DE2010701C3 - Verfahren zum Herstellen von elektrischen Bauteilen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von elektrischen BauteilenInfo
- Publication number
- DE2010701C3 DE2010701C3 DE19702010701 DE2010701A DE2010701C3 DE 2010701 C3 DE2010701 C3 DE 2010701C3 DE 19702010701 DE19702010701 DE 19702010701 DE 2010701 A DE2010701 A DE 2010701A DE 2010701 C3 DE2010701 C3 DE 2010701C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- noble metal
- metal
- etch
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 5
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 28
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 11
- 230000000873 masking Effects 0.000 claims description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 230000002522 swelling Effects 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N HCl Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 231100000078 corrosive Toxicity 0.000 description 1
- 231100001010 corrosive Toxicity 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N iso-propanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 150000003738 xylenes Chemical class 0.000 description 1
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von elektrischen Bauteilen mit einem mit Metallschichten
versehenen Substrat, bei dem eine aus einem weniger edlen Metall bestehende auf dem Substrat
aufgebrachte Schicht, die in einer Kontaktfläche von einer aus einem edlcen Metall bestehenden Schicht
bedeckt ist, unter Verwendung einer ätzbeständigen
Schicht geätzt wird.
Ein solches Verfahren ist aus der US-PS 33 88 048 bekannt.
Außer zum Herstellen von Halbleiterbauelementen kann ein solches Verfahren z. B. auch zum Herstellen
einer Verdrahtung auf einer isolierten Unterlage, z. B. einer gedruckten Schaltung oder einer Unterlage mit
Stromleitern zum Anbringen eines Halbleiterbauelements oder eines Dünnfilm-Schaltungseiements dienen.
ίο Um gute Kontakte, z. B. für Halbleiterbauelemente,
herzustellen, ist es oft nicht möglich, mit nur einer Metallschicht auszukommen, da die einem guten
Kontakt zu stellenden Bedingungen nicht von einem einzigen Metall erfüllt werden können. Bei dem hier
beschriebenen Verfahren kann z. B. die Schicht des weniger edlen Metalles für eine gute Haftung auf dem
Substrat und für einen niedrigen Kontaktwiderstand mit dem Substrat und die Schicht des edleren Metalles für
eine gute Stromleitung und für die Verbindung mit A nschlußJeiiern sorgen.
Bei dem bekannten Verfahren wird bei der Ätzbehandlung als ätzbeständige Schicht eine Photolackschicht
verwendet und das gewünschte Muster von Öffnungen durch Belichtung durch eine Photomaske
und durch Entwicklung der Photolackschicht in dieser Schicht angebracht.
Beim Ätzen der Schicht des edleren Metalles tritt
Unterätzung dieser Schicht unter der Photolackschicht auf. Unterälzung ist eine an sich bekannte Erscheinung,
die beim Bestimmen der Abmessungen der Öffnungen in der Maske und bei der Wahl der Dauer der Ätzung
berücksichtigt werden kann.
Beim Ätzen der Schicht des weniger edlen Metalles, entweder in einem die beulen Metallschichten gleichzeitig
ätzenden Ätzbad oder in einem für die Schicht des weniger edlen Metalles spezifischen Ätzbad tritt
ebenfalls Unterrtzung auf.
Es hat sich nun gezeigt, daß die Unterätzung der Schicht des weniger edlen Metalles sich besonders
schnell und somit schwer kontrollierbar vollzieht, wodurch das Verfahren, insbesondere wenn es zum
Ätzen eines feinen Leitungs- und Kontaktmusters auf einem Halbleiterkörper verwendet wird, sich weniger
gut oder gar nicht eignet Mutmaßlich ist die schnelle Atzung der Schicht des weniger edlen Metalles auf die
Tatsache zurückzuführen, daß diese Schicht im Ätzbad örtlich ein galvanisches Element mit der Schicht des
edleren Metalles bildet, wodurch die Schicht des weniger edlen Metalles sich als Anode schnell löst.
