DE2148896C3 - Halbleiterspeicher mit Ein-Transistor-Speicherelementen und mit Flipflop-Schaltung zur Informationsbewertung und -regenerierung und Verfahren zum Betrieb dieses Speichers - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen dynamischen Halbleiterspeicher mit Ein-Transistor-Speicherelementen, wobei die Transistoren je einen Steuereingang aufweisen, mit dem diese an eine Auswahleinrichtung angeschlossen sind, mit Auswahlleitungen und mit wenigstens einer Digitleitung und mit an der Digitleitung angeschlossener Bewerter- und Regenerierschaltung.

Die Erfindung bezieht sich außerdem auf ein Verfahren zum Betrieb dieses Speichers.

Halbleiterspeicher der vorgenannten Art sind aus dem Stand der Technik an sich bekannt (Electronics vom 2.8. 1971, S. 69 bis 75: deutsche Offenlegungsschrift 2 012 090). Bei diesen Halbleiterspeichern wird die als Ladung in einer Kapazität gespeicherte Infor mation über einen von einer Auswahleinrichtung gesteuerten Transistor ausgelesen. Beim Auslesen der gespeicherten Information erfolgt ein Ladungsausgleich zwischen der vorgenannten Kapazität einerseits und der Kapazität der Digitleitung sowie der Eingangskapazität der Bewerter- und Regenerierschaltung andererseits, der zu einer, der ausgelesenen Information entsprechenden Potentialveränderung auf der Digitleitung führt: Die Bewerterschaltung besteht aus einem Leseverstäi ker, einem Zwischenspeicher und einer Treiberschaltung und dient zum Lesen und Regenerieren (Wiedereinschreiben) der durch das Auslesen gelöschten Information.

Ein Nachteil dieser Schaltung besteht darin, daß ein empfindlicher, mit seiner Schwelle an die Amplitude des Lesesignals angepaßter Verstärker wegen der Fertigungstoleranzen nur mit erhöhtem Aufwand realisiert werden kann.

Ein weiterer Nachteil dieser Schaltung ist, daß eine Kompensation des beim Auswählen eines Spc;chcrc!s ments unvermeidlich auftretenden Störsignals nicht möglich ist.

Es ist mithin eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, diese Nachteile des Standes der Technik zu besci

Diese Aufgabe wird aiirch einen wie eingangs angegebenen dynarhicchen Halbleiterspeicher gelöst, der erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet ist, daß als Bewerter- und Regenerierschaltung eine Schaltung, aufgebaut nach Art einer Flip-Flop-Schalfüng, vorgesehen ist, bei der zusätzlich zwischen den beiden Eingangsund Ausgangspunkten der Flip-Flop-Schaliung eine

weitere aufirennbare elektrische Verbindung vorgesehen ist. Die auftrennbare elektrische Verbindung ist vorzugsweise als Halbleiterschalter ausgeführt oaer aber in Form zweier in Reihe geschalteter Halbleiterschalter mit zwischen diesen vorgesehenem Anschluß für fin elektrisches Polential.

Als Halbleiterschalter ist vorzugsweise ein Transistor vorgesehen, insbesondere ein Feldeffekttransistor. Gemäß einer We'ierbüdung der Erfindung sind die beiden Eingangs- bzw. Ausgangspunkte (im folgend η auch als »Punkte« bezeichnet) der als Flipflop ausgeführten Bewerter- und Regenerierschaltuiig an je eine Digitleitung mit Speicherelementen angeschlossen. Auf diese Weise wird vorteilhaft ein'· doppelte Ausnutzung der vorgesehenen Bewerter- und R^-enerierschaltun- rs gen erreicht. Um an jedem der beü .. Punkte ein°r erfindungsgemäßen Flip-Fiop-b<-hal._u;ig jeweils ein gleich großes Auslesesign;=! bei wvvahl eines Speicherelementes der einen or**··· «.'er anderen Digitleitung zu erhalten, werden bcid P-inkte mit nahezu gleich großer Digitleitungsk 'j-itat belastet und vorzugsweise eine gleich große Anzaiil von Speicherelementen an beide Digitleitungen angeschlosse 1.

Für einen Halbleiterspeicher können eine vorgegebene Anzahl von Ein-Transistor-Speicherelementen mit Auswahl- und Digitleitungen und mn den jeweils zugehörigen R°werter- und Regenerierschaltungen /u einer Einheit zusammengefaßt werden. Technisch von besonderem Interesse ist die Zusammenfassung zu einer Einheit in integrierter Halbleitertechnik. In dieser Technik werden eine große Anzahl von Speicherelementen, die Schaltungselemente und Leiterbahnen der Bewerter- und Regenerierschaltungen, die Auswahl- und Digitleitungen sowie die Auswahleinrichtunger. zusammen auf einem Halbleiterchip aufgebaut. Weitere Einzelheiten dieser integrierten Technik sind aus dem Stand der Technik bekannt.

Weitere Einzelheiten gehen aus den Figuren bevorzugter Ausfiihningsbeispiele und von Weiterbildungen der Frfindung sowie aus der Figurenbeschreibung und aus den Unteransprüchen hervor.

F i g. 1 zeigt eine für eine Bewerter- und Regenerier schaltung erfindungsgemäß vorgesehene Flip-Flop-Schaltung mit einem Halbleiterschalter mit Steueranschiuß;

F i g. 2 zeigt eine entsprechende F^rp-Flop-Schaltung mit z"ei Halbleiterschaltern r.'it einem dazwischenliegenden Anschluß und mit einem Steueranschluß:

F i g. 3 / eigt einen Speicher mit einer Bewerler- und Regi-nerierschaliung. mit zwei Digitleitungen mit Speicherelementen und Blindelementen zur Störkompensation und mit zwei Auswahleinrichtungen (Wortdecooierer und Bi(decodierer).

Die Flip-Flop-Schaltung der F i g. 1 besteht im wesentlichen aus den beiden Schallt! ansibtoren 2 und 4 und den i.asiwidersiänden ö und B, die hier aib re-iiieifekttransiMoren mit solchen Toranschlüssen ausgeführt sind, die mit der Senkenelektrode der Feldeffekttransistoren verbunden sind. Mit 3 und 5 sind die Eingangsbzw. Ausgangspunkte der FHp-Flop-Schallung bezeich- net, an denen Signale in die Flip-Flop-^chaltung eingegeben und Ausgangssignale aus der Flip-Flop-Schaltung entnommen werden können. Gemäß einem Merkmal der Erfindung ist bei einer Ausführungsform ein Transistor CO als elektrischer Halbleiterschalter /wi sehen Jen Pm kten 3 und 5 vorgesehen. Vorzugsweise ist dies ein Feldeffekttransistor mit Torelektrode. Im Falle des elektrisch leitenden Zustandes dieses Schalten 10 sind die Punkte 3 und 5 elektrisch miteinander verbunden und befinden sich damit zwangsweise auf etwa demselben Potential. Im elektrisrh gesperrten Zustand des Transistors 10 können die Punkte 3 und 5, wie dies für eine Flip-Flop-Schallung typisch ist. zwei zueinander komplementäre stabile Zustände annehmen, wenn an die Anschlüsse 7 und 9 der Flip-Flop-Schaltung eine entsprechende elektrische Versorungsspannung angeschlossen ist. Die Umschaltung des Transistors 10 von dem einen in den anderen Zustand wird durch Anlegen eines entsprechenden Potentials an den Anschluß 11, beim Feldeffekttransistor der Torelektrode, bewirkt. Durch den elektrischen Kurzschluß zwischen den Punkten 3 und 5 wird die Flip-Flop-Schaltijng in einen Arbeitspunkt gezwungen, der den labilen Gleichgewichtszustand zwischen den beiden stabilen Zuständen der Flip-Flop-Schaltung darstellt.

F i g. 2 zeigt eine Variante der erfindungsgemäßen Ausführungsform der Bewerter- und Regenerierschal· tung. Einzelheiten dieser Figur, die mit Einzelheiten der F i g. 1 übereinstimmen, haben gleiche Bezugszeichen. Mit 20 und 21 sind zwei Halbleiterschalter bezeichnet. Als Halbleiterschalter sind v. .ader Feldeffekttransistoren 20, 21 vorgesehen, deren Toielektroden miteinander und mit den Senkenelektroden vt-bunden sind. In der Schaltung ist zwischen diesen beiden in bezug auf die Punkte 3 und 5 in Reihe hintercinanderliegenden Schalter 20 und 21 ein elektrischer Anschluß 23 »rgesehen, an den ein elektrisches Potential angelegt werden kann. Wenn die Schalter 20 und 21 sich in elektrisch leitendem Zustand befinden, werden die Punkte 3 und 5, wie dies im Zusammenhang mit der F i g. 1 bereits beschrieben ist, auf übereinstimmendes Potential gezwungen. Bei der Ausführung nach Fig.2 nehmen die Punkte 3 und 5 das an den Anschluß 23 angelegte Potential an. Auf diese Weise können die Punkte 3 und 5 mit einem vorgegebenen, für die Punkte 3 und 5 glei-ι.π-·η Potential beaufschlagt werden, das je nach Höhe des Potentials am Anschluß 23 von dem Potential des vorangehend beschriebenen labilen Gleichgewichtszustandes der Flip-Flop-Schaltung abweicht. Damit kann eine Schwelle für die am Punkt 3 oder 5 auftretende Auslesespannung eingestellt werden.

F i g. 3 zeigt eine weiter ausgestaltete Ausführungsform eines Speichers nach der Erfindung. Mit 31 ist eine Bewerter- und Regenerierschaltung bezeichnet, wie sie in den F i g. 1 und 2 dargestellt und näher beschrieben ist.

Soweit Einzelheiten in der F i g. 3 bereits im Zusammenhang mit den F i g. 1 und 2 beschrieben worden sind, haben sie dieselben Bezeichnungen. Der Anschluß 32 ist, je nachdem ob eine Flip-Flop-Schaliung nach der F i g. 1 oder nach der F i g 2 vorgesehen ist, gleichbedeutend mit dem Anschluß 11 oder mit dem Anschh ß 23. An if dem der beiden Punkte; 3 und 5 derßewerteiu^pt Regenerierschaiiung u>i gemäß tlicsu-i Ausgestaltung eine Digitleitung 40 und eine Digitleitung 50 angeschlossen. An die Digitleitung 40 sind eine Anzahl Ein-Transis'ior-Speicherelemente eines Speicherelnmentfeldes 400 angeschlossen, die parallel zueinander gegen Erde geschaltet sind. In der F i g. 3 sind für das Feld 400 stellvertretend nur die beulen Speicherelemente 41 und 42 dargestellt. Wie bereits oben erwähnt und *ie aus dem Stand der Technik bekannt, besteht ein Speicherelement aus einem Transistor (141, 142 ...) und einer Kapazität (241, 242 ...), in der das eingeschriebene Signal gespeichert wird. Mu 43 ist ein an sich bekannter Bit-Decodierer bezeichnet, der an das Ende der Digit-

leitung 40 angeschlossen ist und der je nach Aufbau /ur Auswahl jeweils einer oder jeweils einer Gruppe von Digitlcitungen dient. Mit 44 ist ein Wort-Decodicrer bezeichnet, dessen Ausgänge mit den Torcleklroden der Transistoren (41, 42 ...) der Speicherelemente des Feldes 400 verbunden sind.

Der Wortdecodierer 44 enthält zudem eine an sich bekannte Logikschallung (44, deren, Ausgang gemäß einer besonderen Weiterbildung der Erfindung mil der Torelektrode eines Transistors 145 verbünden ist. Dieser Transistor 145 bildet zusammen mit der Kapazität 245 ein wie im folgenden noch zu beschreibendes Blindclement 45. das in seinem Aulbau gleich dem Auf bau eines Speicherelement (41.42 .) ist.

Mit 13 ist die in der Schaltung diiflretcnde Schal lungskapazität der Schallung 31 am Punkt 3 bezeichnet Im wesentlichen ist diese Kapj/ita! durch die angeschlossene Digitleitung gegeben.

An dem Punkt 3 der Bcwcrtcr- und Regenerierschal tunjr im eine weitere Digiilciiung 50 angeschlossen Diese Digiilc-itung 50 ist mit einer Anzahl von Speicherelementen eines Feldes 500 verbunden, von denen stellvertretend die beiden Speicherelemente 51 und 52 dargestellt sind. Vorzugsweise ist die Anzahl der an die Digitleitung 50 angeschlossenen Speicherelemente gleich groß derjenigen Anzahl von Speicherelementen, die an die Digitlcitung 40 angeschlossen sind. Auf diese Weise ist die kapazitive Belastung der Schaltung 31 am Punkt 5 genauso groß wie am Punkt 3. Mit 54 ist der Wortdecodierer fur die Speicherelemente (51. 52 ..) bezeichnet. Der Wortdecodierer 54 ist mit den Torelektroden der Schalltransistoren der jeweiligen Speicherelemente verbunden. Der Wortdecodierer 54 enthält zudem eine an sich bekannte Logikschaltung 154. die in ihrer Funktion der Logikschaltung 144 entspricht und deren Ausgang mit der Torelektrode eines Schalttransistors 155 verbunden ist. Der Schalttransistor 155 bildet zusammen mit der Kapazität 255 ein Blindeiement 55. das mit den Speicherelementen (51.52 ...) identisch ist und das in seiner Funktion dem Blindeiement 45 entspricht. Mit 15 ist die am Punkt 5 auftretende Schallungskapazität der Bewerter- und Regenerierschaltung bezeichnet. Mit 60 ist die Gesamtheit der hier nur zum Teil dargestellten Leitungen und Anschlüsse für die Wortadressen bezeichnet, wobei diese Anschlüsse mit den Wortdecodierern 44 und 54 verbunden sind. Mit 80 ist die Gesamtheit der hier nur zum Teil dargestellten Anschlüsse für die Bitadresse bezeichnet, die mit dem Bitdecodierer 43 verbunden ist

Zum Auslesen eines der Speicherelemente, beispielsweise des Speicnerelements 41. wird durch ein Signal des Wortdecodierers 44 der Transistor 141 elektrisch leitend geschaltet. Die in der Kapazität 241 gespeicherte Ladung verteilt sich damit auf die Kapazität 241 und die Schaltungskapazität 15 der Bewerter- und Regenerierschaltung 31. Durch dieses beim Auslesen an der Schaltungskapaziiät 15 auftretende Lesesignal wird, ausgehend von dem zuvor durch den Transistor (10 bzw. 20. 21) eingestellten Arbeitspunkt, der Bewerterund Regenerierschaitung je nach Polarität des Lesesignals ein Kippvorgang der Flip-Flop-Schaltung in den entsprechenden stabilen Zustand ausgelöst. Dieser Kippvorgang liefert nicht nur das logische Signal am Daten-Ausgang 443 des Bitdecodierers, sondern bewirkt auch eine Wiederaufladung (Regenerierung) der Kapazität 241 auf ihren vorherigen LadungswerL

Das für das Speicherelement 241 beschriebene Ausleseverfahren kann zu gleicher Weise mit jedem andc-

rcn Speicherelement durchgeführt werden.

Durch die Einstellung des Arbeitspunktes können gemäß dem Erfindungsgedankcn bereits sehr kleine Auslcscsignalc bewertet werden.

Beim Auslesen eines der Speicherelemente 4f. 42 ... des Feldes 400 wird entsprechend einer weiteren, wie oben angedeuteten Ausgestaltung der Erfindung 'gleichzeitig mit der Ansteuerung eines Speicherelement des Feldes 400 der Transistor 145 des Blindelemciil.s 45 mil dem Transistor, 145 und der Kapazität 245 durch die Logikschallung 144 elektrisch "leitend-geschalt'·!. Bei dieser besonderen Ausgestaltung der Er findunu wird die Bewerter und Regenerierschaitung 31 an den Punkten 3 und 5 mit jeweils gleich großer Kapa ziiäi 245 und der beispielsweise ausgewählten Kapazität 241 belastet. Das von dem Blindelement ausgehende und am Punkt 3 auftretende Störsignal kompensiert das von dem auszulesenden Speicherelement, beispielsweise 41, ausgehende und am Punkt 5 auftretende Storsi gnal. das dem Nulzsignal des .Speicherelements 41 überlageri ist. Durch diese vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung ist es also möglich, den Einfluß von Störsignalen weitgehend auszuschließen. Hierdurch können noch kleinere Lesesignalc bewertet werden, was eine vorteilhafte Reduzierung der Größe der Speicherkapazitäten (z. B. 241) ermöglicht

