DE2232274A1 - Halbleiterschaltungsanordnung - Google Patents
HalbleiterschaltungsanordnungInfo
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Description
BGblingen, 27. Juni 1972
bm-we
7000 Stuttgart 80
Amtlich·· Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenseichen der Anmelderint s GE 972 006
Die Erfindung besieht eich auf eine Halbleiter«chaltung·anordnung
mit Feldeffekttransistoren, die einen hohen Wideretand
be«it»en und eich auf mindestens einem Halbleiterplättchen befinden
.
Bei Feldeffekttransistoren ist der Strom abhängig vom Quadrat der Different «wischen dar Spannung «wischen Steuerelektrode
und Quellenelektrode und der Sdwells«rfcepeammg. Es sind Scheltungsanordnungen
bekannt, bei denen Feldeffekttransistoren «dt sehr hohem Widerstand verwendet w«·?ilon, d.h., der von ihnen
durchgelassene Strom besitzt einen möglichst geringen Wert. Diese Feldeffekttransistoren können auf mehreren Halblelterpllttchen
angeordnet sein* Zn der Regel wird an alle Steuerelektroden dieser Transistoren ein bestimmtes Potential gelegt. Die Schwellwertspannungen «wischen Transistoren von verschiedenen KaIbleiterplattchen
können, bedingt durch den Herstellungsproseft
der Halbleiteranordnungen, um Werte bis am einem Volt voneinander abweichen. Das an die Steuerelektroden der Transistoren
gelegte Potential nuß so bemessen sein, daft auch diejenigen Transistoren mit der höchsten Schwellwertspannung noch den
erforderlichen Strom liefern. Diejenigen Transistoren, die eine niedrigere Schwellwertspannung besitzen, lassen demzufolge einen
teilweise erheblich größeren Strom als erforderlich passieren. Wenn auf einen Halbleiterplättchen sehr viele dieser hochohmigen
Feldeffekttransistoren angeordnet sind, so ergeben sich wesent-
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—· 2 —
liehe Abweichungen in der Verlustleistung und dar.it der Erwärmung
der einaelnen HalbleiterplSttchen untereinander. Die
einzelnen Schaltkreiselemente lassen sich «emit nicht so dicht
zueinander auf den Halbleiterplättchen anordnen, al« es aus
hereteilung·technischen Gründen möglich wäre.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die hochohnlgen
Feldeffekttransistoren auf den einseinen Halbleiterpllttchen
so zn steuern, daß sie nur den erforderlichen Strom liefern. Diese Aufgabe wird bei der anfangs genannten HaIbleiterschaltungsanordnung
erflndungegetnae dadurch gelöst, daß
auf de» (den) Halbleiterplfittchen (jeweils) mindestens ein
Schaltkreis aur Erseugimg mitmr von der jeweiligen Schwellwertapannung
6λζ Feldeffekttransistoren abhängigen Spannung,
die den ßtevierelektroden der iiigecrdneten hochohmigen Feldeffekttransistoren
sugeführt wird» vorgesehen ist. Vorsugswels·
stellen die hochofmlgen Feldeffekttransistoren Lasttransistoren
In statischen Speicherzellen dar. Vorteilhaft 1st ein Schaltkreis
sur ErsǤugung elsia^ Spannung, die sich mit der Schwel 1-wartRp*nnung
de? Feldeff»kttres}&l£torem( jedooh stärker als
dies« Ändert, vorgesehen. Dar Schaltkreis enthalt In geeigneter Melee Földeffekttramaiefcorsn,. als den hochohnigen Feldeffekttransistoren nachgssbiIiS^t si&d. Weiterhin kann der Schaltkreis
»inde«t«ne ein@ Eeikopplnpgssiisf^ die die Abhängigkeit
der erseagten Spannting von (Serr Schw©llw€irt8pait,nung nicht beeinfluBt,
nachgescheitet natm.
