DE2202217B2 - Verfahren zum Herstellen einer eine Elektronenquelle enthaltenden Einrichtung - Google Patents

Description

unterzogen werden. Je höher die Temperatur der den, aus nicht verunreinigendem Material bestehen-

Wärmebehandlung, desto schneller und vollständiger den Schutzschicht überzogen wird, daß die folgende

die Entfernung der Verunreinigursgen. Es ist jedoch Erhitzung des Kolbens und der Elektrode bei einer

festgestellt worden, daß eine Wärmebehandlung der Temperatur unterhalb der Verdampfungstemperatur

Röhre bei etwa 250° C auch während einer kurzen 5 der Schutzschicht erfolgt, und daß anschließend die

Zeitdauer, z. B. während einiger Minuten oder Elektrode auf eine höhere Temperatur, bei der die

weniger, zu einer Verunreinigung der emittierenden Schutzschicht von der Emissionsoberfläche durch

Oberfläche durch eine chemische Reaktion der frei- Verdampfen entfernt wird, erhitzt wird, während der

gegebenen Gase mit dem Werkstoff des emittierenden Kolben auf einer unterhalb der niedrigeren Tempe-

Körpers führt. Die emittierende Oberfläche kann io ratur liegenden Temperatur verbleibt,

dabei permanent verunreinigt werden. Die Ober- Vorausgesetzt, daß die nicht verunreinigte elek-

fläche kann zwar durch ein getrenntes Erhitzen oder tronenemittierende Oberfläche mit einer Schutzschicht

durch Aufdampfung vor der Aktivierung gesäubert bis kurz vor der Aktivierung bedeckt ist, kann der

werden. Eine solche Säuberung gestaltet sich aber emittierende Körper Verunreinigungen während der

wegen des komplizierten geometrischen Aufbaus 15 Wärmebehandlung des Röhrenkolbens ohne Schädi-

eines Photoelektronenvervielfachers oder einer Bild- gung ausgesetzt werden. Nach der Entfernung der

röhre sehr schwierig. Schutzschicht und bei noch evakuiertem Kolben ist

Während einige Ill-V-Halbleiterverbindungen sich eine neuerliche Reinigung der emittierenden Oberdatiurch reinigen lassen, daß man sie eine Minute fläche vor der Aktivierung entbehrlich. Unter Anlang bei einer Temperatur von 25^C C unterhalb ihrer 20 wendung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es Zersetzungstemperatur erhitzt, bedürfen andere Halb- möglich, Halbleiterwerkstoffe, wie z. B. Silicium, einleiter intensiverer Reinigungsverfahren. Silicium wird zusetzen, die bestimmte Reinigungsverfahren be- 7.. B. vielfach durch Beschüß mit Hochenergie-Elek- nötigen, die die technische Anwendung solcher Werktronen und nachfolgendes einstiindiges oder längeres stoffe als Elektronenquelle in Elektronenröhren bis-Erhitzen bei etwa 1000 C gereinigt Da die Durch- 25 lang verhindert haben.

führung eines solchen Reinigungsverfahrens bei einer Die Erfindung soll nun an bevorzugten Beispielen

schon in einen Röhrenkolben eingebauten Elektro- erläutert werden. Die Figur der Zeichnung stellt

nenquelle aus Silicium in der Praxis sehr schwierig einen Schnitt durch eine Photoelektronen-Verviel-

ist, ist die Verwendung von Silicium als elektronen- facherröhre dar, bei der das Verfahren gemäß der

emittierender Werkstoff auf Oberflächen in Elektro- 30 Erfindung zur Anwendung kommt,
nenröhren weitgehend eingeschränkt worden, obwohl

Silicium sich sonst für eine solche Anwendung gut Beispiel I

eignet. Gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Er-

Aus der DT-OS 16 39 363 ist ein Verfahren zum findung wird die in der Zeichnung dargestellte Rund-

Herstellen einer photoelektrischen Entladungsröhre 35 käfig-Photovervielfacherröhre 10 mit einer undurch-

bekannt, bei dem eine Photokathode innerhalb eines sichtigen, Elektronen emittierenden Photokathode 12

