DE2349233A1 - Matrix aus photoleitenden zellen - Google Patents

Matrix aus photoleitenden zellen

Info

Publication number
DE2349233A1
DE2349233A1 DE19732349233 DE2349233A DE2349233A1 DE 2349233 A1 DE2349233 A1 DE 2349233A1 DE 19732349233 DE19732349233 DE 19732349233 DE 2349233 A DE2349233 A DE 2349233A DE 2349233 A1 DE2349233 A1 DE 2349233A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrodes
insulating layer
matrix
cells
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19732349233
Other languages
English (en)
Other versions
DE2349233C3 (de
DE2349233B2 (de
Inventor
Nobuo Hasegawa
Saburo Kitamura
Toshio Yamashita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of DE2349233A1 publication Critical patent/DE2349233A1/de
Publication of DE2349233B2 publication Critical patent/DE2349233B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2349233C3 publication Critical patent/DE2349233C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14665Imagers using a photoconductor layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N97/00Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for

Description

PATENTANWÄLTE
. H. LEINWEBER mfl.-:ng. H. ZIMMERMANN DIPL.-ING. A. Gf. ν. WENGERSKY
8 München 2, Rosental 7, 2.
Tei.-Adr. Lelnpat Manchen Telefon (089) 2603989 Postscheck-Konto: München 220 45-SfrW λ μ QOOQ-
den 1. Oktober 1973
Unser Zeichen
Wy/Va/Sd/POS-32053
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO.,LTD. Tokyo/Japan Matrix aus photoleitenden Zellen
Die Erfindung befaßt sich mit HalbleiterYorrichtungen und betrifft eine Matrix aus photoleitenden Zellen.
Es ist bekannt, eine Aufdampfschicht aus SiO9 oder CaF als Isolierschicht für integrierte Dünnschichtschaltungen od. dgl. zu verwenden.
Da die 'Herstellung dieser Aufdampfschicht ein Erhitzen des Substrats im Vakuum erfordert, ist es jedoch schwierig, diese Aufdampfschicht zum Aufbau von nicht hitzebeständigen elektronischen Bauteilen aufzubringen. Es wurde auch festgestellt, daß eine zufriedenstellende Bedingung zur Ausbildung einer fertigen Aufdampfschicht ohne Löcher kaum herzustellen ist, so daß der Ausstoßanteil an brauchbaren Produkten Terringert wird. Eine Isolierschicht einer glasartigen Substanz ist auch nicht für den Aufbau solcher nicht hitzebeständigen elektronischen Bauelemente verwendbar, da die Herstellung einer solchen glasartigen Isolierschicht eine hohe Temperatur von etwa 500°Cbis 60O0C erfordert. Die Elektrodenherstellung durch leitende
409816/0 819
Farbe und Sintern des glasartigen Isoliermaterials bei hohen Temperaturen würde Verunreinigungen erzeugen, die die elektronischen Bauteile beeinträchtigen können.
Keramische Substrate neigen, ferner dazu* durch die Hitze Yerformt oder beschädigt zu werden.
Plättchen beispielsweise aus einem unter dem Handelsnamers. "Mylar" bekannten Polyesterfilm oder Kunststoffplättchen, auf ; die die Elektroden gedruckt werden^ sind für die Herstellung von elektronischen Bauteilen großer Dichte nicht geeignet. ;
Durch die Erfindung sollen daher elektronische Bauteile, insbesondere eine Matrix aus photoleitenden Zellen geschaffen werden, die die lachteile bekannter Bauteile beseitigt, die aufgrund ihrer Unbeständigkeit bei hohen Temperaturen nicht ohne Schwierigkeit herzustellen sind.
Wenn Wechselstrom- oder Gleichstromimpulse jeweils zwischen zwei Elektroden einer photoleitenden Zelle in-Form einer photoleitenden Schicht gelegt werden, zeigen die Zellen, die mehr Lichtenergie empfangen, einen geringeren elektrischen Widerstand als die Zellen, die nicht dem Licht ausgesetzt sind.
Dieses Merkmal kann zum Lesen von Lochkarten ausgenützt werden. Zu diesem Zweck werden einige hundert CdS-ZeI]^n sowie ihre Elektroden in einer Ebene in Form einer Matrix angeordnet. In dieser Matrix müssen die Elektrodenlinien, die jeweils eine Elektrode jeder Zelle einer Linie miteinander verbinden (diese Elektrodenlinien sind beispielsweise negativ und erstrecken sich parallel zur X-Richtung), kubische Kreuzungen mit den Elektrodenlinien bilden, die die andere Elektrode jeder Zelle einer Linie miteinander ^binden (diese Elektrodenlinien sind beispielsweise positiv und erstrecken sich parallel zur Y-Richtung)ο Diese kubischen Kreuzungen müssen zwischen den positiven und negativen Elektrodenlinien angeordnete Isolierschichten aufweisen^ um Kurzschlüsse zwischen den Linien . zu vermeiden«, . . . - 3 -
_ 3 —
Die Schicht aus CdS-Zellen und die Isolierschicht werden vorzugsweise im Siebverfahren hergestellt9 da diese Schichten eine Dicke von 20 bis 30 pm haben.müssen«, Eine der Elektroden wird aus einer Te-Legierung hergestellt, die mit der CdS-Zelle in Sperrkontakt steht, während die andere Elektrode aus einer In-Sn- oder einer In-Al-Legierung besteht, die mit der CdS-Zelle in Ohmschem Kontakt steht. Beide Elektroden sind im Aufdampfverfahren hergestellt.