Die Erfindung nutst dl« Tfttsaefes ®,ws ? daß die Sshwellwertspannungen
der ©itisalfi$K Tx&mi&toz&n imf Einern Kiübl«it©rpllttch«n
nur unweseptllch r d.h,t Ir Höchstfall, ^m ©twa 0,1 Volt# voneinander
abweichen, während di& Oift&z^ns amr Sefiwallwertspannungen
von F«ldeff®kttrfinsistör«n verschiedener Ha]Ubleiterplättchen
bis xu einen Volt betragen
Die Erfindung wird iss folgenden anhand von in den Figuren darg·-
97Z 0^ ^09885/0ß2 DAPX
stellten Aueführung«beispielen nMher erläutert.
Es zeigen:
Lasttraneistoren ein von der Schweliwertspanmin?
abhängiges Steuerelektrodenpotential, das in einen ebenfalls dargestellten Schaltkreis er«
SEeugt wird, zugeführt wird,
Schwellwertspannung abhangigen Potenttale adt
einer Entkopplungsstufe und
in dem ein schwellwertspannungsabhSngiges Potential
gebildet wird.
Die Fig. 1 zeigt eine an sich bekannte Speicherzelle mit sech«
Feldeffekttransistoren. Zwei kreusgekoppslte Transistoren 71
und T2 dienen zur Speicherung der binären SBforipation. 2uxn Eingeben
und zum Auslesen der Information sind weites?® Transistoren
T3 und T4 vorgesehen. Kenn keiner dieser beiden Vorgänge stattfinden soll, werden die beiden Transistoren T3 und T4 über eine
Hortleitung HL im nichtleitenden Zustand gehalten* Dadurch werden die beiden Speicher-Transistoren Tl und T2 von zwei Bitleitungen
BO und Bl getrennt, wahrend dieser Seit werden die Traneistoren
Tl und T2 durch das positive Potential V_ Ober Feldeffekt-
Li
transistoren T5 und T6 gespeist. Die Steuerelektroden dieser Translatoren T5 und T6 sind mit einem Schaltkreis verbunden, der
ein von der Schwellwertspannung der Feldeffekttransistoren abhängiges Potential liefert. Wird die Speicherzelle für einen Eingabe-
oder Auslesevorgang angesteuert, dann werden durch ein Signal auf der Wortleitung WL die Transistoren T3 und T4 in den
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leitenden Zustand gebracht. Beim Lesevorgang wird das Potential
der Punkte 1 und 2 auf die zugehörigen Bitleitungen gebracht und über diese Leseverstärkern zugeführt. Beim Einspeichern werden
von den Bitleitungen BO und Bl den Speicher-Traneistoren Tl und T2 entsprechende Signale über die Transistoren T3 und T4 xugeleitet.
Der von den Transistoren T5 bzw. T6 durchgemessene Strom braucht
nur so groß zu sein, daß er den Leckstrom des zugeordneten gesperrten
Speicher-Transistors Tl bzw. T2 kompensiert. Die Speicherzelle
sei beispielsweise in dem Zustand, in dem der Transistor
Tl leitend und der Transistor T2 gesperrt sind. Der leitend·
Zustand des Transistors Tl wird durch das Potential des Punktes 2 aufrechterhalten. Hierfür muß jedoch die Bedingung erfüllt sein,
daß das Potential dieses Punktes nicht absinkt. Dazu 1st erforderlich, daß der über den Transistor T6 gelieferte Strom den Leckst
rom des im Sperrzustand gehaltenen Transistors T2 zu kondensieren
vermag. Dieser Strom ist sehr gering» er hat einen Wert von etwa 30 nA. Die Transistoren TS und T6 sollten demnach einen entsprechend
hohen Wideretand besitzen, da durch einen niedriceren
Widerstand des dem jeweils leitenden Transistor, d.h. im vorliegenden
Beispiel dem Transistor Tl, zugeordneten Transistors, d.h. des Transistors T5, nur die Verlustleistung erhöht, nicht jedoch
die Stabilitltseigenschaften der Speicherzelle verbessert werden.