Kolbens angebracht wird, der Kolben mit der Photo- aus einer Halbleiterverbindung ausgestattet. Die

kathode sodann einer Erhitzung unterzogen und hier- Röhre IU ist während einer Verfahrensstufe vor der

bei kontinuierlich evakuiert wird. Bevor die Elektro- Aktivierung der Photokathode 12 gezeigt. Die Röhre

denschicht mit einer Aktivierungsschicht aus einem 40 10 besteht aus einem Kolben 14 aus Glas, verschie-

Alkali- oder Erdalkalimetall überzogen wird, wird denen Dynoden 16, Feldelektroden 18 und einer

sie zur intensiven Reinigung der Emissionsoberfläche Anode 20, die vervielfachte, etwa entlang der durch

in der Röhre bei einer Temperatur von höchstens die unterbrochenen Striche 22 gezeigten Strecke von

300 C einige Stunden lang einem Ausheizprozeß der einen Dynode 16 zu einer anderen wandernde

unterworfen, wonach die Emissionsoberfläche einem 45 Elektronen sammelt. Hinter der Photokathode 12

Beschüß durch langsame Edelgasionen unterworfen befindet sich ein Heizdraht 24. Quellen von Cäsium

wird. Ein ähnliches Verfahren für eine aus Silicium und Sauerstoff (nicht gezeigt) zur Aktivierung der

bestehende Emissionskathode ist auch aus der Zeit- Photokathode 12 sind im Kolben 14 enthalten. Der

schrift »Philips Research Reports«, Bd. 17, 1962, Kolben 14 ist über eine Rohrverbindung geringer

S. 101 bis 105, bekannt. Die bekannten Reinigungs- 50 Länge mit einer Hochgeschwindigkeits-Vakuum-

methoden haben die schon weiter oben erläuterten pumpe (nicht gezeigt) verbunden.

Nachteile und sind insbesondere für die Praxis zu Die Photokathode 12 umfaßt eine quadratförmige

aufwendig. Unterlage 26 mit einer Seitenlänge von etwa 12,5 mm

Es ist ferner bekannt, eine zu bedampfende Ober- und einer Stärke von etwa 50 μΐη, die auf einer Seite

fläche durch Elektronenbeschuß zu reinigen (»Werk- 55 mit einer epitaxialen Schicht 28 aus Galliumarsenid

stoffkunde der Hochvakuumtechnik«, Bd. II, S. 319 mit einer Stärke von etwa 10 um verschen ist. Die

bis 321) und den Körper einer Photokathode im emittierende Oberfläche 30 ist mit einer Schutzschicht

Vakuum aus der Dampfphase herzustellen (DT-OS 32 aus Kaliumchlorid (KCl) mit einer Stärke von

19 12 842). etwa 0,05 |im beschichtet.

Aufgabe der Erfindung ist, ein Verfahren anzu- 60 Vor dem Einbau der Photokathode 12 in den Kolgeben, bei dem die erforderliche Reinheit der Emis- ben 14 wird die Schutzschicht 32 folgendermaßen sionsoberfläche einer Elektrode aus beliebigem Mate- auf die emittierende Oberfläche 30 aufgedampft: rial einschließlich Silicium auf einfachere Weise als Zunächst ordnet man die Unterlage 26 in einer konbisher gewährleistet wird. tinuierlich evakuierten Beschichtungskammer an, die

Die Erfindung löst diese Aufgabe bei einem Ver- 65 ebenso Elemente zur Reinigung und Beschichtung fahren der eingangs genannten Art dadurch, daß vor der emittierenden Oberfläche umfaßt. Die Beschich-

der Erhitzung des Kolbens die saubere Emissions- tungskammer und deren Inhalt werden mindestens oberfläche mit einer vor Verunreinigungen schützen- eine Stunde bei einem Druck von etwa 10~^e mm Hg

