DE2264690C3 - Belichtungssteuerung für eine einäugige Spiegelreflexkamera - Google Patents

Belichtungssteuerung für eine einäugige Spiegelreflexkamera

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DE2264690C3
DE2264690C3 DE19722264690 DE2264690A DE2264690C3 DE 2264690 C3 DE2264690 C3 DE 2264690C3 DE 19722264690 DE19722264690 DE 19722264690 DE 2264690 A DE2264690 A DE 2264690A DE 2264690 C3 DE2264690 C3 DE 2264690C3
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Eisuke Katano; Shimomura Masaya; Tsuda Yuji; Hirakata; Kajiwara Junji Kadoma; Ichinohe (Japan)
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Belichtungssteuerung für eine einäugige Spiegelreflexkamera mit Lichtmessung durch das Aufnahmeobjektiv, mit einer Stromquelle, einer Lichtmeßschaltung mit einem lichtempfindlichen Element und einem deren Meßergebnis verstärkenden Verstärker, an dessen Ausgangsklemmen ein Fotostrom abgegeben wird, der über einen Schalter • n eine Eingangsklemme eines eine erste und eine zweite Steuereingangsklemme aufweisenden Differenz-Verstärkers einer weiterhin einen Speicherkondensator enthaltenden Speicherschaltung eingespeist ist, die das Ausgangssignal der Lichtmeßschaltung nach dem Spiegelaufklappen speichert, und mit einem elektronisch gesteuerten Kameraverschluß, der durch das Niederdrücken eines die Stromquelle mit der Belichtungssteuerung verbindenden Auslöseknopfs zu öffnen ist und über eine Verschlußsteuerschaltung nach einer durch das gespeicherte Signal bestimmten Zeitspanne JU schließen ist.
Als lichtempfindliche Elemente sind hierbei Kadmi- «msulfidzellen bekannt, die jedoch aufgrund einer verhältnismäßig langen Ansprechzeit bei schnellen Lichtänderungen am lichtempfindlichen Element zu falschen Ergebnissen führt, oder Silicium-Photodioden, fto die zwar eine schnelle Ansprechzeit haben, jedoch einen hohen Dunkelstrom aufweisen. Da sie allgemein im Sperrspannungsbetrieb betrieben werden, kann dieser Dunkelstrom nicht vernachlässig werden.
Eine plötzliche Änderung des auf das lichtempfindli- fts ehe Element fallenden Lichtstroms ergibt sich bei einäugigen Spiegelreflexkameras mit Lichtmessung durch das Objektiv dadurch, daß kurz vor dem Belichten des Films der Sucherspiegel aufgeklappt wird, wodurch der Lichtstrom zum lichtempfindlichen Element unterbrochen wird. Eine für die richtige Bestimmung der Beleuchtungsverhältnisse erwünschte schnelle Ansprechzeit des lichtempfindlichen Elements kann deshalb nach dem Aufklappen des Spiegels wiederum zu einer schnellen Änderung der Meßwertanzeige und damit zu einer Fehlbelichtung führen. Es ist deshalb bekannt, den vorher gemessenen Wert zu speichern und beim Aufklappen des Spiegels die Lichtmeßschaltung von der Speicherschaltung zu trennen. Bei der Speicherung mit Hilfe eines Kondensators ergeben sich jedoch Schwierigkeiten aufgrund des Leckstroms des Kondensators und der Speicherschaltung. Diese Schwierigkeiten sind insbesondere dann groß, wenn aufgrund einer Belichtung mit Selbstauslösung die Speicherzeit bis zu 10 Sekunden dauern soll.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer Spiegelreflexkamera mit Lichtmessung durch das Objektiv den durch das Objektiv tretenden Lichtstrom genau und ohne wesentliche Meßverzögerung zu messen, jedoch den Meßwert anschließend für eine lange Zeit unverändert speichern /u können.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß der Speicherkondensator /wischen die erste und die zweite Eingangsklemmen des Differen/verstär kers geschalte! ist, dessen erste Eingangsklemme mit dem Schalter verbunden ist und dessen /weite Eingangsklemme mit einem Verbindungspunkt von Widerständen verbunden ist. die andererseits über einen Hauptschalter mit der Potentialklemme der Stromquelle b/w. mit Masse verbunden sind. Bei dieser Schaltung kann als lichtempfindliches Element eine Silicium-Photodiode verwendet werden, da der Differenzverstärker aufgrund seines hohen Eingangswiderstands die Kondensatorspannung füi du· erforderliche Zeit aufrechterhält. Die Weiterverarbeitung dieser Spannung aufgrund des Ausgangssignals des Differenzverstärkers läßt sämtliche Möglichkeiten einer genauen, jedoch den Bedürfnissen anpaßbaren Belichtungssteuerung offen.
