DE2042584A1 - Verfahren zur Herstellung von Silicium carbid Einkristallen in Whisker Form - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Silicium carbid Einkristallen in Whisker FormInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/005—Growth of whiskers or needles
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
Description
Priorität: 29. August I969, Großbritannien, Nr. 43 136/69
29. August 1969, Großbritannien, Nr. 43 138/69
Siliciumcarbid-Einkristalle in Whisker-Porm eignen sich insbesondere
als Verstärkungsmaterial für Kunststoffe und Metalle und werden für diesen Zweck in immer stärkerem Maße eingesetzt,
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid-Einkristallen in Whisker-Porm, das dadurch gekennzeichnet
iat, daß man bei erhöhten Temperaturen und einem
Im gasförmigen Zustand
Druck von mindestens 100 Torr ein Halogeriyoder eine bei diesen
erhöhten Temperaturen gasförmige Halogenverbindung in einer Reaktionszone mit einer in fester Form vorliegenden Silioiumvtrbindung in Berührung bringt und die dabei erhaltenen gas-
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" 2 " 20A2584
förmigen Produkte in einer Kondensationszone mit einer'gasförmigen
Kohlenstoffverbindung zur Umsetzung bringt«
Wenn im Verfahren der Erfindung von einer-sauerstoffhaltigen
• Siliciumverbindung, wie Siliciumdioxid oder einem Silikat, aus- ;
:gegangen wird, muß fester Kohlenstoff zugegen sein, daraiir die
gewünschte Reaktion eintritt. Wenn eine andere Siliciumverbindung eingesetzt wird, wie Siliciumcarbid, -borid, -phosphid
• oder -nitrid, ist die Gegenwart von festem Kohlenstoff nicht
ausschlaggebend. .
Bei Verwendung eines freien Halogens als ReaktiOnskomponente
wird Chlor bevorzugt. Fluor kann ebenfalls eingesetzt werden, wegen seiner hohen Reaktionsfähigkeit gegenüber Kohlenstoff
und anderen in der Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens eingesetzten Materialien ist sein Einsatz jedoch aus praktischen Erwägungen weniger zweckmäßig. Im Verfahren
der Erfindung können die verschiedensten Halogenverbindungen eingesetzt werden·, welche bei den vorgenannten erhöhten
Temperaturen gasförmig sind. Beispiele für erfindungsgemäß geeignete
Halogenverbindungen sind somit Halogenwasserstoffe>
Siliciumhalogenide, Halogenkohlenstoffe und Halogenverbindungen, die sowohl Kohlenstoff als auch Silicium enthalten.· Bevorzugt
werden Fluorverbindungen,"insbesondere z.B. Fluorwasserstoff und Siliclumtetrafluorid. Beispiele für erfindungs^emäß bevorzugte ·
Chlorverbindungen sind Chlorwasserstoff und Siliciumtetrachlorid»
Das Halogen oder die Halogenverbindung wird im Verfahren der
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Erfindung gegebenenfalls mit einem gegenüber den Reaktionskomponenten
und Umsetzungsprodukten inerten Gas verdünnt, bei-
insj?ej3onjle_re
spielsweise mit einem Edelgas, /Argon, oder in -.einigen Fällen
mit Wasserstoff.
Die erhöhten Temperaturen, bei denen das Halogen oder die Halogenverbindung im Verfahren der Erfindung mit der Siliciumverbindung
in Berührung gebracht wird, können im Bereich von 1350 bis 19CO0G liegen und betragen vorzugsweise über 138O°C· Aus
Insbesondere ο α
praktischen Gründen wirdybei ifemperatt'ren von 1450 bis 1750 C, \
speziell 1450 bis 165O0C, gearbeitet. Der Gesamtdruck, der
oberhalb des " ~~/Ausgangsmaterials befindlichen
Gasphase kann zweckmäßig 1 Atm. betragen, es kann jedoch auch
ein oberhalb oder ein wenig unterhalb des Atmosphärendrucks liegender Druck angewendet werden. Es wurde festgestellt, daß
die Bildung von Siliciumcarbid-Einkristallen in Whisker-Form (nachstehend bezeichnet als "Siliciumcarbid-WLiskei") bei Anwen- dung
von Drücken unterhalb 100 Torr vernachlässigbar ist»· wenn
die gasförmigen Produkte anschließend mit einem kohlenstoff- g
haltigen Gas zur Umsetzung gebracht werden. Der Gesamtdruck
.a -u t, tv j- siliciumhaltigen , ··,,*■.·,.,
der oberhalb des ' / Ausgangsmaterials befindlichen .
