DE2349233B2 - Matrix aus photoleitenden zellen - Google Patents

Matrix aus photoleitenden zellen

Info

Publication number
DE2349233B2
DE2349233B2 DE19732349233 DE2349233A DE2349233B2 DE 2349233 B2 DE2349233 B2 DE 2349233B2 DE 19732349233 DE19732349233 DE 19732349233 DE 2349233 A DE2349233 A DE 2349233A DE 2349233 B2 DE2349233 B2 DE 2349233B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrodes
matrix
insulating layer
resin
cells
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19732349233
Other languages
English (en)
Other versions
DE2349233A1 (de
DE2349233C3 (de
Inventor
Nobuo Uji; Yamashita Toshio Katano; Kitamura Saburo Fushimi Kyoto; Hasegawa (Japan)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of DE2349233A1 publication Critical patent/DE2349233A1/de
Publication of DE2349233B2 publication Critical patent/DE2349233B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2349233C3 publication Critical patent/DE2349233C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14665Imagers using a photoconductor layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N97/00Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Matrix aus JS photoleitenden Zellen, mit einem keramischen Substrat, auf dem eine Schicht photoleitender Zellen ausgebildet ist, mit ersten, jeweils eine der Elektroden jeder Zelle miteinander verbindenden gemeinsamen Verbindungselektroden, die sich in Richtung der X-Achse erstrecken, 4& und mit zweiten, jeweils die anderen Elektroden der Zelle miteinander verbindenden gemeinsamen Verbindungselektroden, die sich in Richtung der K-Achse erstrecken.
Matrizen dieser Art werden zum Lesen von Lochkarten benutzt, wobei eine zwischen einer Lichtquelle und der Matrix angeordnete Lochkarte je nach Stanzung der Lochkarte das auf die Matrix fallende Licht ausblendet. Das nicht ausgeblendete, auf bestimmte einzelne photoleitende Zellen fallende Licht hat eine Verringerung des Widerstands der betreffenden photoleitenden Zellen zur Folge, die durch Abtasten mittels Stromimpulsen erfaßt werden können.
Damit nun die Abtastimpulse den jeweiligen Photozellen eindeutig zugeordnet werden können, müssen V. natürlich die gemeinsamen Verbindungselektroden in Richtung der X-Achse von den gemeinsamen Verbindungselektroden in Richtung der K-Achse an den von ihnen gebildeten kubischen Kreuzungen isoliert sein. Für eine solche Isolierung werden nach dem Stand der ^ Technik entweder Aufdampfrchichten aus SiO2 bzw. CaF2 verwendet oder glasartiges Material mit einem niedrigen Schmelzpunkt. Das erste Verfahren erfordert eine Erhitzung des Substrats bzw. der Matrix im Vakuum auf eine Temperatur von ca. 200°, während das " zweite Verfahren eine Erhitzung des Substrats in einer Atmosphäre auf über 500°C erfordert.
Soll zum Aufbau der photoleitenden Zellen eine CdS-Schicht verwendet werden, muß die Isolierschicht ausgebildet werden, nachdem die CdS-Schicht aufgebracht ist. In diesem Fall könnte das erste Verfahren nicht verwendet werden, weil die CdS-Schicht bei einer Erhitzung auf 200°C im Vakuum Schwefel abscheiden würde, wodurch sich natürlich die Eigenschafton der CdS-Schicht ändern wurden. Das zweite Verfahren könnte ebenfalls nicht verwendet werden, da die Erhitzung auf 5000C in einer Atmosphäre eine Oxydation der Oberfläche der CdS-Schicht zur Folge haben würde, wodurch ebenfalls die Eigenschaften der CdS-Schicht geändert werden würden.
