NL172388B - Werkwijze voor het vormen van elektrisch geleidende banen op het oppervlak van een drager. - Google Patents

Werkwijze voor het vormen van elektrisch geleidende banen op het oppervlak van een drager.

Info

Publication number
NL172388B
NL172388B NLAANVRAGE7015610,A NL7015610A NL172388B NL 172388 B NL172388 B NL 172388B NL 7015610 A NL7015610 A NL 7015610A NL 172388 B NL172388 B NL 172388B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
carrier
electrically conductive
forming electrically
courses
conductive courses
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7015610,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7015610A (enExample
Original Assignee
Nippon Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP8535869A external-priority patent/JPS5123854B1/ja
Priority claimed from JP8707269A external-priority patent/JPS5754942B1/ja
Application filed by Nippon Electric Co filed Critical Nippon Electric Co
Publication of NL7015610A publication Critical patent/NL7015610A/xx
Publication of NL172388B publication Critical patent/NL172388B/xx

Links

Classifications

    • H10P14/6324—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/022—Anodisation on selected surface areas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • H10P14/6314—
    • H10P14/665—
    • H10P14/69391—
    • H10P95/00—
    • H10W20/40—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
NLAANVRAGE7015610,A 1969-10-25 1970-10-24 Werkwijze voor het vormen van elektrisch geleidende banen op het oppervlak van een drager. NL172388B (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8535869A JPS5123854B1 (enExample) 1969-10-25 1969-10-25
JP8707269A JPS5754942B1 (enExample) 1969-10-30 1969-10-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7015610A NL7015610A (enExample) 1971-04-27
NL172388B true NL172388B (nl) 1983-03-16

Family

ID=26426376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7015610,A NL172388B (nl) 1969-10-25 1970-10-24 Werkwijze voor het vormen van elektrisch geleidende banen op het oppervlak van een drager.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3741880A (enExample)
DE (2) DE2052424C3 (enExample)
FR (1) FR2066471A5 (enExample)
GB (2) GB1342487A (enExample)
HK (2) HK28876A (enExample)
MY (2) MY7600037A (enExample)
NL (1) NL172388B (enExample)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3939047A (en) * 1971-11-15 1976-02-17 Nippon Electric Co., Ltd. Method for fabricating electrode structure for a semiconductor device having a shallow junction
US3827949A (en) * 1972-03-29 1974-08-06 Ibm Anodic oxide passivated planar aluminum metallurgy system and method of producing
JPS557019B2 (enExample) * 1972-05-10 1980-02-21
JPS4995592A (enExample) * 1973-01-12 1974-09-10
JPS4995591A (enExample) * 1973-01-12 1974-09-10
US3864217A (en) * 1974-01-21 1975-02-04 Nippon Electric Co Method of fabricating a semiconductor device
US3918148A (en) * 1974-04-15 1975-11-11 Ibm Integrated circuit chip carrier and method for forming the same
US3882000A (en) * 1974-05-09 1975-05-06 Bell Telephone Labor Inc Formation of composite oxides on III-V semiconductors
FR2285716A1 (fr) * 1974-09-18 1976-04-16 Radiotechnique Compelec Procede pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur comportant une configuration de conducteurs et dispositif fabrique par ce procede
US3971710A (en) * 1974-11-29 1976-07-27 Ibm Anodized articles and process of preparing same
US4056681A (en) * 1975-08-04 1977-11-01 International Telephone And Telegraph Corporation Self-aligning package for integrated circuits
US4045302A (en) * 1976-07-08 1977-08-30 Burroughs Corporation Multilevel metallization process
US4158613A (en) * 1978-12-04 1979-06-19 Burroughs Corporation Method of forming a metal interconnect structure for integrated circuits
US4161430A (en) * 1978-12-04 1979-07-17 Burroughs Corporation Method of forming integrated circuit metal interconnect structure employing molybdenum on aluminum
DE2902665A1 (de) * 1979-01-24 1980-08-07 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von integrierten mos-schaltungen in silizium-gate- technologie
FR2510307A1 (fr) * 1981-07-24 1983-01-28 Hitachi Ltd Dispositif a semi-conducteurs et procede de fabrication d'un tel dispositif
US4517616A (en) * 1982-04-12 1985-05-14 Memorex Corporation Thin film magnetic recording transducer having embedded pole piece design
US4391849A (en) * 1982-04-12 1983-07-05 Memorex Corporation Metal oxide patterns with planar surface
JPS60132353A (ja) * 1983-12-20 1985-07-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US4936957A (en) * 1988-03-28 1990-06-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Thin film oxide dielectric structure and method
US5141603A (en) * 1988-03-28 1992-08-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Capacitor method for improved oxide dielectric
US5098860A (en) * 1990-05-07 1992-03-24 The Boeing Company Method of fabricating high-density interconnect structures having tantalum/tantalum oxide layers
LT4425B (lt) 1995-04-28 1998-12-28 Monika Paszkowska Termodinaminis aspiracinis vožtuvas
JP4882229B2 (ja) * 2004-09-08 2012-02-22 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1048424A (en) * 1963-08-28 1966-11-16 Int Standard Electric Corp Improvements in or relating to semiconductor devices
US3337426A (en) 1964-06-04 1967-08-22 Gen Dynamics Corp Process for fabricating electrical circuits

