DE2243976A1

DE2243976A1 - Verfahren zur herstellung einer sekundaerelektronenemission verhindernden schicht fuer nachbeschleunigungs-farbbildroehren

Info

Publication number: DE2243976A1
Application number: DE2243976A
Authority: DE
Inventors: Kenji Fukuda; Toshiaki Kasai; Akira Misumi; Hiromitu Nakai
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1971-09-08
Filing date: 1972-09-07
Publication date: 1973-03-22
Also published as: DE2243976C3; CA974411A; US3873343A; GB1405899A; FR2152730B1; FR2152730A1; DE2243976B2

Description

Patentanwalt·

Dlpl.-Ing. R. BSET¹Z ·βη*
Dipl-lnp. K. LAMlPi^ECHT

Dr.-Ing. R.BEETZ Jr.
Manchen i% Sieinsdorfetr. 10

81-19.35W19-355Η) 7. 9. 1972

HITACHI Ltd.. Tokio (Japan)

Verfahren zur Herstellung einer Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht für Nachbeschleunigungs-FarbbildrShren

Die Erfindung bezieht sich auf eine Nachbesehleanigungs-Farbbildröhre (Farbbildwiedergaberöhre) und insbasondere auf ein Verfahren zur Herstellung einer die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht.

Bei Nachbeschleunigungs-FarbbildrShrea wurde bisher angeregt, auf der Innenwand eines Glaskolbens der Farbbildröhre eine die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht auszubilden, beispielsweise auf der Oberfläche einer Schatten- oder Lochmaske oder der Oberfläche einer anderen Einrichtung, auf die die Primärelektronen aufprallen, so daß dadurch eine Zerstörung der Farbreinheit eines

8i-(Pos. 28i65)-Ko-r (9)

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Bildes verhindert wird. Eine bekannte, die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht für Nachbeschleunigungs-FarbbildrÖhren wurde dadurch hergestellt, daß eine gemischte Schicht aus einem die Sekundärelektronenemiesion verhindernden Material, wie beispielsweise aus Graphitteilchen und aus einem anorganischen Bindemittel, wie beispielsweise Wasserglas, durch eine Wärmebehandlung bei der Herstellung der Röhre nicht weggebrannt wurde, so daß das Bindemittel selbst nach der Fertigstellung der Röhre beispielsweise auf der Oberfläche der Schatten- oder Lochmaske angeordnet ist.

Mit einer derartigen, die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht wurde, da das anorganische Bindemittel die Oberflächen der Teilchen des die Sekundärelektronenemission verhindernden Materials und die Oberfläche der die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht in der Form eines dünnen Filmes bedeckt, ein Film mit einer starken Haft- oder Klebekraft erhalten. Auf der anderen Seite nimmt jedoch die die Sekundärelektronenemiesion verhindernde Wirkung ab, so daß keine zufriedenstellende Arbeitsweise der die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht erreicht werden kann. Dies beruht darauf, daß das Sekundärelektronenemissionsverhältnis der Schicht aus dem anorganischen Bindemittel aus Wasserglas oder dergleichen, die daa die Sekundärelektronenemiesion verhindernde Material bedeckt, im allgemeinen groß ist, ao daß die Anzahl der in der anorganischen Bindemittelschicht erzeugten Sekundärelektronen groß wird, wodurch wiederum die Anzahl der von der die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht ausgesandten Sekundärelektronen groß wird.

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Um das Verhältnis der Sekundärelektronenemission der die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht zu verringern, wurde bereits angeregt, eine diö Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht mit einem Bindemittel aus beispielsweise nur einem organischen Bindemittel herzustellen, das bei der Wärmebehandlung während der Herstellung der Röhre wegbrennt„ Dabei wurde die die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht auf diese Weise hergestellt, daß eine Suspension aus dem organischen Bindemittel und den Teilchen des die Sekundärelektronenemission verhindernden Materials durch ein herkömmliches Sprühverfahren aufgesprüht wurde. Das organische Bindemittel wurde durch die Wärmebehandlung beim Herstellungsverfahren d©r Röhre weggebrannt. Die auf diese Weise erhalten®, dl© Sekundär©!ektronenemission verhindernde Schicht ist jedoch in der Praxis nicht zweckmäßig, da sie eine klein© Haft- oder Klebekraft aufweist und leicht abblättert.

Es 1st Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ©in Verfahren zur Herstellung einer dl© SekundäVelektrosnsi&emiaeien verhindernden Schicht anzugeben, dl© In hohem Maße die Sekundär el ek tr onenemi salon verhindert. Die die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht soll nicht nur selbst fest sein, sondern auch ein© erhöhte Haft- oder Klebekraft mit der Oberfläche eines Teiles aufweisen» auf der sie vorgesehen ist.

Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 einen Schnitt zur Erläuterung eines bekannten Verfahrens zur Herstellung einer die Sekundär-

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elektronenemission verhindernden Schicht für eine Nachbeechleunigungs-Farbbildröhre;

Fig. 2 einen Schnitt zur Erläuterung des erfindungegemäßen Verfahrens zur Herstellung einer die Sekundär el ek tr onenemi sei on verhindernden Schicht für eine Nachbeschleunigungs-Farbbildröhre;

Fig. 3 ein Diagramm zur Erläuterung des Sekundärelektroneneinissionsverhältnissee der in der Fig. 2 dargestellten, die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht im Vergleich mit der bekannten Schicht (Fig. 1);

Fig. k und 5 Schnitte zur Erläuterung eines weiteren

AusfUhrungebeispiels der Erfindung für das Verfahren zur Herstellung einer die Sekundärelektronenemiesion verhindernden Schicht für eine Nachbe achieunigunge-Farbbi1dröhre t

