DE2128470A1 - Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer HerstellungInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5100170 | 1970-06-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2128470A1 true DE2128470A1 (de) | 1972-01-20 |
Family
ID=12874527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19712128470 Pending DE2128470A1 (de) | 1970-06-15 | 1971-06-08 | Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2128470A1 (https=) |
| FR (1) | FR2095259B1 (https=) |
| GB (1) | GB1314923A (https=) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL152707B (nl) * | 1967-06-08 | 1977-03-15 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting bevattende een veldeffecttransistor van het type met geisoleerde poortelektrode en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
-
1971
- 1971-06-08 DE DE19712128470 patent/DE2128470A1/de active Pending
- 1971-06-14 GB GB2779271A patent/GB1314923A/en not_active Expired
- 1971-06-14 FR FR7121454A patent/FR2095259B1/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2095259A1 (https=) | 1972-02-11 |
| GB1314923A (en) | 1973-04-26 |
| FR2095259B1 (https=) | 1975-07-11 |
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