Aus dieseir Grunde ist es wesentlich, deft die Differenz zwischen
der Spannung zwischen Steuer- und Quellenelektrode und der
Schwellwertspannung bei diesem Feldeffekttransistor möclichst
gering 1st. Bei Feldeffekttransistoren, deren Schwellw«rtsr>annungen
voneinander abweichen, ISBt sich dieses JBiel dadurch
erreichen, daß den Steuerelektroden ein von der jeweiligen Schwellwertspannung der Feldeffekttransistoren abhängiges Potential
zugeführt wird. Da die Schwellwertspannungen der auf einem HalbleiterplÄttcheis befindlichen Feldeffekttransistoren als iro
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wesentlichen gleich angesehen werden können, ist es ausreichend,
für diese Transistoren einen gemeinsamen Schaltkreis sur Brzeugung
des von der Schwellwertspannung abhängigen Potentials vorzusehen .
Ein solcher Schaltkreis 1st ebenfalls in Fig. 1 in Verbindung
mit nur einer Speicherselle dargestellt. Cr umfaßt die Feldeffekttransistoren
T7, T8, T9, TlO und TIl. Dieser Schaltkreis bildet die angeschlossenen Speichersellen nicht nur topologisch
in ihren einseinen Elementen nach, sondern die einander entsprechenden Feldeffekttransistoren besltsen auch die für einen gleichen
Wert der Schwellwertspannung erforderliche Kanallänge. Die Schwellwertspannung eines Feldeffekttransistors ist von dessen
Kanallänge in der Welse abhängig, daß bis zu einer Kanallänge von etwa 9 ya die Schwellwertspannung mit dmz Kanallänge ansteigt
und dann unabhängig von dieser ist. Weiterhin wird eine la
wesentlichen gleiche Spannung zwischen Substrat und die Quellenelektroden der einseinen Feldeffekttransistoren gelegt, da
die Schwellwertspannung auch von dieser Spannung abhängig ist.
Der Transistor T8 entspricht bei leitendem Transistor Tl den
Lasttransistor T6 der Speicherzelle» Beide Transistoren arbeiten
im gesättigten Bereich. Sie sind relativ lang ausgebildet und besitzen daher eine gleich hohe Schwellwertspannung. Der Feldeffekttransistor
T6 wird nur durch einen kleinen Leckstrom von etwa 30 nA belastet. Durch den Transistor T8 fließt ebenfalls
nur ein kleiner Strom, da der mit ihm in Reihe geschaltete Feldeffekttransistor
T7 einen sehr großen Widerstand darstellt. Wegen dieser geringen Ströme liegt die Spannung zwischen Steuer- und
Quellenelektrode der beiden Transistoren T6 und T8 nur wenig, d.h. etwa um 0,1 V über der entsprechenden Schwellwertspannung.
Der aktive Transistor der Speicherzelle, im vorliegenden Beispiel der Transistor Tl, wird durch den Feldeffekttransistor T9
nachgebildet. Beide Transistoren haben relativ kurze Kanallängen.
«»"«* 309885/0628 BAD0R1G1NAU
Der Speichertranaistor Tl, der im linearen Gebiet arbeitet, muß
kräftig leitend sein, damit der gegenüberliegende Transistor T2
sicher ausgeschaltet bleibt. Die Spannung zwischen seiner Spannung»- und seiner Quellenelektrode liegt daher um etwa 0,3 V
über der Schwellwertspannung dieses Transistors. Der Feldeffekttransistor
T9 ist sehr niederohmig und arbeitet im gesättigten Bereich. Wegen des durch den Transistor T7 vorgegebenen geringen
Stroflts ist die Differenz zwischen der Spannung «wischen Steuer-
und Quellenelektrode und der Schwellwertspannung nur sehr klein, d.h., sie beträgt etwa 0,05 V. Zur Kompensation der Spannungsdifferenz
von 0,25 V zwischen Speicherzelle und deren Nachbildung wird daher die Quellenelektrode des Transistors T9 nicht wie
diejenige des Transistors Tl auf Erdpotential, sondern an das Potential V„ gelegt. Durch das Potential V_ können weiterhin
Unterschiede zwischen den Schwellwertspannungen der Feldeffekttransistoren der Speicherzelle und deren Nachbildung ausgeglichen
werden. Diese Unterschiede sind jedoch sehr klein und betragen, wie bereits erwähnt, im Höchstfall jeweils 0,1 V.
Das Potential Vn kann in einfacher Weise aus den Potentialen V. und
V„ mit Hilfe eines Spannungsteilers aus den Feldeffekttransistoren
TlO und TIl abgeleitet werden. Vr entspricht dar Zellenspannung,
deren niedrigster Wert bei 2V liegt. Vß wird für die Ansteuerkreise
der Zelle benötigt und besitzt einen Wert von etwa 10 V. Es kann gezeigt werden, daß V vorc Potential VH und von den
Schwellwertspannungen der Transistoren TlO und TIl praktisch unabhängig
ist. Das am Punkt 3 das die Speicherzelle nachbildenden Schaltkreises erzeugte Potential V„ wird dan Steuerelektroden
der Lasttransistören der einzelnen Speicherzellen zugeführt. Das
G K
an den Transistoren TS und 'Γ9 abfallenden Spannungen V78 und V79,
Diese beiden Spannungen entsprechen im wesentlichen den Gchwellwertspannungen
der beiden Transistoren T8 und T9. V- ist somit
nicht nur vom einfachen, sondern von*, etwa 2-fachen Wert der
Schwellwertspannung abh&ncic. Durch dioss ijberkor"pcnsation erfolgt
ein gewisser Ausgleich der Wirkung der nicht kompensierten,
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peripheren Schaltkreise auf dem die Speicherzellen enthaltenden
Halbleiterplattchen. Eine relativ niedrige Schwellwertspannung
der Feldeffekttransistoren auf dem Halbleiterplättchen beispieleweise bewirkt, daß die peripheren Schaltkreise eine vergleichsweise
hohe Verlustleistung besitzen. Durch die Uberkompensatlon
sinkt jedoch die Verlustleistung der Speicherzellen mit abnehmender
Schwellwertspannung, so daß eine insgesamt von der Schwellwertspannung
etwa unabhängige Verlustleistung auf den Halbleiterplättchen
erzielt werden kann.
Es ist selbstverständlich möglich, bei Bedarf durch entsprechende
Auslegung des nachbildenden Schaltkreises eine andere Abhängigkeit
des Potentials V von der Schwellwertspannung herzustellen.
In Fig. 2 wird das von der Schwellwertspannung abhängige Potential
V_ über eine die Feldeffekttransistoren T12 und T13 enthaltende
Entkopplungsstufe mehreren Speicherzellen zugeführt. In der das
Potential V_ führenden Lei tuner fließt normalerweise kein Strosa,
da an diese Leitungen nur die Steuerelektroden von Feldeffekttransistoren angeschlossen sind. Ein niederohmiger Ausgang des
das Potential V erzeugenden Schaltkreises ist jedoch wünschenswert,
da die dieses Potential weiterführende Leitung beispielsweise aus einer hochdotierten Halbleiterzone bestehen kann und .dadurch
Leckströme auftreten und da aus Testgründen die große Kapazität
der Steuerelektroden der vielen Speicherzellen schnell aufgeladen werden soll. Wenn außerdem mehrere Entkopplungsβtufen für
einen V_ erzeugenden Schaltkreis vorgesehen sind, und es tritt an einer Steuerelektrode eines von diesem Schaltkreis gesteuerten
Feldeffekttransistors ein Kurzschluß auf/ so hat dieser Kurzschluß keine Rückwirkung auf den erzeugenden Schaltkreis und die nicht
betroffenen Entkopplungsstufen.
In Fig. 2 besitzen die Feldeffekttransistoren T7, T8, T9, TlO und
TIl die gleiche Funktion wie die entsprechend bezeichneten Transistoren
in Fig. 1. In die Reihenschaltung der Transistoren T7, T8
972 °°6
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und Τ9 wurde lediglich ein weiterer Feldeffekttransistor T14 eingefügt. Das Potential V00 in Fig. 2 entspricht dem Potential
V in Fig. 1. Es wird gezeigt, daß die Differenz der Potential« V0 und V in Flg. 2 unabhängig von der Schwellwertspannung der
Feldeffekttransistoren ist und daß damit die in V0- erhaltene
Abhängigkeit von der Schwellwertspannung unverzerrt auf das Potential V0 in Fig. 2 Obertragen wird.
Es ist V0 -
n* V at V
oa VTH12 VTH14
V-VvV — V —tV — V \
21M VC.
21 | 14 | 14 |
y» | 14 | |
! | L | |
Hl«rln b«d«ut«nt V0- dl« Spannung zwischen Steuer- und Quellenelektrode
eines Transistors,
y_ einen konstanten Faktor(normierte Steilheit).
Der Strom X12 entspricht dem Strom I1- durch d«n Transistor Tl3.
Es gilt angenähert dl« folgende Beziehungι
Im 1 /0\*- -ίΛ 5 It
13 /IIB Xi. ·» IV 4"V. _ —V , . . 1 m 1/2\λ· __ 2
* 13 R '
da VTU9 - VTH13
Der Strom I4 hängt vom Potential des Punktes 4 kaum ab, da dieses
Potential durch den hohen Widerstandewert des Transistors T7 sehr viel kleiner als das angelegte Potential V„ ist. Di· Ström« 1
Ii 1*
und X14 sind somit unabhängig von d«r Schwellw«rtspannung der
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BAD ORIGINAL
Tranaistoren und damit auch die Potentialdifferen« V_ - V„A. Es
ist somit lediglich erforderlich, das Potential V_ um die Differenz
V^ - V^ zu korrigieren, um des gewünschte Steuerelektroden-
potential V_ zu erhalten.
ν»
Bei weiteren Entkopplungsstufen werden diese, wie in Fig. 2 angedeutet ist, an die zu den Steuerelektroden der Feldeffekttransistoren
T12 und Tl3 führenden Leitungen angeschlossen.
Die Fig. 3 zeigt eine weitere AusfOhrungsforza eines ein von der
Schwellwertspannung abhängiges Potential erzeugenden Schaltkreises.
Bei relativ kleinem Potential V„ schwankt bei Änderungen dieses
Potentiale der Ober den Transistor T8 fließende Strom relativ
stark. In der Schaltung nach Fig. 1 wird das Potential V_ durch
diese Stromschwankungen beeinflußt. In der Anordnung nach Fig. 3
wird dieser Strom von einem Feldeffekttransistor T15 aufgenommen,
so daß Vn nicht durch Schwankungen dieses Strome verändert werden
Xt
kann« Das Potential V„ in Fig. 3 wird durch das Potential V_ und
ν» Κ
durch die Reihenschaltung der Transistoren T9 und TS gebildet. Es
entspricht wie bei der Schaltung nach Fig. I etwa der Surwe de·
Potentials v_ und der Schwallwertspannungen der beiden Transistoren
T8 und T9. Die Feldeffekttransistoren TI7 und TlB stellen hochotmige
Widerstände dar. Der Ausgangswiderstand am Punkt 5 1st wegen der Rückkopplung durch die beiden Transistoren TlS und T16 sehr klein.
Auch der Transistor T19 ist relativ niederohmiq, so da» der geielgte
Schaltkreis eine niedrige Ausgangsimpedanz besitzt. An den Funkt 5 können weitere Ausgangsstufen angeschlossen sein.
Durch die vorgeschlagene Anordnung wird die Zellenverlustleistung im Vergleich zu einer konstanten Spannung an den Steuerelektroden
der hochohmigen Lasttransistoren um etwa den Faktor 2 bis 3 herabgesetzt.
Der für den zusätzlichen Schaltkreis erforderliche Aufwand
ist gegenüber diesem beträchtlichen Vorteil von untergeordneter Bedeutung.