Fig. 6 ein Diagramm (ähnlich zu Fig. 3), da« das Sekundärelektronenemiesionsverhältnis für die in den Fig. k und 5 dargestellten, die Sekundärelektronenenieeion verhindernden Schichten wiedergibt ι

Fig. 7 einen Schnitt zur Erläuterung eines weiteren

Aueführungsbeispiele der Erfindung zur Herstellung einer die Sekundärelektronenemiseion verhindernden Sohicht für eine Nachbeschleunigungs-Farbbildröhre j

3 o 9 81 2 / 0 8 h 8 ^BAD original

Fig. 8 ein Diagramm (ähnlich zu Fig. 3)» das das Sekundärelektronenemissionsverhältnis für die in der Fig. 7 dargestellte Schicht wiedergibt;

Fig. 9 einen Schnitt zur Erläuterung eines weiteren

AusfUhrungsbeispiels der Erfindung zur Herstellung einer die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht für eine Nachbeschleunigung* Farbbildröhre, und

Figo 10 ein.Diagramm (ähnlich zu Fig. 3)» das das Sekundärelektronenemisslonsverhältnis für die in der Fig. 9 dargestellte Schicht wiedergibt.

In Fig. 1 ist ein bekanntes Verfahren zur Herstellung einer die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht für eine Hachbeschleunigunge-Farbbildröhre dargestellt. In dieser Figur 1st ein Bauteil 1, wie beispielsweise eine Schatten- oder Lochmaske vorgesehen, auf der die die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht ausgebildet ist. Die die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht 2 besteht aus einer gemischten Schicht aus einem die Sekundär el ek tr onenemi β si on verhindernden Material 3» wie beispielsweise Graphitteilchen, und einem Anorganischen Bindemittel 4, wie beispielsweise Wasserglas, das bei der Wärmebehandlung während der Herstellung der Röhre nich.t weggebrannt wird und die Arbeitsweise des Bindemittels nach der Herstellung der Röhre aufrechterhält. Die die Sekundärelektroneneaisaion verhindernde Schicht 2 ist auf der Oberfläche des Bauteile 1 ausgebildet.

Eine derartige, die Sekundärelektroneneeisalon ver-

3 Q 9 8 1 2 / Q 8 4 8

hindernd· Schicht 2 ist vorteilhaft, da sie «inen Film mit einer starken Anziehungs- oder Klebekraft bildet, da das anorganische Bindemittel h vollständig die Oberfläche der Teilchen 3 des die Sekundärelektronenemission verhindernden Materials und die Oberfläche der die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht 2 in der Form eines dünnen Filmes bedeckt. Auf der anderen Seite weist der die Sekundärelektronenemission verhindernde Effekt eine Tendenz auf, die in der Fig. 3 durch eine Kurve 20 dargestellt ist. Die Funktion als eine die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht wird nicht ausreichend erfüllt. Dies beruht darauf, daß, da das Sekundärelektronenemiseionsverhältnis (6 ) der Schicht aus dem anorganischen Bindemittel, wie beispielsweise Wasserglas, die das die Sekundärelektronenemission verhindernde Material 3 bedeckt, im allgemeinen groß ist, die Anzahl der Sekundärelektronen, die durch die anorganische Bindemittelschicht erzeugt wird, groß wird, wodurch eine große Anzahl von Sekundärelektronen von der gesamten, die Sekundärelektronenemiseion verhinder den Schicht 2 auegesandt wird.

um deshalb das Sekundärelektronenemiseionsverhältnis der die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht zu verringern, wurde versucht, eine die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht mit einem Bindemittel, wie beispielsweise lediglich einem organischen Bindemittel auszubilden, das bei der Wärmebehandlung während der Herstellung der Röhre wegbrennt. Im einzelnen wurde die die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht auf diese Weise hergestellt, daß eine Suspension aus einem organischem Bindemittel und den Teilehen des die Sekundärelek-

j 0 9 8 1 2 / Q 3 A

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tronenemission verhindernden Materials durch ©in herkömmliches Sprühverfahren aufgesprüht wurde. Das organische Bindemittel wurde während der Wärmebehandlung beim Herstellungsverfahren der Molare weggebrasint« Die auf diese Weise hergestellte, die Sekundärelektronenamission verhindernde Schicht weist jedoch eine schwache Bindekraft hinter den Teilchen des die Sekundärelektroiaeiieisiission "verhindernden Materials auf und blättert so sehr leicht ab*

Wenn das die Sekundärelektx>on@säeiaission verhindernde Material aus kleinen Teilchen oder Partikeln bssteht, deren Durchmesser kleiner ist als einige /um,, dann murde ein Film aus einer die Sekundärelektronsnsoii salon verhindernden Schicht erhalten, bei d©r di© Bindekraft uatsr d©n Teilchen oder Partikeln größer iat und die auch nach d©aa Sintern eine ausreichende BiiadekE^ft aufweisen,, Bei einer zur Verhinderung der Sekundäx*elektrozi@&©iai8si<m ausreichenden Filmdicke ist jedoch, obwokl die -Bindekrafΐ mater den Teilchen des die Sekundärelektromeiiemissiosi "vexikiadoraden Material groß ist, die Haft- oder Kl©b©kraft swiscMen den Teilchen des die Sek-asidärelektrosaesieEiissioa v.@?hlnderndon Materials und des Substrats oder Bauteils, auf d©m der Film ausgebildet ist, schwach« D@r Filia blättert deshalb vom Substrat oder Bauteil ab.

