DE2105003C3 - Verfahren zum Überziehen von Kor pern mit isolierenden Stoffen - Google Patents

Description

vorbeigeführl wird, dadurch gekenn- Beim erfindungsgemäßen Verfahren tritt eine Querzeichnet, daß in den Reaktionsraum gas- 15 vernetzung auf. Die Quervernetzung ist durch ein Abförmiges Hexafluorpropylen eingebracht wird. trennen von CF₃-Gruppen und nachfolgender Bildung

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- von Seitenketten erklärbar. Infolge Fehlens atomarer zeichnet, daß das Hexafluorpropylen bei Raum- und niedrigmolekularer Crackprodukte und daraus temperatur eingebracht wird. resultierender stabiler Zusammensetzung des Reak-

ao tionsgascs sind die Glimm- und Abscheidebedingungen

gut überschaubar. Die Glimmentladung erfolgt nur im

Bereich der maximalen Feldstärke.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Über- Das Hexafluorpropy'en wird in den Reaktionsraum

ziehen von Körpern mit isolierenden Stoffen, bei dem gasförmig eingebracht. Dieser Stoff liegt nämlich bei der zu überziehende Körper, insbesondere im Durch- as Raumtemperatur als Gas vor. Das Einbringen des laufverfahren, der Wirkung einer durch Wechsel- Hexafluorpropylengases in den Reakiionsraum kann spannung erzeugten elektrischen Entladung in An- über Ventile besser gesteuert werden als das Einbringen Wesenheit polymerisierbarer gas- oder dampfförmiger flüssiger Stoffe. Hexafluorpropylen ist ungiftig und Fluorkohlenstoffe in einem Reaktionsraum ausgesetzt kann in Druckflaschen bei Raumtemperatur transporwird, welche unter dem Einfluß dieser Entladung poly- 30 tiert werden.

mere bzw. hochmolekulare Verbindungen bilden, bei Die erfindungsgemäß hergestellten Schichten zeich-

dem in unmittelbarer Nähe jeder von zwei gegenüber- nen sich durch eine besonders geringe Wasseraufnahme, liegenden Entladungselektroden je ein zu überziehender einen niedrigen Verlustfaktor (<3·10³ hei IkHz) Körper vorbeigeführt wird. und hohe Flexibilität aus. Es ist auch eine einwandfreie

Aus der USA.-Patentschrift 3 068 510 ist ein der- 35 Beschichtung von Körpern mit verhältnismäßig dicken artiges Verfahren bekannt. Dort wird jedoch stets ein Isolierschichten (etwa 1 μΐη) möglich. Die erfind ungs-Stoffgemisch in den Reaktionsraum gebracht, welches gemäßen Polymerisationsschichten weisen eine hohe vorzugsweise durch Zersetzung von Polytetrafluor- Dauertemperaturbeständigkeit (mindestens i50°Q äthylen erhalten wird. Dadurch ergeben sich Schichten und Unbrennbarkeit auf.

mit relativ geringer mechanischer Festigkeit; dazu ist 4° Die Verwendungsmöglichkeiten der erfindungsdas monomere Fluoräthylen hochexplosiv, so daß es gemäßen Isolierstoff schichten sind vielfältig. Sie köcnicht ohne weiteres gereinigt und in Vorrat gehalten nen zur Isolierung von Drahtspeichern zur Passiviewerden kann. Außerdem muß das Polyietrafluor- rung von Halbleiteroberflächen und zu Isolierzwecken äthylen einer aufwendigen Temperung unterzogen in integrierten Schaltungen verwendet werden. Außerwerden, damit sich einigermaßen feste Schichten bilden. 45 dem kann man Speicheielemente oder sonstige elek-

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in trische Bauelemente mit den erfindungsgemäßeu Überder Herstellung dünner organischer Isolierstoffschich- zügen versehen.

ten mit gjten dielektrischen Eigenschaften bei geringer Besonders eignen sich die erfindungsgemäßen Über-Feuchteempfindlichkeit, insbesondere für den Einsatz züge als Kondensatordielektrikum. Auch die Verwenals Kondensatordielektrikum, mit einfachen techni- 5» dung als Dielektrikum in regenerierenden Kcndensaschen Mitteln. toren isi wegen der ausgezeichneten Regtneriereigen-

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch ge- schäften vollfluorierter Kunststoffe möglich,
löst, daß in dem Reaktionsraum gasförmiges Hexa- In einem Rezipienten befinden sich bei einem be·

fluorpropylen (CF₂ = CFCF₃) eingebracht wird. stimmten Druck, beispielsweise zwischen 0,1 und

Das erfindungsgemäße Verfahren biefet Vorteüe, da 55 3 Torr, die Monomere, aus dentn die Polymerisationssich porenfreie Isolierstoffschichten äußerst geringer schichten durch Glimmentladung hergestellt werden Dicke (etwa 50 nm) erzielen lassen. Isolierstoffschich- sollen.

ten, welche erfindungsgemäß aus diesem Stoff herge- Bei der Beschichtung von metallisierten Kunstoff-

stellt sind, zeigen nicht die bekannten Nachteile der folien wendet man Frequenzen der Wechselspannung gemäß dem Stand der Technik angewandten per- 60 von ICO kHz bis 10 MHz an, damit die zwischen der fluorierten Kunststoffe, insbesondere nicht die Fließ- Elektrodenobertiäche und der Metallisierung liegende, neigung bei erhöhter Temperatur Die erfindungs- von der Kunststoffolie herrührende Kapazität übergemäßen Isolierstoffschichten sind vielmehr form wunden wird. Bei der Beschichtung von Metallfolien stabil, und die daraus hergestellten Körper widerstehen genügen Frequenzen der Wechselspannung von 50 Hz der Einwirkung äußerer Kräfte. 65 bis 500 kHz.

Claims (1)

' Der ßc"nSe Verlustfaktor von erflndung6gemaß hergestallten Polymerisationsschichten aus Hexafluor-

1. Verfahren zum Überziehen von Körpern mit propylen beträgt etwa 1 · 10~⁸ bei 1 kHz und 25⁰C. isolierenden Stoffen, bei dem der zu überziehende Dies ergibt sich daraus, daß in der Glimmentladung Körper, insbesondere im Durchlaufverfahren, der 5 fast ausschließlich ein Aufbrechen der Doppelbindui;-Wirkung einer durch "Wechselspannung erzeugten gen mit anschließender Polymerisation erfolgt:
elektrischen Entladung in Anwesenheit polymeri- „ _

sierbarer gas- oder dampfförmiger Fluorkohlen- _{p P}p_{P p p}£_{p p}· _prp

stoffe ausgesetzt wird, welche unter dem Einfluß ' ^rT^{r 1}Z ^r^^r , ^r7^r

dieser Entladung polymers bzw. hochmolekulare io -yl· — r —r — r r r

Verbindungen bilden, bei dem in unmittelbarer I | "*" I I I

Nähe jeder von zwei gegenüberliegenden Entla- FF F^FF

dungselektroden je ein zu überziehender Körper ^v