DE2339289C2 - Bistabile Kippstufe mit MNOS-Transistoren - Google Patents
Bistabile Kippstufe mit MNOS-TransistorenInfo
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- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
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- H03K3/356008—Bistable circuits ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied; storing the actual state when the supply voltage fails
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Description
ίο Die Erfindung bezieht sich auf eine bistabile Kippstufe
mit wenigstens zwei rückgekoppelten, invertierenden Verstärkerstufen und mit zwei Anschlüssen
zum Anlegen der Versorgungsspannung, wobei jeweils eine Verstärkerstufe aus einem Feldeffekt-
Transistor und einem Lastelement besteht, und bei der ein Ausgangs&nschluß mit einem Flip-Flop-Knoten
der einen Verstärkerstufe verbunden ist.
Aus der deutschen Auslegeschrift 1 803 175 ist eine bistabile Kippstufe dieser Art, die aus MIS-Transisto-
ren aufgebaut ist, bekannt. Sie besteht im wesentlichen aus einem Flip-Flop mit wenigstens zwei rückgekoppelten,
invertierenden Verstärkerstufen und mit zwei Anschlüssen zum Anlegen der Versorgungsspannung. Dabei besteht jeweils eine Verstärkerstufe
*5 aus jeweils einem Feldeffekt-Transistor und einem
Lastelemcnt. Außerdem ist der Ausgangsanschluß der Kippstufe mit einem Flip-Flop-Knoten einer Verstärkerstufe
verbunden.
Ein Nachteil einer solchen Kippstufe besteht darin, daß nach einem Ausfall der Versorgungsspannung die
gespeicherte Information verlorengeht. Dies bedeutet, daß die Kippstufe nach dem erneuten Einschalten
der Versorgungsspannung eine durch die Herstellung der Kippstufe bevorzugte Lage einnimmt.
Bistabile Kippstufen mit MNOS-Speichertransistoren sind ebenfalls bekannt. Die MNOS-Speichertransistoren
werden deshalb in der Verbindung mit bistabilen Kippschaltungen verwendet, damit der
elektrische Zustand der bistabilen Kippstufe gespei-
chert und, nach längerer Zeit, auch nach Ausfall der Versorgungsspannung wieder eingegeben werden
kann. Mit derartigen Kippstufen können Schieberegister und Zähler aufgebaut werden.
Beispielsweise sind bistabile Kippschaltungen be-
kannlgeworden, bei denen die MNOS-Speichertransistoren
gleichzeitig als Lasltransistoren des Flip-Flops der Kippstufe dienen. In der Veröffentlichung
Dov Frohmann-Beutchkowsky »The metalnitride-oxide-silicon
(MNOS) transistor characteristics and applications«. Proceedings of the IEEE,
Vol. 58, No. 8, August 1970, Seiten 1207 bis 1219, ist eine solche Kippschaltung beschrieben. Dabei muß
im Betrieb der durch die MNOS-Speichertransistoren hervorgerufene unsymmetrische Zustand der Kippstufe,
der durch die unterschiedlichen Einsatzspannungen der MNOS-Transistoren und der Feldeffekt-Transistoren
der Verstärkerstufen entsteht, überspielt werden. Dazu sind relativ hohe Betriebsspannungen
notwendig.
Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine bistabile Kippstufe mit MNOS-Speichertransistoren
anzugeben, bei der keine relativ hohen Betriebsspannungen benötigt werden.
Diese Aufgabe wird durch eine wie eingangs erwähnte bistabile Kippstufe gelöst, die erfindungsgemäß
dadurch gekennzeichnet ist, daß je ein Flip-Flop-Zweig durch je ein elektronisches Schaltmittel
auftrennbar ist, daß parallel zu je einem Lastelement
je ein MNOS-Transistor angeordnet ist, wobei die Gateanschlüsse dieser MNOS-Transistoren miteinander
verbunden sind und über einen gemeinsamen Anschluß ansteuerbar sind, una daß der Eingangsanschluß
der Kippstufe mit dem Gate eines Transistors der anderen Verstärkerstufe verbunden ist.
Ein Vorteil einer erfindungsgemäßen bistabilen Kippschaltung besteht darin, daß die MNOS-Speichertransistoren
durch eine geeignete Spannung ganz gesperrt werden können, so daß sie den Betrieb der
Kippstufe nicht stören.
Vorteilhafterweise ist der Informationsabbau in den einzelnen MNOS-Transistoren, wenn sie abgeschaltet
sind, praktisch vernachlässigbar klein. Bei den bistabilen Kippschaltungen mit MNOS-Transistoren
des Standes der Technik, bei denen MNOS-Speichertransistoren als Lastelement verwendet werden, wird
dagegen die gespeicherte Information durch die laufenden Schaltvorgänge verhältnismäßig schnell abgebaut.
6
Ein weiterer Vorteil einer erfindungsgemäßen Kippschaltung besteht darin, daß der Löschimpuls zu
einem beliebigen Zeitpunkt auf die Schaltungen gegeben werden kann, da dabei die Funktion der Kippstufe
nicht beeinflußt wird.
Weitere Erläuterungen zur Erfindung und zu deren Ausgestaltungen gehen aus der Beschreibung und den
Figuren bevorzugter Ausführungsbeispiele hervor
Fig. 1 zeigt da* Schaltbild einer erfindungsgemäßen
bistabilen Kippstufe;
Fig. 2 zeigt die während des Betriebes einer erfindungsgemäßen
Kippstufe an dem Anschluß 16 auftretenden Potentiale.
In der Fig. 1 ist eine erfindungsgemäße bistabile Kippstufe mit MNOS-Transistoren dargestellt. Dabei
besteht diese Kippstufe im wesentlichen aus einem Flip-Flop und den MNOS-Transistoren 8 und 9. Das
Flip-Flop besteht aus den beiden Schalttransistoren 1 und 2 und den Lastwiderständen 3 und 4. Vorzugsweise
werden als Schalttransistoren Feldeffekt-Transistoren verwendet. Die Lastwiderstände 3 und 4 sind
vorzugsweise ebenfalls Feldeffekt-Transistoren, wobei die Gateanschlüsse dieser Transistoren mit dem
Anschluß 13 des Flip-Flops verbunden sind. Die Source-Elektroden der beiden Feldeffekt-Transistoren
3 u.id 4 sind ebenfalls mit dem Anschluß 13 verbunden.
In je einem Flip-Flop-Zweig des Flip-Flops ist je ein elektronischer Schalter 5 bzw. 6 angeordnet.
Vorzugsweise werden als solche elektronische Schalter Feldeffekt-Transistoren verwendet. Mit Hilfe dieser
Feldeffekt-Transistoren 5 bzw. 6 sind die einzelnen Flip-Flop-Zweige auftrennbar. Je ein Feldeffekt-Transistor
5 bzw. 6 ist über je einen Gateanschluß 51 bzw. 61 ansteuerbar. Die Anschlüsse 13 und
14 des Flip-Flops dienen zum Anlegen der Versorgungsspannung. Vorzugsweise liegt dabei der Anschluß
14 an Masse.
Erfindungsgemäß sind nun parallel zu den als Lastwiderständen dienenden Feldeffekt-Transistoren 3
bzw. 4 die MNOS-Transistoren 8 bzw. 9 angeordnet. Dabei ist das Drain-Gebiet des Transistors 8 mit dem
Knoten 11 des Flip-Flops und das Drain-Gebiet des Transistors 9 mit dem Knoten 12 des Flip-Flops verbunden.
Die beiden Source-Gebiete der Transistoren 8 und 9 sind mit dem Anschluß 13 verbunden.