Weitere Einzelheiten, Vorteile und Weiterbildungen ergeben sich aus der folgenden Beschreibung. Auf der Zeichnung ist anhand der Dprstellung eines Schaltplans einer Ausführungsform do Erfindung beispielsweise veranschaulicht.
Die Zeichnung zeigt einen elektrischen Schaltplan einer Ausführungsform der Erfindung, mit einer Stromquelle der Spannung VR und mit einem Widerstand R], der mit einer Klemme mit einer Diode Q\ und mit der anderen Klemme mit Masse E verbunden ist. p-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistoren F] und F2 bilden einen Differenzverstärker mit einer Konstantstromschaltung, die pnp-Transistoren Qi und Qi enthält, von denen der Transistor Q2 zwischen der Stromquelle und der gemeinsamen Quelle der Feldeffekttransistoren Fi und F2 liegt. Die Summenverstärkung des Verstärkers ist niedrig genug im Vergleich zur Differenzverstärkung, und es ist für eine ausreichende Kompensation von Änderungen in der Speisespannung gesorgt. Durch den Differenzverstärker ist auch für eine Kompensation des Wärmeeffekts gesorgt. Eine Silicium-Photodiode phD ist zwischen das Gatter G] des Transistors Fi und das Gatter Gi des Transistors Fi eingesetzt, wobei die positive Klemme mit den Gatter Gi und die negative Klemme mit dem Gatter G] verbunden ist, und ist außerdem zwischen zwei in Reihe geschaltete veränderliche Widerstände /?; und R) geschaltet, deren Verbindungspunkt mit der Diode Q] verbunden ist. Wird das
Licht bei einer in einer gegebenen Stellung festgelegten Objektivöffnung (Blende) der Kamera gemessen, so kann der Widerstand R2 ein fester Widerstand sein; wird jedoch das Licht bei voll geöffneter Blende gemessen, so muß der Widerstand R2 ein variabler Widerstand sein, der mit dem Blenden-Einstellmechanismus verbunden ist. Widerstände Ra und /?5 sine" mit jeweils einer Klemme mit dem Abfluß D, des Transistors F, bzw. dem Abfluß D2 des Transistors F2 verbunden und mit der anderen Klemme an entgegengesetzte Klemmen eines veränderlichen Widerstands Rb angeschlossen. Der veränderliche Widerstand Rb dient dem Justieren einer Unbalance zwischen den Transistoren F, und F2 sowie einer Unbalance zwischen den Widerständen R4 und Ry, er hat einen zentralen Abgriff, der mit Erde verbunden ist. Ein Widersiand R{b ist zwischen den Abfluß des Feldeffekttransistors F, und den Widerstand /?4 geschaltet, um zu verhindern, daß die Spannung, die aufgrund einer kleinen Differenz zwischen den gegenseitigen Impedanzen Gn, der Feldeffekttransistoren Fi und F3 erzeugt wird, wenn die Gatterspannungen der Transistoren Fi und F2 vermindert werden, in der ganzen Schaltung positiv rückgekoppelt wird und damit eine Schw ingung verursacht.