Die schnelle Ätzung der Schicht des weniger edlen Metalles könnte z. B. dadurch verhütet werden, daß
zunächst auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers die Schicht des weniger edlen Metalles angebracht und
diese durch eine Photoätzbehandlung mit dem erwünschten Muster versehen wird. Darauf kann auf der
von der Photolackschicht befreiten Schicht des weniger edlen Metalles die Schicht edleren Metalles angebracht
werden, die auch durch eine Photoätzbehandlung mit dem erwünschten Muster versehen werden kann, wobei
do die Schicht edleren Metalles olt mit einer für diese
Schicht spezifischen Ätzflüssigkeit geätzt werden muß. Dieses Verfahren ist jedoch kompliziert, da zweimal
eine Maske ausgerichtet werden muß. Außerdem bringt eine zweite Ausrichtstufe eine Ungenauigkeit mit sich,
fi5 die das Herstellen eines feinen Leitungs- und Kontaktmusters
erschwert.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die vorstehend beschriebene schnelle Lösung der Schicht
des weniger edlen Metalles im Ätzbad zu verhüten. Sie geht von der Erkenntnis aus, daß eine wesentliche
Verbesserung erzielt wird, wenn verhütet wird, daß die
Schicht de» weniger edlen Metalles und die Schicht edleren Metalles im Ätzbad ein galvanisches Element
bilden können.
in Anwendung dieser Erkenntnis wird die genannte Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die
ganze Schicht aus edlerem Metali und der über die
Kontaktfläche überstehende Teil der Schicht aus ι ο
wewger edlem Metall wenigstens über ein<_n Streifen
längs des Randes der Kontaktfläche mit der ätzbeständigen Schicht bedeckt werden, bevor die Schicht aus
weniger edlem Metall geätzt wird.
Es sei bemerkt daß mit einer Schicht, einer Fläche, einem Streifen oder einem Rand auch unterbrochene
Teile gemeint sein können.
Der Vorteil des Verfahrens nach der Erfindung besteht darin, daß infolge der vollständigen Bedeckung
der Schicht edieren Metalles mit der äizbeständigen
Sch'cht die Schicht des weniger edlen Metalles und die
Schicht edleren Metalles kein Element mehr bilden können, wodurch die Ätzung der Schicht des weniger
edlen Metalles besser einstellbar ist.
Gemäß einer Weiterbildung des Verfahrens nach der Erfindung wird die Schicht des edleren Metalles geätzt
und darauf die ätzbeständige Schicht derart erweicht, daß sie ausweicht und den Rand der Schicht aus edlerem
Metall und den an diesem Rand anliegenden Streifen der Schicht des weniger edlen Metalles bedeckt. Dies
ergibt den wesentlichen Vorteil, daß es nicht notwendig ist. zweimal eine Photomaske auszurichten. Ein weiterer
Vorteil dieser Weiterbildung ist, daß die Schicht des weniger edlen Metalles und die des edleren Metalles
unmittelbar nacheinander in einem ein/igen Arbeitsgang angebracht werden können, wodurch verhütet
werden kann, daß die oft oxidationsenipfindliche Schicht des weniger edlen Metalles oxidiert wird.
Beim Verfahren nach der Erfindung wird die Tatsache ausgenutzt, daß beim Ätzen der Schicht edleren
Metalles durch Unterätzung dieser Schicht unter der ätzbeständigen Schicht Teile der ätzbeständigen Schicht
über die Schicht edleren Metalles hinragen. Beim Erweichen bedeckt die ätzbeständige Schicht auch die
Flanken der Schicht des edleren Metalles. Beim darauffolgenden Ätzen der Schicht des weniger edlen
Metalles tritt Unterätzung dieser Metallschicht unter der ausgedehnten ätzbeständigen Schicht auf. Es muß
deshalb dafiir gesorgt werden, daß diese Unterätzung
sich nicht so weit fortsetzt, daß die Ätzflüssigkeit auch gleichzeitig mit der Schicht edleren Metalles in
Berührung kommt, wodurch wiede·· ein galvanisches Element gebildet werden würde, wie dies oben
beschrieben ist. Die Erweichung der atzbeständigen Schicht kann auf verschiedene Weise, z.B. durch ss
Erhitzung erfolgen.
Vorzugsweise wird die ätzbeständige Schicht durch Behandlung mit einem an sich bekannten Lösungs- oder
Quellmittel für die ätzbeständige Schicht erweicht. Für das Material der ätzbeständigen Schicht hat man, z. B.
aus organischen Verbindungen, eine große Auswahl. Vorzugsweise wird als ätzbeständige Schicht eine
Photolackschicht verwendet.
