DE2144870C3 - - Google Patents

Info

Publication number
DE2144870C3
DE2144870C3 DE19712144870 DE2144870A DE2144870C3 DE 2144870 C3 DE2144870 C3 DE 2144870C3 DE 19712144870 DE19712144870 DE 19712144870 DE 2144870 A DE2144870 A DE 2144870A DE 2144870 C3 DE2144870 C3 DE 2144870C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory
address
bit
defective
monolithic semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19712144870
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2144870A1 (de
DE2144870B2 (de
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of DE2144870A1 publication Critical patent/DE2144870A1/de
Publication of DE2144870B2 publication Critical patent/DE2144870B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2144870C3 publication Critical patent/DE2144870C3/de
Granted legal-status Critical Current

Links

DE19712144870 1970-09-30 1971-09-08 Monolithischer halbleiterspeicher mit schadhaften speicherstellen Granted DE2144870B2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US7691770A 1970-09-30 1970-09-30
US7691770 1970-09-30

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2144870A1 DE2144870A1 (de) 1972-04-06
DE2144870B2 DE2144870B2 (de) 1977-04-14
DE2144870C3 true DE2144870C3 (ko) 1977-11-24

Family

ID=22134975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19712144870 Granted DE2144870B2 (de) 1970-09-30 1971-09-08 Monolithischer halbleiterspeicher mit schadhaften speicherstellen

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3714637A (ko)
JP (2) JPS5647635B1 (ko)
BE (1) BE773268A (ko)
CA (1) CA954218A (ko)
DE (1) DE2144870B2 (ko)
FR (1) FR2108080B1 (ko)
GB (1) GB1311221A (ko)
NL (1) NL175000C (ko)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3806894A (en) * 1971-10-01 1974-04-23 Co Int Pour L Inf Binary data information stores
GB1377859A (en) * 1972-08-03 1974-12-18 Catt I Digital integrated circuits
US3845476A (en) * 1972-12-29 1974-10-29 Ibm Monolithic memory using partially defective chips
US3958223A (en) * 1973-06-11 1976-05-18 Texas Instruments Incorporated Expandable data storage in a calculator system
US3800294A (en) * 1973-06-13 1974-03-26 Ibm System for improving the reliability of systems using dirty memories
US3882470A (en) * 1974-02-04 1975-05-06 Honeywell Inf Systems Multiple register variably addressable semiconductor mass memory
US4038648A (en) * 1974-06-03 1977-07-26 Chesley Gilman D Self-configurable circuit structure for achieving wafer scale integration
JPS52124826A (en) * 1976-04-12 1977-10-20 Fujitsu Ltd Memory unit
JPS5562594A (en) * 1978-10-30 1980-05-12 Fujitsu Ltd Memory device using defective memory element
JPS6086323U (ja) * 1983-11-21 1985-06-14 小山 道夫 歩行補助サポ−タ−
FR2596933B1 (fr) * 1986-04-08 1988-06-10 Radiotechnique Compelec Dispositif comportant des circuits accordes sur des frequences donnees
JPH0823996B2 (ja) * 1986-08-11 1996-03-06 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン 2個以上の集積半導体回路の集合体
US4922451A (en) * 1987-03-23 1990-05-01 International Business Machines Corporation Memory re-mapping in a microcomputer system
US5051994A (en) * 1989-04-28 1991-09-24 International Business Machines Corporation Computer memory module
US4992984A (en) * 1989-12-28 1991-02-12 International Business Machines Corporation Memory module utilizing partially defective memory chips
US5134616A (en) * 1990-02-13 1992-07-28 International Business Machines Corporation Dynamic ram with on-chip ecc and optimized bit and word redundancy
JPH0536293A (ja) * 1991-07-10 1993-02-12 Hitachi Ltd デイジタル信号受け渡しシステムとデイジタル音声信号処理回路及び信号変換回路
US6119049A (en) * 1996-08-12 2000-09-12 Tandon Associates, Inc. Memory module assembly using partially defective chips
US6314527B1 (en) 1998-03-05 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Recovery of useful areas of partially defective synchronous memory components
US6332183B1 (en) 1998-03-05 2001-12-18 Micron Technology, Inc. Method for recovery of useful areas of partially defective synchronous memory components
US6381708B1 (en) 1998-04-28 2002-04-30 Micron Technology, Inc. Method for decoding addresses for a defective memory array
US6381707B1 (en) 1998-04-28 2002-04-30 Micron Technology, Inc. System for decoding addresses for a defective memory array
US6496876B1 (en) 1998-12-21 2002-12-17 Micron Technology, Inc. System and method for storing a tag to identify a functional storage location in a memory device
US6578157B1 (en) 2000-03-06 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for recovery of useful areas of partially defective direct rambus rimm components
US7269765B1 (en) 2000-04-13 2007-09-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for storing failing part locations in a module
CN110546709B (zh) 2019-07-12 2021-11-23 长江存储科技有限责任公司 提供坏列修复的存储器设备和操作其的方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3331058A (en) * 1964-12-24 1967-07-11 Fairchild Camera Instr Co Error free memory

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2144870C3 (ko)
DE2144870B2 (de) Monolithischer halbleiterspeicher mit schadhaften speicherstellen
DE2364785C3 (de) Integrierter Halbleiterspeicher mit nach guten und defekten Speicherzellen sortierten Speicherzellen
DE2328869C2 (de) Verfahren und Schaltungsanordnung zum Betreiben eines digitalen Speichersystems
DE69014328T2 (de) Halbleiter-Speicher mit Masken-ROM-Struktur.
DE2128790A1 (de) Einrichtung zum Verwenden mehrerer betriebsfähiger Schaltungen in einem in tegrierten Schaltungsplättchen
DE3128740C2 (ko)
DE3032630C2 (de) Halbleiterspeicher aus Speicherbausteinen mit redundanten Speicherbereichen und Verfahren zu dessen Betrieb
DE2313917B2 (de) Speicher mit redundanten Speicherstellen
DE2059917C3 (de) Hybridadressierter Datenspeicher
DE69125052T2 (de) Halbleiterspeichervorrichtung mit Redundanzschaltung
DE2749850A1 (de) Hybrider halbleiterspeicher mit assoziativer seitenadressierung, seitenaustausch und steuerung auf dem chip
DE68924639T2 (de) Matrixspeicher, der Standardblöcke, Standard-Unterblöcke, einen redundanten Block und redundante Unterblöcke beinhaltet, und integrierter Kreis, der eine Vielzahl solcher Matrixspeicher beinhaltet.
DE2442191A1 (de) Verfahren und anordnung zur fehlerortsbestimmung in einem arbeitsspeicher
DE2646162B2 (de) Schaltungsanordnung zum Ersetzen fehlerhafter Informationen in Speicherplätzen eines nicht veränderbaren Speichers
DE2310631C3 (de) Speicherhierarchie für ein Datenverarbeitungssystem
DE1901806A1 (de) Schaltungsanordnung zur Kompensation schadhafter Speicherzellen in Datenspeichern
DE2163342A1 (de) Hierarchische binäre Speichervorrichtung
DE2527062B2 (de) Anpassungsfähiger Adressendecodierer
DE1906940A1 (de) Speicher mit Redundanz
DE1524788A1 (de) Schaltungsanordnung zur Erkennung und zum automatischen Ersetzen von schadhaften Speicherstellen in Datenspeichern
DE19680641C2 (de) Fehlerspeicher-Analysiervorrichtung in einem Halbleiterspeichertestsystem
DE2554502C3 (de) Verfahren und Anordnung zum Adressieren eines Speichers
DE3634352A1 (de) Verfahren und anordnung zum testen von mega-bit-speicherbausteinen mit beliebigen testmustern im multi-bit-testmodus
DE2513262A1 (de) Digitale codeumwandlungsanordnung