In der gezeichneten Anordnung sind eine Diode Q, sowie npn-Transistoren Q5, Qb und Q7 vorgesehen. Die Basen der npn-Transisloren Q6 und Q7 sind mit den Abflüssen D\ bzw. D2 verbunden und der gemeinsame Emitter ist mit der Konstantstromschaltung verbunden, zu der die Diode Qa und der npn-Transistor Q5 gehören, Die npn-Transistoren Qt, und Q7 stellen ebenfalls einen Kuiistantstrom-Differenzverstärker dar. hin Widerstand R7 dient zur Bestimmung des durch die Konstantstromschaltung geleiteten Stroms für den Differenzverstärker mit den Transistoren Fi und F2 und für den Differenzverstärker mit den npn-Transistoren Qb und Q7. Der Kollektor des npn-Transistors Q6 ist unmittelbar mit der Stromquelle verbunden und der Kollektor des npn-Transistors Q7 ist mit einem Widerstand A8 und mit der Basis eines npn-Transistors Qi verbunden. Der Emitter des npn-Transistors Qg ist an die Basis eines npn-Transistors Q1 und der Kollektor an die Stromquelle angeschlossen. Die Anordnung der npn-Transistoren Qs und Q9 kann als eine Art von »Darlingtonw-Schaltung betrachtet werden, die die Ausgangsspannung des npn-Transistors Q7 bei hoher Eingangsimpedanz bekommt und sie verstärkt. Mit dem npn-Transiätor Qq sind ein Kollektorwiderstand /?q und ein F.mitterwiderstand R\o verbunden, die die Ausgangsspannung dieses Transistors aufnehmen und sie über den Schalter S\ einem Speicherkondensator Q sowie zum Gatter eines Transistors F3 speisen, der zusammen mit einem Transistor F4 einen mii konstantem Strom betriebenen Differenzverstärker bildet.
Der Speicherkondensator G ist zwischen die Gatter der Feldeffekttransistoren Fj und Fa eingesetzt und die gemeinsame Quelle dieser beiden Transistoren ist mit dem Kollektor eines pnp-Transistors Q10 verbunden, der eine Konstantstromquelle darstellt, indem er an seiner Basis und an seinem Emitter mit den entsprechenden Klemmen eines pnp-Transistors Qu verbunden ist.
Der Kollektor eines npn-Transistors Qw, der zusammen mit einem npn-Transistor Qi2 eine Konstantstromquelle darstellt, indem er mit seiner Basis und seinem Emitter mit den entsprechenden Klemmen des Transistors Qu verbunden ist, schließt an den Abfluß des Feldeffekttransistors F3 und an die Basis jines npn-Transistors (?i5 an. Zwischen den Abfluß des Transistors
F4 und den Transistor Q\2 ist ein Transistor Qn geschaltet. Das Galter des Feldeffekttransistors F4 ist mit dem Verbindungspuikt von Widerständen Rw und R]2 verbunden. Eine zwischen die Basis und den Kollektor des Transistors Qi4 und Erde eingeschalteter Widerstand /?u dient der Bestimmung des konstanten Stroms durch die Transistoren Qu> und ζ),4. Der Kollektor des Transistors Qi5 ist mit dem Gatter des Feldeffekttransistors F2 verbunden und unmittelbar zur Eingangsstufe rückgekoppelt. Der Emitter des Transistors Qi5 ist mit den Basen eines Transistors Qib sowie von npn-Transistoren Qi? und Qm verbunden. Der Kollektor des Transistors Qi7 ist mit dem Schaltstück der Schaltstellung 1 eines Wahlschalters S1 verbunden, der der Wahl zwischen »Automatik«, bei der sich die Belichtungszeit automatisch ergibi, und »manuell«, bei der die Belichtungszeit manuell nach Wunsch eingestellt wird, dient. Der Schalter S3 ist mit einer Klemme eines Zeitsteuerkondensators C2 verbunden, dessen andere Klemme an der Stromquelle hängt. Ein Schalter S1 ist dem Kondensator C2 parallel geschaltet und das seiner .Schaltstellung 2 entsprechende Kontaktstück schließt an die mittleren Anzapfungen Λ/ eines veränderlichen Widerstandes R2n /ur manuellen Einstellung der Belichtungszeit an. Ein Widerstand R2] und cm Schalter, der mit einem Verschlußauslöseknopf verbunden ist (nicht dargestellt), dienen der Ball-Belichtung. Der Transistor Qi7 ist durch einen Widerstand R^ überbrückt.
