DE2235540A1 - Verfahren zum herstellen eindiffundierter halbleiterzonen mit verringerter zahl an kristalldefekten - Google Patents

Verfahren zum herstellen eindiffundierter halbleiterzonen mit verringerter zahl an kristalldefekten

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DE2235540A1
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DE2235540A
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Peter Joseph Kannam
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    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices

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