Wie bereits oben erwähnt, ist es ein sehr wesentlicher Vorteil der Erfindung, daß durch Steuerung des Transistors 10 bzw. der Transistoren 20 und 21 der Arbcitspunkt der Flip-Flop-Schallung der Bewerterhaltung unmittelbar vor dem Eintreffen eines auszulesenden Signals in der Bewerter und Rcgenerierschaltung zunächst auf ein vorgegebenes, ein den Punkten 3 und 5 gleiches Potential gebracht worden ist. nämlich bei einer Ausführung nach F i g. 1 auf den Punkt des labilen Gleichgewichts zwischen den beiden stabilen Gleichgewichtszuständen der Flip-Flop-Schaltung und bei einer Ausführungsform nach F i g. 2 auf einen Arbeitspunkt gelegt werden kann, der durch das vorgegebene Poten-

tial am Anschluß 23 bestimmt ist.

Vor Beginn des Ausleseprozesses, vorzugsweise unmittelbar vor Beginn des Ausleseprozesses, wird der Transistor 10 bzw. werden die Transistoren 20 und 21 wieder sperrend geschaltet. In diesem Zustand besteht für die Flip-Flop-Schaltung die Möglichkeit, daß sich die Potentiale der Punkte 3 und 5, die zuvor im wesentlichen gleich waren, gegeneinander verändern. Der Veränderung der Potentiale an den Punkten 3 und 5 wirken jedoch zunächst zu einem gewissen Grade die

Kapazitäten 13 und 15 entgegen.

Durch das Austreten eines Auslesesignals an dem Punkt 3 oder an dem Punkt 5 wird die Flip-Flop-Schaltung je nach Polarität des Auslesesignals in eine der beiden stabilen Zustände gekippt, wobei der Transistor

10 bzw. die Transistoren 20 und 21 zum Zeitpunkt des Eintreffens dieser Auslesesignale bereits gesperrt sind. Anderenfalls würde nämlich das Auslesen infolge des vorliegenden Kurzschlusses zwischen den Punkten 3 und 5 unmöglich werden.

Gemäß einer bevorzugten Weiterentwicklung des Belriebsverfahrens einer erfindungsgemäßen Speicheranordnung werden vor dem Auslesen der beispielsweise im Element 41 gespeicherten Information zunächst die Punkte 3 und 5 auf nahezu gleiches Potential gei> 5 bracht. Dies wird durch Umschalten des Transistors 10 bzw. der Transistoren 20 und 21 in den leitenden Zustand herbeigeführt. Gleichzeitig wird von der im Wortdecodierer 44 befindlichen Logikschaltung 144 ein

Signal erzeugt, das den Transistor 145 des UIindelenients 45 in den leitenden Zustund umschaltet. Dadurch wird eine Aufladung der Speicherkapazitiit 245 auf das Potential des Punktes 3 erreicht.

Niich erfolgter Aufladung wird der Transistor 145 durch ein entsprechendes Signal wieder in den nichtleitenden Zustand umgeschallcl. Gleichzeitig oder in zeitlichem Absland werden nun die Potentiale an den Anschlüssen 7 und 9 der Hip-Hop-Schaltung derartig geiiuilcri. daß die Flip-Flop-Schaltung an diesen Anschlüssen keine Stromabnahme aufweist.

Nach i-'rreichen dieses /uUar.dcs wird dann der Transistor IO bzw werden die Transistoren 20 und 21 mittels eines entsprechenden Signals in den gesperrten Zustand geschaltet. Nach erfolgler Abschaltung wird das Potential der Punkte Ϊ und 5 durch die angeschlossenen Sehallungskupa/itäten ΙΪ b/w. 15 so lange gespeichert, bis beim nun einsetzenden Auslesevorgang (b/w. Linschreibvorgang) durch die auf den Digilleitungen 40 und 50 auftretenden Nut/ und Störsignalc Polcntialandcrungen an den Punkten 5 und i herbeige führt werden.