Da die Elektroden bei niedriger Temperatur schmelzende Legierungen, und zwar von Te oder In enthalten2 darf die anschließend hergestellte Isolierschicht an jedem Kreuzungspunkt nicht auf eine hohe Temperatur erhitzt werden, da sonst die Elektroden wegschmelzen würden»
Diese Aufgabe, d.h. die Ausbildung der Isolierschicht bei einer so niedrigen Temperatur, daß die darunterliegende Elektrode nicht schmelzen kanns wird durch die Erfindung- gelöst
Ferner wird durch die Erfindung eine schnelle und beständige Verbindung an jedem Kreuzungspunkt geschaffene
Gemäß der Erfindung besteht jeder Kreuzungspuoki aus einer im Aufdampfverfahren hergestellten ersten Elektrode^ einer im Siebverfahren auf der ersten Elektrode ausgebildeten Isolier- j schicht, die aus einem Epoxyharz besteht, und einer durch Auf- j dampfen auf der Isolierschicht hergestellten zweiten Elektrode.
Das die Isolierschicht bildende Epoxyharz ist vorzugsweise mit 40 bis 80 €rew.-# Quarzsand oder Tonerde mit einem Partikeldurchmesser von 1 bis 10 /im als Füllstoff belastet, um die Fließfähigkeit des Harzes während der Aushärtung zu steuern. Die Verarbeitbarkeit dieser Epoxyharze mit den Füllstoffen kann vorzugsweise längs* als 30 Minuten dauern. Es ist aber auch möglich, daß die Epoxyharze mit den Füllstoff en inner+- halb von 30 Minuten bei einer Temperatur von weniger als 1500C vollständig aushärten.
409816/0819
23A9233
Die ausgehärtete Schicht muß eine gleichmäßige Dicke von 20 bis 30 /im haben und darf keine Löcher aufweisen.
Die Materialien zur Herstellung der Elektrodenschichten müssen so beschaffen sein, daß sie fest gegen Bruch der Elektrodenlinie sind und sich sowohl mit dem keramischen Substrat als auch mit dem Epoxyharz der Isolierschicht fest verbinden. Diese Materialien können beispielsweise Ui, Au, Sn oder Al in Form dünner Filme sein.
Weitere Einzelheiten,· Vorteile und Merkmale der Erfindung • ergeben sich aus der folgenden Beschreibung. Auf der Zeichnung ist die Erfindung beispielsweise veranschaulicht, und zwar zeigen
Fig. 1 eine Draufsicht auf eine Matrix aus photoleitenden Zellen gemäß der Erfindung und
Fig. 2 in vergrößertem Maßstab eine schematisehe Darstellung einer bei der in Fig. 1 dargestellten Matrix verwendeten photoleitenden Zelle.
Die Zeichnung zeigt ein keramisches Substrat 1 aus Tonerde, auf das eine Schicht von photoleitenden CdS-Zellen 2 aufgebracht und im Siebverfahren gedruckt wird. Eine Vielzahl von Zellen 2 ist in regelmäßigen Abständen voneinander in den Eichtungen X und I angeordnet. Aufgedampfte Metallschichten dienen als Elektroden 3, 4 und 5.
Die Elektroden 3 bestehen aus einer In-Sn-Legierung und -stehen in Ohmschem Kontakt mit der CdS-ZeIIe. Sie sind im Aufdampfverfahren hergestellt,,
Die Elektroden 4 bestehen aus einer Sn-Legierung und sind ebenfalls durch Aufdampfen hergestellt»
09816/0819
-. Die Elektroden 5 sind ebenfalls Aufdampfschichten, sie bestehen jedoch aus einer Te-Legierung und stehen mit der GdS- ■ Zelle 2 in Sperrkontakt.
Wie in Fig. 2 deutlich dargestellt 9 ist zwischen 'den Elektroden 3 und 4 eine Isolierschicht 6 angeordnet. Diese Isolierschicht 6 besteht aus einem Einkoiaponenten-Epoxyharz, das 70 Gew.-$ Quarzsandpulver mit einem Partikeldurchmesser von 2 bi 3 fim enthält. Diese Isolierschicht ist im Siebverfahren auf der die X-Achse der Matrix bildenden Elektrode 3 aufgebracht'.
Wenn das Harz 30 Minuten lang auf 15O0G gehalten worden ist, wird es zu einer harten Isolierschicht mit einer gleichmäßigen Dicke von 20 bis 30 ^um, die keine Löcher aufweist»
Auf dieser Isolierschicht 6 wird die zweite Elektrode 4 aus einer Sn-Legierung. durch Aufdampfen hergestellt9 die eine die X-Achse kreuzende Y-Achse bildetΌ
Die so erhaltene Matrix aus photoleitenden Zellen weist demnach von einer ersten Gruppe von Elektroden gebildete X-Achsen und von einer zweiten Gruppe von Elektroden gebildete Y-Achsen auf, wobei die X-Achsen und die Y-Achsen kubische Kreuzungen bilden, bei denen die Isolierschichten 6 an den Punkten eingelagert sind, an denen sich die Achsen treffen.
Eine zweite Ausführungsform der Matrix ist auf die gleiche Weise gebaut wie die erste. Bei dieser Ausführungsform sind jedoch die Elektroden so ausgebildet9 daß die Elektroden der X- und der Y-Achsen zunächst an einem Muster einer ersten Maske entsprechenden Teilen ausgeschnitten werden,, woraufhin die ausgeschnittenen Teile unter Verwendung einer dem Muster der ausgeschnittenen Teile entsprechenden zweiten Maske ausgefüllt werden.
