maximum der Photoempfindlichkeit im kurzwelligen Be.reich das Azid spektral
zu sensibilisieren, so dass eine ausreichende Photoempfind—
lichkeit auch im längerwelligen Bereich vorliegt. Als Sensibilisatoren
können die folgenden Verbindungen dienen: 1-Hitropyren., l-Äthyl-2-(ß-styryl)-chinoliniumjodid, 1-Athyl-2-(p-hydroxyäthoxystyryl)-chinoliniumjodid,
l-Methyl-4' hydroxyäthoxystilbazoliummethosulfat,
2- (3-Sulfobenzoylmefchylen)-l-methyl-ß-naphthothiazolin
und 2-Banzoylmethylen-lmethyl-ß-naphthothiazolin.
Ein wesentlicher Vorteil und ein wesentliches Merkmal der Erfindung ist, dass insbesondere die genannten Azide und
photoempfindliche Azide der genannten Art mit dem -Siliconkautschuk
in einer einzigen Schicht vorliegen. ' ■
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Sin cyclisierter Kautschuk wird durch allmähliches Erwärmen,
eines Naturkautschuks oder durch 3ahandeln eines Naturkautschuks mit einem Säurekatalysator erhalten. Ein solcher
cyclisierter Kautschuk enthält Baugruppen mit folgender Struktur:
- CH2,
I 3
-CE2-C-C-CH, -'
ι ·ιι 2
HpC C - CH,
2J f 3
Cyclisierte Kautschuke dieser Art sind bekannt, !beispielsweise
aus vV.J.S. !Kaunton, "The Applied Science of Rubber",
S. 90/98, Edward Arnold Publishers Ltd., London; W.J. Roff
et al. "Fibres, Films, Plastics and Rubbers", S. 336/340, Butterworths, London, und aus der US-PS 2 852 379-
Cyclisierter Kautschuk ist im Handel erhältlich, beispisls-
\^eise als Thermolite-S, Thermolite-P oder Thermolite-H
(Seiko Chemical Co»). Diese im Handel erhältlichen cyclisierten
Kautschuke werden durch Cyciisieren von Naturgummi
mit Zinn(IV)-chlorid hergestellt.
Im Rahmen der Erfindung zu verwendendes Copolyraerisat von
Vinylidenchlorid und Acrylnitril kann Baugruppen der beiden Komponenten im Molverhältnis von ca« 7O : 3O bis 91 ϊ 9 enthalten,
\vobei der bevorzugte Viskositätsbereich zwischen etwa 1 - 7 cP (2 gew»-%ige Lösung in Dimethylformamid bei
25 C) liegt. Auch diese Copolvmerisate sind im Handel'
erhältlich, beispielsweise als oaran-Harze (Dow Chemical), Es werden jedoch insbesondere solche Copolymerisate vorgezogen,
bei denen das Molverhältnis von Vinylidenchlorid zu Acrylnitril im Copolyrnerisat etwa SO : 20 beträgt.
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Als spezielle Beispiele für solche Vinylidenchlorid-Acrylnitril-Copolymerisate
seien genannt: ΞΧ-57Ο1 (Asahi Dow) und F-310 und F-220 (Dow Chemical).
Als Träger für die trockenen vorsensibilxsierten pianographischen
Platten gamäss der Erfindung kommen Metallbleche
oder 1-i.etallfolien in Frage, beispielsv/eise aus Aluminium,
Zink, Kupfer oder Eisen. Das Metallblech kann dabei im vom Iiandel gelieferten Zustand oder gegebenenfalls nach
Aufrauhen dar Ober fläche verwendet werden. Bei dar Verwendung von Ältnniniumfolien oder -blechen können diese vor
der Verwendung einer chemischen Behandlung unterworfen werden, wie sie beispielsweise in den US-FSen 2 714 065, 3 280 734,
3 ISl 461 und 2 .332 153 beschrieben ist. Auch können die Aluminiumbleche vor der Verwendung anodisch oxidiert .v/erden.
Als Träger können ixn Rahmen der Erfindung auch Polyesterfolien oder CelluloseacetatΙτ^.Ιen mit guter Dimensionsbestäridigkeit
verwendet werden. Weiterhin kommen zu dem gleichen Sweck die sogenannten Laminatpapiere in Frage, also Papiere,
die mit einer Polymerisatfolie oder einer Aluminiumfolie laminiert sind.