Xm folgenden wird dl© Erfindung anhand ύ®τ Fig. 2 bia 10 beschrieben. In diesen Figuren wa:rd©n füs⁵ sich entsprechende Teile die gleichen Beziagsseiehesi

Fig. 2 zeigt einen Schnitt zur Erläuterung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung zur Herstelltang ©iner dia

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Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht für eine Nachbeschleunigungs-Farbbildröhre. Auf einen Bauteil 1, wie beispielsweise einer Schatten- oder Lochmaske, ist die die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht vorgesehen. Weiterhin sind angeordnet eine gemischte Schicht 7 aus Teilchen 3 eines die Sekundärelektronenemission verhindernden Materials, kleine Körner 5 aus einem Netall und ein organisches Bindemittel 6. Die gemischte Schicht 7 ist auf einer Oberfläche innerhalb der Röhre vorgesehen, auf die die Primärelektronen auftreffen, beispielsweise auf der Oberfläche der Schatten- oder Lochmaske auf der Elektronenstrahlerzeugerseite. Das Verfahren zur Herstellung der die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht wird beispielsweise weiter unten erläutert.

Um die Haft- oder Klebekraft der herzustellenden, die Sekundärelektronenemiesion verhindernden Schicht zu erhöhen, werden die kleinen Metallkörper 5, wie beispielsweise Silberpulver, deren Korndurchmesser ungefähr 1 /um oder kleiner ist, einer Suspension aus dem organischen Bindemittel 6 und dem die Sekundärelektronenemission verhindernden Material 3» wie beispielsweise Graphit, in einigen Gewichtsprozenten In bezug auf das die Sekundärelektronenemisslon verhindernde Material in der Suspension beigemengt. Mit Hilfe des der Suspension beigefügten Metallpulvers wird die gemischte Schicht 7 auf beispielsweise der Lochmaske auf der Elektronenati ahlerzeugerseite durch «in geeignet·· Verfahren, wie beispielsweise Sprühen, Beschichten alt einer Burst· und Eintauchen, aufgebracht. Danach wird das organisch· Bindemittel durch Sintern während der Herstellung der Köhr· entfernt. Auf diene Weis· besteht die die Sekundärelektroii*nenii pfrion verhindernd· Schicht aus dem dl· Sekundär·!«k-

> η η ί ι. , η ν, n ^{BAD 0RIGINAL}

tronenemission verhindernden Material und den kleinen Metallkörnern. Damit die die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht in ausreichender Weise die Sekundärelektronenemission verhindert, genügt eine*Dicke der gemischten Schicht oder Mischschicht 7 von mindestens 3 /um. Für das Herstellungsverfahren ist jedoch eine Dicke von ungefähr 5 /um bis 10 /um am geeignetsten. Für den praktischen Gebrauch liegt die obere Grenze bei ungefähr 30 /um.

Bei einem derartigen Verfahren werden die in der die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht eingeschlossenen kleinen Metallkörnern 5 während der Erwärmung etwas gesintert. Deshalb wächst die Bindekraft unter den Teilchen 3 des die Sekundärelektronenemission vorhindernden Materials. Sowohl die Stärk© der gesamten, die Sekun» därelektronenemission verhindernden Schicht, als auch di« Haft- oder Klebekraft derselben mit dem Substrat 1 wird erhöht. Dementsprechend kann der Film mit einer für den praktischen Gebrauch ausreichenden Stärke gebildet werden. Weiterhin sind in dem Film bei diesem Ausführungsbeispiel die zugefügten kleinen Metal!körner 5 in eia©r Menge von einigen Prozent oder weniger in beasuff auf das dia Sekundärolektroneneaission verhindernde Material 3 vorgesehen und einheitlich ±u Film vorteilt. Aus diese» Grand wächst das Sekundärelektronenemisslensvcraältnis nur sehr wenig an. Der FiIa ist für den praktischen Gebrauch ale «iss di© SekundärelektroneneHission verhindernder Film geeignet. Im diesem Fall sind die kleinen Metallkörper versageweis«·in der Luft schwer oxydierbar und woisera «itt klein©© Sekundärelektron©»«»i@m±©ia©v®riiäIt.Bi8 aiisfO ZaaStalieh. ist ©ie® IcI©innere S.o£'5agr.8S© 'wovzu%±®h.mm.o' Yo^suac-Sao' feabosa- ο^@ο^Θίϋ₈" daß^;'bei B, «11®-Sfe®r- H -y

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Klebekraft abnimmt. Jedoch wird die Menge der zugefügten kleinen Metallkörner in bezug auf das Sekundärelektronenemissionsverhältnis der kleinen Metallkörner bestimmt. Im allgemeinen sind Mengen von einigen Gewichtsprozent oder weniger vorzuziehen.

Beispiel 1

In eine Graphitsuspension aus 6_t6 Gew.-^ flockenförmigem Graphit mit einer Größe von 1 /tun und aus einem organischen Bindemittel in einem Dispersionsmedium, wie beispielsweise Wasser, werden 0,04 Gew.-^ Silberpulver mit einer Korngröße von 0,1 /um zugefügt. Die so vorbereitete Suspension wird auf die Oberfläche einer Lochmaske in einer Dicke von ungefähr 10 /um aufgesprüht. Danach wird das organische Bindemittel durch eine Wärmebehandlung während dem herkömmlichen Herstellungsverfahren der Farbbildröhre weggebrannt. In einer auf diese Weise erhaltenen Schicht, die Graphit und daa Silberpulver enthält, liegt daa Silberpulver zwischen den Graphitteilchen, um die Bindekraft «wischen den Graphitteilcliem au erhöhen. Auf dieae Weise wird ein sehr fester Film einer die Sekundärelektroneneeission verhindernden Schicht gebildet. In diesem Fall erhöht daa Silberpulver auch die Haft- oder Klebekraft «wischen der Lochmaske und den Graphitteilchen, um iu verhiadera, daS der Film aua der die Sektuidärelektroneaemiasioa verhindernden Schicht von der Lochmaske abblättert.