409816/0819
Bei den beschriebenen Ausführungsformen sind die X-Achser negativ und die Y-Achsen positiv. Bei der Matrix einer dritten Ausführungsform sind dagegen die Elektroden 5 aus Te-Legierung zu X-Achsen verbunden, so daß diese positiv werden, während die Elektroden der In-Sn-Legierung zu Ϊ-Achsen verbunden sind, wodurch diese Achsen negativ werden»
Der Gesamtaufbau einer vierten Ausführungsform ist der j gleiche wie bei den oben beschriebenen Ausführungsformen. In diesem Fall ist das die Isolierschicht bildende Epoxyharz ein Zweikomponentenharz j das aus einem Harz und einem Härtungsmittel besteht« Das Harz und das Härtungsmittel sind mit Füllstoffen aus Quarzsandpulver gemischt, das 40 Gew. =36 beträgt und Partikeldurchmesser von 1 bis 10 pm aufweist. Die aus diesem Zwei-: komponenien-Ipoxyhars gebildete Isolierschicht ist ebenso wirksam wie die aus einem Einkomponentenharz bestehende Isolier-r schichte
Bei den oben beschriebenen Ausführungsformen waren die Füllstoffe im Epoxyharz Quarzsandpulver. Bei einer fünften Ausführungsform ist der Quarzsand durch ein Tonerdepulver mit einem Partikeldurchmesser von 1 bis 10 pm. ersetzt, das 40 bis 80 Gew.-% beträgt.
Die aus Epoxyharz mit Füllstoffen aus pulverisierter Tonerde bestehende Isolierschicht kann auch wirkungsvoll zum Aufbau von Matriken der ersten bis vierten Ausführungsform verwendet werden.
Bei den vorgenannten Ausführungsformen eins bis fünf sinip.
entweder die Elektroden der X-Achse oder die der Y-Achse oder ; beide Aufdampfelektroden aus einer Sn-Legierung. Bei der i sechsten Ausführungsform ist diese Sn-Legierung durch eine entsprechende Legierung aus Al1 Au bzw. Ii ersetzt.
40981 6/0819
Somit bestehen bei der sechsten Ausführungsform jeweils die Elektroden der X-Achse bzw. die der Y-Achse oder beide aus einer Aufdampfschicht aus einer Al-, einer Au- oder einer Ni-Legierung. Diese Elektroden können ebenso wirksam zum Aufbau der vorbeschriebenen Ausführungsformen dienen.
Ein το11ständiger Ohmscher Kontakt kann nicht erzielt werden, ohne daß die In-Elektroden mit den CdS-Zellen direkt in Berührung stehen. Es kann jedoch nur Sn, Au, M bzw. Al als Elektrode verwendet werden. Daher weist in der siebenten ; Ausführungsform die Matrix mit dem gleichen Aufbau wie die j Ausführungsformen eins bis sechs Elektroden der X-Achse bzw. ( der I-Achse auf, die aus Sn, Au, Ii bzw. Al bestehen und j durch Aufdampfen in direktem Kontakt mit den CdS-Zellen stehen}
In weiteren Ausführungsformen werden anstelle der GdS-Zellen photoleitende Zellen aus CdSe oder PbS verwendet.
j ' Die Tonerde zur Herstellung des Substrats kann ferner auch durch Steatit, Forsterit oder Zirkonerde ersetzt werden.
; Die erfindungsgemäßen Matrizen weisen die folgenden Vorteile auf:
1. Da die zwischen den Elektroden der X-Achse und der Y-Achse an jedem Kreuzungspunkt angeordnete Isolierschicht aus Epoxyharz besteht, das bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen von weniger als 1500G aushärtet, ist es unwahrscheinlich, daß die elektronischen Bestandteile während der Ausbildung der Isolierschicht beschädigt werden*
Auf diese Weise erhält man Matrizen mit nicht'hitzebeständigen elektronischen Bestandteilen, insbesondere mit photoleitenden CdS-Zellen, deren Zusammensetzung und Diodencharak"te"ristik sieh bei hohen Temperaturen ändern würden, bei denen die elektronischen Bestandteile nicht von Hitze betroffen werden. Aus dem gleichen Grund tritt keine Verformung des
409816/0819
Substrats durch Hitze auf., Darüber hinaus sind Epoxyharze zu niedrigen Preisen im Handel erhältlich^ was zu einer wirtschaftlichen Herstellung führte
2. An den Kreuzungsstellen tritt kein Kurzschluß auf, da die Isolierschicht eine Dicke τοπ 20 bis 30yum erreicht und keine Löcher in einer solchen Schicht vorhanden sind.
3. Da die die Isolierschicht bildenden Harze Füllstoffe, wie Tonerde- oder Quarzsandpulνer, enthalten, ist die Fließfähigkeit so verringert, daß das Harz nicht herausfließen oder sich rundherum ausbreiten kann. Die mit einem solchen Harz hergestellte Isolierschicht ist auch insofern vorteilhaft, als sie eine große Härte und eine geringe Wärmeausdehnung oder -schrumpfung aufweist„Die innige Verbindung dieser Isolierschicht mit den Elektroden und mit dem keramischen Substrat ist so stark, daß ein Abblättern der Schichten kaum auftreten kann.
4. Die Bauelementdichte in der Matrix kann grosser gemacht werden, da selbst komplizierte Matrixmuster ohne Schwierigkeiten aufgebaut werden können«,
5. Die Herstellung ist einfacher und leichter, da die Isolierschicht aus Harz im Druckverfahren hergestellt werden ! kann.
— 9 — 4098 16/0819