Auf die Oberfläche des jeweils verwendeten Trägers kann als
Unterschicht auch eine Schicht aufgebracht sein, die die Haftfestigkeit der Oberfläche verbessert. Besonders gute
• Ergebnisse werden dabei mit einam Sxliccnpriraer erzielt.
Vorzugsweise werden als Siliconprimer Lösungen von Monomeren oder Stoffen mit niedrigem Molekulargewicht in nichtpolaren
Lösungsmitteln bevorzugt. Besonders gute Ergebnisse werden mit Lösungen der folgenden Stoffe erhalten: organische Silane
mit funktionellen Kohlenstoff gruppen, beispielsweise Alkylsilanol,
deren Ester, Organoalkoxysilane oder Älkylvxnylsxlane/
beispielsv/eise Toray Silicone PR X 304, Primer SH5O6 Surface
-active agent oder Toshiba Silicone Primer-MS-11.
0814
Diese Silane weisen organische Gruppen rait zwei unterschiedlichen
Reaktivitäten auf, beispielsweise
H - CH2CH2CH2 - Sl
OCH
OCH
OCH
wobei R beispielsweise eine Alkylgruppe, AIkylaraiiiogruppe,
eine Äniinoalky!gruppe, eine Aminogruppe, eine Alxoxyarylgruppa,
eine Methacryloicygruppe, eine Glycidoxygruppe,
eine Cycloalkyl gruppe oder eine ent sprachende Gruppe sein kann. Als Beispiele seien die folgenden genanntr
CH2=CH-SiCi3 !
(Vinyltrichlorsilan)
CH3 - Si
CH2=CH-Si(OCO-CH3
0O-;
CH
JJ
(N_(DixaethoxymethYlsilylpropyl)-ähhvlendianin)
(γ-Methacrylojcypropylt
r inte thoxy s i lan)
(Methyltri^iethoxysi lan)
(Phenyltrimethoxysilan) (Vinyl- tris-acetoxysilan)
(ß-(3 j 4—Epoxycyciohsxyl) ·
äthyl-trimeth-oxysilari)
(y-Glycidoxypropyl-tri~ methoxy-silan-) „
Ein Verfahren zur Herstellung der- trockenen vorsensibilisierten
■olanograrfnischen Platte gemäss der Erfindung ist nachstehend
im einzelnen beschrieben:
1-5 Gev/.-Teile einer Lösung von 3 g cyclisiertem Kautschuk
(c) in 100 ml eines organischen aromatischen Lösungsmittels, wie beispielsweise Toluol, Xylol oder Benzol, 1-5 Gev/.-Teile
eines photoempfindlichen Azids (b) ,1-2 Gew.-Teile eines
Vinylidenchlorid-Acrylnitril-Copolymerisats (d) und 10 Gew.-Teile
Silicongummi (a) wurden unter Bildung einer homogenen
Lösung in 2OO - 4OO Gew.-Teilen eines Lösungsmittelgemisches aus Methyläthy!keton, Toluol und Chlorbenzol im
Volumenverhältnis 1:1:1 gelöst. Bei Verwendung eines Zweikomponentensiliconguinmis, der bei Zimmertemperatur flüssig
ist und auch bei Zimmertemperatur vernetzbar ist, muss der Vulkanisierungskatalysator zur Herstellung des Siliconkautschuks
in einer Menge von 5 - 2O Gew.-ίά, bezogen auf den
Silicongummi, zugesetzt werden.
Die auf diese Weise hergestellte Lösung wurde gleichmässig
auf ein Aluminiumblech aufgetragen, das mit Hatriumsilicat
behandelt worden war. Die Lösung wurde in einer Menge von 3-10 g/1000 cm", vorzugsweise in einer Menge von.5 - 8 g/1000
cm ,aufgetragen und anschliessend 1 min lang auf 120 °C
erwärmt. Dabei wurde der Silicongummi zu einem in Lösungsmitteln
unlöslichen Siliconkautschuk vulkanisiert. Geeignete ■ Erwärmungsbereiche liegen dabei zwischen 90 und 15Ο 0C,
vorzugsweise im Bereich von HO - 120 0C für' eine Dauer von
1-10 niin, in der Regel 2-5 min.
Auf. diese Weise wurde eine trockene vorsensibilisierte pianographische
Platte erhalten.