oder weniger einer Wärmebehandlung bei etwa Cäsiumjodid in erster Linie für Elektronenquellen 200° C unterzogen, um eventuelle, an den Ober- geeignet, die eine verhältnismäßig niedrige Verdampflächen innerhalb der Kammer vorhandene, ver- fungs-(oder Zersetzungs-)temperatur aufweisen, ζ. Β. unreinigende Gase zu entfernen. Die Beschichtungs- für eine Halbleiterlegierung aus Indiumantimonid, kammer wird danach auf Zimmertemperatur ge- 5 Gewisse Zusammensetzungen dieser Legierung werbracht, ohne daß das in ihr vorhandene Vakuum den schon bei etwa 400° C zersetzt,
unterbrochen wird. Sodann wird der aus der Unter- Die Erfindung läßt sich zum Schützen verschielage 26 aus Galliumarsenid und der emittierenden dencr emittierender Werkstoffe, z. B. aus Metall, Schicht 28 bestehende Körper während einer Minute Halbleiter oder isolierendem Werkstoff, anwenden, auf etwa 650° C erhitzt, eine Temperatur, die knapp io vorausgesetzt, daß die Verdampfungstemperatur unterhalb der Zersetzungstemperatur des Gallium- (oder die Zersetzungstemperatur bei einer Legierung arsenids liegt. Diese Erhitzung wird durch einen oder einer Verbindung) der emittierenden Masse die naheliegenden Heizdraht zustande gebracht. Danach entsprechende Temperatur der Schutzschicht überfindet eine Abkühlung auf Zimmertemperatur statt. steigt. Auf diese Weise läßt sich die Schutzschicht Dann wird die Schutzschicht 32 auf der emittieren- >5 ohne Beschädigung der emittierenden Oberfläche den Oberfläche 30 durch Aufdampfung von einer entfernen. Eine Schicht aus Kaliumchlorid kann z. B. Perle aus Kaliumchlorid hergestellt. Die Perle ist an auf eine saubere emittierende Siliziumoberfläche aufeinem zweiten, innerhalb der Beschichtungskammer gebracht und später durch Verdampfung entfernt angeordneten Heizdraht befestigt. Sollte der emittie- werden, ohne daß eine bemerkbare Zersetzung oder rende Körper aus Selen bestehen, so kann er dadurch »o Beschädigung der Oberfläche eintritt, obwohl Silicium gereinigt werden, daß eine emittierende Oberfläche im Vergleich zu III-V-Halbleiterverbindungen einen einer Elektronenbombardierung innerhalb der Be- relativ reaktiven Werkstoff darstellt.
Schichtungskammer ausgesetzt wird, ehe die Schutz- Wenn die emittierende Masse einen aus der schicht 32 angebracht wird. Dampfphase gezüchteten Halbleiter darstellt, ist eine

Die beschichtete Photokathode 12 wird im Innern 25 Anbringung der Schutzschicht besonders vorteilhaft, des Kolbens 14 angeordnet. Letzterer wird nun ehe die emittierende Substanz mit der Atmosphäre kontinuierlich mittels einer Vakuumpumpe durch in Berührung gebracht wird. Man kann z. B. Kaliumeine Saugrohrleitung bis auf einen Druck von chlorid auf die emittierende Oberfläche von aus der 10~^emmHg oder weniger evakuiert, während er Dampfphase gezüchtetem Galliumarsenid oder SiIimindestens eine Stunde einer Wärmebehandlung bei 30 cium aufdampfen, während die emittierende Ober-350° C unterzogen wird, ehe er wieder auf Zimmer- fläche sich noch in der Züchtungskammer in einer temperatur abgekühlt wird. Das Kolbeninnere 14 verdünnten Atmosphäre aus Edelgas, «z. B. Helium, wird auf diese Weise von gasförmigen Verunreini- bei niedrigem Druck befindet. Auf diese Weise entgungen befreit, während die emittierende Oberfläche fällt die Verfahrensstufe der Reinigung der emittie-30 durch die Schutzschicht 32 gegen diese gasförmi- 35 renden Oberfläche in einer besonderen Beschichgen Verunreinigungen abgeschirmt ist. Von der der tungskammer vor der Anbringung der Schutzschicht, Schutzschicht 32 gegenüberliegenden Seite eius wird um Verunreinigungen zu entfernen,
die Photokathode 12 durch Wärmeausstrahlung von Außer Kaliumchlorid und Cäsiumjodid stehen dem Heizdraht 24 auf etwa 500° C erhitzt. Die andere Werkstoffe zur Verfügung, wie z. B. die übrigen Teile der Röhre 10 verbleiben so lange auf 40 anderen Alkalihalogenid-Verbindungen, und insbe-Zimmertemperatur, bis die Beschichtung aus Kalium- sondere Natriumchlorid (NaCl) und Rubidiumchlorid von der emittierenden Oberfläche 30 durch chlorid (RbCl), die sich als Schutzschichten für Verdampfung entfernt worden ist. Diese verdampfte emittierende Einrichtungen eignen. Die kritischen, Beschichtung wird entweder anderswo im Innern der an einen Schutzschichtwerkstoff zu stellenden AnRöhre 10 niedergeschlagen oder durch die Vakuum- 45 forderungen sind, (1) daß der Werkstoff selber die pumpe abgepumpt. Schließlich wird die emittierende emittierende Oberfläche nicht verunreinigt; (2) daß Oberfläche 30 mit Cäsium und Sauerstoff aktiviert. er durch Verdampfen ohne Beschädigung der Röhre Die Rohrleitung zwischen der Röhre 10 und der entfernt werden kann, wenn er sich auf Einbauten Pumpe wird unter Vakuum abgedichtet. niederschlägt (d. h. für Photoelektronen-Verviel-