Claims (5)

  1. Patentanspruches
    aus photoleitenden Zellen, mit einem keramischen Substrat, auf dem eine Schicht photoleitender Zellen 'ausgebildet ist, mit ersten jeweils eine der Elektroden jeder Zelle miteinander verbindenden gemeinsamen Linien, die sich in Richtung der X-Aehse erstrecken, und mit zweiten jeweils die anderen Elektroden der Zellen miteinander verbindenden gemeinsamen Linien, die sich in Richtung der Y-Achse erstrecken, dadurch gekennzeichnet, daß- jeweils zwischen den ersten und zweiten Linien an den von ihnen gebildeten kubischen Kreuzungen eine Isolierschicht (6) aus einem zu den Epoxyverbindungen gehörenden Harz angeordnet ist, das wenigstens Tonerde- oder Quarzsandpulver als Füllstoff enthält.'
  2. 2. Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht (6). im Siebdruckverfahren hergestellt ist.
  3. 3. Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser der Partikel des Füllstoffs 1 bis 10 pm beträgt
  4. 4. Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil des Füllstoffs 40 bis 80 Gew.-$ beträgt.
  5. 5. Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Harz ein Epoxyharz ist.
    40981670819
    Leerseite
DE2349233A 1972-10-02 1973-10-01 Matrix aus photoleitenden Zellen Expired DE2349233C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP47099344A JPS5123870B2 (de) 1972-10-02 1972-10-02

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2349233A1 true DE2349233A1 (de) 1974-04-18
DE2349233B2 DE2349233B2 (de) 1977-08-25
DE2349233C3 DE2349233C3 (de) 1978-04-13

