DE2102421B2 - Verfahren zur Herstellung einer strukturierten metallischen Schicht auf einem keramischen Grundkörper - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer strukturierten metallischen Schicht auf einem keramischen GrundkörperInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 241000272476 Gyps Species 0.000 claims 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims 1
- 229910052914 metal silicate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- FRSPOOMNLJCAIJ-UHFFFAOYSA-N manganese(2+) molybdenum(4+) silicate Chemical compound [Si]([O-])([O-])([O-])[O-].[Mn+2].[Mo+4] FRSPOOMNLJCAIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- YLGXILFCIXHCMC-JHGZEJCSSA-N methyl cellulose Chemical compound COC1C(OC)C(OC)C(COC)O[C@H]1O[C@H]1C(OC)C(OC)C(OC)OC1COC YLGXILFCIXHCMC-JHGZEJCSSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01025—Manganese [Mn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0783—Using solvent, e.g. for cleaning; Regulating solvent content of pastes or coatings for adjusting the viscosity
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
von mindestens einer strukturierten metallischen Schicht auf einem keramischen Grundkörper nach dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Bei einem Verfahren zur Herstellung einer metallischen Schicht auf einem Grundkörper wird zunächst auf
eine Oberfläche dieses Grundkörpers eine Titanschicht aufgedampft. Die Titanschicht, welche als Haftschicht
auf dem Grundkörper wirkt, wird dann ganzflächig von einer Goldschicht überdeckt. Auf die Goldschicht wird
eine Maskierungsschicht, meist in Form einer fotoempfindlichen Schicht, aufgebracht Anschließend wird die so
Maskierungsschicht entsprechend den gewünschten Strukturen belichtet und entwickelt. Die dadurch
freigelegten Bereiche der Goldschicht werden abgeätzt; die damit an die Oberfläche tretenden Teile der
Titanschicht werden ebenfalls entfernt. Schließlich wird noch die auf den gewünschten metallischen Strukturen
verbliebene Maskierungsschicht von der Goldschicht abgetrennt
Dieses Verfahren weist mehrere einzelne Schritte auf: Aufdampfen der Titanschicht, Aufdampfen der Gold- mi
Schicht, Aufbringen der Maskiemngsschicht, Abätzen der Goldschicht, Abätzen der Titanschicht, Abtrennen
der restlichen Maskierungsschicht.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu schaffen, welches mit *'■
weniger und einfacheren Schritten die Herstellung von feinen strukturierten metallischen Strukturen auf einem
keramischen Grundkörper ermöglicht. Weiterhin sollen die metallischen Schichten auch hartlötfähig sein.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 angegebenen
Merkmale gelöst
Durch die Erfindung wird es ermöglicht, auf einfache
Art eine strukturierte metallische Schicht auf einem keramischen Grundkörper zu schaffen. Hierzu sind nur
sehr wenige Verfahrensschritte erforderlich, da bestimmte Teile der Maskierungsschicht und der Tietallischen
Schicht gleichzeitig abgelöst werden. Außerdem sind die metallischen Schichten hartlötbar.
Weitere Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines
Ausführungsbeispiels und den mit zu dessen Erläuterung dienenden F i g. 1 bis 4. Es zeigt
F i g. 1 einen Schnitt durch einen Grundkörper mit einer auf diesem vorgesehenen metallischen Schicht;
F i g. 2 den mit einer Maskierungsschicht versehenen Gegenstand der F i g. 1;
Fig.3 den Gegenstand der Fig.2 nach dem
Entfernen von Teilen der Maskierungsschicht und der metallischen Schicht;
Fig.4 den Grundkörper mit den gewünschten
metallischen Schichten.
In den Figuren werden sich entsprechende Teile mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Auf einen Gruno>örper 1, der aus Aluminiumoxid
besteht, wird eine mit Tylose als Bindemittel versehene
Molybdän-Mangan-Silikatsuspension aufgebracht Nach der Trocknung der Suspension bleibt eine
metallische Schicht 2 auf dem Grundkörper 1 zurück. Dabei bewirkt das Bindemittel eine gute Haftung dieser
Schicht 2 auf dem Grundkörper 1 (F i g. I).