Also Published As

Publication number Publication date
DE2052424B2 (de) 1979-03-22
DE2052424A1 (de) 1971-09-30
MY7600037A (en) 1976-12-31
HK28876A (en) 1976-05-28
MY7600038A (en) 1976-12-31
HK28976A (en) 1976-05-28
FR2066471A5 (enExample) 1971-08-06
GB1342487A (en) 1974-01-03
GB1342486A (en) 1974-01-03
US3741880A (en) 1973-06-26
DE2066108C2 (de) 1985-04-04
NL7015610A (enExample) 1971-04-27
DE2052424C3 (de) 1979-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL172388B (nl) Werkwijze voor het vormen van elektrisch geleidende banen op het oppervlak van een drager.
NL163370C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting met een geleiderpatroon.
NL167521C (nl) Werkwijze voor het vormen van een tegen licht stabiel hologram.
NL160512C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een van uitsteeksels voorziene plaat.
NL7614578A (nl) Werkwijze voor het modificeren van polyvinylideen- fluoride.
NL165054B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van met een tegen maag- sap resistente laklaag beklede capsules.
NL173907C (nl) Grondplaat met geleiderpatroon en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7414079A (nl) Inrichting voor het vormen van moffen.
NL7607333A (nl) Inrichting voor het begassen van vloeistoffen.
NL7602224A (nl) Schakeling voor het benutten van geofysische energie.
NL168954C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van reprodukties.
NL7608707A (nl) Inrichting voor het begassen van vloeistoffen.
NL169752C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van briketten.
NL176707C (nl) Elektrische ontsteker voor hulsloze patronen.
NL167445C (nl) Werkwijze voor het indampen van een polycarbonaat- oplossing.
NL7414474A (nl) Elektrisch verbindingsorgaan en werkwijzen en inrichting voor het vervaardigen van zulk een elektrisch verbindingsorgaan.
NL169937C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een gestabiliseerde supergeleider.
NL7509735A (nl) Werkwijze voor het polymeriseren van alkenen-1.
NL177330C (nl) Werkwijze voor het stroomloos bekleden van een voorwerp met koper.
NL162420C (nl) Werkwijze voor het bekleden van een geleidend substraat.
NL167671B (nl) Werkwijze voor het winnen van ethynvrij etheen.
NL7601987A (nl) Inrichting voor het vervaardigen van velvormige voorwerpen.
NL166897C (nl) Telinrichting voor elektrisch geleidende lichamen.
NL147183B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een contactvet.
NL7609497A (nl) Werkwijze voor het chloreren van koolwater- stoffen.

Legal Events

Date Code Title Description
TNT Modifications of names of proprietors of patents or applicants of examined patent applications

Owner name: NEC CORPORATION

V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent