DE2122292C3 - Treiberschaltung für eine an einer Übertragungsleitung angeschlossene externe Last - Google Patents
Treiberschaltung für eine an einer Übertragungsleitung angeschlossene externe LastInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Treiberschaltung
für eine an einer Übertragungsleitung angeschlossene externe Last mit einer Lastimpedan/.. deren Wert m>
wesentlich hoher ist als der Wellenwiderstand der Übertragungsleitung, wobei mit der Treiberschaltung
eine Verknüpfungsschaltung verbunden ist, die zumindest einen ersten Zustand und einen zweiten Zustand
einzunehmen vermag. to
Es ist bereits eine Treiberschaltung für eine an einer
Übertragungsleitung angeschlossene externe Last bekannt (US-PS 33 81236). bei der allerdings die
Lastimpedanz einen Wert hat, der niedriger ist als der Wellenwiderstand der vorgesehenen Übertragungsleitung. Dadurch wird von der vorgesehenen externen
Last eine Signalwelle über die Übertragungsleitung zurückreflektiert, wenn von der Treiberschaltung an die
betreffende Last ein Signal abgegeben wird. Das Auftreten von derartigen zurückreflektierten Signalwellen ist aber unerwünscht, da dadurch Störungen
hervorgerufen werden können.
Der Erfindung Hegt nun die Aufgabe zugrunde, einen
Weg zu zeigen, wie bei einer Treiberschaltung der eingangs genannten Art auf relativ einfache Weise eine
störungsfreie Übertragung von Signalen von der Treiberschaltung zu de.- externen Last erreicht wird.
Gelöst wird die vorstehend aufgezeigte Aufgabe bei einer Treiberschaltung der eingangs genannten An
erfindungsgemäß dadurch, daß mit der Übertragungsleitung ein Reihenabschlußnetzwerk verbunden ist, welches zumindest einen ersten Impedanzzweig und einen
zweiten Impeu»nzzweig umfaßt und welches durch die Verknüpfungsschaltung derart gesteuert ist, daß bei im
ersten Zustand befindlicher Verknüpfungsschaltung ein bestimmter Spannungspegel über den ersten Impedanzzweig an der externen Last liegt und daß bei im zweiten
Zustand befindlicher Verknüpfungsschaltung die externe Last über den zweiten Impedanzzweig mit ihrem
Reflexionen von der externen Last absorbierenden Wellenwiderstand abgeschlossen ist.
Die Erfindung bringt den Vorteil mit sich, daß mit relativ geringem schaltungstechnischen Aufwand eine
sichere und stöi ungsfreie Übertragung von Signalen von der Treiberschaltung zu der externen Last
ermöglicht ist.
Weitere zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
An Hand von Zeichnungen wird die Erfindung nachstehend beispielsweise näher erläutert.
Fig. I zeigt in einem Blockdiagramm eine die
Erfindung umfassende Schaltungsanordnung:
Fig. la zeigt in näheren Einzelheiten eine bevorzugte
Ausführungsform der in F i g. 1 dargestellten Schaltungsanordnung;
F i g. 2a zeigt eine Form eines Elements eines in
F ι g. la vorgesehenen Reihenabschlußnetzwerks;
F i g. 2b zeigt eine weitere Form desselben Elements
des Reihenabschiußnetzwerksgemäß Fig. la;
Fig. 3a zeigt einen Teil der in Fig. la dargestellten
Schaltungsanordnung, an Hand dessen die Arbeitsweise der vorliegenden Erfindung erläutert werden wird:
Fig. ib zeigt in einem Diagramm eine Spannungs-Strom-Kennlinie eines Teiles einer Ausgangsschaltung
gemäß Fig. la und 3a
In Fig. I ist in einem Rlockdiagramm eine mit hoher
Geschwindigkeit arbeitende TTLTransistorverknüpfungsschaltung 10 dargestellt, die durch eine integrierte
Schaltung gebildet ist. Diese Verknüpfungsschaltung 10 bewirkt auf Ansteuerung an irgendeiner F.ingangsklem
me von drei fjngangsklemmen 12, 14 und 16 eine
Ansteuerung einer durch eine TTL-Verknüpfungsschaltung 80 gebildeten internen Last und einer externen
Last 60, und /war über ein Reihenabsthlußnelzwerk 5Q,
Für die Zwecke der vorliegenden Erfindung sei bemerkt, daß eine interne Last bzw. Eigenbelastung eine
Belastung ist, die nicht Teil der Verknüpfungsschaltung 10 ist (d. h. nicht Teil des integrierten Schaltungsplättchens). sondern die ein Schallungsteil ist, der in einer
Entfernung von mehreren Zentimetern von der Verknüpfungsschaltung 10 entfernt angeordnet ist. Im
Unterschied dazu ist eine externe Last bzw. Belastung eine Belastung, die an von der Verknüpfungsschaltung
10 fern liegenden Stellen vorgesehen ist, welche bis zu ca. 60 m von der Verknüpfungsschaltung 10 entfernt
sind. -.
