DE2128470A1 - Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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thick
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DE19712128470
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Hiroto Kodaira Tokio Anzai Nono Tokorozawa Saitama Kawagoe, (Japan) M
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components
    • H01L21/762Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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NL152707B (nl) * 1967-06-08 1977-03-15 Philips Nv Halfgeleiderinrichting bevattende een veldeffecttransistor van het type met geisoleerde poortelektrode en werkwijze ter vervaardiging daarvan.

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