DE2123362A1 - Schaltung zum elektrostatischen Schutz von MOS Schaltungen - Google Patents
Schaltung zum elektrostatischen Schutz von MOS SchaltungenInfo
- Publication number
- DE2123362A1 DE2123362A1 DE19712123362 DE2123362A DE2123362A1 DE 2123362 A1 DE2123362 A1 DE 2123362A1 DE 19712123362 DE19712123362 DE 19712123362 DE 2123362 A DE2123362 A DE 2123362A DE 2123362 A1 DE2123362 A1 DE 2123362A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- circuit
- protected
- mos
- protection
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
- H03F1/523—Circuit arrangements for protecting such amplifiers for amplifiers using field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
- H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
- H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
- H10D89/811—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using FETs as protective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BG1465970 | 1970-05-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2123362A1 true DE2123362A1 (de) | 1971-12-02 |
Family
ID=3897448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19712123362 Pending DE2123362A1 (de) | 1970-05-12 | 1971-05-11 | Schaltung zum elektrostatischen Schutz von MOS Schaltungen |
Country Status (3)
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2407333A1 (de) * | 1973-02-15 | 1974-09-05 | Motorola Inc | Ueberspannungsschutzschaltung |
| DE2544438A1 (de) * | 1974-10-22 | 1976-04-29 | Ibm | Integrierte ueberspannungs-schutzschaltung |
| US4476426A (en) * | 1981-06-05 | 1984-10-09 | Fujitsu Ten Limited | One-terminal type level control circuit |
-
1971
- 1971-05-11 DE DE19712123362 patent/DE2123362A1/de active Pending
- 1971-05-12 IT IT50292/71A patent/IT942101B/it active
- 1971-05-12 FR FR717117196A patent/FR2092126B1/fr not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2407333A1 (de) * | 1973-02-15 | 1974-09-05 | Motorola Inc | Ueberspannungsschutzschaltung |
| DE2544438A1 (de) * | 1974-10-22 | 1976-04-29 | Ibm | Integrierte ueberspannungs-schutzschaltung |
| US4476426A (en) * | 1981-06-05 | 1984-10-09 | Fujitsu Ten Limited | One-terminal type level control circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2092126B1 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1973-06-08 |
| FR2092126A1 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | 1972-01-21 |
| IT942101B (it) | 1973-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3784114T2 (de) | Integrierte schaltung mit zwei schaltungsblocks, welche durch unterschiedliche versorgungsanschluesse unabhaengig gespeist werden. | |
| DE69319760T2 (de) | Flüssigkristallanzeigevorrichtung | |
| DE69322258T2 (de) | Nebenschlussstromkreis zum schutz gegen elektrostatische entladung | |
| DE3910709C2 (de) | Schutzvorrichtung für integrierte Schaltkreise gegen elektrostatische Entladung | |
| DE69531820T2 (de) | Durchbruchschutzschaltung mit hochspannungsdetektierung | |
| DE3885263T2 (de) | Eingangsschutzschaltung für eine MOS-Halbleitervorrichtung. | |
| DE69631940T2 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE2707843B2 (de) | Schutzschaltungsanordnung für einen Feldeffekttransistor | |
| DE19623846A1 (de) | Halbleitereinrichtung | |
| DE2559360A1 (de) | Halbleiterbauteil mit integrierten schaltkreisen | |
| DE2356275C2 (de) | Halbleiterspeicherelement mit einem Doppelgate-Isolierschicht- FET | |
| DE4440539A1 (de) | Programmierbarer Halbleiterspeicher | |
| DE2816795A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines substrats fuer einen cmos-schaltkreis und nach einem solchen verfahren hergestellter schaltkreis | |
| DE1639052A1 (de) | MOS-Halbleiteranordnung mit Durchschlagschutz | |
| DE2432352C3 (de) | MNOS-Halbleiterspeicherelement | |
| DE3131322A1 (de) | Integrierte halbleiterschaltungsvorrichtung | |
| DE3801526C2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | ||
| DE2336908C3 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung mit Mehrlagen-Metallisierung | |
| DE3737450C2 (de) | Feldeffekt-Halbleitervorrichtung mit Schutz vor Durchschlägen zwischen einem metallischen Anschluß und dem Substrat | |
| DE2808558B2 (de) | Schaltung zur Unterdrückung von Störungen (Rauschen) auf Mehrphasen-Taktsignalleitungen | |
| DE3635729A1 (de) | Elektronische anordnung zum schutz von integrierten schaltungen vor elektrostatischer aufladung und verfahren zu deren herstellung | |
| DE2123362A1 (de) | Schaltung zum elektrostatischen Schutz von MOS Schaltungen | |
| DE102006026691A1 (de) | ESD-Schutzschaltung und -verfahren | |
| DE19736754A1 (de) | Überspannungsschutzelement | |
| DE68912778T2 (de) | Mittel zum reduzieren von schäden an jfets durch elektrostatische entladungen. |