Daa Sekundärelektronenemiasionaverhältnis der gemischen Schicht aus dem Graphit- und Silberpulver, das die die Sekundärelektroneneaiaaion verhindernde Schicht bildet, ist

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durch eine Kurve 21 in der Fig. 3 dargestellt. Im Vergleich mit dem Sekundärelektronenemissionsverhältnis (Kurve 22) einer die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht ohne kleine Metallkörner ist das Sekundärelektronenemissionsverhältnis der gemischten Schicht nur wenig erhöht, und daher ist die gemischte Schicht in ausreichender Weise als eine die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht geeignet. Das Silberpulver kann eine Korngröße von 1 /u oder , kleiner aufweisen und in einer Menge von 0,01 bis 0,5 Gew.-^ enthalten sein. In der Fig. 3 ist auf der Abszisse die Beschleunigungsspannung (in Volt) der Primärelektronen aufgetragen, während aui der Ordinate das Sekundärelektronenemi ssionsveihältnis ( ) aufgezeichnet ist. Dasselbe gilt für die Fig. 6, 8 und 10.

Beim vorhergehenden Ausführungsbeispiel werden die kleinen Mötallkörner direkt als Metallpulver verwendet, das unter die Teilchen 3 des die Sekundärelektronenemission verhindernden Materials gemischt ist. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Es können tatsächlich auch kleine Metallkörner verwendet werden, die atif die Weise erhalten werden, daß ein metallisches Salz, das in einem geeigneten Lösungsmittel gelöst ist, der Graphit suspension zugefügt wird. Die kleinen Metallkörner werden vom metallischen Salz während des Sinterns bei der Herstellung der Röhre abgeschieden.

In d«*i Π ρ. h ist ein Schnitt zur Erläuterung eines oixJcrtn / u.sführungsbeispiels dor Erfindung dargestellt, woboi tin Vex fahren zui* Herstellung einer die Sekundärelehtrunt-nemtefion verhindernden Schicht für eine Nachbeeohl*u-

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nigungs-Farbbildröhre gezeigt wird. In dieser Figur wird eine anorganische Bindemittel schicht 8 auf einem Bauteil 1 aus einer anorganischen Verbindung in der Röhre hergestellt. Als anorganische Verbindung eignet sich Wasserglas, das bei einer Wärmebehandlung nicht wegbrennt. Weiterhin ist vorgesehen, eine Mischschicht oder eine gemischte Schicht 9 auf der anorganischen Bindemittelschicht 8. In der Schicht 9 sind die Teilchen 3 des die Sekundärelektronenemission verhindernden Materials und das organische Bindemittel 6 vermischt. Diese die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht wird beispielsweise wie oben dargestellt hergestellt.

Um die Abblätterung der die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht auszuschließen, ist ein anorganisches Bindemittel aus einer anorganischen Verbindung, wie beispielsweise Wasserglas, das selbst bei einer Wärmebehandlung nicht wegbrennt, sehr dünn auf der Oberfläche des Bauteils 1 vorgesehen, auf die die Primärelektronen auftreffen, beispielsweise auf der Oberfläche einer Schatten- oder Lochmaske auf der Elektronenstrahlerzeugerseite. Auf diese Weise wird die anorganische Bindemittelschicht 8 zwischen 1 bis 2 /um dick ausgebildet. Eine Suspension aus dem organischen Bindemittel 6 und den Teilchen 3 des die Sekundärelektronenemission verhindernden Materials, wie beispielsweise Graphit, dessen Korngröße nicht über einige /um hinausgeht, wild auf die anorganische Bindern!ttelschicht 8 durch ein herkömmliches Spinnverfahren aufgesprüht, um dadurch di e gemischte Schicht 9 z" bilden. Danach wird das organische Bindemittel 6 durch «ine Wärmebehandlung weggebrannt, um eine die Sekundäre] tih i ronenemissi on verhindernde Schicht zu bilden, die aus der anorganischen Bindemittel-

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schicht 8 und dem die Sekundärelektronenemission verhindernden Material besteht.

Obwohl bei einem derartigen Verfahren das organische Bindemittel 6 nach dem Sintern bei der Herstellung der Röhre wegbrennt, so ist die die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht mit einer ausreichend großen Bindekraft unter den Teilchen und einer ausreichend großen Bindekraft zwischen den Teilchen und dem Substrat oder Bauteil ausgestattet. Bin zufriedenstellender Einsatz ist daher in der Praxis möglich. Zusätzlich weist das anorganische Bindemittel ein großes Sekundärelektronenemissionsverhältnis lediglich in der Nähe der Oberfläche des Bauteils 1 auf, so daß das Sekundärelektronenemissionsverhältnis der die Sekundärelek tr nenemission verhindernden Schicht auf einen ausreichend niedrigen Wert heruntergedrückt wird, wenn die gemischte Schicht 9 dick ausgebildet wird.

Beispiel 2

Auf die Oberfläche einer Lochmaske wird Kaliwasserglas mit einer Konzentration von 10 Gew.-^ aufgesprüht, um eine anorganische Bindemittelschicht aus Wasserglas mit einer großen Anziehungs- oder Klebekraft im halbgetrockneten Zustand zu bilden, die 1 bis 2 /u dick ist. Auf die anorganische Bindemittelschicht wird eine Suspension aus Graphit und einem organischen Bindemittel in Wasser mit einem Gehalt von 6,6 Gew.-^ von flockenförmigem Graphit bei einer Teilchengröße von 1 /um mit Hilfe einer Sprüheinrichtung aufgesprüht, um eine gemischte Schicht aus Graphit und dem organischen Bindemittel zu bilden, die 10 /um dick ist. Da-

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nach wird bei der Wärmebehandlung während der Herstellung der Farbbildröhre die gemischte Schicht erhitzt, um das organische Bindemittel wegzubrennen. Auf diese Weise wird eine die Sekundärelektroneneiiiission verhindernde Schicht aus der anorganischen Bindemittelschicht und der Graphitschicht gebildet*

Die so hergestellte, die Sekundärelektroneneiiiission verhindernde Schicht hat eine ausreichende Stärke. Wie zusätzlich aus einer Kurve 23 der Fig. 6 hervorgeht» ist die die Sekundärelektronenemission verhindernde Wirkung der Schicht bei diesem Ausführungsbeispiel hervorragend, verglichen mit der bekannten gemischten Schicht, die aus dem anorganischen Bindemittel und dem die Sekundärelektronenemission verhindernden Material besteht, und deren Kennlinie zur Verhinderung der Sekundärelektronenemission in der Kurve 20 gezeigt ist. Darüber hinaus ist die Kurve 23 sehr ähnlich zu einer Kennlinie, die bei Graphit allein ohne anorganische Bindemittelschicht auftritt, obwohl diese zuletzt genannte Kurv· nicht dargestellt ist. Deshalb zeigt die erfindungsgemäße Schicht eine hervorragende Wirkung zur Verhinderung der Sekundärelektronenemission.

In Fig. 5 ist ein Schnitt zur Erläuterung eines Verfahrens zur Herstellung einer die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dargestellt. In der Figur ist dargestellt eine anorganische Bindemittelschicht 10, die auf dem Bauteil 1 vorgesehen ist, und die aus einem ^.organischen Bindemittel, wie beispielsweise Wasserglas, besteht, das bei einer Wärmebehandlung nicht wegbrennt,

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und aus einem feinen Pulver 11 aus einem Material, wie beispielsweise Graphit oder Silber, das keine nachteilige Wirkung auf die Bildröhre ausübt. Weiterhin ist vorgesehen eine Mischschicht oder eine gemischte Schicht 9» die auf der anorganischen Bindemittelschicht 10 vorgesehen ist und die aus Teilchen 3 des die Sekundärelektronenemission verhindernden Materials und aus dem organischen Bindemittel 6 besteht. Das feine Pulver 11 bewirkt eine aufgerauhte Oberfläche der Bindern!ttelschicht 10, so daß zwischen dem Bauteil 11 und der Schicht 10 und zwischen der gemischten Schicht 9 und der Schicht 10 eine größere Haft- oder Klebekraft erhalten werden kann. Weiterhin erniedrigt die aufgerauhte Oberfläche die Sekundärelektronenemission von der anorganischen Bindemittelschicht, so daß der Wirkungsgrad zur Erniedrigung der Sekundärelektronenemission erhöht werden kann. Die die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht wird beispielsweise wie weiter unten näher erläutert hexgestellt.

Um die Abblätterung der die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht zu verhindern, wird auf das Bauteil 1 eine Mischung aus der anorganischen Bindemittellösung, die selbst bei der Wärmebehandlung nicht wegbrennt, und aus dem feinen Pulver aus dem Material, das keinen nachteiligen Einfluß .auf die Bildröhre ausübt, dünn aufgebracht, beispiel ετλοί s< durch .Sprühen _s um.die Bindemittel schicht 10 zu bilden« llanacli wird eine Suspension aus den Teilchen 3 des die f.<I »jidärel ektrontnemi ssion verhindernden Materials, wie beispielsweise Graphit, mil einer Teilchengröße von einigen /un- oder weniger, durch ein herkömmliches Sprühverfahren tufgesprüht, um die gemischte Schicht 9 z« bil-

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den, wobei die Suspension das organische Bindemittel 6 enthält. Danach wird das organische Bindemittel durch die War· mebehandlung weggebrannt, um eine die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht zu bilden.

In Übereinstimmung mit dem zuvor beschriebenen Verfahren ist selbst nach dem Vegbrennen des organischen Bindemittels 6 während des Sinterns bei der Herstellung der Röhre die die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht in ihrer Bindekraft unter den Teilchen und in ihrer Bindekraft zwischen den Teilchen und dem Substrat ausreichend groß. Sie ist daher für den praktischen Gebrauch sehr vorteilhaft. Da das anorganische Bindemittel mit einem großen Sekundärelektronenemissionsverhältnis lediglich in der Nähe des Bauteile 1 vorgesehen ist, kann das Sekundärelektronenemissionsverhältnis der die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht genügend klein gemacht werden» wenn die Schicht dick ausgebildet wird.

Beispiel 3

Eine Flüssigkeit aus einem Kai!wasserglas mit einer Konzentration von 10 bis 5 Gew.-^ von flockenförmigem Graphit und einer Teilchengröße von 0,3 ax in Wasser wird auf die Oberfläche des Substrats einer Schatten- oder Lochmaske mit einer Sprüheinrichtung aufgesprüht. Auf diese Weise wird eine anorganische Bindemittelschicht mit einer starken Haft- oder Klebekraft im halbgetrockneten Zustand und mit einer Schichtdicke von 1 bis 2 ax ausgebildet. Eine Suspension aus Graphit und aus einem organischen Bindemittel In Wasser mit 6,6 Gew.-$ von flockenförmigem Graphit

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mit einer Teilchengröße von 1 /u wird auf die anorganische Bindemittelschicht mit Hilfe einer Sprüheinrichtung aufgesprüht. Auf diese Weise wird eine gemischte.Schicht aus Graphit und dem organischen Bindemittel mit einer Schichtdicke von 7 /U gebildet. Danach wird die gemischte Schicht während der Wärmebehandlung bei der Herstellung der Farbbildröhre erhitzt, um das organische Bindemittel wegzubrennen. Auf diese Weise wird eine die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht hergestellt.

