DE2155849A1 - Verfahren zur herstellung eins stabilisierenden und/oder isolierenden ueberzuges auf halbleiteroberflaechen - Google Patents

Verfahren zur herstellung eins stabilisierenden und/oder isolierenden ueberzuges auf halbleiteroberflaechen

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Description

SEMIKRON Ges. f. (ileichrichterbou α. Elektronik M.b.H.,
8500 Nürnberg - Wiesentolstroße 40, Telefon 0911/37781 - Telex 04/22155
PA-Bu/RU I 137104 8. Noveaber 1971
Verfohren zur Herstellung eine· »tobili»ierenden und/oder isolierenden Überzüge· ouf Holbleitereberflüchen
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen «it hoher Sperrspannungsbela»tbarkeit koewt de« Schutz der Halbleiteroberfluch· gegen unerwünschte Verunreinigungen sowie ihrer elektrischen Isolation, insbesondere i· OberflBchenbereich des Austritts des oder 4·χ pn-Ubergttnge, ia Hinblick auf ein optimales Sperrverhalten besondere Bedeutung zu. Zur Erzielung eines solchen Verhaltens ist es bekannt, ouf die entsprechenden Oberfldchenabschnitte aus eine« Schutzlack oder aber Oxidation des Halbleitematerials einen überzug aufzubringen. Solche' Oxidschichten werden i« wesentlichen durch Xtzen und/oder Spulen «it oxidierenden Chemikalien, durch anodische Oxidation in anorganischen oder organischen Elektrolyten, durch themische Oxidation oder durch pyrolytische Zersetzung geeigneter Verbindungen erzielt.
Bei den bekannten Verfahren zur Bildung einer stabilisierenden Oxidschicht auf Halbleiteroberfläche* ist Jedoch besonders nachteilig, daß bei· Entstehen dmx Oxidschicht in erhebliche· HaBe unerwünschte Freed·toffe eingebaut werden, wodurch die geforderte Verbesserung und Stabilisierung des
3Ö582O/0US
iii.yViii· tiuia ———y...,—
Sperrverhaltens der Halbleiterbauelemente nicht immer gewährleistet ist« Weiterhin erfordert die thermisch· Oxidation fUr eine Schicht gewünschter Dicke hohe, die physikalischen Eigenschaften des Leitermaterials beeinträchtigende Verfahrenstemperaturen. Bei einer Oxidation durch pyrolytisch· Zersetzung sind die Verfahrenstemperaturen zwar geringer, aber die dabei erzielte Oxidschicht entspricht bezüglich des Schutzes der Halbleiteroberfläche gegenüber atmosphärischen Verunreinigungen nicht immer den gestellten Anforderungen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, auf einer gereinigten Halbleiteroberfläche eine isolierende und/oder das Sperrverhalten stabilisierende Oxidschicht herzustellen, welche den Einfluß von schädlichen Fremdstoffen verhindert.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines stabilisierenden und/oder isolierenden Überzuges auf Halbleiteroberflächen durch Oxidation derselben in einer molekularen Sauerstoff enthaltenden Flüssigkeit und besteht darin, daß als Flüssigkeit ein Lösungsmittel fUr organische Substanzen verwendet wird, daß in dem Lösungsmittel wenigstens eine zur Fotosensibilisierung geeignete, organische Substanz gelöst wird, und daß mithilfe d^x durch Einwirkung von Lichtenergie auf die Lesung angeregten, organischen Substanz die mit Lösungsmittel benetzten, vorbereiteten Halbleiterober flächen oxidiert werden·
Aus der Farbfotografie ist es bekannt, bestimmte organische Farbstoffe zu verwenden, die das fUr Licht bestimmter Wellenlängen empfindliche Silberhalogenid der fotografischen Schicht fUr längerwelliges Licht sensibilisieren, was als spektrale Sensibilisierung bezeichnet wird. Der in geringen Mengen zugesetzte Farbstoff ist dabei fest an den Kern des Silberhalogenids adsorbiert· Er wirkt als Übertrager von Lichtenergie an das Halogenid zur Aufspaltung desselben in Silber und Halogen und wird in nachfolgenden Prozessen zur Entwicklung der fotografischen Schicht abgebaut«
30^020/0^35
Erfindungsgemäß warden zur fotosensibilisierten Oxidation von Halbleiteroberflächen an sich bekannt« organisch· Farbstoff· verwendet, welch· an der vorgesehenen Oxidschicht adsorbiert bleiben und eingebaut werden· Diese organischen Substanzen weisen in ihrer chemischen Struktur eine Kette, auch als Bestandteil eines heterogenen Ringsystems, alt la Wechsel angeordneten Einzel- und Doppelbindungen und «it endständigen Stickstoff-, Sauerstoff- oder Schwefelatom auf. Dieses in eine* Lösungsmittel befindliche System wird durch Anregung mittels Lichtenergie auf ein höheres Energieniveau gebracht, geht in einem dadurch erzielten hochreaktiven Zustand kurzzeitig eine Verbindung mit molekular gelüsten Sauerstoff ein und gibt denselben an die durch vorbereitende Verfahrensschritte zur Oxidation neigende Halbleiteroberfläche ab.
Voraussetzung für einen solchen Effekt ist die Verwendung eines Lösungsmittels mit hohem Gehalt an molekularem Sauerstoff und mit guter Löslichkeit der vorgesehenen Farbstoffe sowie die Einwirkung von Licht geeigneter Wellenlängen.
Als Sensibilisatoren eignen si h organische Substanzen aus der Gruppe der Porphyrine, der Polymethinfarbstoffe, beispielsweise Cyanin, der Thiazinfarbstoffe, beispielsweise Thionin und aus der Gruppe der Fluorane, beispielsweise Rhodanin B* Sie sind jeweils in einer Menge von 10 bis 10 Hol/l im Losungsmittel gelöit.