Auf die metallische Schicht 2 wird eine, wie in der F i g. 2 dargestellt ist, als Maskierungsschicht wirkende
fotoempfindliche Schicht 3 aufgetragen. Nach dem Belichten der fotoempfindlichen Schicht werden durch
die Verwendung eines geeigneten Lösungsmittels gleichzeitig die fotoempfindliche Schicht 3 entwickelt
und die dadurch an die Oberfläche tretenden Teile der metallischen Schicht 2 abgelöst. Das verwendete
Lösungsmittel muß dabei das Bindemittel der metallischen Schicht 2 leicht lösen, darf jedoch nicht die
unbelichteten Teile der fotoempfindlichen Schicht 2 angreifen. Als Lösungsmittel hat sich eine 2%ige
wässerige Natronlauge besonders bewährt. Mit diesem Lösungsmittel können die freiliegenden Teile der
metallischen Schicht 2 leicht durch Abspritzen entfernt werden, so daß die ruit Gräben 4 versehene Struktur der
F i g. 3 entsteht. Es hat sich auch gezeigt, daß Wasser als Lösungsmittel für das Entfernen der metallischen
Schicht 2 geeignet ist
Mit Hilfe von Aceton werden schließlich die verbliebenen Teile der fotoempfindlichen Schicht 3
abgelöst, so daß die in der Fig.4 dargestellte Anordnung mit den gewünschten metallischen Schichten
2 auf dem Grundkörper 1 zurückbleibt. Diese metallischen Schichten 2 aus Molybdän-Mangan-Silikat
werden schließlich auf bekannte Weise in den Grundkörper 1 eingebrannt.
Das in der Erfindung angegebene Verfahren eignet sich besonders für die Herstellung feiner und genauer
hartlötfähiger Metallschichten auf einem keramischen Grundkörper. Derartige Grundkörper können beispielsweise
Verwendung bei Leiterplatten, bei HaIbleitergehäuser·
oder bei der Flip-chip-Montage finden.
Claims (5)
1. Verfahren zur Herstellung von mindestens einer strukturierten metallischen Schicht auf einem
keramischen Grundkörper, bei dem zunächst auf den Grundkörper eine mit einem Bindemittel versehene
Metall-Silikat-Suspension aufgebracht wird, aus der nach einer Temperaturbehandlung die metallische
Schicht entsteht, bei dem sodann auf die metallische Schicht eine als Maskierungsschicht wirkende
fotoempfindliche Schicht aufgetragen, entsprechend der gewünschten Struktur belichtet und abschließend
entwickelt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß für die gewünschte Struktur der metallischen Schicht nicht erforderlichen Bereiche is
der Maskierungsschicht und die diesen Bereichen entsprechenden darunterliegenden Bereiche der
metallischen Schicht gleichzeitig durch ein Lösungsmittel entfernt werden und daß schließlich die auf
der damit strukturierten metallischen Schicht verbliebene
Maükierungsschicht entfernt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß als Suspension eine Silikatsuspension der Elemente Molybdän und/oder Mangan verwendet
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Bindemittel in Wasser
gelöste Tylose verwendet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Lösungsmittel eine
2%ige wäßrige Natronlauge verwendet wird.
5. Verfahrer, nach den Ansprüchen I bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die verbliebene Maskierungsschicht mit Aceton abgtiöst wiui.