Die in F i g. 1 dargestellte Schaltungsanordnung ist in F i g. 1 a näher dargestellt Die Transistorverknüpfungsschaltungs-Treiberschaltung
10 enthält eine drei Eingänge aufweisende TTL-NAN D-Schaltung. Wie dargestellt, weist die Verknüpfungsschaltung 10 einen iu
Eingangsteil auf, der durch einen mehrere Emitter enthaltenden Transistor 20 vom npn-Leitfähigkeitstyp
gebildet ist Dieser Transistor 20 steuert einen Phasenteiler-Transistor 24 an, welcher komplementäre
Ausgangssignale zur Steuerung eines Kaskoe-Aus- η gangsteiles abgibt
Von der Ausgangsklemme 70 her steuert die Verknüpfungsschaltung 10 eine externe Obertragungsleitungslast
60 und eine oder mehrere nahe gelegene gesteuerte interne TTL-Verknüpfungsschaltungen 80. >u
Ober das Reihenabschlußnetzwerk 50 steuert die Verknüpfungsschaltung 10 das eine Ende der zwei
Leiter umfassenden Übertragungsleitung 62 an, die an ihrem anderen Ende mit einer weit abgelegenen
hochohmigen Empfangs-Verknüpfungsschaltung 64 >i verbunden ist. Die hochohmige Verknüpfungsschaltung
64 kann an sich bekannte Emitterfolgerschaltungen, Strombetriebs-Verknüpfungsschaltungen oder TTL-Schaltungen
enthalten. Jede dieser Verknüpfungsschal· tungen besitzt dabei eine Eingangsimpedanz, die viele sn
Male großer ist als der Wellenwiderstand Zo der Übertragungsleitung.
Das Netzwerk 50 enthält zwei Elemente 52 und 54. deren eines eine nichtlineare Impedanz besitzt und
deren anderes eine lineare Impedanz besitzt. In der π
einfachsten Form besteht die nichtlineare Impedanz des Netzwerks 50 aus einem Strom in nur einer Richtung
leitenden Element. Dieses Element kann dabei die Form einer Diode oder eines Transistors bestitzen. wie dies
aus F i g. 2a und 2b hervorgeht. 4i>
Die Verknüpfungsschaltung 10 enthält, genauer gesagt, ein UND-Glied mit einem mehrere Emitter
aufweisenden Transistor 20. Dieser Transistor 20 weist im vorliegenden Fall drei Emitterelektroden auf, die mit
den Eingangsklemmen 12, 14 bzw. 16 verbunden sind. 4". Die Basis des Transistors 20 ist über eine Reihenimpedan/
in Form eines Widerstands 18 mit einer positives Potential + V führenden Poientialklemme verbunden.
Der Kollektor des Transistors 20 steuert die Basis des Phasenteiler-Transistors 24. Der Transistor 24 ist mn ">o
seinem Kollektor über eine Impedanz in Form eines Kollcktorwiderstands 22 mit der das Potential + V
führenden Potentialklemme verbunden. Der Emitter des Transistors ist mit einer Potentialabsenkimpedan/
verbunden, die gemäß F ι g. la durch den Widerstand 2Ϊ v.
gebildet ist. Der Transistor 24 gibt zwei komplementäre Ausgangssignale an einen Ausgangsteil der Verknüp
fungsschaltung 10 ab.