Zur Losung dieser Substanzen kommen Wasser und vorzugsweise organische Lösungsmittel mit hoher SauerstofflOslichkeit in Betracht, beispielsweise niedere Ketone und Alkohole. Mit Azeton, Methanol, Aethanol und Isopropanol wurden günstige Ergebnisse erzielt. Bedarfsweise kann ein gewähltes Losungsmittel besonders mit Sauerstoff angereichert werden.
3Ü9820/0A3S ΛΟΙ_ ,
ORJGfNAL INSPECTED
Der Wellenlangenbereich der Lichtstrahlung liegt vorzugsweise zwischen O1OI um und 1 yum.
Zur Vermeidung eines ungünstigen Einflusses von Verunreinigungen, insbesondere ionisierten Fremdstoffen, die sich u. U. bei· Aufbau erfindungsgemtißer Oxidschichten oder nach deren Herstellung in oder auf denselben anlagern, können zusätzlich zu den sensibilisierenden Substanzen weitere organische Additive im Lösungsmittel gelöst werden, die durch sogenannte Chelatbildung derartige Fremdstoffe koordinativ binden und dadurch die Entstehung von zusätzlichen Strompfaden verhindern. Diese weiteren Additive werden in die vorgesehenen Oxidschichten eingebaut und bilden gleichzeitig eine Barriere gegenüber zur Diffusion in die Oxidschicht neigenden Verunreinigungen aus Über derselben angeordneten weiteren Schichten wie beispielsweise einer Schicht aus einem Isolierlack· Als Chelatbildner kommen Stoffe aus der Gruppe der Oxime, der Polyamine und der Polyole in Betracht. Beispielsweise kann die als Sensibilisator vorgesehene Substanz Cyanin mit Salicylaldoxim, mit Xthylendiamintetraessigsäure oder mit 8-Hydroxychinolin als Chelatbildner eingesetzt werden.
Eine Weiterbildung der Erfindung besteht in der Verwendung organischer Substanzen, welche als Sensibilisator wirken und, durch geeignete Behandlung oder aber aufgrund ihrer chemischen Grundstruktur, gleichzeitig durch Chelatbildung auch Verunreinigungen binden können. Derartige Substanzen mit beiden Eigenschaften sind aus der Gruppe der Porphyrine υ,α· Porphyrin, aus der Gruppe der Polymethinfarbstoffe u.a. p-Dimethyl-amino-benzyliden-rhodanin, das sich insbesondere im Zusammenhang mit der Verwendung von Silber bei der Hers-teilung von Halbleiterbauelementen zur koordinativen Bindung unerwünschter Silberionen eignet, und aus der Gruppe der Fluorane u.a. Calcein.
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Vor dar Herstellung erfindungsgemäßer Oxidschichten wird der Halbleiterkörper zur Erzielung einer gereinigten, oxidfreien Oberfläche einen der bekannten Ätzverfahren unterworfen· Bei de* im Anschluß an das Ätzen zur Reinigung von Atzaittelresten vorgesehenen Spulprozess wird nunmehr die Halbleiteroberfläche mit eine« erfindungsgemäßen Überzug versehen. Dazu wird eine» als Spülmittel dienenden und Molekularen Sauerstoff aufweisenden Lösungsmittel ein Sensibilisatorstoff und bedarfsweise ein Chelatbildner zugesetzt, und anschließend wird die Lösung, in welcher sich der oder die Halbleiterkörper befinden, bei Raumtemperatur für eine durch die gewünschte Schichtdicke bestimmte Zeit Tageslicht oder einer Strahlung kurzwelligen Lichts ausgesetzt, wobei durch gegenseitige Reaktion von Sauerstoff, organischer Substanz und gegebenenfalls auch Lösungsmittel die Oxidation der Halbleiteroberflächen bewirkt wird. Versuche, bei denen einerseits Halbleiterkörper dem erfindungsgemäßen Verfahren unterworfen und dann mit einem handelsüblichen Silikonlack ohne stabilisierende Zusätze abgedeckt wurden, und bei denen andererseits Halbleiterkörper in herkömmlicher Weise geätzt, gereinigt und mit einem stabilisierenden Uberzugslack versehen wurden, haben gezeigt, daß die gemäß der Erfindung erzielten stabilisierenden und/oder isolierenden UberzUge auf Halbleiteroberflächen den gestellten Anforderungen voll und ganz genügen.
Eine durch die aufgezeigte Behandlung hergestellte Oxidschicht kann bedarfsweise noch dadurch verstärkt werden,, daß eine Mischung aus einer polymerisierenden und/oder kondensierenden Substanz und einem Fotosensibilisator, sowie gegebenenfalls einem oder mehreren Chelatbildnern aufgebracht und in sauerstoffhaltiger Atmosphäre einer Wärmebehandlung unterworfen und/oder Lichtstrahlung ausgesetzt wird.
Die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens bestehen darin, daß die Herstellung einer stabilisierenden Schicht bereits im Rahmen des dem Atzen
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nachfolgenden SpUlprozesses erfolgt, wodurch spezielle Verfahrensschritte zur Stabilisierung der Halbleiteroberflüche entfallen, daß die zu verwendenden, an sich teueren organischen Substanzen nur in sehr geringen Mengen benötigt werden und dadurch besonders zur Wirtschaftlichkeit des Verfahrens beitragen, daß die Verfahrensbedingungen völlig unkritisch sind und dadurch stets einfach reproduzierbare Ergebnisse ermöglichen, und daß bei der Weiterbehandlung des Halbleiterkörpers verwendete Stoffe, welche bei entsprechenden Verfahrensbedingungen abdampfen oder sich zersetzen können, durch den Einbau von chelatbildenden Stoffen in die Oxidschicht k chetdsch gebunden werden und sonit die Eigenschaften des Halbleiteraaterials nicht beeinträchtigen können.
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Claims (5)