Der Kollektor des npn-Transistors Qi8 ist mit dem Gatter eines Transistors Q19 und eines Feldcflekttransistors F5 verbunden, so daß also der Transistor Qm mit einem Strom gleich dem Kollektorstrom des npn-Transistors Qh versorgt wird. Zwischen die Quelle des Feldeffekttransistors F5 und die Stromquelle ist ein Transistor Q20 geschaltet, der aufgrund eines Widerstandes /?i5 eine konstante Klemmenspannung aufweist. Der Feldeffekttransistor F5 stellt Unterschiede zwischen der Klemmenspannung des Transistors Q19 und der konstanten Klemmenspannung des Transistors Q20 fest und erzeugt einen Ausgangsstrom entsprechend der Differenz. Der Abfluß des Transistors F5 ist über einen Widerstand Ru mit Masse Fund außerdem direkt mit einer Klemme eines Amperemeters A verbunden, dessen andere Klemme an einem veränderlichen Widerstand R)7 zum Justieren des Maximalausschlages des Amperemeters hängt. Der veränderliche Widerstand /?i7 ist ferner mit einem weiteren veränderlichen Widerstand /?ιβ verbunden.
Ein Widerstand R22 ist als Quellenwiderstand eines Feldeffekttransistors Fb geschaltet, während zwischen die Quelle des Transistors F6 und Erde ein veränderlicher Widerstand Rn zur Einstellung des Triggerpegels geschaltet ist. Das Ausgangssignal des Transistors Fb wird von einem Abflußwiderstand R2A dieses Feldeffekttransistors abgenommen.
npn-Transistoren Qn und Q22, Widerstände R2^, R2b, R27 und /?2s. ein Elektromagnet Ry und eine Diode Q23 stellen einen Schmitt-Trigger dar, der den Strom durch den Elektromagnet /?y steuert, welcher die Kollektorbelastung des npn-Transistors Q22 entsprechend der Ausgangsspannung des Feldeffekttransistors F6 darstellt. Die Diode Q23 soll verhindern, daß der npn-Transistor Q22 während Stoßvorgängen, die beim Sichalten des Schmitt-Triggers erzeugt werden, beschädigt wird. Ein Schalter S6 stellt die Verbindung zur Stromquelle her und wird vom Schalterauslöseknopf der Kamera betätigt.
Da der Spiegel aufklappt, sobald der Verschlußauslöseknopf niedergedrückt wird, muß mit dem Speichern begonnen werden, bevor der Spiegel aufklappt. Wenn eine Selbstauslösung verwendet wird, muß die Speicherung etwa 10 Sekunden lang aufrechterhalten werden. Wenn ein Tantal-Festelektrolyt-Kondensator mit sehr niedrigem Leckstrom als Speicherkondensator Q verwendet wird, der zwischen die Gatter der Feldeffekttransistoren Fz und F4 eingesetzt ist, wobei diese Gatter die Eingangsklemmen einer Differenzverstärkerschaltung von hoher Eingangsimpedanz darstellen, ist die an den Kondensator Q angelegte Spannung im wesentlichen Null, wie später noch beschrieben werden wird, so daß der Leckstrom des Kondensators vernachlässigbar ist. Es ist also möglich, die gespeicherte Spannung während des Betriebs des Selbstauslösers aufrechtzuerhalten.