Ferner müssen die CdS-Schicht und die Isolierschicht, welche vorzugsweise im Siebdruckverfahren hergestellt werden, eine Dicke von 20 bis 30 μιη haben. Eine der Elektroden wird dabei aus einer Te-Legierurig hergestellt, die mit der CdS-ZeIIe in Sperrkontakt steht, während die andere Elektrode aus einer In-, Sn- oder einer ln-Al-Legierung besteht, die mit der CdS-ZeIIe in Ohmschem Kontakt steht. Beide Elektroden werden aufgedampft. Da nun Te oder In bei niedriger Temperatur bereits schmelzen, darf die anschließend hergestellte Isolierschicht nicht auf eine hohe Temperatur erhitzt werden, sonst würden die Elektroden wegschmelzen.
Schließlich neigen grundsätzlich keramische Substrate dazu, durch Hitze verformt oder beschädigt zu werden.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, bei einer Matrix der eingangs genannten Art für eine Isolierung zwischen den ersten und den zweiten Verbindungselektroden zu sorgen, die eine problemlose Herstellung der Matrix erlaubt, d. h. insbesondere, ohne daß die Gefahr einer Beschädigung der photoleilenden Zellen oder ihrer Elektroden durch Erhitzung der Matrix beim Aufbringen der Isolierung besteht.
Diese Aufgabe, wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß jeweils zwischen den ersten und zweiten Verbindungselektroden an den von ihnen gebildeten kubischen Kreuzungen eine Isolierschicht aus einem zu den Epoxyverbindungen gehörenden Harz angeordnet ist, das wenigstens Tonerde- oder Quarzsandpulver als Füllstoff enthält.
Die Isolierschicht kann bei etwa 150°C ausgehärtet werden, so daß nicht die Gefahr einer Beschädigung der CdS-Schicht besteht. Insbesondere eignet sich die erfindungsgemäße Isolierung für eine automatische Herstellung. Da Tonerde- oder Quarzsandpulver als Füllstoff verwendet wird, lassen sich gute Siebdruckergebnisse beim Aufbringen der Isolierschicht erzielen. Gleichzeitig wird der Expansionskoeffizient der Isolierschicht klein gehalten und für eine gute Verbindung zwischen der Isolierschicht und einer aufgedampften Metallelektrode gesorgt.
Vorzugsweise beträgt der Anteil des Füllstoffs 40 bis 80 Gew.-% und der Durchmesser der Partikel des Füllstoffs 1 bis 10 μπι, um die Fließfähigkeit des Harzes während der Aushärtung zu steuern. Die Verarbeitung dieser Epoxyharze mit den Füllstoffen kann langer als 30 Minuten dauern. Es ist aber auch möglich, die Epoxyharze mit den Füllstoffen innerhalb von 30 Minuten bei einer Temperatur von weniger als 150° C vollständig auszuhärten. Die ausgehärtete Schicht muß eine gleichmäßige Dicke von 20 bis 30 μιη haben und kann ohne weiteres löcherfrei hergestellt werden.
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung. Auf der Zeichnung ist die Erfindung beispielsweise veranschau-
licht, und zwar zeigi
Fig. I cine Draufsicht auf eine Matrix aus phololcilenden Zellen gemäß der Erfindung und
Fig. 2 in vergrößertem Maßstab eine schematische Darstellung einer bei der in F i g. 1 dargestellten Matrix verwendeten photoleitendcn Zelle,
Die Zeichnung zeigt ein keramisches Substrat J aus Tonerde, auf das eine Schicht von photoleitenden CdS-Zellcn 2 aufgebracht und im Siebverfahren gedruckt wird. Eine Vielzahl von Zellen 2 ist in regelmäßigen Abständen voneinander in den Richtungen X und Y angeordnet. Aufgedampfte Metallschichten dienen als Elektroden 3,4 und 5.
Die Elektroden 3 bestehen aus einer In-Sn-Legierung und stehen in Ohmschem Kontakt mit der CdS-ZeIIe. Sie sind im Aufdampfverfahren hergestellt.
Die Elektroden 4 bestehen aus einer Sn-Legierung und sind ebenfalls durch Aufdampfen hergestellt.
Die Elektroden 5 sind ebenfalls Aufdampfschichten, sie bestehen jedoch aus einer Te-Legiei ung und stehen mit der CdS-ZeIIe 2 in Sperrkoniakt.