Die auf diese Weise hergestellte, die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht hat eine ausreichende Star« ke. Das Sekundärelektronenemissionsverhältnis der Schicht ist durch die Kurve 23 in der Flg. 6 dargestellt (wie die die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht gemäß dem Ausführungsbeispiel der Fig. k),

Was die Dicke der gemischten Schicht bei dosi Ausführungsbeispielen der Fig. k und 5 anbelangt, so ist ein Wert von ungefähr 3 /um ausreichend, um die Sekundärel©ktronenemiesion genügend zu verhindern. Bin Wert von ungefähr 5 bis 10 /U ist im Hinblick auf die Herstellungsverfahren vorteilhaft. Die obere Grenze der Dicke liegt für den praktischen Gebrauch bei ungefähr 30 /um_e

Flg. 7 zeigt einen Schnitt zur Erläuterung eines weiteren AusfUhrungsbelspiels der vorliegenden Erfindung für die Herstellung einer die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht für eine Nachbeschleunigungs-Farbbild·» röhre. In der Figur ist die Oberfläche des Bauteils 1 aufgerauht. Die gemischte Schicht 9 aus dem die Sekundärelek-

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tronenemission verhindernden Material 3 und den organischen Bindemittel 6 ist auf der unebenen Oberfläche des Bauteile 1 ausgebildet.

Die die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht wird beispielsweise wie weiter unten näher erläutert hergestellt.

Die Oberfläche des Bauteils 1, beispielsweise die Oberfläche einer Schatten- oder Lochmaske auf der Blektronenstrahlerzeugerseite, wird durch ein Verfahren, wie beispielsweise ein chemisches Ätzen oder Sandblasen, aufgerauht, um die Unebenheit der Oberfläche des Baut ils 1 groß zu machen. Eine Suspension aus dem organischen Bindemittel 6 und aus einem feinen Pulver aus einem die Sekundärelektronenemission verhindernden Material 3» wie beispielsweise Graphit, mit einer Teilchengröße von einigen /um, wird auf die unebene Oberfläche aufgesprüht, um so die Suspension auf dem Bauteil 1 aufzuschichten. Auf diese Weise wird die gemischte Schicht 9 gebildet. Danach wird das organische Bindemittel durch eine Wärmebehandlung weggebrannt, um eine die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht auf dem Bauteil 1 herzustellen.

Obwohl bei einem derartigen Verfahren das organische Bindemittel durch die Wärmebehandlung bei der Herstellung der Röhre weggebrannt wird, haftet die die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht gut auf dem Bauteil Die Schicht blättert nicht vom Bauteil 1 ab und ist daher fUr den praktischen Gebrauch vorteilhaft. Da zusätzlich die Oberfläche des Bauteils T uneben ist, kann der Wirkunga-

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grad für die Verhinderung der Sekundärelektronenemission des Films aus der die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht, die auf der Oberfläche des Bauteils 1 vorgesehen ist, noch weiter vergrößert werden.

Beispiel h

Die Oberfläche einer Lochmaske wird durch Sandblasen aufgerauht. Eine Suspension aus einem organischen Bindemittel und aus einem flockenförmigen Graphit mit 6,6 Gew.-^ und einer Teilchengröße von ungefähr 0,2 /um in Wasser wird auf die aufgerauhte Oberfläche durch eine Sprüheinrichtung aufgesprüht. Auf diese Weise wird eine gemischte Schicht aus Graphit und dem organischen Bindemittel mit einer Dicke von 10 /um hergestellt. Danach wird die gemischte Schicht bei der Wärmebehandlung während der Herstellung der Farbbildröhre erwärmt, um das organische Bindemittel wegzubrennen. Auf diese Weise wird eine di© Sekundärelektronenemis» sion verhindernde Schicht hergestellt. In der Fig. 8 stellt eine Kurve 2k das Sekundärelektronenemissionsverhältnis der die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht gemäß diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung dar, während eine Kurve 25 das Sekundärelektronenemiesionsverhältnis einer bekannten, die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht wiedergibt, die mit einem ähnlichen Verfahren wie beim vorliegenden Ausführungsbeispiel hergestellt wurde, wobei jedoch die Oberfläche des Substrats nicht aufgerauht wurde. Die Kurve 20 gibt, wie in den Fig. 3 und 6, das Sekundärelektronenemissionsverhältnis einer bekannten, die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht aus einer gemischten Schicht aus einem anorganic

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sehen Bindemittel und einem die Sekundäre!.ektronenemission verhindernden Material wieder. Die gemäß dem anhand der Fig. 7 erläuterten Ausführungsbeispiel hergestellte, die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht hat eine ausreichende mechanische Stärke. Wie aus der Kurve hervorgeht, ist der Wirkungsgrad zur Verhinderung der Sekundärelektronenemission verglichen mit den bekannten Schichten zur Verhinderung der Sekundärelektronenemission ausreichend groß.

In Fig. 9 iet ein weiteres Verfahren gemäß einem AusfUhrungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zur Herstellung einer die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht für eine Nachbeschleunigungs-Farbbildröhre dargestellt. Die gemischte Schicht 2, die das anorganische Bindemittel k aus einer anorganischen Verbindung, wie beispielsweise Wasserglas, das bei einer Wärmebehandlung nicht wegbrennt, und die Teilchen 3 aus dem die Sekundärelektronenemission verhindernden Material, enthält, ist auf dem Bauteil 1 vorgesehen. Auf der Oberfläche der gemischten Schicht 2 ist eine Oberflächenschicht 12 vorgesehen, die aus den Teilchen 3 des die Sekundärelektronenemission verhindernden Material· besteht. Die Teilchen des die Sekundärelektronenemission verhindernden Materials sind in der Schicht 2 zur Verringerung der Sekundärelektronenemission von dieser Schicht durch Aufrauhung der Oberfläche der Schicht 2 vorgesehen. Die aufgerauhte Oberfläche der gemischten Schicht gewährleistet auch eine größere Haftung zwischen der gemischten Schicht und der Oberflächenschicht.