Der Ausgangstell der Verknüpfungsschaltung 10 enthält einen oberen Teil und einen unteren Teil. Der mi
untere Teil enthält einen ersten Transistor 34 vom npn-Leilfähigkeitstyp. Dieser Transistor 34 ist mit
seiner Basis mit dem Emitter des Transistors 24 verbunden. Der Emitter des Transistors 34 ist geerdet,
und der Kollektor des Transistors 34 ist mit der ir>
Ausgangsklemme 70 der Verknüpfungsschaltung 10 verbunden.
Der obere Teil des Ausgangsteiles enthält zwei Transistoren 26 und 30 von npn-Leitfähigkeitstyp. Diese
beiden Transistoren 26 und 30 sind unter Bildung einer Darlington-Schaltung in Reihe geschaltet. Dabei ist drr
Emitter des Ausgangstransistors 30 mit der Ausgangsklemme 70 verbunden. Im einzelnen ist die BaKis des
Transistors 30 mit dem Emitter des Transistors 26 verbunden, dessen Emitter über einen Widerstand 25
geerdet ist Die Kollektoren der Transistoren 26 und 30 sind über eine Impedanz Zl mit einer das Potential + V
führenden Potentialklemme verbunden. Die betreffende Impedanz Zl entspricht bei der bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung einem Widerstand 28. Die Basis des Transistors 26 ist mit dem Kollektor des
Transistors 24 verbunden.
Der Transistor 30 gibt ein Ausgangssignal ab, welches die Verknüpfungsschaltung 10 für die Ansteuerung
großer kapazitiver Lasten geeignet macht, ohne daß damit lange Verteilungsverzögerungen in Kauf genommen
werden. Der Widerstand 28 ist mit der das Potential -V V führenden Potentialklemme verbunden:
er begrenzt die Höhe des den Tran· tor 30 in dem Fall
durchfließenden Stromes, daß der Emir er des Transistors
30 in unbeabsichtigter Weise geerdet wird. Damit bewirkt diese Anordnung einen Kurzschlußschutz.
Im folgenden sei die Arbeitsweise der Verknüpfungsschaltung
10 näher erläutert. Die NAND-Verknüpfungsschaltung 10 gemäß Fig. la arbeitet in folgender
Weise. Wenn an irgendeiner Eingangsklemme der Eingangsklemmen 12,14,16 ein niedriger Spannungspegel,
wie z. B. ein Spannungspegel von 0,2 Volt auftritt, der kennzeichnend ist für eine binäre 0, so fließt ein
Strom von der Potentialklemme + V durch den Widerstand 18 und durch den Emitter des Transistors 20
zu einer hier nicht näher dargestellten Steuerquelle hin. Da die Spannungsdifferenz zwischen dem Emitter und
dem Kollektor des Transistors 20 sehr gering ist, wird auch nur der niedrige Spannungspegel, der der einen
Eingangsklemme zugeführt worden ist. der Basis des Phasenteiler-Transistors 24 zugeführt. Dieser η edrige
Spannungspegel vermindert stark das Leitendsein des Transistors 24. Die Spannung am Kollektor des
Tr„nsistors 24 steigt damit auf einen hohen Spannungspegel an. während der Spannungspegel am Emitter
dieses Transistors 24 auf den niedrigen Spannungspegel absinkt.
Die komplementären Spannungspegel am Kollektor und Emitter des Phasenteilcr-Transistors 24 werden den
Basen der Transistoren 26 und 34 zugeführt. Demgemäß bewirkt der hohe Spannungspegel, der etwa mit dem
Potentialwert + V auftritt, daß der Transistor 26 leitet. Dies wiederum senkt den Spannungspegel am Emitter
des Transistors 26 auf den Wert der Kollektorspannung des Transistors 24. und zwar vermindert um den
Spannungsabfall (Vhf) au der ßasis-Emittcr-Diodc des
Transislors 26. Diese Spannung wird der Basis des Transistors 30 /ι%-.führt, der dadurch in iit" leitenden
Zustand umgeschaltet wird. Gleichzeitig wird der niedrige Spannungspegcl der Basis des Transistors 14
zugeführt, der c'adtirch in den nichtleitenden Zustand
gelenkt. Damit wirkt der Transistor Ϊ0 als hohe
Impedanz, zwischen der Klemme 70 und Erde. Der einer
binären I entsprechende Spannungspegel, der mit Hilfe der Verknüpfungsschaltung 10 an der Ausgangsklemme
70 abgegeben wird, wird durch den Spannungsabfall an der Basis- Emitter-Diode des Transistors 30 geliefert.