50 facherröhren .ollte der Werkstoff durchsichtig und

Beispiel II elektrisch nichtleitend sein); (3) daß mindestens bei

der Temperatur der Wärmebehandlung für die Röhre

Gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der der Werkstoff chemisch beständig ist; und (4) daß

Erfindung ist eine Photoelektronen-Vervielfacher- er als Schicht für Verunreinigungen in der Röhre

röhre mit einer undurchsichtigen Photokathode 55 weitgehend undurchlässig und gegen Wasserdampf

gemäß Beispiel I ausgestattet. Statt Kaliumchlorid weitgehend beständig ist

besteht die Schutzschicht 32 aus Cäsiumjodid (CsI). Während gemäß der vorstehenden Beschreibung Die Behandlung entspricht weitgehend der im Bei- die emittierende Oberfläche mit Cäsium und Sauerspiel I beschriebenen, wobei jedoch, weil Cäsium- stoff aktiviert wurde, läßt sich die Aktivierung dureb jodid bei einer niedrigeren Temperatur als Kalium- 60 eine andere beliebige Methode zur Senkung der Auschlorid verdampft, die Temperatur der Wärme- trittsarbeit verwirklichen. Solche Methoden umfassei behandlung bei etwa 300° C liegt Außerdem beträgt die Aufbringung von einem oder mehreren elektro die zur Entfernung der Schutzschicht benötigte Tem- · positiven Werkstoffen, wie z.B. Kalium, Cäsium ode peratur, auf welche die Photokathode 12 erhitzt Natrium auf die emittierende Oberfläche, entwede wird, etwa 400° C Wegen der verhältnismäßig nied- 65 allein oder in Zusammenhang mit einem oder meh rigen Temperatur, bei der eine Schutzschicht aus reren elektronegativen Werkstoffen, wie z. B. Sauei Cäsiumjodid von der emittierenden Oberfläche 30 stoff oder Fluor,
durch Verdampfung entfernt werden kann, ist Die obengenannten Verdampfungstemperature