  1. - 7 - eingesogen ghl^L
    ZJlJ ENTANS P-R-U CHE J
    M.) Verfahren zur Herstellung eines stabilisierenden und/oder isolierenden Überzuges auf Halbleiteroberflächen durch Oxidation derselben in einer molekularen Sauerstoff enthaltenden Flüssigkeit, dadurch gekennzeichnet,
    daß als Flüssigkeit ein Lösungsmittel fUr organische Substanzen verwendet wird,
    daß in den Lösungsmittel wenigstens eine zur Fotosensibilisierung geeignete organische Substanz gelöst wird, und daß
    ■ithilfe der durch Einwirkung von Lichtenergie auf die Lösung angeregten, organischen Substanz die mit Lösungemittel benetzten, vorbereiteten Halbleiteroberflächen oxidiert werden.
  2. 2.) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Lösungsmittel Wasser oder niedere Ketone oder Alkohole verwendet werden.
  3. 3.) Verfahren nach Anspruch 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß als zur Fotosensibilisierung geeignete organische Substanzen Stoffe aus der Gruppe der Porphyrine, der Polymethinfarbstoffe, der Thiazinfarbstoffe oder der Fluorane verwendet werden.
  4. 4.) Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Anregung des Fotosensibilisators Lichstrahlung im Wellenlängenbereich von 0,01 yum bis 1 um verwendet wird.
  5. 5.) Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zum Fotosensibilisator wenigstens ein zur Bindung von Fremdionen durch Chelatbildung geeignetes organisches Additiv verwendet wird.
    3 (J 9 8 2 ü / ίΗ 3 5
    6t) Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine gleichzeitig als Fotosensibilisator und als Chelatbildner geeignete organische Substanz verwendet wird.
    3G982i'/0435
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IT31470/72A IT970349B (it) 1971-11-10 1972-11-09 Procedimento per la realizzazione di un rivestimento stabilizzante e o isolante su superfici semicon duttrici
BR7887/72A BR7207887D0 (pt) 1971-11-10 1972-11-10 Processo para a producao de um revestimento estabilizador e/ou isolante em superficies semicondutoras
GB5198072A GB1408314A (en) 1971-11-10 1972-11-10 Method for production of a stabilizing and or insulating coating on semiconductor surfaces