Übliche Lösungs- oder Quellmittel für positive Photolacke, d. h. Lacke, die durch Belichtung in einem <>?
entsprechenden Lösungsmittel besser löslich werden und die als Bindemittel z. B. Phenolformaldehydharze
enthalten, sind z. B. Ketone wie Aceton und Methylethylketon und Alkohole wie lsopropanol.
Übliche Lösungs- oder Quellmittel für negative Photolacke, d. h. Lacke, die durch Belichtung in einem
entsprechenden Lösungsmittel weniger löslich werd.en und z. B. Kohlenwasserstoffverbindungen enthalten,
sind z. B. die Xylene.
Vorzugsweise wird das Lösungs- oder Quellmittel in Dampiform verwendet. Es ist dabei insbesondere
möglich, die Erweichung insbesondere bei Verwendung von Lösungsmitteln gut zu beeinflussen.
Vorzugsweise wird nach dem Ätzen der Schicht des edleren Metalles auf der Oberfläche des Substrats eine
Maskierungsschicht niedergeschlagen, worauf die ätzbeständige Schicht erweicht und darauf die Maskierungsschichl
entfernt wird. Das Niederschlagen erfolgt z. B. durch Aufdampfen.
Diese Ausführung hat den manchmal erwünschten Vorteil, daß die erweichte, ätzbeständige Schicht nur
einen begrenzten Teil der außerhalb der Koniaktfläche
liegenden Oberfläche der Schicht des weniger edlen Metalles bedeckt. Diese Oberfläche ist dann nämlich
zum größten Teil mit der Maskierungsschicht bedeckt, die nach dem Erweichen der ätzbeständigen Schicht
wieder entfernt wird. Diese Maskierungsschicht befindet sich selbstverständlich nicht unter den über die
Schicht des edieren Metalles hinausragenden Teilen der ätzbeständigen Schicht. Wenn als ätzbeständige Schicht
eine positive Photolackschicht verwendet wird, kann die Maskierungsschicht an der Stelle, wo sie die Schicht des
edleren Metalles bedeckt, als Photomaske dienen, wodurch nach dem Erweichen der Photolackschicht,
nach Belichtung und nach Lösung des belichteten Teiles der ausgedehnten Photolackschicht in einem entsprechenden
Lösungsmittel die Oberfläche der Schicht des weniger edlen Metalles für die Ätzflüssigkeil gut
zugänglich ist.
Vorzugsweise wird als Substrat ein Halbleiterkörper verwendet und der Halbleiterkörper mit einer Oxidschicht
versehen, in der Fenster vorgesehen werden, worauf auf der Oberfläche der Oxidschicht und des in
den Fenstern freigelegten Halbleiterkörpers nacheinander
eine Chromschicht und eine Silberschicht niedergeschlagen werden, auf die eine positive, Öffnungen
enthaltende Photolackschicht angebracht wird, die nach dem Ätzen der Silberschicht mit Aceton in Dampfform
erweicht wird.
Auf diese Weise kann ein Halbleiterbauelement mit einem sehr feinen Kontakt- und Leitungsmuster
hergestellt werden, das sich zur Verwendung bei Frequenzen im GHz-Gebiet eignet.
Das Verfahren nach der Erfindung wird an Hand der Zeichnung an zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Es zeigen
F i g. 1 bis 5 schematische Schnitte durch ein Halbleiterbauelement, das durch eine Au· führung des
Verfahrens nach der Erfindung hergestellt wird in aufeinanderfolgenden Stufen der Herstellung.
Fig.6 bis 8 schematische Schnitte durch ein Halbleiterbauelement, das durch eine andere Ausführung
des Verfahrens nach der Erfindung hergestellt wird in aufeinanderfolgenden Stufen der Herstellung.
Deutlichkeitshalber sind insbesondere die Abmessungen in der Dickenrichtung der Halbleiterbauelemente in
den Figuren stark vergrößert angegeben.
Zur Herstellung eines Planartransistors zur Anwendung bei 4GHz wird von einem Substrat 1 aus
IO
Germanium (s. Fig. 1) ausgegangen, das einen Durchmesser
von 2 cm, eine Dicke von 200 μηι aufweist und
durch Dotierung N-Leitung und einen spezifischen Widerstand von 0,1 bis 0,23 Ohm · cm aufweist. Auf
übliche Weise werden mittels Gallium und dann Arsen eine Basiszone 2 bzw. eine Emitterzone 3 in das Substrat
1 eindiffundiert. Der übrige Teil des Substrats 1 ist als Kollektorzone 4 wirksam.
Auf übliche Weise wird das Substrat 1 mit einer Siliziumoxidschicht 5 mit öffnungen 6 und 7 zur
Kontaktherstellung an der Emitter- bzw. der Basiszone versehen. Einfachheitshalber wird die Kontaktherstcllung
an der Kollektorzone hier nicht beschrieben; diese läßt sich auf bekannte Weise durchführen.
Auf der Oxidschicht 5 und auf den Emitter- und Basiszonen in den Öffnungen 6 und 7 wird in üblicher
Weise eine Schicht 8 eines weniger edlen Metalles aus Chrom und auf dieser Schicht 8 eine Schicht 9 eines
edleren Metalles aus Silber durch Aufdampfen angebracht. Die Schichten 8 und 9 werden unmittelbar
nacheinander angebracht, ohne daß das Vakuum in der Aufdampfungsapparatur unterbrochen wird. Das Ver
fahren nach der Erfindung ermöglicht es. die Schichten 8 und 9 unmittelbar nacheinander anzubringen, so daß
eine Oxidation der Chromschicht vermieden wird. Die Chromschicht 8 hat einen Flächenwiderstand von
700 0hm und die Silberschicht 9 einen Flächenwiderstand von 0,14 bis 0,11 Ohm. Beide Werte werden in
üblicher Weise in der Aufdampfungsapparatur wahrend des Aufdampfens gemessen, indem diese Schichten auf
eine Glasprüfplatte aufgedampft und der Flächenwiderstand bestimmt wird. Die Dicke der Chromschicht 8
liegt in der Größenordnung von 0,1 u,m oder weniger.
Die Silberschicht 9 wird darauf mit einer ätzbeständigen Schicht 10 aus einem positiven Photolack versehen.
Die Schicht 10 wird während bestimmter Zeit bei verhältnismäßig niedriger Temperatur, d.h. WC,
gebacken. Auf dieser Photolackschicht 10 wird eine nicht in der Zeichnung dargestellte Photomaske mit
dem erwünschten Muster von Stromleitern und Kontakten angebracht, dann belichtet und darauf wird
der belichtete Teil der Photolackschicht 10 in einem dem Photolack angemessenen Lösungsmittel gelöst,
u/oHnrrh die Photolackschicht 10 unterbrochen wird
(siehe F i g. 2).
Darauf wird die Silberschicht 9 in üblicher Weise geätzt, indem das Substrat während 10 bis 15 Sekunden
in ein Bad getaucht wird, das aus 25 Volumenprozent 65%iger HNOj, 50 Volumenprozent 98%iger Essigsäure
und 25 Volumenprozent H2O bei 15CC besteht. Durch
die Ätzung wird die Silberschicht 9 unterbrochen.
Die Photolackschicht 10 wird darauf erweicht, indem sie in einem Raum einem Luftstrom ausgesetzt wird, der
durch eine Waschflasche mit Aceton bei Zimmertemperatur
geführt ist.
Durch diese Behandlung nimmt die Photolackschicht ffO die schemalisch in Fig.3 dargestellte Form an.
Darauf wird während bestimmter Zeit bei 1400C erwärmt, um das Aceton aus der Photolackschicht
verdampfen zu lassen.
Nach dem Ätzen der Silberschicht 9 können auf der
20 Chromschicht 8 noch Silberflecken vorhanden sein. Diese lösen sich sehr schnell in einem Bad mit 15 g
Fe(NOj)1 pro 100 ml H2O bei 200C.
Darauf wird die Chromschicht 8 in einem Bad geätzt, das 80 Volumenprozent etwa 40%iger HCI und 20
Volumenprozent H2O bei 30"C enthält.
Es ist nicht gut möglich, eine genaue Ätzdaucr anzugeben. Es verstreicht eine gewisse Zeit, bevor die
Lösung der Chromschicht 8 anfängt; dieser Beginn wird durch eine Gasentwicklung markiert.