Es sei nun der typische Vorgang beim Aufnehmen eines Bildes beschrieben.
Es sei auf den Fall Bezug genommen, daß die Belichtungszeit automatisch entsprechend der vom aufzunehmenden Gegenstand abgegebenen Lichtinenge, der Filmempfindlichkeit und der Blende bestimmt werden soll und Lille Schalter vor dem Niederdrücken des Verschlußauslöseknopfs in der Stellung 1 stehen. Der Schalter 53 befindet sich unabhängig von der Stellung des Verschlußauslöseknopfs immer in der Stellung 1. Da der Schalter Ss bei der automatischen Belichtung keine Funktion ausübt, wird er nicht weiter beschrieben. Vor dem Aufnehmen des Bilds wird eine Justierung entsprechend der Filmempfindlichkeit durchgeführt, indem der Widerstand R2 mit Hilfe eines Filmempfindlichkeitsknopfs an der Kamera eingestellt wird. Anschließend wird die Blende festgelegt. Bei einer Kamera mit einer manuell verstellbaren Blende wird das durch diese Blende tretende Licht vom photoempfindlichen Element gemessen. Hat die Kamera eine voreingestellte Blende, eine sogenannte Springblende, so wird das Licht mit voller Blendenöffnung gemessen, die sich jedoch unmittelbar vor der Betätigung des Schalters auf eine vorgegebene Stellung verkleinert. Im ersteren Fall muß also der Widerstand R3 zum Bestimmen des Verstärkungsfaktors des Photostroms festgelegt sein, da sich der Photosirom proportional mit der Blendenöffnung ändert Im letzteren Fall muß jedoch der Widerstand /?3 entsprechend dem voreingestellten Wert der Blende eingestellt werden, so daß der Strom proportional diesem voreingestellten Wert ist.
Nach der Bestimmung der Blende wird der Verschlußauslöseknopf gedruckt. Hierbei wird zunächst der Schalter Sf, so betätigt, daß er die geschlossene Stellung 2 einnimmt, die Stromquelle angeschlossen wird und die Messung beginnt Es fließt der der Lichtmenge entsprechende Photostrom Ip durch die Silizium-Photodiode phD und weiter durch den Widerstand R3. Durch diesen Strom wird das Gatter G2 des Transistors /-"2 auf positives Potential gebracht und das Abflußpotential des Transistors F2 erniedrigt sich. Das Kollektorpotential des Transistors (?]5 wird an das Gatter G2 des Feldeffekttransistors F2 gelegt, so daß sich keine nenenswerte Änderung im Potential des Gatters G2 aufgrund der negativen Rückkopplung ergibt Im Fall daß die bei offener Schleife betrachtete Verstärkung des Rückkopplungsverstärkers hoch ist, kann angenommen werden, daß die Eingangsspannung zwischen den Transistoren Fi und F2 im wesentlichen Null ist. Der durch den Widerstand R2 und die Rückkopplungsschleife fließende Strom / kann deshalb durch die folgende Gleichung dargestellt werden:
R,
1st der Widerstandswert des Widerstandes A3 groß im Vergleich zu dem aufgrund der Filmempfindlichkeit justierten Widerstand R2, so wird der Photostrom verstärkt und sodann in den Kollektor des npn-Transiston- Q]S eingespeist. Hierbei erscheint eine Spannung entsprechend der Lichtmenge am Speicherkondensator C\. Wie aus der Gleichung (1) ersichtlich ist, ist eine Justierung entsprechend der Filmempfindlichkeit durch Einstellen des Widerstandes R2 zur Änderung der Stromverstärkung möglich.
Nun wird im Anzeiger A eine Belichtungszeit angezeigt, die entsprechend der Filmempfindüchkeit, der Blendenöffnung und der Lichtmenge bestimmt ist. Wird nun der Verschlußausloseknopf weitergedrückt, so kommt der Schalter Si in die Schaltstellung 2 und weiterhin wird der Schalter S4 in die Schaltstellungen 2 gebracht, unmittelbar bevor der Kameraspiegel aufklappt. Es ist zu beachten, daß im Falle einer Kamera, bei der die Lichtmessung mit voll geöffneter Blende erfolgt, der Schalter Si betätigt werden muß, bevor die Blende während der Verschlußauslöselösung in die vorgegebene Stellung springt. Der Schalter Sa kann betätigt werden, nachdem der Schalter Si beätigt worden ist. Die Speicherfunktion beginnt, wenn der Schalter Si in die Schaltstellung 2 gebracht worden ist, woraufhin ein Strom, der der im Speicherkondensator G gespeicherten Spannung entspricht, von der Stromquelle durch den Schalter S» zum Kollektor des npn-Transistors Qn fließt. Hat die Spannung der gespeicherten Ladung den richtigen Wert, so ist der Strom gleich demjenigen, der durch die negative Rückkopplungsschleife zum Kollektor des npn-Transistors C?i5 während der Lichtmengenmessung geflossen ist. Der Schalter S4 wird in seine offene Stellung 2 gebracht, wenn der Verschluß geöffnet ist.
Hierauf wird der Zeitsteuerkondensator C2 durch den der gespeicherten Ladung entsprechenden Strom geladen. Erreicht die Spannung im Zeitsieuerkondensator einen gegebenen Pegel, so wird der Feldeffekttransistör Fb leitend und ein Strom fließt hindurch, so daß das Basispotential des npn-Transistors Q2\ ansteigt. Hierdurch wird der Transistor Q2\ leitend und dei npn-Transistor Qi9 sperrend und unterbricht den Strorr durch den Elektromagnet Ry. so daß der VerschluC
5c schließt. Die Belichtungszeit entspricht der Zeit von dei Betätigung des Schalters S4 bis zur Unterbrechung de: durch den Elektromagnet fließenden Stroms.
Dies kann durch die folgende Gleichung dargestell werden:
f =
C2 ■ VT
JP
wobei t = Belichtungszeit, VV = Triggerspannung un /= Kollektorstrom des npn-Transistors Qis, der al »zeitintegrierender Strom« bezeichnet werden kann.
Wie aus der Gleichung (2) ersichtlich ist, kann di Belichtungszeit durch den zeitintegrierenden Strom bestimmt werden, wenn der Wert C2VV konstant is Der dem Kondensator C2 und der Silizium-Photodiod phD innenwohnende Fehler kann durch die Justierun der Triggerspannung VV behoben werden. Die Justii rung der Triggerspannung erfolgt durch den variable
Widerstand R2>, der die Spannung zwischen dem Gatter und der Quellenelektrode des Feldeffekttransistors Fh verändert.
Im folgenden sei ein typisches Beispiel zur Bestimmung der Belichtungszeit aufgrund der Gleichung (2) beschrieben. Es sei die Kapazität des Zeitsteuerkondensators C2 = 1 μΡ und die Triggerspannung = 3 V, so daß der Wert
C2- Vr= 3 · 10 bCoulomb.
Hat der Film eine Empfindlichkeit von 100 ASA, so kann angenommen werden, daß bei einer Lichtmenge L] bei einer Blende F= 1,4 und einer Belichtungszeit von '/looo Sekunde eine richtige Belichtung erhalten wird. Es wird weiter angenommen, daß der Photostrom in diesem Fall 3 + μΑ beträgt Aus der Gleichung (2) ergibt sich, daß der zeitintegrierende
Strom/= 3 10 b 1000 = 3mA
ist, um die Verschlußgeschwindigkeit von '/ιοοο Sekunde zu ergeben. Aus der Gleichung (1) ergibt sich hierbei, daß der Wert RjR2 = 1000. Beträgt also der Wider standswert des Filmempfindlichkeits-Widerstands R2 100 Ohm, so ist der Widerstandswert des Widerstands Ri 10OkQ. Bei gleicher Lichtmenge Li wird für einen Film mit einer Empfindlichkeit von 200 ASA der Widerstandswert des Widerstands R2 zu 50 Ohm gewählt, so daß sich der Photostrom-Verstärkungsfaktor auf die Hälfte reduziert. Der zeitintegrierende Strom / wird damit halbiert und man erhält eine Belichtungszeit von '/200 see zur Erzielung einer korrekten Belichtung. Für einen Film einer Empfindlichkeit von 50 ASA wird der Widerstand R2 auf 200 Ohm eingestellt, um ein gleiches Ergebnis zu erzielen.
