DE2052424C3 - Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen

Info

Publication number
DE2052424C3
DE2052424C3 DE2052424A DE2052424A DE2052424C3 DE 2052424 C3 DE2052424 C3 DE 2052424C3 DE 2052424 A DE2052424 A DE 2052424A DE 2052424 A DE2052424 A DE 2052424A DE 2052424 C3 DE2052424 C3 DE 2052424C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
anodic oxidation
porous
aluminum
line connections
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2052424A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2052424B2 (de
DE2052424A1 (de
Inventor
Hiroshi Shiba
Hideo Tsunemitsu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP8535869A external-priority patent/JPS5123854B1/ja
Priority claimed from JP8707269A external-priority patent/JPS5754942B1/ja
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Publication of DE2052424A1 publication Critical patent/DE2052424A1/de
Publication of DE2052424B2 publication Critical patent/DE2052424B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2052424C3 publication Critical patent/DE2052424C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P14/6324—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/022—Anodisation on selected surface areas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • H10P14/6314—
    • H10P14/665—
    • H10P14/69391—
    • H10P95/00—
    • H10W20/40—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
DE2052424A 1969-10-25 1970-10-26 Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen Expired DE2052424C3 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8535869A JPS5123854B1 (enExample) 1969-10-25 1969-10-25
JP8707269A JPS5754942B1 (enExample) 1969-10-30 1969-10-30

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2052424A1 DE2052424A1 (de) 1971-09-30
DE2052424B2 DE2052424B2 (de) 1979-03-22
DE2052424C3 true DE2052424C3 (de) 1979-11-15

Family

ID=26426376

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2052424A Expired DE2052424C3 (de) 1969-10-25 1970-10-26 Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen
DE2066108A Expired DE2066108C2 (de) 1969-10-25 1970-10-26 Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen auf einem Halbleitersubstrat mit einem p-n-Übergang

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2066108A Expired DE2066108C2 (de) 1969-10-25 1970-10-26 Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen auf einem Halbleitersubstrat mit einem p-n-Übergang

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3741880A (enExample)
DE (2) DE2052424C3 (enExample)
FR (1) FR2066471A5 (enExample)
GB (2) GB1342487A (enExample)
HK (2) HK28876A (enExample)
MY (2) MY7600037A (enExample)
NL (1) NL172388B (enExample)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3939047A (en) * 1971-11-15 1976-02-17 Nippon Electric Co., Ltd. Method for fabricating electrode structure for a semiconductor device having a shallow junction
US3827949A (en) * 1972-03-29 1974-08-06 Ibm Anodic oxide passivated planar aluminum metallurgy system and method of producing
JPS557019B2 (enExample) * 1972-05-10 1980-02-21
JPS4995592A (enExample) * 1973-01-12 1974-09-10
JPS4995591A (enExample) * 1973-01-12 1974-09-10
US3864217A (en) * 1974-01-21 1975-02-04 Nippon Electric Co Method of fabricating a semiconductor device
US3918148A (en) * 1974-04-15 1975-11-11 Ibm Integrated circuit chip carrier and method for forming the same
US3882000A (en) * 1974-05-09 1975-05-06 Bell Telephone Labor Inc Formation of composite oxides on III-V semiconductors
FR2285716A1 (fr) * 1974-09-18 1976-04-16 Radiotechnique Compelec Procede pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur comportant une configuration de conducteurs et dispositif fabrique par ce procede
US3971710A (en) * 1974-11-29 1976-07-27 Ibm Anodized articles and process of preparing same
US4056681A (en) * 1975-08-04 1977-11-01 International Telephone And Telegraph Corporation Self-aligning package for integrated circuits
US4045302A (en) * 1976-07-08 1977-08-30 Burroughs Corporation Multilevel metallization process
US4158613A (en) * 1978-12-04 1979-06-19 Burroughs Corporation Method of forming a metal interconnect structure for integrated circuits
US4161430A (en) * 1978-12-04 1979-07-17 Burroughs Corporation Method of forming integrated circuit metal interconnect structure employing molybdenum on aluminum
DE2902665A1 (de) * 1979-01-24 1980-08-07 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von integrierten mos-schaltungen in silizium-gate- technologie
FR2510307A1 (fr) * 1981-07-24 1983-01-28 Hitachi Ltd Dispositif a semi-conducteurs et procede de fabrication d'un tel dispositif
US4517616A (en) * 1982-04-12 1985-05-14 Memorex Corporation Thin film magnetic recording transducer having embedded pole piece design
US4391849A (en) * 1982-04-12 1983-07-05 Memorex Corporation Metal oxide patterns with planar surface
JPS60132353A (ja) * 1983-12-20 1985-07-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US4936957A (en) * 1988-03-28 1990-06-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Thin film oxide dielectric structure and method
US5141603A (en) * 1988-03-28 1992-08-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Capacitor method for improved oxide dielectric
US5098860A (en) * 1990-05-07 1992-03-24 The Boeing Company Method of fabricating high-density interconnect structures having tantalum/tantalum oxide layers
LT4425B (lt) 1995-04-28 1998-12-28 Monika Paszkowska Termodinaminis aspiracinis vožtuvas
JP4882229B2 (ja) * 2004-09-08 2012-02-22 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3337426A (en) 1964-06-04 1967-08-22 Gen Dynamics Corp Process for fabricating electrical circuits
DE1292759B (de) 1963-08-28 1969-04-17 Itt Ind Gmbh Deutsche Verfahren zum Herstellen einer Zuleitung zu einer diffundierten Halbleiterzone

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1292759B (de) 1963-08-28 1969-04-17 Itt Ind Gmbh Deutsche Verfahren zum Herstellen einer Zuleitung zu einer diffundierten Halbleiterzone
US3337426A (en) 1964-06-04 1967-08-22 Gen Dynamics Corp Process for fabricating electrical circuits

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
In Betracht gezogene ältere Anmeldung: DE-OS 19 30 669

Also Published As

Publication number Publication date
DE2052424B2 (de) 1979-03-22
DE2052424A1 (de) 1971-09-30
MY7600037A (en) 1976-12-31
HK28876A (en) 1976-05-28
MY7600038A (en) 1976-12-31
NL172388B (nl) 1983-03-16
HK28976A (en) 1976-05-28
FR2066471A5 (enExample) 1971-08-06
GB1342487A (en) 1974-01-03
GB1342486A (en) 1974-01-03
US3741880A (en) 1973-06-26
DE2066108C2 (de) 1985-04-04
NL7015610A (enExample) 1971-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2052424C3 (de) Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen
DE2424338C2 (de) Verfahren zum Aufbringen von Mustern dünner Filme auf einem Substrat
DE2000227C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines korrosionsbeständigen Aluminiumgegenstands und dessen Verwendung
DE2945533C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Verdrahtungssystems
DE1930669C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung
DE2017613C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Koaxial-Schal tungsanordnungen
DE2545046C2 (de) Verfahren zur Bildung eloxierter, ein poröses Metalloxid enthaltender Gegenstand
DE2036139A1 (de) Dunnfümmetallisierungsverfahren fur Mikroschaltungen
DE2554691C2 (de) Verfahren zum Herstellen elektrischer Leiter auf einem isolierenden Substrat und danach hergestellte Dünnschichtschaltung
DE2401333A1 (de) Verfahren zur herstellung von isolierfilmen auf verbindungsschichten
DE2313106C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines mindestens einlagigen elektrischen Verbindungssystems
DE2110543A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Duennfilmtransistoren
DE2358495A1 (de) Verfahren zur herstellung von substraten mit verbundenen leiterschichten
DE2620998A1 (de) Verfahren zur herstellung von traegern fuer die verarbeitung von ic-chips
DE10053736B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Anode für einen elektrolytischen Hochspannungs-Kondensator
DE2252832C2 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1496837A1 (de) Eloxierverfahren
DE2251829A1 (de) Verfahren zur herstellung metallisierter platten
DE2360259A1 (de) Gedruckte flachspule
DE3631804A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von mikrofiltern, sowie hiernach hergestelltes mikrofilter
DE2243682C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines leitenden Elektrodenmusters
DE3225083A1 (de) Verfahren zur anodischen behandlung einer verzinnten metalloberflaeche
DE2015615A1 (de) Auf elektromagnetische Strahlung empfindliches Element
DE2036101A1 (de) Verfahren zum Niederschlagen einer haltenden Bieiaioxidschicht auf eine "Unterla ge
DE1496953B2 (de) Verfahren zur selektiven anodischen oxydation vorgegebener bereiche eines nicht aus aluminium bestehenden metallfilms, bei der herstellung elektrischer bauteile, insbesondere von mikroschaltungen

Legal Events

Date Code Title Description
OI Miscellaneous see part 1
OI Miscellaneous see part 1
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
AH Division in

Ref country code: DE

Ref document number: 2066108

Format of ref document f/p: P