Zu Beginn des Auslesevorgangs wird durch ein vorn Wortdecodicrcr 44 abgegebenes Signal beispielsweise der Transistor 141 des Speicherelcments 41 in den leitenden Zustand geschaltet, wodurch ein Ladungsausgleich /wischen der Speicherkapazität 241 und der Schaltungskapa/itai 15 eingeleitet wird. Dies führt je nach vorherigem Ladungszustand der Speicherkapazität 241 zu einer den Informationsinhall darstellenden Rrhöhung oder Verringerung des zuvor am Punkt 5 erfindungsgemäß eingestellten und durch die Schaltungskapa/itat 15 gespeicherten Potentials. Kin gewisser Anteil der auftretenden Polentialänderung wird dabei durch das beim Auslesen unvermeidbar auftretende SiOrsignal verursacht.

Gleichzeitig mit dem oben beschriebenen Schaltvorgang am Transistor 141 wird auch der Transistor 145 des Blindelements 45 durch ein entsprechendes, von der Logikschaltung 144 abgegebenes Signal in den leitenden Zustand geschaltet, wodurch ein Ladungsausgleich zwischen der Speicherkapazität 245 und der Schaltungskapazilät 13 eingeleitet wird. Da wegen des wie zuvor beschriebenen Ladevorgangs der Speicherkapazität 245 vor Beginn des Auslesevorgangs nahezu keine Potenlialdifferenz zwischen der Speicherkapazität 245 und der Schaltungskapaz.ität 13 bestand, erfolgt hier ein nur durch das Störsignal verursachter Ladungsausgleich, der am Punkt 3 eine annähernd gleich große und gleich gerichtete Potentialänderung hervorruft, wie

sie durch das Auswahl-Störsignal am Punkt 5 hervorgerufen wird.

Die nach beendetem Auslescvorgang zwischen den Punkten 3 und 5 vorhar.denc Differenzspannung stellt somit nur das gewünschte Nutzsignal dar.

ίο Hat diese Differenzspannung ein bestimmte, durch die Schwcllenbrcite der crfindiingsgcmäß· vorgesehenen ΙΊιρ-ΐΊορ-Schallung bedingte Große erreicht, so wird die Hip-Hop-Schaltung durch Änderung der Potential an den Anschlüssen 7 und 9 auf die ursprünglichen Werte aktiviert und somit der Kippvorgang eingeleitet.

Da sich während der Dauer dieses Kippvorgangs insbesondere der Transistor 141 des Speicherelements 41 im leitenden Zustand befindet, erfolgt gleichzeitig über die Digitlcitung 40 eine den zuvor vorhandenen Ladungszustand der Speicherkapazität 241 regenerierende Auf- oder Entladung.

Nach Erreichen des der ausgelcsencn Information entsprechenden stabilen Zustandes der Flip-Flop-Schaltung werden die Transistoren 141 und 145 durch entsprechende Signale des Wortdecodierers 44 bzw. der Logikschaltung 144 in den gesperrten Zustand geschaltet und die ausgclesene Information kann als Strc oder als logischer Spannungspegel am Ausgang 443 des Bildecodierers abgenommen werden. Es sei darauf hingewiesen, daß das Blindelement 45 auch bereits nach Einsetzen des Kippvorgangs der Flip-Flop-Schaltung der Bewerter- und Regenerierschaltiing 31 durch Sperren des Transistors 145 des Blindelements 45 abgeschaltet werden kann.

Der gesamte oben beschriebene Funktionsablauf gilt sinngemäß auch für alle anderen Speicherelemente des erfindungsgemäßen Speichers, z. B. auch für die des Speicherfeldes 500 mit dem diesem Feld zugeordneten Blindelement 55.