Es sei nun die Wirkung der Blendeneinstellung beschrieben. Bei einer Kamera mit manueller Blendeneinstellung wird das auf die Silizium-Photodiode phD fallende Licht auf die Hälfte reduziert, wenn die Blende von F= 1,4 auf F= 2 verkleinert wird. Der Phulostrom Ip wird damit 1,5 μΑ. Bei einem Film der Empfindlichkeit 100 ASA ist der Wert RiZR2 = 1000, der zeitintegrierende Strom / wird 1,5 μΑ und die Belichtungszeit wird '/wo Sekunde. Wird das Licht mit voll geöffneter Blende gemessen, so ist der Widerstand Ri mit der Blendeneinstellung so gekoppelt, daß der Widerstandswert des Widerstands R3 entsprechend dem voreingestellten Blendenwert justiert wird. Wird beispielsweise eine Blende F= 2 zur Bildaufnahme voreingestellt, so wird der Widerstandswert des Widerstands /?3 auf 50 kD verringert, was die Hälfte des Widerstandswerts für eine voreingestellte Blende von F= 1,4 ist Der zeitintegrierende Strom wird entsprechend für den gleichen Photostrom Ip reduziert, so daß sich die Belichtungszeit '/soo zum Erzielen einer richtigen Belichtung ergibt Bei der gleichen Blendenöffnung und der gleichen Filmempfindlichkeit verdoppelt sich der Photostrom, wenn sich die Lichtmenge von L\ auf 2 · L] erhöht, wodurch sich die Belichtungszeit auf die Hälfte erniedrigt und wiederum eine korrekte Belichtung erzielt wird. In der beschriebenen Weise ist also eine automatische Belichtungssteuerung möglich.
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55 Bei Verwendung eines Selbstauslösers ist es notwendig, daß mit der Speicherung unmittelbar vor dem Aufklappen des Spiegels begonnen wird und die Speicherung etwa 10 Sekunden lang aufrechterhalten wird. Wird ein Tantal-Festelektrolyt-Kondensator mit geringem Leckstrom als Speicherkondensator Ci verwendet, und wird die eine Klemme des Kondensators mit dem Feldeffekttransistor F3 verbunden, der eine hohe Eingangsimpedanz hat, so stellt die Änderung der Ladespannung im normalen Betrieb, bei dem die Speicherzeit sehr kurz ist, kein Problem dar. Aufgrund des Leckstroms im Kondensator und im Feldeffekttransistor ist es unter Umständen schwierig, die Ladespannung etwa 10 Sekunden lang aufrechtzuerhalten. Allgemein hrt ein Sperrschicht-Feldeffekttransistor etwa einen Leckstrom von 10-10 bis 1012A, was ausreichend niedrig ist im Vergleich zum Leckstrom des Tantal-Festelektrolyt-Kondensators, der im Bereich von 10-* bis 10-8A liegt.