Family

ID=14244982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2349233A Expired DE2349233C3 (de) 1972-10-02 1973-10-01 Matrix aus photoleitenden Zellen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3900883A (de)
JP (1) JPS5123870B2 (de)
CA (1) CA1006957A (de)
DE (1) DE2349233C3 (de)
GB (1) GB1401923A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0119742A2 (de) * 1983-02-15 1984-09-26 Sharp Kabushiki Kaisha Zweidimensionale Bildlesevorrichtung
US4551623A (en) * 1981-12-07 1985-11-05 The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Photoconductive detector with an A/C bias and responsivity dependent upon the polarity of the bias

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4000418A (en) * 1975-11-26 1976-12-28 General Electric Company Apparatus for storing and retrieving analog and digital signals
JPS56172960U (de) * 1981-05-14 1981-12-21
US4509045A (en) * 1982-07-01 1985-04-02 Sperry Corporation Low cost addressing system for AC plasma panels
GB2227887A (en) * 1988-12-24 1990-08-08 Technology Applic Company Limi Making printed circuits
WO1994000950A1 (en) * 1992-06-19 1994-01-06 Honeywell Inc. Infrared camera with thermoelectric temperature stabilization
CN102711366A (zh) * 2012-05-11 2012-10-03 倪新军 一种高频电路板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3436611A (en) * 1965-01-25 1969-04-01 Texas Instruments Inc Insulation structure for crossover leads in integrated circuitry
US3560256A (en) * 1966-10-06 1971-02-02 Western Electric Co Combined thick and thin film circuits
GB1276095A (en) * 1968-09-05 1972-06-01 Secr Defence Microcircuits and processes for their manufacture
US3615949A (en) * 1968-11-05 1971-10-26 Robert E Hicks Crossover for large scale arrays
US3602635A (en) * 1970-06-30 1971-08-31 Ibm Micro-circuit device
US3779841A (en) * 1972-07-21 1973-12-18 Harris Intertype Corp Fabrication of thin film resistor crossovers for integrated circuits

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4551623A (en) * 1981-12-07 1985-11-05 The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Photoconductive detector with an A/C bias and responsivity dependent upon the polarity of the bias
EP0119742A2 (de) * 1983-02-15 1984-09-26 Sharp Kabushiki Kaisha Zweidimensionale Bildlesevorrichtung
EP0119742A3 (en) * 1983-02-15 1985-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha Two-dimensional image readout device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS4957784A (de) 1974-06-05
US3900883A (en) 1975-08-19
CA1006957A (en) 1977-03-15
JPS5123870B2 (de) 1976-07-20
DE2349233C3 (de) 1978-04-13
GB1401923A (en) 1975-08-06
DE2349233B2 (de) 1977-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2514922C2 (de) Gegen thermische Wechselbelastung beständiges Halbleiterbauelement
DE2205038C3 (de) Elektrisch leitender Film
DE4135007C2 (de) SMD-Bauelemente mit Maßnahmen gegen Lötbrückenbildung und Temperaturwechselbeanspruchung
DE3700910C2 (de)
DE3145648C2 (de) Halbleiteranordnung
DE2644283C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Bausteins
DE2735484C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Dickfilm-Varistoren mit Zinkoxid als Hauptkomponente
DE2817286A1 (de) Verfahren zum anbringen von distanzgliedern auf einem isolierenden substrat
DE2459664A1 (de) Kaltleiterbindungsvorrichtung
DE2752559B2 (de) Dickschichtvaristor
DE712674C (de) Verfahren zur Herstellung von Elektrodensystemen mit unsymmetrischer Leitfaehigkeit
DE3428559C3 (de)
DE1765164B2 (de) Verfahren zur bindung von stromleitern
DE60009464T2 (de) Leitfähige harzzusammensetzung; elektronisches modul das diese verwendet und verfahren zur herstellung dieses moduls
DE2349233A1 (de) Matrix aus photoleitenden zellen
DE69433156T2 (de) Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3700912C2 (de)
DE2445626A1 (de) Metalloxid-varistor mit einer die kontakt-adhaesion verstaerkenden beschichtung
DE2153250C3 (de) Josephson-Kontakt
DE2931825B2 (de) Magnetblasen-Speichervorrichtung
DE2146328A1 (de) Leiterplatte
DE2340170C3 (de) Hochohmwiderstand für Gleichstrom-Hochspannungsschaltungen
DE2315714A1 (de) Mikrominiaturisierte schaltungsanordnung
DE102007004893B4 (de) Piezoelektrischer Vielschichtaktor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2137968A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektro-optischen Schalters

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)