Wie in Fig. 2 deutlich dargestellt, ist zwischen den Elektroden 3 und 4 eine Isolierschicht 6 angeordnet. Diese Isolierschicht 6 besteht aus einem Einkomponenten-Epoxyharz, das 70 Gew.-% Quarzsandpulver mit einem Partikeldurchmesser von 2 bis 3 μΐη enthält. Diese Isolierschicht ist im Siebverfahren auf der die X-Achse der Matrix bildenden Elektrode 3 aufgebracht.
Venn das Harz 30 Minuten lang auf 150°C gehalten worden ist, wird es zu einer harten Isolierschicht mit einer gleichmäßigen Dicke von 20 bis 30 μΐη, die keine Löcher aufweist.
Auf dieser Isolierschicht 6 wird die zweite Elektrode 4 aus einer Sn-Legierung durch Aufdampfen hergestellt, die eine die -Y-Achse kreuzende K-Achse bildet.
Die so erhaltene Matrix aus photoleitenden Zellen weist demnach von einer ersten Gruppe von Elektroden gebildete X-Achsen und von einer zweiten Gruppe von Elektroden gebildete V-Achsen auf, wobei die X-Achsen und die V-Achsen kubische Kreuzungen bilden, bei denen die Isolierschichten 6 an den Punkten eingelagert sind, an denen sich die Achsen treffen.
fine zweite Ausführungsform der Matrix ist auf die gleiche Weise gebaut wie die erste. Bei dieser AusHihrungsform sind jedoch die Elektroden so ausgebildet, daß die Elektroden der X- und der V-Achsen zunächst an einem Muster einer ersten Maske entsprechenden Teilen ausgeschnitten werden, woraufhin die ausgeschnittenen Teile unter Verwendung einer dem Muster der ausgeschnittenen Teile entsprechenden zweiten Maske ausgefüllt werden.
Bei den beschriebenen Ausführungsformen sind die X-Achsen negativ und die V-Achsen positiv. Bei der Matrix einer dritten Ausführungsform sind dagegen die Elektroden 5 aus Te-Legierung zu X-Achsen verbunden, so daß diese positiv werden, während die Elektroden der In-Sn-Legierung zu V-Achsen verbunden sind, wodurch diese Achsen negativ werden.
Der Gesamtaufbau einer vierten Ausführungsform ist der gleiche wie bei den oben beschriebenen Ausführungsformen. In diesem Fall ist das die Isolierschicht bildende Epoxyharz ein Zweikomponentenharz, das aus einem Harz und einem Härtungsmittel besteht. Das Harz und das Härtungsmittel sind mit Füllstoffen aus Quarzsandpulver gemischt, das 40 Gew.-% beträgt, und Partikeldurchmesser von 1 bis 10 μπι aufweist. Die aus diesem Zweikomponenten-Epoxyharz gebildete Isolierschicht ist ebenso wirksam wie die aus einem
Einkomponenienharz bestehende Isolierschicht.
Bei den oben beschriebenen Ausführungsformon waren die Füllstoffe im Epoxyharz Quarzsandpulver. Bei einer fünften Ausführungsform ist der Quarzsand durch ein Tonerdepulver mit einem Partikeldurchmesser von 1 bis ΙΟμιη ersetzt, das 40 bis 80 Gew.-u/o beträgt.
Die aus Epoxyharz mit Füllstoffen aus pulverisierter Tonerde bestehende Isolierschicht kann auch wirkungsvoll zum Aufbau von Matrizen der ersten bis vierten Ausführungsform verwendet werden.
Bei den vorgenannten Ausführungsforrncn eins bis fünf sind entweder die Elektroden der X-Achse oder die der Y- Achse oder beide Aufdampfelektroden aus einer Sn-Legierung. Bei der sechsten Ausführungsform ist diese Sn-Legierung durch eine entsprechende Legierung aus Al, Au bzw. Ni ersetzt.
Somit bestehen bei der sechsten Ausführungsform jeweils die Elektroden der X-Achse bzw. die der V-Achse oder beide aus einer Aufdampfschicht aus einer Al-, einer Au- oder einer Ni-Legierung. Diese Elektroden können ebenso wirksam zum Aufbau der vorbeschriebenen Ausführungsformen dienen.
Ein vollständiger Ohmscher Kontakt kann nicht erzielt werden, ohne daß die In-Elektroden mit den CdS-Zellen direkt in Berührung stehen. Es kann jedoch nur Sn, Au, Ni bzw. Al als Elektrode verwendet werden. Daher weist in der siebenten Ausführungsform die Matrix mit dem gleichen Aufbau wie die Ausführungsformen eins bis sechs Elektroden der X-Achse bzw. der V-Achse auf, die aus Sn, Au, Ni bzw. Al bestehen und durch Aufdampfen in direktem Kontakt mit den CdS-Zellen stehen.