Im folgenden wird ein Teil des in der Schaltung enthaltenen Verstärkers im einzelnen beschrieben. Werden in der Schaltung mit den Feldeffekttransistoren Fj und F4, den npn-Transistoren £>n und Q15. dem pnp-Transistor Q]O, den Transistoren Q]2, Qn und Qu, den Widerständen R2, Rt], R]2 und /?n und dem Kondensator Ci die gegenseitige Impedanz der Feldeffekttransistoren F3 und F4 mit gm die Eingangsimpedanz einschließlich des Abflusses des Transistors F3 und der Basis des npn-Transistors Q15 mit Λ«. und der Stromverstärkungsfaktor des Transistors Q15 mit hhc bezeichnet, so kann die Verstärkung A der Schaltung tolgendermaßcn angegeben werden:
= Sm " n«." u =
"Ie
Aus der Gleichung (3) ergibt sich, daß sich selbst bei einer großen Änderung des Kollektorstroms des npn-Transistors Q15 keine wesentliche Änderung der Verstärkung ergibt, wenn man annimmt, daß der Stromverstärkungsfaktor hfe des npn-Transistors Qi 5 weniger stromabhängig ist
Weiterhin kann die Spannung Vi am Speicherkondensator Ci folgendermaßen angegeben werden:
wobei V0 = die Ausgangsspannung des Transistors Qi5. / sei der Ausgangsstrom des Transistors Q15. Wire nun angenommen, daß gm = 1 γπΩ, hfe = 100 unc /o = 1 μΑ bis 10 μΑ, so beträgt der Wert von Vi ΙΟ-5 bi: 10-1V. Der Wert Vi ist also vernachlässigbar. Allgemeii steigt, wenn eine Spannung an einen Kondensatoi angelegt und dann weggenommen wird, der Leckstron des Kondensators proportional mit der anliegendei Spannung. Ist diese anliegende Spannung im wesentli chen Null, wie im angegebenen Fall, so ist de Leckstrom vernachlässigbar klein. Damit ist verstand lieh, daß die gespeicherte Spannung für eine Daue aufrechterhalten werden kann, wie sie für den Betriel eines Selbstauslösers erforderlich ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 709 623/2C
3lr

Claims (1)

  1. Patentanspruch.
    Belichtungssteuerung für eine einäugige Spiegelreflexkamera mit Lichtmessung durch das Aufnahmeobjektiv, mit einer Stromquelle, einer Lichtmeßschaltung mit einem lichtempfindlichen Element und einem deren Meßergebnis verstärkenden Meßverstärker, an dessen Ausgangsklemmen ein Fotostrom abgegeben wird, der über einen Schalter an eine Eingangsklemme eines eine erste und eine zweite Steuereingangsklemme aufweisenden Differenzverstärkers einer weiterhin einen .Speicherkondensator enthaltenden Speicherschaltung eingespeist ist, die das Ausgangssignal der Lichtmeßschaltung nach dem Spiegelaufklappen speichert, und mit einem elektronisch gesteuerten Kameraverschluß, der durch das Niederdrücken eines die Stromquelle mit der Belichtungssteuerung verbindenden Auslöseknopfs zu öffnen ist una über eine Verschlußsteuerschaltung nach einer durch das gespeicherte Signal bestimmten Zeitspanne zu schließen ist, dadurch gekenn/e ichnet. daß der Speicherkondensator (Ci) /wischen die erste und die zweite Eingangsklemmen (Gj, Ga) des Differenzverstärkers (Fi, Fa) geschaltet ist, dessen erste Eingangsklemme (G)) mit dem Schalter (S]) verbunden ist und dessen zweite Eingangsklemme (Ga) mit einem Verbindungspunkt von Widerständen (Ru. R12) verbunden ist, die andererseits über einen Hauptschalter (St) mit der Potentialklemnu. (Vr) der Stromquelle b/w. mit Masse ^verbunden sind.
DE19722264690 1972-08-09 1972-11-24 Belichtungssteuerung für eine einäugige Spiegelreflexkamera Expired DE2264690C3 (de)

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JP8020972 1972-08-09
JP8020972A JPS4937634A (de) 1972-08-09 1972-08-09

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DE2264690A1 DE2264690A1 (de) 1974-07-18
DE2264690B2 DE2264690B2 (de) 1976-10-28
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