Die Ätzung wird fortgesetzt bis zu dem Augenblick, in dem die Gasentwicklung aufhört. Dann hat man die
Beschaffenheit nach Fig.4 erzielt. Anschließend wird
die Phololackschicht 10 entfernt (siehe F i g. 5) und nach dem Sintern der Metallschichten 8 und 9 mit dem
Substrat 1 bei hoher Temperatur wird der Transistor in üblicher Weise mit Anschlußleitern und ggf. mit einer
Hülle versehen.
Beispiel Il
Zur Herstellung eines anderen Planartransistors ist der Vorgang ärmlich dem nach Beispiel 1 bis
einschließlich zum Ätzen der Silberschicht 69. Darauf wird auf der Chromschicht 68 mittels der Photolackschicht
70 als Maske in üblicher Weise eine Maskierungsschicht 71 aus Aluminium durch Aufdampfen
angebracht (siehe Fig. 6). Diese Maskierungsschicht 71
befindet sich nicht unterhalb von den über die Silberschicht 69 hinausragenden Teilen der Photolackschicht
70.
Fig. 6 zeigt ein Substrat 61, eine Basiszone 62, eine
Emitterzone 63, eine Kollektorzone 64, eine Siliziumoxidschicht 65, eine Emitierkontaktöffnung 66 und
Basiskontaklöffnungen 67 in dieser SiO2-Schicht 65.
Auf gleiche Weise wie im Beispiel I wird die Photolackschicht 70 mit Acetondampf erweicht, so daß
der in Fig. 7 dargestellte Zustand entsteht. Bei der darauffolgenden Belichtung dient die Maskierungsschicht 71 an der Stelle, wo sie die Silberschicht 69
bedeckt, als Photomaske, wodurch nach dem Lösen des belichteten Teiles der ausgedehnten Photolackschicht
70 in dem entsprechenden Lösungsmittel und nach dem Entfernen der Aluminiumschicht 71 die Oberfläche der
Chromschicht 68 für die Ätzfliissigkeit gut zugänglich ist (siehe Fig.8). Die Zugänglichkeit wird bei dieser
Ausführungsform des Verfahrens dadurch begünstigt, daß die Photolackschicht 70 steile Flanken aufweist.
Die Ätzung der Chromschicht 68 und die weiteren Bearbeitungen erfolgen in gleicher Weise wie im
Beispiel I.
Zur Ausführung des Verfahrens nach der Erfindung kann als Substrat ? B. ein anderes Halbleitermaterial
wie Silizium oder ein isolierendes Material gewähli werden. Die schnelle Ätzung ist auch bei änderet
Kombinationen von weniger edlen und edlerei Metallen als Cr und Ag festgesteit worden, z. B. bei der
Kombinationen Cr, Au und Ti, Au. Als ätzbeständig« Schichten können außer Photolackschichten' ζ. Β
Schichten aus bestimmten Wachsarten und thermopla stischen Materialien benutzt werden.
35
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Verfahren zum Herstellen von elektrischen Bauteilen mit einem mit Metallschichten versehenen
Substrat, bei dem eine aus einem weniger edlen Metall bestehende auf dem Substrat aufgebrachte
Schicht, die in einer Kontaktfläche von einer aus einem edleren Metall bestehenden Schicht bedeckt
ist, unter Verwendung einer ätzbeständigen Schicht geätzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß
die ganze Schicht (9) aus edleren! Metall und der über die Kontaktfläche überstehende Teil der
Schicht (8) aus weniger edlem Metall wenigstens über einen Streifen längs des Randes der Kontaktfläche
mit der ätzbeständigen Schicht (10) bedeckt werden, bevor die Schicht (8) aus weniger edlem
Metall geätzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (9) aus edlerem Metall
geätzt und darauf die ätzbesländige Schicht (10) derart erweicht wird, daß sie ausweicht und den
Rand der Schicht aus edlerem Metall und den an diesem Rand anliegenden Streifen der Schicht (8)
des weniger edlen Metalls bedeckt.
3. Verfahren nach Anspruch 2. dadurch gekennzeichnet,
daß die ätzbeständige Schicht (10) durch Behandlung mit einem l.ösungs- oder Quellmittel
erweicht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß das Lösungs- oder Quellmittel in Dampfform verwendet wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 2 bis 4. dadurch gekennzeichnet, daß
nach dein Ätzen der Schicht (9) des edleren Metalls auf der metallbeschichteten Seite des Substrats eine
Maskierungsschicht (71) niedergeschlagen wird, worauf die ätzbeständige Schicht (70) erweicht und
dann die Maskierungsschich! entfernt wird (Fig.6-8).
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d.idurch gekennzeichnet, daß als ätzbeständige
Schicht (70) eine Phctolackschicht verwendet wird.
7. Verfahren nach Ansprüchen 4 und 6 oder 4, 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Substrat ein
Halbleiterkörper (4) verwendet wird, der mit einer Oxidschicht (5) versehen wird, in der Fenster (6, 7)
angebracht werden, worauf auf der Oberfläche der Oxidschicht und den in den Fenstern aufgedeckten
Teilen des Halble-terkörpers (4) nacheinander eine Chromschicht (8) und eine Silberschicht (9) niedergeschlagen
werden, auf der eine positive, öffnungen enthaltende Photolackschicht (10) angebracht wird,
und daß nach dem Ätzen ds-r Silberschicht (9) die Photolackschicht (10) mit Aceton in Dampfform
erweicht wird.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL6903930A NL6903930A (de) | 1969-03-14 | 1969-03-14 | |
NL6903930 | 1969-03-14 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2010701A1 DE2010701A1 (de) | 1970-10-01 |
DE2010701B2 DE2010701B2 (de) | 1976-07-29 |
DE2010701C3 true DE2010701C3 (de) | 1977-03-10 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2448535C2 (de) | Verfahren zum Niederschlagen dünner leitfähiger Filme auf einem anorganischen Substrat | |
DE2319883C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Leitermustern auf einer Halbleiteranordnung | |
DE2460988C2 (de) | Verfahren zum Niederschlagen eines Musters aus einem dünnen Film auf einem anorganischen Substrat | |
DE69222097T2 (de) | Verfahren für das Drucken einer Abbildung auf einem Substrat, insbesondere geeignet für die Herstellung von gedruckten Schaltplatinen | |
DE3130122C2 (de) | ||
DE3940087A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines gemusterten gegenstands und danach hergestellter gegenstand | |
DE1296265B (de) | Verfahren zum Herstellen von Aluminiumkontakten auf einer Zwischenschicht aus einem Nichtaluminiummetall auf Halbleiterbauelementen | |
DE1809115A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von mehrere Schichten umfassenden Leitungsverbindungen fuer Halbleiteranordnungen | |
DE3024084A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen | |
EP0002669A1 (de) | Verfahren zum Entfernen von Material von einem Substrat durch selektive Trockemätzung und Anwendung dieses Verfahrens bei der Herstellung von Leitungsmustern | |
DE4203114C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Bandträgervorrichtung für Halbleitereinrichtungen | |
DE1764758A1 (de) | Verfahren zum Bilden von Anschlussleitungen an einen Koerper aus Halbleitermaterial | |
EP0308816A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Anschlusskontakten für Dünnfilm-Magnetköpfe | |
DE1589076B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen | |
DE2010701C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von elektrischen Bauteilen | |
DE1123723B (de) | Verfahren zum Herstellen gedruckter Schaltungen | |
DE2539193B2 (de) | Verfahren zur herstellung eines planaren leiterbahnsystems fuer integrierte halbleiterschaltungen | |
DE2613759C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen MetaUanschluBkontaktes für ein Halbleiterbauelement | |
DE1546014A1 (de) | Verfahren zum AEtzen von Metallschichten mit laengs der Schichtdicke unterschiedlicher Zusammensetzung | |
DE2010701B2 (de) | Verfahren zum herstellen von elektrischen bauteilen | |
DE2012110A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Mehrlagenmetallisierung an elektrischen Bauelementen | |
DE2645081C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Dünnfilmstruktur | |
DE2512860C2 (de) | Verfahren zum fotolithografischen Strukturieren von Widerstandsbahnen in Hybridschaltungen | |
DE1908901A1 (de) | Verfahren zur Herstellung besonders feiner Muster durch AEtzen,insbesondere zur Herstellung von Halbleiterbauelementen | |
DE2425379A1 (de) | Molybdaen-aetzmittel |