DE2049696C3 - Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen - Google Patents
Halbleiterbauelement und Verfahren zum HerstellenInfo
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Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP45010376A JPS504310B1 (enExample) | 1970-02-07 | 1970-02-07 | |
| JP45017103A JPS505908B1 (enExample) | 1970-03-02 | 1970-03-02 | |
| JP45020826A JPS4940111B1 (enExample) | 1970-03-13 | 1970-03-13 | |
| JP45025627A JPS501871B1 (enExample) | 1970-03-28 | 1970-03-28 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2049696A1 DE2049696A1 (de) | 1971-08-26 |
| DE2049696B2 DE2049696B2 (de) | 1981-06-11 |
| DE2049696C3 true DE2049696C3 (de) | 1982-02-18 |
Family
ID=27455384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2049696A Expired DE2049696C3 (de) | 1970-02-07 | 1970-10-09 | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2049696C3 (enExample) |
| FR (1) | FR2080965B1 (enExample) |
| GB (1) | GB1288029A (enExample) |
| NL (1) | NL162512C (enExample) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3821038A (en) * | 1972-05-22 | 1974-06-28 | Ibm | Method for fabricating semiconductor structures with minimum crystallographic defects |
| FR2186734A1 (en) * | 1972-05-29 | 1974-01-11 | Radiotechnique Compelec | Microwave semiconductor component production - by simultaneous multiple diffusion from doped insulation films |
| US4697202A (en) * | 1984-02-02 | 1987-09-29 | Sri International | Integrated circuit having dislocation free substrate |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB953034A (en) * | 1961-07-13 | 1964-03-25 | Clevite Corp | Improvements in or relating to semiconductor devices |
| AT243318B (de) * | 1962-09-21 | 1965-11-10 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung hoher Dotierungsgrade in Halbleiterstoffen |
| US3249831A (en) * | 1963-01-04 | 1966-05-03 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor controlled rectifiers with a p-n junction having a shallow impurity concentration gradient |
-
1970
- 1970-10-09 NL NL7014842.A patent/NL162512C/xx not_active IP Right Cessation
- 1970-10-09 DE DE2049696A patent/DE2049696C3/de not_active Expired
- 1970-10-09 FR FR7036629A patent/FR2080965B1/fr not_active Expired
- 1970-10-09 GB GB4816370A patent/GB1288029A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL162512C (nl) | 1980-05-16 |
| NL162512B (nl) | 1979-12-17 |
| FR2080965A1 (enExample) | 1971-11-26 |
| GB1288029A (enExample) | 1972-09-06 |
| DE2049696B2 (de) | 1981-06-11 |
| DE2049696A1 (de) | 1971-08-26 |
| NL7014842A (enExample) | 1971-08-10 |
| FR2080965B1 (enExample) | 1976-05-28 |
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