Wenn die Eingangsklcmmen 12, 14 iincl 16 jeweils
einen hohen Spannungspegcl führen, wie /. B. einen Spannungspcgcl von 3,3 Volt, was einer binären I
entspricht, so fließt der Strom von der Potentialkleimne
+ V nicht mehr durch den Widerstand 18, da nämlich
sämtliche Emitter-Basis-Dioden des Transistors 20 in Sperrichtung vorgespannt sind. Mit kleiner werdendem
Stromfluß durch den Widerstand 18 steigt der Spannungspegel an der Basis des Phasenteiler-Transistors
24 an, was zu einem starken Leiten des Transistors 24 führt. Durch den erhöhten Strom, der den Transistor
24 und die mit diesem in Reihe liegenden Widerstände 22 und 23 durchfließt, werden die Spannungspegel am
Kollektor bzw. Emitter dieses Transistors abgesenkt bzw. angehoben. Der Transistor 34 wird in den leitenden
Zustand übergeführt, in welchem ein niederohmiger Stromweg zwischen der Ausgangsklcmmc 70 und F.rdc
geschaffen ist. Auf diese Weise wird ein niedriger Spannungspegel, entsprechend einer binaren 0. an der
Ausgangsklemme 70 abgegeben. Der Spannungspcgel an der Basis de<, Spanmingscinstell-Transistors 30 ist
dabei von solcher Größe, daß dessen Nichtleitenclscin gewährleistet ist. Dadurch wird die Ausgangsklenime 70
auf dem binären Null-Pegel gehalten.
Die von der Verknüpfungsschaltung 10 erzeugten,
einem Verknüpfungspegel 0 bzw. I entsprechenden niedrigen bzw. hohen Spannungspegel werden über das
Reihenabschlußnetzwerk 50 dem einen F.nde des Leiters 62a der Übertragungsleitung 62 zugeführt, und zwar für
die Aufnahme durch die an dem anderen Ende der Leitung vorgesehene hochohmige Empfangs-Verknüpfungsschaltung
64. Der Leiter 626 stellt einen Erdrück führleiter für Verknüpfungssignale dar. die zwischen
den Verknüpfungsschalttingen 10 und 64 übertragen werden.
Wie oben bereits erwähnt, werden die von der Verknüpfungsschaltung 64 aufgenommenen Spannungspegel
in ihrem Wert verdoppelt, da nämlich die Eingangsimpedanz der Verknüpfungsschaltung 64 wie
ein unterbrochener Stromkreis im Vergleich zu der niedrigen Impedanz der Übertragungsleitung 62 wirkt.
Im folgenden sei die Wirkungsweise des Reihenabschlußnetzwerks
50 in Verbindung mit den F i g. 3a und 3b näher erläutert. In F i g. 3a ist dabei eine Ersatzschaltung
des Ausgangsteiles, des Reihenabschlußnetzwerks Cn -.~A An- MUnr,^n,.n^lni„mn CO namql) P Ί π Io
dargestellt. Dabei sind entsprechende Bezugszeichen verwendet wie in Fig. la. Bei Vorhandensein einer
hohen Spannung liegt in der Schaltung 10 der Widerstand 28 in Reihe zu den Darlington-Emitterfolgetransistoren
26 und 30, wodurch eine Ansteuerung über das Netzwerk 50 und die Last 60 nach Erde hin
erfolgt. Die Last 60 weist einen Impedanzwert Zn auf.
der dem Wellenwiderstand der Übertragungsleitung 62 entspricht. Von <Lt Klemme 70 in die Schaltung hinein
gemessen ist eine Impedanz mit dem aus Fig. 3b ersichtlichen Verlauf vorhanden. In Fig.3b ist dabei
speziell die Ausgangsspannungs-Ausgangsstrom-Kennlinie
einer typischen TTL-Verknüpfungsschaltung gezeigt.
Bei einem Null-Strom gibt die Verknüpfungsschaltung in typischer Weise eine Ausgangsspannung von
3JVoIt ab. Die Darlingtonschaltung stellt eine niedrige Steuerimpedanz (d. h. von nahezu 0) dar. und
zwar so lange, bis der Punkt a erreicht isL Wie
ersichtlich, ändert sich die Steuer- bzw. Treiberimpedanz,
wenn die Schaltung einen höheren Strom als 10 mA liefert. Dies bedeutet, daß die Darlington-Schaltung
dann gesättigt ist und daß mit weiterem Stromanstieg die Treiberimpedanz sich an den Wert des
KoIIektorlastwiderstands 28 annähert, der den Sättigungswiderstand
des Transistors 30 darstellt.
Der Punkt b entspricht dem Wert maximalen Stroms bzw. dem sogenannten Kurzschlußstrompunkt. Dieser
Stromwert wird dadurch berechnet, daß der Spannungsabfall
an der Darlington-Schaltung (das ist Vce<n,„t„nr)
von der Speisespannung + V subtrahiert wird und daß dieser Wert dann durch den Wert des Kollektorwiderstands
dividiert wird. Unter Annahme typischer Werte beträgt der Kurzschlußstrom:
)' ,„ = 76mA
Bei der bevorzugten Ausführungsform ist der Wert des Kollektorwiderstands 28 so gewühlt, daß ein
ι angemessener Kurzschlußschutz erreicht wird und daß eine hinreichend hohe Ausgangsspannung und ein
hinreichend hoher Ausgangsstrom zur Ansteuerung der Übertragiingsleitungslast 60 und der Eigenlast 80 erzielt
sind. Der Wert des Kollektorwiderstands 28 und der
ή nichtlinearen Impedanz 52 des Netzwerks 50 sind im
übrigen so gewählt, daß sie gemeinsam die Übertragungsleitung 62 unter Vermeidung von Reflexionen
abschließen.
Der Wert der Impedanz 54 des Netzwerks 50 ist so
j- gewählt, daß er etwa dem Wellenwiderstand Zo der
Leitung 62 entspricht. Der Grund hierfür liegt darin, daß dann, wenn der Ausgangspegel an der Klemme 70 von
einer binären I auf eine binäre 0 umschaltet (das heißt von einem hohen Spannungspegel auf einen niedrigen
in Spannungspegel) die Impedanz der Schaltung 10 sehr
niedrig ist. Dies bedeutet, daß die Impedanz der sehr niedrigen Ausgangsimpedanz der Kollektor-Emitter-Strecke
des gesättigten Transistors 34 entspricht. Wenn sich die Schaltung in ihrem Zustand niedriger Spannung
befindet, entsprechend der binären 0. dann ist die Diode 52 in Sperrichtung vorgespannt, wodurch auf die
Übertragungsleitung 62 eine hohe Impedanz wirkt. Deshalb schließt die Impedanz 54 des Netzwerks 50 die
Übertragungsleitung 62 mit ihrem Wellenwiderstand ab.
i" Wenn nunmehr die Verknüpfungsschaltung 10 von
ihrem Zustand niedriger Spannung in ihren Zustand hoher Spannung (d.h. entsprechend einer binären 1)
iimcrhaltpt mnR Hac Npi7u/prlc ^O iintpr tvniorhon
Bedingungen die Hälfte des Spannungspegels einer 4'. binären I abgeben. Dies ruft dann in der Verknüpfungsschaltung
64 einen Spannungspegel hervor, der einer binären 1 entspricht.