Gasphase soll daher, wie erwähnt, mindestens 100 Torr betragen. Vorzugsweise beträgt dieser Druck mindestens 200 Torr. Bei Anwendung
eines statischen Systems würde zwar eine Y/Msker-Bildung
erfolgen, Jedoch mit sehr niedriger Geschwindigkeit· Im
Falle eines dynamischen Systems würden die Reaktionskomponenten wahrscheinlich für eine Reaktion zu rasch fortgerissen
werden.
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hypothese kann angenommen werden,
Gemäß einer zweckmäßigen Arbeiter^ "Vaaii das verfahren aer Erfindung
in zwei Zonen stattfindet. In der ersten Zone oder "Reaktionszone"
reagiert die feste Siliciumverbindung mrt dem Halogen oder der gasförmigen Halogenverbindung t während sich in
der zweiten Zone oder "Kondensationszone", welche sich im Falle eines dynamischen Systems stromabwärts zur Reak.tionsz.one
befindet, Siliciumcarbid-Whisker bilden.
Der gegebenenfalls vorhandene feste Kohlenstoff und die Siliciumverbindung
liegen vorzugsweise in grobkörniger Form vor· Bei Verwendung von festem Kohlenstoff wird zweckmäßig .ein Gemisch
aus grobkörnigem Kohlenstoff und der Siliciumverbindung verwendet.
Ein gründliches Vermischen der Komponenten eines solchen . Gemisches ist "jedoch nicht unbedingt erforderlich. Es genügt*
wsnn diese Komponenten miteinander in Berührung kommen, beispielsweise
durch Anwendung eines Kohlenstoff-Reaktors und Eingeben der Siliciumverbindung in die Reaktionszone eines solchen
Reaktors.
Durch die Gegenwart von Aluminiumoxid in der Reaktionszone kann die anschließende Bildung von Siliciuncarbid-Whiskerngünstig
beeinflußt werden. Das Vorhandensein von Aluminiumoxid in der Reaktionszone ist daher bevorzugt. Das Aluminiumoxid wird gegebenenfalls
mit den anderen festen Materialien vermischt, ein gründliches Vermischen ist jedoch auch in diesem Falle
nicht erforderlich.
Als gasförmige Kohlenstoffverbindungen werden erfindungsgemäß
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vorzugsweise Kohlenmonoxid und Kohlenwasserstoffe .eingesetzt.
Von den Kohlenwasserstoffen werden wiederum die gesättigten oder ungesättigten aliphatischen Kohlenwasserstoffe, insbesondere die
niederen aliphatischen Kohlenwasserstoffe, bevorzugt, speziell Methan, Äthan, Propan, Äthylen und Acetylen. Auch bestimmte eyeloaliphatische
Kohlenwasserstoffe, wie gegebenenfalls durch Kohlenwasserstoffreste substituiertes Cyclohexan, und aromatische
Kohlenwasserstoffe, wie Benzol, Toluol oder Xylol, können erfindungsgemäß eingesetzt werden. Wenn der jeweils eingesetzte
Kohlenwasserstoff bei den im Verfahren der Erfindung angewendeten erhöhten Temperaturen zu elementarem Kohlenstoff gekrackt
wird, kann man ihn zur Erzeugung des festen Kohlenstoffs in situ
verwenden.