Das Einschreiben einer Information erfolgt mit im wesentlichen gleichem Funktionsablauf, wobei die am Dateneingang 444 anliegende Information während des als Auslesevorgang beschriebenen Zeitraumes über den Bitdecodierer 43 auf die beispielsweise ausgewählte Digitleitung 40 geschaltet wird.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

709 608/151 _t » /· - - -5. "

Claims (13)

Patentansprüche:

1. Dynamischer Halbleiterspeicher mit Ein-Transistor-Speicherelementen, wobei die Transistoren je einen Steuereingang aufweisen, mit dem diese an eine Auswahleinrichtung angeschlossen sind, mit Auswahlleitungen und mit wenigstens einer Digitleitung und mit an der Digitleitung angeschlossener Bewerter- und Regenerierschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß als Bewerter- und Regenerierschaltung (31) eine Schaltung, aufgebaut nach Art einer Flip-Flop-Schaltung, vorgesehen ist, bei der zusätzlich zwischen den beiden Eingangsbzw. Ausgangspunkten (3, 5) der Flip-Flop-Schal- tung eine weitere, auftrennbare elektrische Verbindung (10; 20,21) vorgesehen ist.

2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die auftrennbare elektrische Verbindung ein Halbleiterschalter ist.

3. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß die auftrennbare elektrische Verbindung in Form zweier in Reihe geschalteter Halbleiterschalter (20, 21) ausgebildet und zwischen den beiden Halbleiterschaitern ein Anschluß (23) für ein elektrisches Potential vorgesehen ist (F i g. 2).

4. Speicher nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleiterschalter ein Transistor vorgesehen ist (F i g. 1 und 2).

5. Speicher pich Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Transistor ein Feldeffekttransistor vorgesehen ist.

6. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennztichnet, daß als Halbleiterschalter ein Halbleiterelemtnt ■ jrgesehen ist, das zusammen mit den Speicherelementen (41.42; 51,52) und den Elementen der Bewerter- und Regenerierschaltung in integrierter Technik ausgeführt ist.

7. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß an beiden Eingangs- bzw. Ausgangspunkten der Flip-Flop-Schaltung je eine Digitleitung (40,50) mit Speicherelementen angeschlossen ist.

8. Speicher nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl der Speicherelemente bei beiden Digitleitungen gleich groß ist und die beiden Digitleit'-ngen in ihrem Aufbau gleich ausgebildet sind (F i g. 3).

9. Speicher nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils ein Speicherelement (45, 55) einer Digitieitung als Blindelement mit seinem Steuersingang des Transistors (145. 155) an Her Auswahleinrichtung (44, 54) der Speicherelemente der anderen Digitleitung (40,50) angeschlossen ist.

10. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß Schaltungsmittel (144, 154) bei der Auswahleinrichtung (44,54) vorgesehen sind, die die Auswahl der Blindeleniente zeitlich verschoben zur Auswahl der Speicherelemente ermöglichen. .

U. Sp'eichcr.-dadurch "gekennzeichnet, daB meh- ' rere'Bewerter-Vund Pegenerierschaltungen mit an-'geschlossenen Digitleitungen nach einem der Ansprüche 1 bis 9 zu einer Einheit zusammengefaßt sind.

12. Verfahren zum Betrieb eines Speichers nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß zeitlich vor dem Auslese Vorgang die Eingangs- bzw. Ausgangspunkte zunächst auf gleiches Potential gebracht werden und vor Beginn des Auslesevorganges die zusätzliche elektrische Verbindung zwischen den Punkten (3, 5) unterbrochen und während des Auslesevorganges diese Unterbrechung beibehalten wird.

13. Verfahren nach Anspruch 12. dadurch gekennzeichnet, daß die Flip-Flop-Schaltung, nachdem die beiden Punkte auf gleiches Potential gebracht worden sind und bevor die weitere elektrische Verbindung unterbrochen wird, durch entsprechende Potentialveränderungen an den Anschlüssen (7, 9) für die Versorgungsspannung der Flip-Flop-Schallung gesperrt wird und nach erfolgter Aufladung der Schaltungskapazität der Flip-Flop-Schaltung diese durch die Information eines ausgewählten Speicherelementes in den vorherigen Zustand zurückgeführt wird.