-Nash- einem v/eiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung wurde
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eine trockene vorsensiMlisierte -planographische Platte geinass
der Erfindung vom Zweischichten typ in der folgenden Weise hergestellt: . .
Ein Gemisch aus 90 - 95 Gev/.-Teilen einer Lösung von 2,5 g
cyclisiertem Kautschuk (c) in 100 ml eines Lösungsmittel—
gemisches aus Methylethylketon und Toluol im Volumenverhältnis' 1 : 3 und aus IO : 5 Gew.-Teilen einer Lösung von 2,5 g
Vinylidenchlorid-Acrylnitril-Copolymerisat (d) in einem
Lösung smittelgemisch aus Me thylä thy !keton-und Toluol iia
Vo lumen verhältnis 1:3 wurde gleichniässig auf die Oberfläche
eines Aluminiumblechs aufgetragen, das chemisch durch Behandeln mit Katriumsilicat konvertiert worden war. Die
Lösung wurde in einer Menge von 1 - 4 g/10OO cm aufgetragen
und zur Entfernung des Lösungsmittels anschliessend getrocknet.
Weiterhin vjurden 2-5 Gev/.-Teile eines photo empfindlichen
Azids (b), 2 - 10 Gew.-Teile eines- Einkomponentensilicongummis,
der bei Zimmertemperatur flüssig und aμch bei Zimmertemperatur
vulkanisierbar war, und 15 - 30 Gew.-Teile
eines bei Zimmertemperatur flüssigen und vulkanisierbaren
Zweikomponentensilicongummis gleichmässig und homogen
in 300 - 400 Gev/. -Teilen eines Lösungsmittelgemischs aus Methyläthylketon und Cyclohexanon im Volumenverhältnis
6 : 1 gelöst. Für den Zweikomponentensilicangummi wurde der Katalysator in einer Menge von 5-20 Gew. -%, bezogen
auf die Menge des Silicongummis, zugesetzt. Die so erhaltene Lösung wurde auf die Grundschicht aufgebracht, die in der
vorstehend beschriebenen Weise auf das Aluminiumblech aufgetragen worden war. Der Auftrag der zweiten Schicht
erfolgte in einer Menge von 3-10 g/1000 cm , Vorzugs—
weise in einer Menge von 5-3 g/1000 cm . Die Schicht-Struktur
wurde anschliessend 1 min lang auf 120 °C erwärmt, -^wobei diese Temperaturen und Krwärmungsdauern in der vor-
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- 17 - ■■■"...'
stehend genannten Weise variiert werden können. Auf diese Weise wurde ebenfalls eine trockene vorsensibilisierte pianographische
Platte gemäss der Erfindung erhalten.
Verbesserte Ergebnisse'können erhalten werden, wenn die Platte
in der vorstehend beschriebenen Weise mit der Abänderung
hergestellt wird, dass man der Lösung des photoempfindlichen
Azids (a) und des Silicongumrais (b) weiterhin 1 — 3 Gew.—Teile
eines Vinylidenchlorid-Äcrylnitril-Copolyirierisats (d) zusetzt.
Bei Belichtung der trockenen vorsansibiiisxerten pianographischen Platte gemäss der Erfindung mit Licht beispielsweise
im Wellenlängenbereich von 36Ο - 41O nm durch einen
Positivfilm zur Herstellung einer Druckplatte wird das Äzid in den belichteten Bereichen zum Nitren zersetzt. Das so
gebildete Nitren reagiert mit der Doppelbindung des cycli— '
sierten Kautschuks und bildet eine raurrivernetzte Struktur,
wobei die in einem. Entwickler unlöslichen Bereiche gebildet v/erden. Auf der anderen Seite liegen die nicht belichteten
Bereiche der Platte chemisch unverändert vor und können bei Behandlung mit einem entsprechenden Entwickler abgelöst
werden, wobei die die Bildbereiche bildenden Teile der Aluminiumoberfläche freigelegt v/erden. Beim Einfärben der
so hergestellten Druckplatte wird die Druckfarbe nur von
der freiliegenden Alurainiumoberflache, also von den Bildhereichen, angenommen.