Im Verfahren der Erfindung kann ein Mengeverhältnis des Halogens bzw, der Halogenverbindung zur Kohlenstoffverbindung im Gasgemisch
angewendet werden, das einem Molverhältnis Halogen/ Kohlenstoff von 1:10 bis 10:1 entspricht. Vorzugsweise wird ein
solches Mengenverhältnis angewendet, daß das Molverhältnie
Halogen/Kohlenstoff 1:4 bis 4:1 beträgt.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens der Erfindung
wird ein dynamisches System angewendet und. das Halogen
oder die gasförmige Halogenverbindung wird, gegebenenfalls mit einem inerten Verdünnungsmittel, in der Reaktionszone mit der
Siliciumverbindung in Berührung gebracht. Bei Verwendung von
Kohlenmonoxid ale gasförmige Kohlenetoffverbindung In einem
dynamischen System kann dieeea dem Gasstrom vor dessen Eintritt
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in die Reaktionsζone zugesetzt oder direkt in die Reaktionsζone
selbst'eingespeist werden. In beiden Fällen wird das Vermischen der gasförmigen Produkte mit dem Kohlenmonoxid in der Reaktionszone 'bei der Bildung der gasförmigen Produkte durchgeführt.
Gemäß einer abgewandelten Methode zur Durchführung des Vermischens der gasförmigen Produkte mit dem'Kohlenmonoxid wird
letzteres mit dem Gasstrom an einer stromabwärts von der Reaktionszone oder zwischen der Reaktionszone und der .Kondensationszone für die Siliciumcarbid-Whisker befindlichen Stelle oder
in der Kondensationszone selbst vereinigt. Im allgemeinen liegt die Temperatur der Kondensationsζone um mindestens 500C,. vorzugsweise
um einige 1000C unterhalb der Temperatur der Reaktionszone.
Wenn die Temperatur der Reaktionszone beispielsweise 1450 bis 165O0C beträgt, liegt die Temperatur der Kondensationszone
zweckmäßig im Bereich von 1000 bis 155O0C. Die Ablagerung
der Siliciumcarbid-Whisker in der Kondensationszone kann dadurch bewirkt werden, daß man in dieser Zone einen beliebigen
geeigneten Träger anordnet. Beispiele für solche Träger sind Kohlenstoff, Siliciumcarbid, Aluminiumoxid und Mullit
(3 Al2O3.2 SiO2).
Bei Verwendung eines Kohlenwasserstoffs als Kohlenstoffverbindung und bei Anwendung eines dynamischen Systems kann es zweckmäßig
sein, daß man die gasförmigen Produkte mit dem Kohlen-
^ ^x. λ Stromabwärtswasserstoff an einer /von der Reaktionezone. liegenden
Stelle und voraugsweise in der Kondensationszone selbst verraisoht.Bei
getrennt oder gemeinsam mit dem Halogen bzw. der Halogenverbindung durchgeführter Einführung des Kohlenwasser-
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stoffe in die Reaktionszone wird dieser zu elementarem Kohlenstoff
und Wasserstoff gekrackt, und im Falle von einigen als Ausgangsmaterialien eingesetzten Siliciumverbindungen* wie SiIiciumcarbid,
kann dies die gesamte Whisker-Bildungsr-Reaktion nachteilig beeinflussen.
Reaktionsprodukten Die genaue Art der in den gasförmigen enthaltenen re-
aktiven Siliciumkomponenten,- über welche die Bildung der Sili<ciumcarbid-Whisker
bei der Umsetzung mit einer gasförmigen Kohlenstoffverbindung erfolgt, ist nicht bekannt. Die anhand der
Gewichtsverluste des Ausgangsmaterials bestimmte Geschwindigkeit der Umwandlung der eingesetzten Siliciumverbindung zur
vorgenannten reaktiven Siliciumkomponente hängt jedoch vom Anteil
des Halogens in der Gasphase der Reaktionszone ab* Demgemäß
ist die. Umwandlungsgeschwindigkeit umso höher, je höher
dieser Halogenanteil ist.