Die die Sekundärelektronenemlssion verhindernde Schicht wird beispielsweise wie folgt hergestellt! Vm die Abblätte-

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rung der die Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht auszuschließen, ist auf der Oberfläche des Bauteils 1, beispielsweise der Oberfläche einer Lochmaske auf der Elektronenstrahlerzeugerseite_t eine Mischung aus dem anorganischen Bindemittel h aus Wasserglas oder dergleichen, das selbst bei der Wärmebehandlung nicht wegbrennt, und aus den Teilchen 3 des die Sekundärelaktronenemisslon verhindernden Materials, wie beispielsweise Graphit, sehr dünn vorgesehen. Die Dicke der Schicht beträgt 1 bis 2 /uib. In diesem Fall kann ein organisches Bindemittel« das bei der Wärmebehandlung wegbrennt, zur Erhöhung des Wirkiraagsgradee" des Überzuges mit vermischt werden.

Danach wird eine Flüssigkeit» in der die Teilchen 3 des die Sekundärelektronenemissloa irerfeiaderadan Materials mit einer kleineren Teilchengröße als" einigen mm im üaseer oder Äthylalkohol verteilt sind, auf dio BoseSiiektiäiag &&&©fa ®ia herkömmliches Sprüh verfahren , boispialstjoisa mit ©iaes⁵ Sprüheinrichtung, aufgesprüht» Äirf di©so ü©is® wird al© Oberflächenschicht 12 gebildet. Eine di© emission verhindernd· Schicht. besteht aas schicht 12 und der gemischten Schiebt 2«, Di® Bi©teο dei» Oberflächenschicht 12 kann einige asm oder raeMs° hetTag&n_a Bio obere Grenze liegt ungefähr bei 20 /am₀

In Übereinstimmung mit dems vorSaos'geiaoaäesa Vorfahren ist die die Sekundärelektroneneünission vertaimdernd© Sehieht ia der Bindekraft zwischen den Teilohara usad' ύ@τ Bimdeteraft E^i= sehen den Teilchen und dem Substrat ausreichend starke Sie ist deshalb für den praktischen Gebrauefo vorteilhafte Darüber hinaus kann das Sekundär el ek tr ©nenoaai β sionevorhältaie der Schicht auf einen ausreichend niedrigem'Wort

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werden, da das anorganisch· Bindemittel mit einem großen Sekundärelektronenemissionsverhältnis lediglich in der Nähe des Bauteile 1 vorgesehen ist.

Beispiel 5

Eine gemischte Flüssigkeit mit Kaliwasserglas von einer Konzentration von 10 Gew.-^ und mit flockenförmigem Graphit von einer Konzentration von 6,6 Gew.-^t und einer Teilchengröße von 1 /um wird auf die Oberfläche einer Lochmaske in einer Dicke von ungefähr 1 bis 2 ,um mit Hilfe einer Sprüheinrichtung aufgesprüht, um eine gemischte Schicht 2 zu bilden. Danach wird mit Hilfe von beispielsweise einer Sprüheinrichtung eine Flüssigkeit, in der flockenfSrmige Graphitteilchen in Wasser oder Äthylalkohol mit einer Konsentration von 1 bis 10 Gew.-^, vorzugsweise von 6 bis 8 Gew.-^, enthalten sind, auf die gemischte Schicht aufgesprüht, um die Oberflächenschicht zu bilden. Eine die Sekundärelektronenemisslon verhindernde Schicht wird aus der Oberflächenschicht und der gemischten Schicht gebildet.

Die so hergestellte, die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht hat eine ausreichende Stärke. Das Sekundärelektronenemissionsverhältnis ist durch eine Kurve in der Fig. 10 dargestellt, die dem Fall gleicht, in dem Graphit allein ohne gemischte Schicht 2 verwendet wurde. Daher liegt ein ausgezeichneter Wirkungsgrad zur Verhinderung der Sekundärelektronenemission vor.

Die erfindungsgemäße, die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht verbessert ein Bild einer Nachbeschleu-

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nigungs-FarbbildrShre, iasSem si® i&ieSat nur auf der Lochrnaake, sondern auch auf anderen Teilen vorgesehen ist, auf die Primärelektronen, einfallen, beispielsweise auf den Innenwänden eines Glaskolbens, auf einen: Mask®nträger oder auf einer Schirmelektrode.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer die Sekundärelektronenemiseion verhindernden Schicht für eine Nachbeschleunigungs-Farhhlldr8hx® ist iss praktischen Gebrauch sehr vorteilhaft, da die Bindekraft der Teilchen des die Sekundärelektroraenemiesion veraindorndesi Materials vergrößert ist, da die Stärke der gesaugten, die Sekmidärelektronenemission verhindernden Schicht und die Haft- oder Klebekraft der Schicht mit dem Substrat vergrößert werden kann, und da das Sekuftdlxelektronei&eEraießionsverhältniis ±n bezug auf bekannte Schichten star Y©i°ti±m<ä@:iraiig der elektroneneraission, die dae aiaorgaaieelae Birad@raitt®l wenden, verringert werdet? kann«

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Claims

Patentansprüche

/ί ♦}Verfahren zur Herstellung einer Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht für eine Nachbeschleunigung-Farbbildröhre, dadurch gekennzeichnet , daß auf wenigstens einer Oberfläche einer Schattenmaske (i) auf der Blektronenstrahlerzeugerseite eine Schicht (7) aua einer Mischung eines Sekundärelektronenemission verhindernden Materials (3), eines organischen Bir Lemittels (6) und kleinen Metallkörnern (5) ausgebildet wird, und daß danach das organische Bindemittel (6) durch eine Wärmebehandlung weggebrannt wird, so daß die Sekundärelektronenemission verhindernde Schicht aus dem Sekundärelektronenemission verhindernden Material (3) und den kleinen Metallkörnern (5) hergestellt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Mischungeschicht (7) in einer Dicke von 3 bis 30 /um hergestellt wird.

3· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

daß die Mischungsschicht (7) in einer Dicke von 5 bis 10 /tun hergestellt wird.

k. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die kleinen Metallkörner (5) «ine Metallkorngröße von höchstens 1 ax» aufweisen.

5. Verfahren nach Anspruch I₁ dadurch gekennzeichnet,

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daß als feine Metallkörner (5) Silberpulver vorgesehen wird.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als das die Sekundärelektronenemission verhindernde Material (3) Graphit verwendet wird.

7. Verfahren zur Herstellung einer Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht für eine Nachbeschleunigungs-Farbbildröhre, dadurch gekennzeichnet, daß auf wenigstens einer Oberfläche einer Lochmaske (l) auf einer Elektronenstrahlerzeugerseite eine anorganische Bindemittelschicht (8, 10) aufgebracht wird, wobei die anorganische Bindemittelschicht (8, 10) aus einer anorganischen Verbindung besteht, das nicht bei einer Wärmebehandlung wegbrennt,, daß eine Mischungsschicht (9) aus Teilchen eines die Sekundärelektronenemission verhinderndes Material (3) und aus einem organischen Bindemittel (6) auf der anorganischen Bindemittelschicht (8, 1O) aufgebracht wird, und daß danach das organische Bindemittel (6) in der Mischungsschicht (9) durch die Wärmebehandlung weggebrannt wird, um die Schicht zur Verhinderung der Sekundärelektronenemission zu bilden.

8. Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß die anorganische Bindemittelschicht (8, 10) 1 bis 2 ,um dick ausgebildet wird.

9. Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß die Mischungsschicht (9) mLt einer Schichtdicke von 3 bis 30 /um versehen wird. ■

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10. Verfahren nach Anspruch 7· dadurch gekennzeichnet, daß die Mischungsschicht (9) mit einer Schichtdicke von 5 bis 10 /um versehen wird.

11. Verfahren nach Anspruch 7t dadurch gekennzeichnet, daß das die Sekundärelektronenemission verhindernde Material (3) eine Korngröße von höchstens einigen Atm aufweist.

12. Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß als das die Sekundärelektronenemission verhindernde Material (3) Graphit verwendet wird.

13· Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß ein feines Pulver (11) aus einem Material, das die Bildröhre nicht nachteilig beeinflußt, der anorganischen Bindemittelschicht (10) beigefügt wird.

14. Verfahren nach Anspruch 13» dadurch gekennzeichnet, daß fUr das Material (11), das die Bildröhre nicht nachteilig beeinflußt, Graphit oder Silber gewählt wird.

15· Verfahren zur Herstellung einer Sekundärelektronenemission verhindernden Schicht für eine Nachbeschleunigungs-Farbbildröhre, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine Oberfläche einer Schattenmaske (i) auf einer ElektronenstrahLerzeugerseL te aufgerauht wird, daß eine MlschuiiKsschlcht (9) aus einem feinen Pulver aus einem die Sekundäre lek tronenemLssloii vorhLnderriden Material (l) und aus einem organischen Ulndemittel (6) auf dLm aufgerauhte Oberfläche aufgebracht wird, und daß dunaih das organische

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Bindemittel (6) durch eine Wärmebehandlung weggebrannt wird, um die die Sekundärelektronenemission verhindernd® Schicht zu bilden.

16. Verfahren nach Anspruch 15s dadurch gekennzeichnet,

daß als das die Sekundärel@ktronen©mission -verhindernde Material (3) Graph!s verwendet wird»

17. Verfahren zur Herstellung einer S©fanadärelektronenemission verhindernden Schicht auf ©iner Nachbeschleunigungs-Farbbildröhre, dadurch gekennzeichnet , daß auf mindestens einer Oberfläche einer Schattenmaske auf einer Elektronenstrahlerzeugerseite eine - Mischungsschicht (2) aus einem anorganischen Bindemittel (h) und aus Teilchen eines die Sekundärelektronenemission verhindernden Materials aufgebracht wird, wobei das anorganische Bindemittel (k) aus einer anorganischen Verbindung b©st©ht„ das bei einer Wärmebehandlung nicht wegbrennt, und daß auf der Mischungsschicht (2) eine Oberflächenschicht ζ 12) aus dem Sekundärelektronenemission verhindernden Material (3) hergestellt wird, um eine die Elektronenemission verhindernde Schicht aus der Oberflächenschicht (12) und aus der Mischungsschicht (2) zu bilden.

18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Mischungsschicht (2) mit einer Schichtdicke von 1 bis 2 yum versehen wird.

19· Verfahren nach Anspruch 17» dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenschicht (12) mit einer Schichtdicke von höchstens 20 /um versehen wird.

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20. Verfahren nach Anspruch 17» dadurch gekennzeichnet, daß als das die Sekundärelektronenemission verhindernde Material (3) Graphit verwendet wird.

21. Verfahren nach Anspruch 17· dadurch gekennzeichnet, daß ein organisches Bindemittel, das bei einer später durchgeführten Wärmebehandlung wegbrenni, der Mischungsschicht zugefügt wird.

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