In weiteren Ausführungsformen werden anstelle der CdS-Zellen photoleitende Zellen aus CdSe oder PbS verwendet.
Die Tonerde zur Herstellung des Substrats kann ferner auch durch Steatit, Forsterit oder Zirkonerde ersetzt werden.
Die erfindungsgemäßen Matrizen weisen die folgenden Vorteile auf:
1. Da die zwischen den Elektroden der X-Achse und der V-Achse an jedem Kreuzungspunkt angeordnete Isolierschicht aus Epoxyharz besteht, das bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen von weniger als 1500C aushärtet, ist es unwahrscheinlich, daß die elektronischen Bestandteile während der Ausbildung der Isolierschicht beschädigt werden.
Auf diese Weise erhält man Matrizen mit nicht hitzebeständigen elektronischen Bestandteilen, insbesondere mit photoleitenden CdS-Zellen, deren Zusammensetzung und Diodencharakteristik sich bei hohen Temperaturen ändern würden, bei denen die elektronischen Bestandteile nicht von Hitze betroffen werden. Aus dem gleichen Grund tritt keine Verformung des Substrats durch Hitze auf. Darüber hinaus sind Epoxyharze zu niedrigen Preisen im Handel erhältlich, was zu einer wirtschaftlichen Herstellung führt.
2. An den Kreuzungsstellen tritt kein Kurzschluß auf, da die Isolierschicht eine Dicke von 20 bis 30 μιη erreicht und keine Löcher in einer solchen Schicht vorhanden sind.
3. Da die die Isolierschicht bildenden Harze Füllstoffe, wie Tonerde- oder Quarzsandpulver, enthalten, ist die Fließfähigkeit so verringert, daß das Harz nicht herausfließen oder sich rundherum ausbreiten kann. Die mit einem solchen Harz hergestellte
Isolierschicht ist auch insofern vorteilhaft, als sie eine große Härte und eine geringe Wärmeausdehnung oder -schrumpfung aufweist. Die innige Verbindung dieser Isolierschicht mit den Elektroden und mit dem keramischen Substrat ist so stark, daß ein Abblättern der Schichten kaum auftreten kann.
4. Die Bauelementdichte in der Matrix kann größer gemacht werden, da selbst komplizierte Matrixmuster ohne Schwierigkeiten aufgebaut werden können.
5. Die Herstellung ist einfacher und leichter, da die Isolierschicht aus Harz im Druckverfahren hergestellt werden kann.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Matrix aus photoleitenden Zellen, mit einem keramischen Substrat, auf dem eine Schicht photoleitender Zellen ausgebildet ist, mit ersten jeweils eine der Elektroden jeder Zelle miteinander verbindenden gemeinsamen Verbindungselektroden, die sich in Richtung der X-Achse erstrecken, und mit zweiten jeweils die anderen Elektroden der Zellen miteinander verbindenden gemeinsamen Verbindungselektroden, die sich in Richtung der V-Achse erstrecken, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils zwischen den ersten (3) und zweiten Verbindungselektroden (4) an den von ihnen gebildeten kubischen Kreuzungen eine Iso'ierschicht (6) aus einem zu den Epoxyverbindungen gehörenden Harz angeordnet ist, das wenigstens Tonerdeoder Quarzsandpulver als Füllstoff enthält.
2. Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht (6) im Siebdruckverfahren hergestellt ist.
3. Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser der Partikel des Füllstoffs I bis 10 μιη beträgt.
4. Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil des Füllstoffs 40 bis 80 Gew.-% beträgt.
5. Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Harz ein F.DOxyharz ist.
DE2349233A 1972-10-02 1973-10-01 Matrix aus photoleitenden Zellen Expired DE2349233C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP47099344A JPS5123870B2 (de) 1972-10-02 1972-10-02