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für die Schutzschichtwerkstoffe sind Temperaturen, Zwar sind die emittierenden Körper in den Beibei denen der in Frage kommende Werkstoff aus- spielen I und II undurchsichtige Photokathoden, die reichend schnell verdampft, um innerhalb einer ver- Erfindung ist jedoch nicht auf eine bestimmte Austretbar kurzen Zeitspanne, wie z. B. von einigen Mi- führung des emittierenden Körpers beschränkt. Halbnuten, die Schicht von der emittierenden Oberfläche 5 durchsichtige Photokathoden oder elektronenvervielzu entfernen. Diese Verdampfungstemperatur ist ver- fachende Dynoden lassen sich ebenso gemäß den hältnismäßig unkritisch und liegt im allgemeinen bei Ausführungsformen der Erfindung herstellen. Bei einem Wert, bei dem der Werkstoff einen Dampf- einigen photoemittierenden Röhren ist der halbdurchdruck von etwa 10"²ITImHg bis 10~~⁴mmHg auf- sichtige emittierende Körper als Stirnplatte ausgeweist. Weitgehend niedrigere Temperaturen machen io bildet und bildet daher einen Teil des Kolbens, in eine erheblich längere Zeitspanne zur Verdampfung dem sich die emittierende Oberfläche befindet. Bei der Schicht nötig. Bei einem Werkstoff in Form einer einer solchen Anordnung kann eventuell ein geson-Verbindung oder einer Legierung spricht man von dertes Erhitzen des emittierenden Körpers notwendig der Zersetzungstemperatur und nicht von einer Ver- sein, um die Schutzschicht zu entfernen. Zwar ist die dampfungstemperatur. Für Kaliumchlorid kann eine 15 Erfindung bei emittierenden Halbleiterkörpern wegen Verdampfungstemperatur von etwa 450° C oder der Empfindlichkeit der Halbleiteroberflächen mit höher angenommen werden. Für praktische Zwecke Bezug auf Verunreinigung und der Schwierigkeiten liegt sie aber zwischen 450 und 500° C. Die Ver- bei der Verdampfung von Halbleiterschichten innerdampfungstemperatur für Cäsiumjodid liegt zwischen halb eines Röhrenkolbens besonders vorteilhaft, die etwa 350 und 400° C. Die Zersetzungstemperatur 20 beschriebenen Ausführungsformen sind jedoch von Galliumarsenid liegt zwischen etwa 625 und ebenso bei metallischen emittierenden Körpern, wie etwa 675° C, während die Verdampfungstemperatur z. B. Wolfram, oder bei nichtleitenden Körpern, wie des Siliciums oberhalb 1000° C liegt. z. B. Magnesiumoxid, anwendbar.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (8)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen einer eine Elektronenquelle enthaltenden Einrichtung, bei dem eine Elektronenemissionselektrode innerhalb eines Kolbens angeordnet und der Kolben sodann mit der Elektrode erhitzt und während der Erhitzung kontinuierlich evakuiert wird, und bei dem die Elektrode eine saubere Emissionsoberfläche erhält, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Erhitzung des Kolbens die saubere Emissionsoberfläche mit einer vor Verunreinigungen schützenden, aus nicht verunreinigendem Material bestehenden Schutzschicht überzogen wird, daß die foigende Erhitzung des Kolbens und der Elektrode bei einer Temperatur unterhalb der Verdampfungstemperatur der Schutzschicht erfolgt, und daß anschließend die Elekirode auf eine höhere Temperatur, bei der die Schutzschicht von der Emissionsoberfläche durch Verdampfen entfernt wird, erhitzt wird, während der Kolben auf einer unterhalb der niedrigeren Temperatur liegenden Temperatur verbleibt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Reinigung der Emissions-Dberfläche die Elektrode mindestens eine Stunde in einem Vakuum von 10~^B mm Hg oder weniger Und bei einer Temperatur von etwa 200° C erhitzt wird, daß die Elektrode auf Zimmertemperatur abgekühlt wird, wonach sie etwa eine Minute lang bei einer Temperatur knapp unterhalb der Zersetzungstemperatur des Werkstoffs der Elektrode erhitzt wird, und daß die Elektrode dann wieder auf Zimmertemperatur abgekühlt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der Schutzschicht innerhalb des Vakuums auf die Emissionsoberfläche aufgedampft wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht auf die durch Elektronenbeschuß gereinigte Emissionsoberfläche der aus Silicium gebildeten Elektrode aufgebracht wird, bevor die Elektrode in den Kolben eingeschlossen wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht auf die Emissionsoberfläche innerhalb einer Kammer aufgedampft wird, in der der Elektrodenkörper unter reduziertem Druck aus der Dampfphase ge-Züchtet wird.