Im folgenden sei lediglich als Beispiel angenommen,
daß eine binäre 1 und eine binäre 0 mit den folgenden .(ι typischen Spannungspegeln an den Empfängereingängen
auftreten:
Verknüpfungssignal I = 33 Volt
Verknüpfungssignal 0 = 0,2 Volt
Verknüpfungssignal 0 = 0,2 Volt
Unter typischen Bedingungen beträgt die Hälfte des einem Verknüpfungssignal I entsprechenden Spannungspegels
1.65 Volt. Die Leitungsspannung V/ für ein Verknüpfungssignal 1 am Eingang der Leitung 62
mi entspricht damit dem Spannungspegel, wenn die
Leitung erne binäre 0 führt (das ist die Dauerzustandsspannung Vsimgmg) zuzüglich der einen Hälfte der
Differenz der Spannungspegel zwischen einer binären 1 und einer binären 0 (das sind die Übergangsspannungs-
bs pegel). Dies führt zu einem einem vollständigen
Verknüpfungssignal 1 entsprechenden Wert von 33 Volt an der Verknüpfungsschaltung 64. Demgemäß
genügt Vt folgender Beziehung:
I, - Iv,,,,,,, , · ',(I »Verkmipfunussiuniil I
I »Verknüpfungssigriiil Ο« Ι
I, 0.2 Voll
I1 - 1.75VoIt
I1 - 1.75VoIt
,(.1.JVoIt 0.2VnItI
lim·1" der Aiinnhnie. daß der Wellenwiderstand Zu
tier l.eili ng 62 hier 80 ( Mini helriigi. berechnet sich der
Wert des Ausgangsstroms /,, der Verknüpfungsschaltung 10 bei einer Last /.wie folgt:
01,/,, - 1.75VoIi 0.2VoIHNO- ΙΜ.4ηιΛ
Wie ausgeführt, entspricht die Änderung der l.eitungsspanniing
l)\ ι der Differenz /wischen dem
Spannungspcgcl. um ilen die Ausgangslasl lii angehoben
wird. d. h. 1,7"' Volt, und dem Spanmmgspegel, den
die I.,lsi /t, /Λινοί geführt hat. bei dem die Sätiigungsspantuing
des Transistors 34 (das ist !'»,,,„.J einer
binaren 0 entspricht
Die Verknüpfungsschaltung IO muß eine l.eilungsspannung
\) abgeben, deren Wen /iiniindest 1.7) Voll
betragt, mn nämlich den erwünschten Siromwerl für die
Übcrlragungsleiiungslasi Z, zu erzielen. DemgemiiU
muli das Netzwerk 50 denselben Spannungspegel von 1.75VoIt an die Last // abgegeben, wenn the
Verknüpfungsschaltung IO im Zustand hoher Spannung ist.
Da die Diode 52 des Netzwerks 50 in Durchlaßrichtung vorgespannt ist. wenn die Verknüpfungsschaltung
IO si<_n im Zustand hoher Spannung befindet, genügt die
Ausgangsspannung l·',,,,· an der Klemme 70 folgender
Uc/iehurig:
• „, - i,. · ι,.
l·.,., I·7? Volt * 0.S Voll
L.,., - 2.^5 Voll
Bezugnehmend auf (ig. 3b sei bemerkt, daß die von
der Verknüpfungsschaltung IO mit der dargestellten
heißt bei einer Kolleklorimpedan/ von 50 Ohm) abgegebene Spannung bei 3.3 Voll liegt. Damit liegt
diese Spannung höher als die geforderten 2.55 Voll. Diese Spannung läßt sich aus der in Kennlinie gemäß
I i g. 3b kennzeichnenden Gleichung errechnen. Dies bedeutet, daß die Gleichung der in I i g. 3b dargestellten
Kennlinie, die eine Neigung von 50 besitzt (das ist MZi)
folgender Beziehung genügt:
Γ = ml ' h
Hierbei sind m= 50 und 6= - 76/n. wie dies sich von
den Punkten ergibt, die 10 niA. i.3 Volt und 76 mA und
0 VoU in Fig. 3b entsprechen. Durch Einsetzen dieser
Werte in die Gleichung (3) unter Berücksichtigung eines Stromes / von 19.4 mA und Auflösen der Gleichung
nach Vergibt sich:
I= 50/ + 3.x
I = 50 (19.4 mA) + 3.X
!■· = 183 Volt
Netzwerk 50 einen Spannungspcgcl V/ abgibt, der
höher ist als zur Ansteuerung der Übertragungsleitung Zn mit dem an sich geforderten Strom ausreicht.