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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4210498A (en) * 1974-11-20 1980-07-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of increasing the amplification of a transistor through use of organic compounds
US4098921A (en) * 1976-04-28 1978-07-04 Cutler-Hammer Tantalum-gallium arsenide schottky barrier semiconductor device
US4199649A (en) * 1978-04-12 1980-04-22 Bard Laboratories, Inc. Amorphous monomolecular surface coatings
GB2111037B (en) * 1981-11-23 1984-10-17 Hughes Aircraft Co Preparing substrates for semi-conductors
US5225235A (en) * 1987-05-18 1993-07-06 Osaka Titanium Co., Ltd. Semiconductor wafer and manufacturing method therefor
US4925809A (en) * 1987-05-23 1990-05-15 Osaka Titanium Co., Ltd. Semiconductor wafer and epitaxial growth on the semiconductor wafer with autodoping control and manufacturing method therefor
US5389194A (en) * 1993-02-05 1995-02-14 Lsi Logic Corporation Methods of cleaning semiconductor substrates after polishing
DE4432294A1 (de) 1994-09-12 1996-03-14 Telefunken Microelectron Verfahren zur Reduzierung der Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit in Silizium
DE19537545A1 (de) * 1995-10-09 1997-04-10 Telefunken Microelectron Verfahren zur Herstellung einer Lumineszenzdiode
EP0991092B1 (de) * 1998-09-30 2008-07-23 FUJIFILM Corporation Mit einem Methinfarbstoff sensibilisierte Halbleiterteilchen
DE19948206A1 (de) * 1999-10-07 2001-04-12 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Herstellung hochreiner Salzsäure
JP4375991B2 (ja) * 2003-04-09 2009-12-02 関東化学株式会社 半導体基板洗浄液組成物

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL230243A (de) * 1957-08-07
US3188229A (en) * 1961-10-03 1965-06-08 Du Pont Process of adhering an organic coating to a substrate
US3346384A (en) * 1963-04-25 1967-10-10 Gen Electric Metal image formation
US3450017A (en) * 1966-04-15 1969-06-17 Pentacon Dresden Veb Cameras
DE1564580A1 (de) * 1966-04-27 1969-07-31 Semikron Gleichrichterbau Verfahren zur Stabilisierung der Sperreigenschaft von Halbleiterbauelementen
NL6707515A (de) * 1967-05-31 1968-12-02
GB1237433A (en) * 1968-06-06 1971-06-30 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to photolithographic masks
US3666548A (en) * 1970-01-06 1972-05-30 Ibm Monocrystalline semiconductor body having dielectrically isolated regions and method of forming

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JPS4876475A (de) 1973-10-15
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CH565451A5 (de) 1975-08-15
FR2159344A1 (de) 1973-06-22
DE2155849C3 (de) 1979-07-26
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GB1408314A (en) 1975-10-01

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