Es wird weiterhin die Möglichkeit vermieden, daß bei» Lesevorgang
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BAD
der Laettransistor ir.vers leitet. Bei einem festen Potential an
der Steuerelektrode den Feldeffekttransistors T6 von z.3. 1,4 V,
einem Potential auf der Bitleiturn? Bl von ebenfalls 3,4 V und
V_ ■ 2V kann bei einer niedrigen SchwelIwertapannung wilhrend des
LeseVorganges ein Strom von der Bitleitung Bl über die Transistoren T4 und T6 zu der V_-Klemme fließen. Durch diesen Stron- wird
Li
der Differens-Lesestrom der Speicherzelle verringert.
GE 972 006 „nQfipr/nfi9ü
309885/0628 BAD ORIGINAL
Claims (7)
- PATENTANSPRÜCHEHalbleiterschaltungsanordnung mit Feldeffekttransistoren, die einen hohen Widerstand besitzen und sich auf mindestens einem Halbleiterplättchen befinden, dadurch gekennzeichnet, dafl auf dem (den) Halbleiterplättchen (jeweils) mindestens ein Schaltkreis zur Erzeugung einer von der jeweiligen Schwellwertspannung der Feldeffekttransistoren abhängigen Spannung, die den Steuerelektroden der zugeordneten hochohmigen Feldeffekttransistoren zugeführt wird, vorgesehen 1st.
- 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dafl die hochohmigen Feldeffekttransistoren Lasttransistoren in statischen Speicherzellen darstellen*
- 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein'Schaltkreis zur Erzeugung einer Spannung, die sich mit der Schwellwertspannung der Feldeffekttransistoren, jedoch stärker als diese ändert, vorgesehen ist·
- 4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Schaltkreis Feldeffekttransistoren enthält, die den hochohmigen Feldeffekttransistoren nachgebildet sind.
- 5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Schaltkreis eine Nachbildung der atatischen Speicherzellen darstellt.
- 6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet» daß der Schaltkreis eine Reihenschaltung zweier Feldeffekt-transistoren, die von einem sehr kleinen Strom durchflossen werden, aufweist.GE 972 006 Λ ' , .3 0 9 8 8 5/0628 - BAD ORIGINAL
- 7. Schaltungsanordnung nach einem dor Ansprüche 1 bte 6, dadurch gekennzeichnet, daß dom Schaltkreis mindestens «in« Entkopplungsstufe, die die Abhängigkeit der erzeugten Spannung von der Schwelivertepannung nicht beeinflußt, nachgeaehaltet ist.015972006 309885/0628
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722232274 DE2232274C2 (de) | 1972-06-30 | 1972-06-30 | Statischer Halbleiterspeicher mit Feldeffekttransistoren |
IT2188673A IT981508B (it) | 1972-06-30 | 1973-03-21 | Struttura semiconduttrice a circuito integrato |
GB2582573A GB1431205A (en) | 1972-06-30 | 1973-05-30 | Monolithic semiconductor circuit arrangement |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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Country Status (5)
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FR (1) | FR2241929B1 (de) |
GB (1) | GB1431205A (de) |
IT (1) | IT981508B (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2292280A1 (fr) * | 1974-11-21 | 1976-06-18 | Ibm | Compensateur en technologie lsi pour remedier aux variations de certains parametres dues au procede de fabrication |
DE2921037A1 (de) * | 1978-05-24 | 1979-11-29 | Hitachi Ltd | Hochspannungsschaltung fuer isolierschicht-feldeffekttransistoren |
DE2855844A1 (de) * | 1978-12-22 | 1980-06-26 | Texas Instruments Deutschland | Feldeffekttransistor |
EP0029231A1 (de) * | 1979-11-19 | 1981-05-27 | Nec Corporation | Referenzsspannungserzeugerstromkreis |
DE3128195A1 (de) * | 1980-10-23 | 1982-06-03 | Standard Microsystems Corp., 11787 Hauppauge, N.Y. | Dual - speicherzelle mit geringer leistungsaufnahme |