Während Impedanzweite, die niedriger sind ais die gewählten Impedanzwerte ebenfalls zu einer entsprechenden
Anslcuereigcnschafl führen, wird die Verwendung einer Impedanz bevorzugt, die den maximalen
Kurzschlußstrom / hinreichend stark begrenzt, der durch den Transistor 30 im falle eines Kurzschlusses
fließt, und die Reflexionen vermeidet.
Zusammenfassend kann festgestellt werden, daß das Netzwerk 50 durch die dem Widerstand 54 parallelgcschallete
Diode 52 die Höhe der Spannung heraufsetzt, welche die Verknüpfungsschaltung IO an den Eingang
der Übertragungsleitung 62 in dem lall abgibt, daß die
betreffende Schaltung IO im Zustand hoher Spannung bzw. im Binärzustand I ist. Ohne die Verwendung der
Diode 52 oder eines ihr entsprechend geschalteten Bauelements vermag die Verknüpfungsschaltung IO
nicht den gewünschten Spanmmgspcgcl bei ilen in
upischer Weise höheren Strompegeln abzugeben, wie sie zur Steuerung der Übertragungsleitung 62 erforderlich
sind. Der Grund hierfür liegt darin, daß ohne das Netzwerk 50 die Verknüpfungsschaltung IO einen
Strom desselben Wertes durch eine Reiheninipedan/ 54 des Wertes Zn und einen Wellenwiderstand (60) des
Wertes Z1 abgeben muß. Da das Net/werk 50 einen
.Spannungspegel, der der Hälfte des Spannungspcgels des Verknüpfungssignals I entspricht, an den liingang
der Leitung 62 abgibt, nimmt die Empfangs-Verknüpfungsschaltung
64 einen Spannungspcgcl auf. der vollständig dem Verknüpfungssignal 1 entspricht.
Hierdurch wird die Störgrenz.e der Verknüpfungsschal tung 64 heraufgesetzt, und außerdem ermöglicht diese
Maßnahme eine flexible Einstellung des Störspannungspegcls in dieser Verknüpfungsschaltung. Darüber hinaus
absorbiert die nichtlincare Impedanz der leitenden Diode 52 in Verbindung mit der Impedanz des
Widerstands 28 Energie, wodurch Reflexionen vermieden sind.
Wie ausgeführt, gibt die beschriebene Schaltungsanordnung,
wenn sie sich im Zustand hoher Spannung
mc 70 ab. der etwa 0.8 Volt beträgt. Dieser Spannungs
pegel liegt damit um den Spannungsabfall an einer Diodenstrecke oberhalb des halben Spannungspegels
entsprechend einer binären I. Dieser Spannungspegel hat sich als zufriedenstellende Störgrnzc im Rahmen der
Ansteuerung verschiedener TTL-Schallungen erwiesen,
und zwar für den Fall, daß die Las! 80 gemäß F i g. I und
la in unmittelbarer Nähe dieser Schaltungen vorgesehen ist (z. B. in einem Abstand von mehreren
Zentimetern im Unterschied zu einem Absland bis zu ca. 60 Nietern).
Gemäß den Lehren der Erfindung vermag sich eine TTL-Verknüpfungsschaltung mit einer typischen Aus-
gangsspannungs-Ausgangsstrom-Kennlinie über ein
Reihenabschlußnetzwerk anzupassen an die hohe Störgrenze und an die Stcucrungsanfordcrungen einer
Leitungstreiberschahung. Die Werte der Bauelemente einer typischen Ausführungsform sind nachstehend
aufgeführt.