6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Werkstoff für die Schutzschicht eine Alkalihalogenidverbindung verwendet wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Werkstoff für die Schutzschicht Kaliumchlorid verwendet wird, und daß die erste Temperatur bei etwa 400° C und die zweite Temperatur bei etwa 450° C oder höher liegt.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Werkstoff für die Schutzschicht Kaliumjodid verwendet wird, und daß die erste Temperatur bei etwa 300° C und die zweite Temperatur bei etwa 350° C oder höher liegt.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer eine Elektronenquelle enthaltenden Einrichtung, bei dem eine Elektronenemissionselektrode innerhalb eines Kolbens angeordnet und der Kotben sodann mit der Elektrode erhitzt und während der Erhitzung kontinuierlich evakuiert wird, und bei dem die Elektrode eine saubere Emissionsoberfläche erhält.

Elektronenemissionselektroden finden z. B. Anwendung als Photokathoden und Sekundärelektronen emittierende Dynoden in Elektronenröhren, wie z. B. Bildröhren und Photoelektronenvervielfachern. Im allgemeinen besteht eine Elektronen emittierende Elektrode dieser Art aus einem Körper mit zur Verbesserung seiner Emissionseigenschaften aktivierten Oberfläche. Die Aktivierung erfolgt dadurch, daß man mittels einer elektropositiven Substanz, wie z. B. Cäs'um, allein oder in Verbindung mit einer elektronegativen Substanz, wie z. B. Sauerstoff, die Austrittsarbeit senkt. Beispiele solcher Photoelektronenvervielfacher, die mit dünnen Filmen und mit dickeren Emissionselektroden ausgestattet sind, sowie Methoden zur Herstellung von halbleitenden Werkstoffen und der Aktivierung sind den US-PS 33 87 161 und 34 78 213 und der Veröffentlichung von C. H. A. Syms, »Gallium Arsenide Thin-Film Photocatfiodes«, Advances in Electronics and Electron Physics, Academic Press, N. Y., 1969, Bd. 28 A, S. 399 bis 407, zu entnehmen.

Damit eine vertretbare Anfangsemission und eine ausreichende Betriebslebensdauer der Elektronenquelle gewährleistet sind, ist während der Aktivierung ein verunreinigungsfreier Zustand der emittierenden Oberfläche wichtig. Die meisten emittierenden Werkstoffe, wie z. B. Antimon, lassen sich durch die Verdampfung einer Perle des emittierenden Materials im Gefäß der Röhre aufbringen, nachdem Verunreinigungen aus dem Innern des Gefäßes durch eine Wärmebehandlung und gleichzeitige Evakuierung des Gefäßes entfernt worden sind. Die Evakuierung der Röhre beseitigt Gase, die in der Wandung des Gefäßes und in den Einbauten eingeschlossen waren.

Andere Elektronen emittierende Werkstoffe, die nicht ohne weiteres von einer Perle verdampft werden können, sind dagegen schwieriger in einer Elektronenröhre aufzubringen. Die binären und ternären Halbleiterverbindungen, wie z. B. GaAs, GaP und InGa_{1 v}As_v, und der Halbleiter Silicium in Elementarform stellen sehr geeignete Werkstoffe für Elektronenquellen dar, obwohl sie sich nicht ohne weiteres von einer Perle verdampfen lassen. Bei Silicium ist die Verdampfung schwierig wegen dessen hoher Verdampfungstemperatur. Bei den Verbindungen ist eine Verdampfung schwierig wegen der ungleichen Verdampfungsgeschwindigkeiten der Elemente in den Verbindungen bei einer bestimmten Temperatur, was zu einer Zersetzung der betreffenden Verbindung führt. Im Falle dieser Werkstoffe ist es zur Zeit nicht möglich, Emissionskörper durch Aufdampfung zu bilden, die die für eine wirksame Emissions-Oberfläche nötigen Eigenschaften aufweisen. Im allgemeinen werden solche emittierenden Werkstoffe dadurch in den Kolben einer Elektronenröhre gebracht, daß man einen vorgeformten emittierenden Körper im Kolben montiert, ehe dieser ausgeheizt wird.

Zur wirksamen Entfernung der Verunreinigungen aus der Röhre sollte letztere einer Wärmebehandlung bei mindestens 350° C, vorzugsweise 400° C,