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Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2102421A DE2102421C3 (de) | 1971-01-19 | 1971-01-19 | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten metallischen Schicht auf einem keramischen Grundkörper |
CH1291471A CH576003A5 (de) | 1971-01-19 | 1971-09-03 | |
AT852171A AT317337B (de) | 1971-01-19 | 1971-10-01 | Verfahren zur Herstellung von mindestens einer strukturierten metallischen Schicht auf einem Grundkörper |
GB5150371A GB1327670A (en) | 1971-01-19 | 1971-11-05 | Production of metallising layers on substrate bodies |
US00213427A US3829316A (en) | 1971-01-19 | 1971-12-29 | Method for the preparation of metallic layers on a substrate |
IT19320/72A IT946536B (it) | 1971-01-19 | 1972-01-13 | Procedimento per formare strati metallici su un substrato |
FR7201383A FR2122450B1 (de) | 1971-01-19 | 1972-01-17 | |
CA132,663A CA985606A (en) | 1971-01-19 | 1972-01-18 | Process for the production of a metallic layer having a predetermined structure on a substrate body |
JP754272A JPS5535468B1 (de) | 1971-01-19 | 1972-01-19 | |
NL7200742A NL7200742A (de) | 1971-01-19 | 1972-01-19 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2102421A DE2102421C3 (de) | 1971-01-19 | 1971-01-19 | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten metallischen Schicht auf einem keramischen Grundkörper |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2102421A1 DE2102421A1 (de) | 1973-06-14 |
DE2102421B2 true DE2102421B2 (de) | 1979-01-11 |
DE2102421C3 DE2102421C3 (de) | 1979-09-06 |
Family
ID=5796328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2102421A Expired DE2102421C3 (de) | 1971-01-19 | 1971-01-19 | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten metallischen Schicht auf einem keramischen Grundkörper |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3829316A (de) |
JP (1) | JPS5535468B1 (de) |
AT (1) | AT317337B (de) |
CA (1) | CA985606A (de) |
CH (1) | CH576003A5 (de) |
DE (1) | DE2102421C3 (de) |
FR (1) | FR2122450B1 (de) |
GB (1) | GB1327670A (de) |
IT (1) | IT946536B (de) |
NL (1) | NL7200742A (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5293963A (en) * | 1976-02-03 | 1977-08-08 | Nippon Electric Co | Method of producing thick film wiring circuit substrate |
US4376815A (en) * | 1979-10-22 | 1983-03-15 | Oddi Michael J | Method of applying photoresist by screening in the formation of printed circuits |
US4352714A (en) * | 1980-09-29 | 1982-10-05 | Union Carbide Corporation | Method for making a metal-to-ceramic insulator seal for electrochemical cells |
DE3235675A1 (de) * | 1982-09-27 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von halbleiterchip-filmtraegern |
DE3235702C2 (de) * | 1982-09-27 | 1985-01-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Herstellung von Filmträgern für Halbleiterchips |
JPH074995B2 (ja) * | 1986-05-20 | 1995-01-25 | 株式会社東芝 | Icカ−ド及びその製造方法 |
DE3907004A1 (de) * | 1989-03-04 | 1990-09-06 | Contraves Ag | Verfahren zum herstellen von duennschichtschaltungen |
US5345529A (en) * | 1993-07-06 | 1994-09-06 | At&T Bell Laboratories | Method for assembly of an optical fiber connective device |
US5416872A (en) * | 1993-07-06 | 1995-05-16 | At&T Corp. | Arrangement for interconnecting an optical fiber an optoelectronic component |
JPH0714597U (ja) * | 1993-08-17 | 1995-03-10 | ワデン工業株式会社 | 発熱体 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1121668A (en) * | 1965-12-07 | 1968-07-31 | Hermsdorf Keramik Veb | Method for the production of etch-resist masks on substrates |
-
1971
- 1971-01-19 DE DE2102421A patent/DE2102421C3/de not_active Expired
- 1971-09-03 CH CH1291471A patent/CH576003A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1971-10-01 AT AT852171A patent/AT317337B/de not_active IP Right Cessation
- 1971-11-05 GB GB5150371A patent/GB1327670A/en not_active Expired
- 1971-12-29 US US00213427A patent/US3829316A/en not_active Expired - Lifetime
-
1972
- 1972-01-13 IT IT19320/72A patent/IT946536B/it active
- 1972-01-17 FR FR7201383A patent/FR2122450B1/fr not_active Expired
- 1972-01-18 CA CA132,663A patent/CA985606A/en not_active Expired
- 1972-01-19 JP JP754272A patent/JPS5535468B1/ja active Pending
- 1972-01-19 NL NL7200742A patent/NL7200742A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA985606A (en) | 1976-03-16 |
CH576003A5 (de) | 1976-05-31 |
AT317337B (de) | 1974-08-26 |
FR2122450A1 (de) | 1972-09-01 |
US3829316A (en) | 1974-08-13 |
IT946536B (it) | 1973-05-21 |
JPS5535468B1 (de) | 1980-09-13 |
FR2122450B1 (de) | 1975-06-13 |
DE2102421A1 (de) | 1973-06-14 |
NL7200742A (de) | 1972-07-21 |
DE2102421C3 (de) | 1979-09-06 |
GB1327670A (en) | 1973-08-22 |
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