EP0054471A2 (de) * | 1980-12-12 | 1982-06-23 | Fujitsu Limited | Halbleiterwiderstandselement |
EP0084146A2 (de) * | 1982-01-18 | 1983-07-27 | International Business Machines Corporation | Von einer Eingangsspannung gesteuerter Pulsgenerator- und Vorspannungsschaltung für integrierte Schaltungen |
EP0493828A2 (de) * | 1991-01-02 | 1992-07-08 | Texas Instruments Incorporated | On-Chip Abweichungsfeststellung für integrierte Schaltungsvorrichtungen |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5813885A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-26 | 松下電工株式会社 | 木製ドア |
JPH0493997U (de) * | 1990-12-21 | 1992-08-14 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3508084A (en) * | 1967-10-06 | 1970-04-21 | Texas Instruments Inc | Enhancement-mode mos circuitry |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS528660A (en) * | 1975-07-09 | 1977-01-22 | Hitachi Ltd | Anaerobic digestion of organic waste fluid |
-
1972
- 1972-06-30 DE DE19722232274 patent/DE2232274C2/de not_active Expired
-
1973
- 1973-03-21 IT IT2188673A patent/IT981508B/it active
- 1973-05-30 GB GB2582573A patent/GB1431205A/en not_active Expired
- 1973-06-12 JP JP6547173A patent/JPS545937B2/ja not_active Expired
- 1973-06-26 FR FR7324276A patent/FR2241929B1/fr not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3508084A (en) * | 1967-10-06 | 1970-04-21 | Texas Instruments Inc | Enhancement-mode mos circuitry |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
IBM Techn. Discl. Bull. Jan. 1971, S. 2385-2386 * |
IBM Techn. Discl. Bull., Febr. 1971, S. 2516 * |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2292280A1 (fr) * | 1974-11-21 | 1976-06-18 | Ibm | Compensateur en technologie lsi pour remedier aux variations de certains parametres dues au procede de fabrication |
DE2921037A1 (de) * | 1978-05-24 | 1979-11-29 | Hitachi Ltd | Hochspannungsschaltung fuer isolierschicht-feldeffekttransistoren |
DE2921037C2 (de) * | 1978-05-24 | 1983-08-25 | Hitachi, Ltd., Tokyo | Isolierschicht-Feldeffekttransistor-Schaltung |
DE2855844A1 (de) * | 1978-12-22 | 1980-06-26 | Texas Instruments Deutschland | Feldeffekttransistor |
EP0029231A1 (de) * | 1979-11-19 | 1981-05-27 | Nec Corporation | Referenzsspannungserzeugerstromkreis |
DE3128195A1 (de) * | 1980-10-23 | 1982-06-03 | Standard Microsystems Corp., 11787 Hauppauge, N.Y. | Dual - speicherzelle mit geringer leistungsaufnahme |
EP0054471A2 (de) * | 1980-12-12 | 1982-06-23 | Fujitsu Limited | Halbleiterwiderstandselement |
EP0054471A3 (en) * | 1980-12-12 | 1984-07-18 | Fujitsu Limited | Semiconductor resistor element |
EP0084146A2 (de) * | 1982-01-18 | 1983-07-27 | International Business Machines Corporation | Von einer Eingangsspannung gesteuerter Pulsgenerator- und Vorspannungsschaltung für integrierte Schaltungen |
EP0084146A3 (en) * | 1982-01-18 | 1984-10-03 | International Business Machines Corporation | Input signal responsive pulse generating and biasing circuit for integrated circuits |
EP0493828A2 (de) * | 1991-01-02 | 1992-07-08 | Texas Instruments Incorporated | On-Chip Abweichungsfeststellung für integrierte Schaltungsvorrichtungen |
EP0493828A3 (en) * | 1991-01-02 | 1993-02-03 | Texas Instruments Incorporated | On-chip variance detection for integrated circuit devices |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2241929B1 (de) | 1976-06-18 |
GB1431205A (en) | 1976-04-07 |
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FR2241929A1 (de) | 1975-03-21 |
JPS4959541A (de) | 1974-06-10 |
JPS545937B2 (de) | 1979-03-23 |
DE2232274C2 (de) | 1982-05-06 |
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