Als Entwickler für die planogr aphis ehe Platte gemäss der
Erfindung kann ein im Handel befindlicher Entwickler verwendet
werden, beispielsv/eise Photo Resist KTPR (Eastman
Kodak) oder kann ein Kohlenwasserstoff verwendet werden, vorzugsweise mit 5-9 Kohlenstoffatomen, beispielsweise
n-Heptan. Da n-Heptaa recht flüchtig ist, kann es Vorzugs—
weise--im Gemisch mit flüssigem Paraffin im Voluraenverhältnis
von Io : 1 bis 1:2, vorzugsweise von 3 : 1 bis 1 : 1, (n-Keptan oder Haxan : Paraffin) verwendet werden. Geeignete
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flüssige Paraffine sind, jene, die· in japanischen Indus tries izandard
K 2231-1957 angegeben sind.
Weiterhin kann für die pianographische Platte gemäss der
Erfindung mit gutem Erfolg und insbesondere einfacher Handhabung
eine cremigs Dispersion verwendet werden, die durch Mischen von Benzin mit einer wässrigen Lösung eines Alkalimetallsalzes
einer Fettsäure erhalten wird. Vorzugsweise besteht eine solche Dispersion aus einem Gewichtsteil Salz,
2-5 Gew.-Teilen Wasser und 3-6 Gew.-Teilen Benzin.
Nachstehend sind noch, einmal die wichtigsten Merkmale und
Vorteile der trockenen yorsensibilisierten planographischon
Platte gemäss der Erfindung zusaramengesteilt: · -
1. Das photoempfindliche Material liegt mit dem Siliconkautschuk
in ein, und derselben Schicht vor. Dabei liegt . das photoempfindliche Material in der Siliconkautschukmatrix
dispergiert vor. Durch diese Kombination können scharfe
Drucks nit hoher Auflösungskraft erhalten werden..
2. Als photoempfindliches Material wird ein Azid verwendet.
In Kombination mit diesem Azid wird 'ein cyclisierter Kautschuk
eingesetzt, und zwar entweder im Gemisch mit dem Siliconkautschuk oder in Form einer Unterschicht bzwi Grundschicht,
die getrennt von dar .Schicht mit dem Siliconkautschuk und
der photoempfindlichen Azidverbindung auf dem Träger aufgebracht
wird. .
3. Weiterhin wird ein Copolymerisat von Vinylidenchlorid
und Acrylnitril verwendet, das die Entwickelbarkeit der
Platte fördert und gleichzeitig die Festigkeit der Siliconkautschukschicht erhöht.
4. Schliesslich kann die trockene vorsensibilisierte plaho-
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■■'■■. · - 19 - . ■■;"■■.. "-Λί
. · · . ' ^ 23Β362Ό ,%
graphische Platte gemäss der Erfindung ausgesprochen preiswert
hergestellt werden.
Die Erfindung ist nachstehend anhand von Ausführuhgsbeispielen
näher beschrieben. Wenn nicht ausdrücklich andere Angaben gemacht sind, beziehen sich alle Mengenangaben ' . '
in Teilen und alle relativen Angaben in Prozenten und Verhältnissen auf die entsprechenden gewichtsbezogenen
Grossen.
BeisTJjel 1 · - -
0,5 g einer Lösung, hergestellt durch Auflösen ^ron 3 g
eines cyclisierten Kautschuks, Thermolite-S (Seiko Chemical),
0,1 g 2,6-bis-(4'-Azidobenzal)-cyclohexanon, 0,1, g Saran-Hars
ΞΧ-57Ο1 (-ylolverhäl-hnis Vinylchlorid : Acrylnitril SO : 20:
Viskosität 2,4 cP: Asahi Dow), 2 g eines bei Normaltemperatur flüssigen und bei Normaltemperatur vulkanäsierbaren . Zweikomponentensilicongummis,
SH-9555 RTV (Toray Silicone) und 0,15 g eines Siliconvulkanisationskatalysators RG (Shinetsu
Chemical industry) xwirden in 30 ml eines Lösungsmittelgemisches
aus Methyläthylketon, Toluol und Chlorbensol im
Voluiaenverhältnis 1:1:1 gelöst. Die so hergestellte
photo empfindliche Beschichtungslösung wurde gleichrnässig
auf eine Aluminiumplatte aufgetragen, deren Oberfläche mit Natriumsilicat behandelt worden war. Der Auftrag erfolgte
in einer Menge von 6 g/1000 cm . Die Schicht vnirde unmittelbar
nach dem Auftrag 1 min lang auf 120 C erwärmt und lieferte '
dabei eine trockene vorsensibilisierte pianographische Platte gemäss der Erfindung. ·
Einen Monat nach der Herstellung wurde diese Platte 2 min
lang durch einen Positivfilm in einem Piano PS-A-3 Printer
-f^u-ji- Photo Film) belichtet. Die so belichtete Platte wurde
mit n-Heptan entwiekelt,. wobei die Siliconkautschukschicht
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■ : - 2o -
an den? Bildbereichen entfernt wurde und die Aluminiumoberfläche
freigab. Die entwickelte Platte wurde in eine Offset-Druckmäschine
eingespannt, aus der die Zuführungen für die Benetzungslösung entfernt worden waren. Als Druckfarbe wurde
"Speed King Black Ink" (Toyo Ink) verwendet. Es wurden ausgezeichnete
Abzüge erhalten. Auch nach Herstellung von Abzügen zeigte die·Druckplatte keinerlei Kratzer.