Über den Anschluß 16, mit dem beide Gateanschlüsse der Transistoren 8 und 9 verbunden sind, sind diese
Transistoren ansteuerbar. Als Eingang der erfin-
dungsgemäßen Kippstufe dient der Anschluß 10, der vorzugsweise über den Feldeffekt-Transistor 7 mit
dem Gateanschluß des Schalttransistors einer Verstärkerstufe verbunden ist. In dem Ausführungsbeispiel
der Fi g. 1 ist dies der Schalttransistor 1 mit seinem Gateanschluß 17. Der Transistor 7 ist dabei über
den Gateanschluß 71 steuerbar. Als Ausgang der bistabilen Kippstufe dient der Anschluß 15, der mit dem
Knoten der anderen Verstärkerstufe verbunden ist. Im Ausführungsbeispiel der Fi g. 1 ist dies der Knoten
Im folgenden oll nun die Funktionsweise einer erfindungsgemäßen
bistabilen Kippstufe beschrieben werden. Über den Transistor 7 wird die Information
in die bistabile Kippstufe eingelesen. Es soll nun zunächst angenommen werden, daß sich die Kippstufe
in einer stabilen Lage befindet. Zum Beispiel soll der Knoten 11 an 0 V und der Knoten 12 an der Versorgungsspannung
UIW liegen. Die Einsatzspannung der
beiden MNOS-Transistoren 8 und 9 wird mit UTII bezeichnet
Soll nun die Versorgungsspannung U[)D abgeschaltet
oder die Information gespeichert werden, so werden vorher die Transistoren 5 und 6 über ihre
Anschlüsse 51 bzw. 61 gesperrt und gleichzeitig wird über den Anschluß 16 an die Gateanschlüsse der
MNOS-Transistoren 8 und 9 ein hoher negativer Impuls angelegt. Dies hat zur Folge, daß sich, unter der
Annahme, daß die MNOS-Transistoren p-Kanal-Transistoren sind, am Gate dieser Transistoren eine
Inversionsrandschicht unter dem Gateisolator ausbildet, welche die Source- und Draingebiete der Transistoren
miteinander verbinden. Dies hat zur Folge, daß die Transistoren 8 und 9 leitend sind. Am Source-Anschluß
des Transistors 8 liegt, wie bereits oben gesagt, ein Potential von 0 V. Die Inversionsschicht dieses
Transistors liegt daher fast auf dem Potential 0. Dies hat zur Folge, daß am Gateisolator der volle Impuls
anliegt und die Einsatzspannung des Transistors 8 auf den Wert UTi verschoben wird, wobei der absolute
Wert von UTI größer als der Wert von Un ist. Bei
dem Transistor 9 liegen sowohl der Drain- als auch der Source-Anschluß an dem Potential U[m, was der
Versorgungsspannung entspricht. Am Gateisolator liegt daher nur mehr eine Spannung von UP bis Unn
an, die nicht ausreicht, um die Einsatzspannung des Transistors zu verschieben.
Nach dem Wiedereinschalten der Versorgungsspannung muß die Information von den MNOS-Speichertransistoren
in die bistabile Kippstufe eingelesen werden. Zunächst werden die Transistoren 5 und 6,
die in den Flip-Flop-Zweigen angeordnet sind, über ihre Anschlüsse 51 bzw. 61 so gesteuert, daß sie leitend
sind. Weiterhin wird an den Anschluß 16 ein Leseimpuls - UL angelegt. Mit der Spannung - UL an
seinem Gateanschluß wird der Transistor 9 leitend. Der Transistor 8 sperrt dagegen. Dadurch liegt nach
dem Einschalten der Versorgungsspannung an dem Gate des Schalttransistors 1 über die beiden leitenden
Transistoren 9 und 6 die Versorgungsspannung UDD
an. Somit leitet der Transistor 1 und zieht den Knoten 11 wieder gegen das Potential 0. An dem Knoten 12
bleibt die Versorgungsspannung UDD erhalten, da
über den leitenden Transistor 5 das Potential 0 V am Gate des Schalttransistors 2 liegt und dieser daher
sperrt. Die Kippstufe hat also ihre ursprüngliche Lage auf diese Weise wieder eingenommen.
Um beim nächsten Spannungsausfall oder bei der nächsten Informationsspeicherung den vorhin erläu-
terten Vorgang wieder durchführen zu können, müssen die MNOS-Transistoren 8 und 9 beide so angesteuert
werden, daß sie ihre ursprüngliche Einsatzspannung L/T0 besitzen. Dies geschieht vorzugsweise
durch Anlegen eines positiven Impulses UP an den
Anschluß 16 der Kippstufe. Dieser Impuls stört den Funktionsablauf der bistabilen Kippstufe nicht, da die
Transistoren 8 und 9durch die positive Gatespannung gesperrt werden. Der Löschvorgang für die MNOS-Speichertransistoren
8 und 9 kann daher vorteilhafterweise zu einem beliebigen Zeitpunkt erfolgen, was
bei den bis jetzt aus der Literatur bekanntgewordenen Schaltungen nicht der Fall ist.