Aus obigem dürfte ersichtlich sein, daß mit dem für den Kollektorwiderstand 28 gewählten Wert das
Widerstand 18
Widerstand 22
Widerstand 23
Widerstand 25
Widerstand 28
Widerstand 22
Widerstand 23
Widerstand 25
Widerstand 28
4000 0hm
800 0hm
800 Ohm
800 0hm
800 Ohm
3500 Ohm
50 Ohm
50 Ohm
Diode 52
Widerstand 54
Übertragungsleitung 62 mit
zwei verdrallten Leitungen
Übertragungsleitung 62 mit
zwei verdrallten Leitungen
Speisespannung + V
Schwellwert +0.8 Volt
Fairchild FD-624
80 Ohm
Fairchild FD-624
80 Ohm
80 Ohm
1.3 Nanosekunden auf
ca. 30 cm
5 Volt
Die oben aufgeführten Werte sind lediglich zum Zwecke der Veranschaulichuiig angegeben. Es sei
jedoch bemerkt, daß die Erfindung durch diese Werte
nicht beschränkt sein soll. So ist z. B. die Verbindungsanordnung gemäß der Erfindung nicht auf den angegebenen
TTL-Schaltungstyp beschränkt oder auf die dargestellte Steueranordnung. Vielmehr können auch
andere Typen von Verknüpfiingsschallimgen. einschließlich
solche mit Verstärker-Flipflops, in Verbindung mit den Prinzipien gemäß der Erfindung
angewandt werden. Einige dieser Schaltungen sind in der Druckschrift »Honeywell Computer lournal«.
Winter-Spring 1163. Copyright 1968. Seiten 54 bis 59
beschrieben. Anstatt der Ansteuerung einer Übertragungsleitungslast
von einer unsymmetrischen Anordnung her kann die Erfindung auch in Verbindung mit
einer doppelseitigen oder symmetrischen Leitungssteueranordnung verwendet werden.
Abschließend sei noch bemerkt, daß bei den dargestellten Schaltungen ohne weiteres Abhanderungen
vorgenommen werden können So können /. B. die Polaritäten der Spannungsquellen, die Werte der
Impedanzen 54 und Zi und die Transistortypen geändert werden, und darüber hinaus können für das Element 52
entsprechende Äquivalente vorgesehen werden.
Claims (7)
1. Treiberschaltung für eine an einer Übertragungsleitung angeschlossene externe Last mit einer ί
Lastimpedanz, deren Wert wesentlich höher ist als der Wellenwiderstand der Übertragungsleitung,
wobei mit der Treiberschaltung eine Verknüpfungsschaltung verbunden ist, die zumindest einen ersten
Zustand und einen zweiten Zustand einzunehmen vermag, dadurch gekennzeichnet, daß mit
der Übertragungsleitung (62) ein Reihenabschlußnetzwerk (50) verbunden ist, welches zumindest
einen ersten Impedanzzweig (52) und einen zweiten ■mpedanzzweig (54) umfaßt und welches durch die ι
> Verknüpfungsschaltung (10) derart gesteuert ist, daß bei im ersten Zustand befindlicher Verknüpfungsschaltung (10) ein bestimmter Spannungspegel über
den ersten Impedanzzweig (52) an der externen Last (60) lieg* und daß bei im zweiten Zustand -'»
befindlich«- Verknüpfungsschaltung (10) die externe Last (60) über den zweiten Impedanzzweig (54) mit
ihrem Reflexionen von der externen Last (60) absorbierenden Wellenwiderstand (Zo) abgeschlossen ist. ·?>
2. Treiberschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der ersce Impedanzzweig (52)
des Reihenabschlußnetzwerkes (50) eine nichtlineare Impedanz (52) enthält und daß der zweite
Impedanzzweig (54) des Reihenabschlußnetzwerkes )<> (50) eine lineare Impedanz (54) enthält.
3. Treiberschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die nie- «lineare Impedanz (52)
ein einen Strom in πίγ einer Richtung leitendes
Element (52) ist. i">
4. Treiberschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das einen Strom in nur einer
Richtung leitende Element (52) eine Diode (52) ist.
5. Treiberschaltung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die lineare ·'»
Impedanz (54) ein Widerstand (54) ist, dessen Widerstandswert etwa dem Wellenwiderstand (Zo)
der Übertragungsleitung(62) entspricht.
6. Treiberschaltung nach einem der Ansprüche I bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß dem Reihenab- »■
Schlußnetzwerk (50) von der Verknüpfungsschaltung (10) ein Signalpegel zuführbar ist. der etwa der
Hälfte des eine binäre 1 darstellenden Spannungspe gels entspricht.
7. Treiberschaltung nach einem der Ansprüche I '·»
bis 6. dadurch gekennzeichnet, daß die (Jbertra gungsleitung (62) eine verdrallie zweiadrige Leitung
(62a. 626; ist
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DE2122292B2 DE2122292B2 (de) | 1980-07-24 |
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