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2349233A1 DE2349233A1 (de) 1974-04-18
DE2349233B2 true DE2349233B2 (de) 1977-08-25
DE2349233C3 DE2349233C3 (de) 1978-04-13

Family

ID=14244982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2349233A Expired DE2349233C3 (de) 1972-10-02 1973-10-01 Matrix aus photoleitenden Zellen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3900883A (de)
JP (1) JPS5123870B2 (de)
CA (1) CA1006957A (de)
DE (1) DE2349233C3 (de)
GB (1) GB1401923A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2517887A1 (fr) * 1981-12-07 1983-06-10 United Kingdom Government Procede de polarisation d'un detecteur photoconducteur, appareil de detection et detecteur photoconducteur

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4000418A (en) * 1975-11-26 1976-12-28 General Electric Company Apparatus for storing and retrieving analog and digital signals
JPS56172960U (de) * 1981-05-14 1981-12-21
US4509045A (en) * 1982-07-01 1985-04-02 Sperry Corporation Low cost addressing system for AC plasma panels
US4541015A (en) * 1983-02-15 1985-09-10 Sharp Kabushiki Kaisha Two-dimensional image readout device
GB2227887A (en) * 1988-12-24 1990-08-08 Technology Applic Company Limi Making printed circuits
JP3261617B2 (ja) * 1992-06-19 2002-03-04 ハネウエル・インコーポレーテッド 赤外線カメラ
CN102711366A (zh) * 2012-05-11 2012-10-03 倪新军 一种高频电路板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3436611A (en) * 1965-01-25 1969-04-01 Texas Instruments Inc Insulation structure for crossover leads in integrated circuitry
US3560256A (en) * 1966-10-06 1971-02-02 Western Electric Co Combined thick and thin film circuits
GB1276095A (en) * 1968-09-05 1972-06-01 Secr Defence Microcircuits and processes for their manufacture
US3615949A (en) * 1968-11-05 1971-10-26 Robert E Hicks Crossover for large scale arrays
US3602635A (en) * 1970-06-30 1971-08-31 Ibm Micro-circuit device
US3779841A (en) * 1972-07-21 1973-12-18 Harris Intertype Corp Fabrication of thin film resistor crossovers for integrated circuits

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2517887A1 (fr) * 1981-12-07 1983-06-10 United Kingdom Government Procede de polarisation d'un detecteur photoconducteur, appareil de detection et detecteur photoconducteur

Also Published As

Publication number Publication date
DE2349233A1 (de) 1974-04-18
GB1401923A (en) 1975-08-06
US3900883A (en) 1975-08-19
JPS5123870B2 (de) 1976-07-20
JPS4957784A (de) 1974-06-05
DE2349233C3 (de) 1978-04-13
CA1006957A (en) 1977-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3041327C2 (de)
DE2735484C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Dickfilm-Varistoren mit Zinkoxid als Hauptkomponente
DE2740808C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Varistors
DE19901184C1 (de) Platintemperatursensor und Verfahren zur Herstellung desselben
DE69005785T2 (de) Elektrischer Widerstand in Chip-Bauweise für Oberflächenbestückung und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE2752559C3 (de) Dickschichtvaristor
EP0016925B1 (de) Verfahren zum Aufbringen von Metall auf Metallmuster auf dielektrischen Substraten
DE3414065A1 (de) Anordnung bestehend aus mindestens einem auf einem substrat befestigten elektronischen bauelement und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung
DE3705279A1 (de) Widerstand in chip-form sowie verfahren zu dessen herstellung
DE3150880A1 (de) "leitende paste und verfahren zu ihrer herstellung"
DE3785946T2 (de) Halbleiterbauelement aus positiver keramik.
DE3138718C2 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2453065C2 (de) Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2745581A1 (de) Verfahren zum herstellen mehrschichtiger keramischer substrate
DE3428559C3 (de)
DE1923825B2 (de) Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial und elektrographisches aufzeichnungsmaterial sowie verfahren zur herstellung solcher aufzeichnungsmaterialien
DE69830091T2 (de) Chip-Vielschichtlaminat-Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69433156T2 (de) Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2349233C3 (de) Matrix aus photoleitenden Zellen
DE3413885C2 (de)
DE2009949B2 (de) Widerstandszusammensetzung zur Herstellung von Cermet-Widerstandselementen
DE10350343A1 (de) Chipförmige elektronische Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE2541925A1 (de) Elektrischer kontakt und verfahren zur herstellung desselben
DE69935963T2 (de) Verfahren zur herstellung eines ptc-chip-varistors
DE3338740A1 (de) Verfahren zur selektiven abscheidung einer schicht eines hochschmelzenden metalls auf einem werkstueck aus graphit

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)