In der Fig. 2 sind die an dem Anschluß 16 der erfindungsgemäßen
Kippstufe aufeinanderfolgend auftretenden Potentiale O V, - U1,, - U1 ,0 V und + Un
dargestellt.
Da während des Betriebes normalerweise bei erfindungsgemäßen bistabilen Kippstufen an dem Gate der
MNOS-Transistoren 8 bzw. 9 die Spannung anliegt, ist der Abbau der Information in diesen Elementen
vorteilhafterweise sehr gering.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Bistabile Kippstufe mit wenigstens zwei rückgekoppelten, invertierenden Verstärkerstufen
und mit zwei Anschlüssen zum Anlegen der Versorgungsspannung, wobei jeweils eine Verstärkerstufe
aus einem Feldeffekt-Transistor und einem Lastelement besteht, und bei der ein Ausgangsanschluß
mit einem Flip-Flop-Knoten der einen Verstärkerstufe verbunden ist, dadurch
gekennzeichnet, daß je ein Flip-Flop-Zweig durch je ein elektronisches Schaltmittel (5,6) auftrennbar
ist, daß parallel zu je einem Lastelement (3 bzw. 4) je ein MNOS-Trans:stor (8 bzw. 9) angeordnet
ist, wobei die Gateanschlüsse dieser MN OS-Transistoren miteinander verbunden sind
und über einen gemeinsamen Anschluß (16) ansteuerbar sind, und daß der Eingangsanschluß (10)
der Kippstufe mit dem Gate (17) eines Transistors (1) der anderen Verstärkerstufe verbunden ist.
2. Bistabile Kippstufe nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangsanschluß
durch einen Transistor (17) elektrisch auftrennbar ist.
3. Bistabile Kippstufe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Lastelemente (3,
4) Feldeffekt-Transistoren sind, wobei die Gateanschlüsse und die Sourceanschlüsse dieser Transistoren
mit dem Anschluß (13) des Flip-Flops verbunden sind.
4. Bistabile Kippstufe nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Transistoren (1,2,5,6.7) Feldeffekt-Transistoren
sind.
5. Verfahren zum Betrieb einer bistabilen Kippstufe nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Information über den Transistor (7), der über seinen GateanschluS
(21) leitend geschaltet wird, eingelesen wird, daß turn Abspeichern der Information in den MNOS-Transistoren
(8, 9) die Transistoren (5, 6) über ihre Gateanschlüsse (51 bzw. 61) gesperrt werden,
daß gleichzeitig bei der Verwendung von p-Kanal-MNOS-Transistoren über den Anschluß (16)
an die Gateanschlüsse dieser Transistoren ein hoher negativer Impuls angelegt wird, wodurch die
Einsatzspannung des MNOS-Transistors, dessen Source-Anschluß mit dem Knoten des Flip-Flops
verbunden ist, an dem die geringere Spannung anliegt, vergrößert wird, und wodurch die Einsatzspannung
des MNOS-Transistors, der mit dem Knoten des Flip-Flops verbunden ist, an dem die
höhere Spannung anliegt, erhalten bleibt, daß beim Wiedereinschalten der Versorgungsspannung
die Transistoren (5, 6) über ihre Anschlüsse (51,61) leitend geschaltet werden, daß zum Einlesen
der in den MNOS-Transistoren abgespeicherten Information in die Kippstufe an den Anschluß
(16) und somit an die Gateanschlüsse der MNOS-Transistoren (8, 9) eine negative Spannung
angelegt wird, die bewirkt, daß der MNOS-Transistor (9) mit der kleineren Einsatzspannung
leitend wird, und die Versorgungsspannung über den leitenden Transistor (6) und über den FHp-Flop-Zweig,
in dem dieser Transistor angeordnet ist, an den entsprechenden Schalttransistor (1) anlegt,
wodurch dieser leitend wird und über den anderen Flip-Flop-Zweig das Potential 0 V an den
Gateanschluß des Schalttransistors (2) des anderen Flip-Flop-Zweiges anlegt, wodurch dieser gesperrt
wird.
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