9O g einer durch Lösen von 2,5 g T'hernioiite-S in lOO ml
eines Lösungsmittelcrsriischs aus Methylethylketon und Toluol
im Volurnenverhältnis 1:3 erhaltenen Lösung wurden mit
10 g einer Lösung vermischt, die durch Lösen von 2,5 g
Saran-Iiarz EX-5701 (Asahi Dow) in 100 ml eines Lösungsnittel
gemischs aus Methylethylketon und Toluol ir-i Volumenverhältnis
7 : 14 erhalten worden war. Auf diese Weise wurde eine Beschichtungsmasse für die Grundschicht . erhalten. Die so
erhaltene Masse wurde in einer Stärke von etwa 1 ,um. auf
ein Aluminiumblech aufgetragen und getrocknet.
Weiterhin wurde eine photoempfindliche Masse durch Lösen
von 0,2 g 2,6-bis-(4'-Azidobenzal)-cyclohexanon, O,5 g
bei Zincaerteraperatur flüssigem und bei Zinmertemperatur
vulkanisier bar em Einkomponenten-silicongumiai (I\B-41; Shinetsu
Chemical Industry), 2 g eines bei 2iuimertemperatur
flüssigen und vulkanisier bar en Zweikoiaponentens^licorigunimis
(SH-9555) und 2 g des Katalysators RG für den Silicongummi in 35 ml eines Lösungsraittelgarnisches aus Methylethylketon
und Cyclohexanon im Volunenverhältnis 6:1
hergestellt. Die so erhaltene homogene photoerapfindliche Zusammensetzung wurde gleichmässig auf die Grundierungsschicht
auf dem Aluminiumblech in einer Menge von 5 g/1000 aufgebracht und-unmittelbar anschliessend 1 min lang auf
AO 9 826 /08 8 1*
120 °e erwärmt. Dadurch. wurden die Siiicongurnxuis zu einem
Siliconkautschuk ausgehärtet. Drei Monate nach Herstellung
■der so erhaltenen pianographischen Platte wurde diese in der iiri Beispiel 1 beschriebenen Weise belichtet und mit n-Heptan
entwickelt. Von der so hergestellten Druckplatte konnten lOOO einwandfreie Abzüge hergestellt v/erden, ohne dass die
Druckplatte irgendwelche Kratzer oder andere Abnutzungsspuren aufvd.es.
Es wurde eine photo empfindliche Zusammensetzung in der Weise
hergestellt, dass man 0,15 g 2,6-bis-(4'-Azidobenzal)-cyclohexanon,
O,2 g Saran—Harz EX—5701, einen Einkomponentensxliconguranu.,
der flüssige und bei Normaltemperatur vulkanisierbar
ist (KK-41 RTV), einen entsprechenden Zweikomponentensilicongumrni
(SH-9555 RTV) und den Katalysator RG für die Vernetzung des Silicongummis in 35 iul eines Lösungs—
mittelgeraischs aus Methyläthy!keton und Cyclohexan im
Vbluraenverhältnis 6:1 löste. Die so erhaltene photoerapfindliche
Zusammensetzung wurde gleichmässig auf eine Grundieruncfsschicht auf getragen, die in der im
Beispiel 2 beschriebenen Weise hergestellt und,auf eine Älurainiuirölechoberfläche aufgetragen "worden war. Die
photoempfindliche Zusammensetzung wurde in einer Menge von
5 g/1000 cm aufgetragen. Unmittelbar nach dem Auftragen
wurde 1 h lang auf 12O 0C erwärmt, wobei eine gute vorsensibilisierte
pianographische Trockenplatte erhalten wurde.
ch Kenntnisnahme der vorliegenden Beschreibung kann der Fachmann ohne erfinderisches Zutun insbesondere die beschriebenen
Äusführungsheispiele vielfach, vor allem im
Hinblick auf spezielle Änwendungsmodifikationen, anpassen
und abändern. Solche Variationen -sind, wie bereits ausgeführt,
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nicht erf inderisch. und fallen in den Rahmen dieser Erfindung.
Claims (4)
- Patentan Sprüche1/ Trockene vorsensibilisierte pianographische Platte, dadurch gekennzeichnet, dass auf einem Träger eins oder zwei Schichten aus■(a)-einem Siliconkautschuk, (b) einer photoempfindlichen Azidverbindunqr, (c) einem cyclisierten Kautschuk und (d) einem Vinylidenchlorid-Äcrylnitril-Copolymerisat aufgebracht sind, v/obei, wenn die pianographische Platte zwei Schichten hat, die obere Schicht zumindest die Komponenten (a) und (b) und die untere Schicht zumindest die Komponente (c) enthält.
- 2. Platte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Siliconkautschuk ein vulkanisierter Silicongummi ist.
- 3. Platte nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Silicongummi ein bei I<forma !temperatur flüssiger und bei Normalteraperatur vulkanisierbarer Silicongummi vom Sinkoraponententyp oder vorn Zv/eikomponententyp oder ein Gemisch dieser beiden Silicongummityps ist.
- 4. Platte nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das photoeiapfindliche Azid 2,6-Dichlor-4-nitro-azidqbenzol, Azidophenylamin, 3,3' -Dimethoxy-4,4'-diazidodiphenyl, 4'-Methoxy-4-a2idophenylaniin, 4,4'-diazidophenylamin, 4,4'-Diazidodiphenylmethan, 4'-Nitrophenyl-azobenzol-4-azid, 1-Azidopyren, 3, 3'-Diinethy 1-4,4'-diasidophenyl, 4,4' -Diazidophenylazonaphthalin, p-Phenylenbisazid, p-Azidobenzophenon, 4,4'-Diazidobenzophenon, 4,4I-Diazidophenylmethan, 4,4'-Diazidostilben, 4,4'-Diazidocalcon, 2,6-Di-(4'-azidobenzal)-cyclohexanon oder 2,6-Di-(4'-azidobenzal)-4-methylcyclohexanon ist. ;409826/0884
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2363620A Pending DE2363620A1 (de) | 1972-12-20 | 1973-12-20 | Trockene vorsensibilisierte planographische platte |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JPS5525418B2 (de) |
DE (1) | DE2363620A1 (de) |
GB (1) | GB1444439A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3337303A1 (de) * | 1982-10-13 | 1984-04-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa | Verfahren zur photolithographischen erzeugung von resistschichten und hierfuer verwendbare lichtempfindliche zusammensetzungen |
EP0229629A2 (de) * | 1986-01-08 | 1987-07-22 | Hitachi, Ltd. | Lichtempfindliche Kunststoffzusammensetzung |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49121601A (de) * | 1973-03-31 | 1974-11-20 | ||
US4304601A (en) * | 1975-06-04 | 1981-12-08 | Mallinckrodt, Inc. | Planographic printing ink |
GB1547967A (en) * | 1975-07-26 | 1979-07-04 | Engineering Components Ltd | Screen printing |
US4164422A (en) * | 1977-09-19 | 1979-08-14 | Napp Systems (Usa), Inc. | Water developable, photopolymer printing plates having ink-repulsive non-image areas |
GB2034911B (en) * | 1978-10-26 | 1983-02-09 | Toray Industries | Dry planographic printing plate |
JPS55124148A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-25 | Toray Ind Inc | Manufacture of lithographic printing original plate |
US4403550A (en) * | 1979-08-23 | 1983-09-13 | Ppg Industries, Inc. | Process for planographic printing |
DE3170113D1 (en) * | 1980-07-14 | 1985-05-30 | Toray Industries | Dry planographic printing plate for direct printing |
US4390614A (en) * | 1981-03-16 | 1983-06-28 | Richard M. Peck | Color facsimile printing device comprising photosensitive ink in pores |
US4420552A (en) * | 1981-03-16 | 1983-12-13 | Richard M. Peck | Method of producing printed images with a color facsimile printing device |
KR880002518B1 (ko) * | 1981-07-15 | 1988-11-26 | 미다가쓰시께 | 방사선 감응성 조성물 |
JPS5882247A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-17 | Toray Ind Inc | 湿し水不要平版印刷版原板 |
US4564576A (en) * | 1983-05-27 | 1986-01-14 | Nec Corporation | Resist material comprising polymer of allylsilyl compound and pattern forming method using the resist material |
JPS60147729A (ja) * | 1984-01-12 | 1985-08-03 | Toshiba Corp | ホトレジスト組成物 |
US4826752A (en) * | 1986-06-25 | 1989-05-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Dry photosensitive lithographic plate comprising a silicon rubber layer containing an aromatic aminosilane |
US5089063A (en) * | 1990-01-08 | 1992-02-18 | Pda Engineering, Inc. | Method for providing adhesion to a metal surface |
AU674518B2 (en) * | 1992-07-20 | 1997-01-02 | Presstek, Inc. | Lithographic printing plates for use with laser-discharge imaging apparatus |
US6544372B2 (en) | 1998-09-11 | 2003-04-08 | Skirts Plus Corporation | Printed and/or foil skirt and method of manufacture |
US6272787B1 (en) * | 1998-09-11 | 2001-08-14 | Skirts Plus Corporation | Printed and/or foil skirt and method of manufacture |
CN103057294B (zh) * | 2011-10-24 | 2015-05-20 | 中国科学院化学研究所 | 环保型无水胶印版 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE507657A (de) * | 1950-12-06 | |||
US2937085A (en) * | 1954-01-11 | 1960-05-17 | Ditto Inc | Composite photosensitive plate, and method of making printing plate therefrom |
US2852379A (en) * | 1955-05-04 | 1958-09-16 | Eastman Kodak Co | Azide resin photolithographic composition |
GB1146618A (en) * | 1965-10-11 | 1969-03-26 | Harry Frank Gipe | Method for preparing photo-lithographic plates |
US3511178A (en) * | 1967-01-06 | 1970-05-12 | Minnesota Mining & Mfg | Printing plate and method |
US3520683A (en) * | 1967-05-19 | 1970-07-14 | Bell Telephone Labor Inc | Photoresist method and products produced thereby |
US3549368A (en) * | 1968-07-02 | 1970-12-22 | Ibm | Process for improving photoresist adhesion |
US3591378A (en) * | 1968-07-31 | 1971-07-06 | Eastman Kodak Co | Process for making positive-working relief plate |
US3615538A (en) * | 1968-08-02 | 1971-10-26 | Printing Dev Inc | Photosensitive printing plates |
US3779758A (en) * | 1969-03-25 | 1973-12-18 | Photocircuits Corp | Photosensitive process for producing printed circuits employing electroless deposition |
BE754692A (fr) * | 1969-08-12 | 1971-02-11 | Scott Paper Co | Plaque d'impression planographique a sec et sa methode de preparation |
US3632375A (en) * | 1969-11-14 | 1972-01-04 | Scott Paper Co | Plate for dry planography and method of making same |
US3728123A (en) * | 1969-11-14 | 1973-04-17 | Scott Paper Co | Plate for dry planography |
-
1972
- 1972-12-20 JP JP12799872A patent/JPS5525418B2/ja not_active Expired
-
1973
- 1973-12-20 GB GB5923373A patent/GB1444439A/en not_active Expired
- 1973-12-20 US US05/426,751 patent/US3945830A/en not_active Expired - Lifetime
- 1973-12-20 DE DE2363620A patent/DE2363620A1/de active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3337303A1 (de) * | 1982-10-13 | 1984-04-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa | Verfahren zur photolithographischen erzeugung von resistschichten und hierfuer verwendbare lichtempfindliche zusammensetzungen |
EP0229629A2 (de) * | 1986-01-08 | 1987-07-22 | Hitachi, Ltd. | Lichtempfindliche Kunststoffzusammensetzung |
EP0229629A3 (en) * | 1986-01-08 | 1987-12-02 | Hitachi, Ltd. | Photosensitive resin composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5525418B2 (de) | 1980-07-05 |
JPS4986102A (de) | 1974-08-17 |
GB1444439A (en) | 1976-07-28 |
US3945830A (en) | 1976-03-23 |
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