Die Geschwindigkeit der Umwandlung der in den gasförmigen Produkten
enthaltenen reaktiven Siliciumkomponenten zu Silicium«·· f
carbid-Whiskern hängt zumindest teilweise von der Konzentration der gasförmigen Kohlenstoffverbindung in dem aus den gasförmigen
Produkten und letzterer Verbindung bestehenden Gemisch ab, wobei die Whisker-Bildung durch eine hohe entsprechende Konzentration
gefördert wird. Durch eine hohe Konzentration der Halogenkomponente in der oberhalb des Ausgangsmaterials befindliehen
Gasphase wird, wie erwähnt, die Bildung der. reaktiven Siliciumkomponente gefördert. Durch Vermischen der Kohlenstoffverbindung,
stromabwärts von der Reaktionszone mit den
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gasförmigen Produkten nach deren Bildung können optimale Bedingungen
'für die Siliciumcarbid-Whisker-Bildung erzielt werden. Aus diesem Grunde werden zweckmäßig keine Halogenkohlenstoffe
als sowohl Kohlenstoff wie auch Halogene liefernde Verbindungen eingesetzt.
Obwohl im Verfahren der Erfindung vorzugsweise ein dynamisches System, beispielsweise durch Behandeln eines Stroms des gasförmigen
Gemisches mit den festen Materialien, angewendet wird, kann auch ein statisches System verwendet werden, insbssondere,
wenn als Kohlenstoffverbindung Kohlenmonoxid eingesetzt wird. In einem solchen Falle erfolgt die Bildung der gasförmigen Produkte
und anschließend der Siliciumcarbid-V/hisker in einem geschlossenen "Reaktor.
Nach dem Verfahren der Erfindung können' Siliciumcarbid-Whisker
in Farbtönen von grauweiß bis hellgrün, Rängen bis .etwas mehr
als 1 cm und Durchmessern von unterhalb 1 u bis etwas mehr als 1 ji erhalten werden.
Me Beispiele erläutern die Erfindung.
Die in den Beispielen angewendete Vorrichtung soll nun anhand der Zeichnungen (Fig. 1 und Fig. 2) beschrieben werden.
Fig. 1 zeigt einen nicht-maßstabgerechten Längsschnitt durch das verwendete Reaktorsystem, Fig. 2 einen Längsschnitt durch
einen modifizierten Reaktor-Aufsatz.
1-098 11/ -Mir ^
- 9■-■ 204258A
Gemäß Fig. 1 enthält das Reaktorsystem ein Kondensationsrohr 1,
welches im Inneren an seinen Enden konisch erweitert ist, um am . ,einen Ende einen Reaktor-Aufsatz 3 und am anderen Ende einen Gas^
auflaß-Aufsatz 5 aufzunehmen, wobei jeder Aufsatz eine zylindrische
Form aufweist und in das betreffende Ende des Kondensations-" rohrs 1 dicht eingefügt ist. Das Kondensationsrohr 1.· und die
Aufsätze 3 und 5 bestehen aus Kohlenstoff.
Durch den Reaktor-Aufsatz 3 erstreckt sich axial eine Leitung 7*
welche an dem dem Kondensationsrohr 1 benachbarten Ende ein I Endstück mit verbreitertem Durchmesser aufweist* das die Form."
eines zylindrischen Hohlraums 11 besitzt. Der zylindrische Hohlraum 11 dient als Reaktionszone und weist eine perforierte
Kohlenstoffscheibe 13 auf, welche als Träger für die festen Reaktionskomponenten dient. Ein aus Kohlenstoff bestehendes Gas-r
einlaßrohr 9 gewährleistet die Zufuhr eines Gasstroms, aus dem Vorratsgefäß für die gasförmigen Reaktionskoniponenten (.nicht gezeigt) über die Leitung 7 in den als Reaktionszone dienenden
Hohlraum 11 und von dort in das Kondensationsrohr 1, iirwelchem ä
'■ eich die Siliciumcarbid-Whisker ablagern. Zur Erwärmung dee
Hohlraums 11 auf die gewünschte Reaktlonstemperatur sind der Reaktor-Aufsatz 3 und das Kondensat!onsrohr 1 in der' Nachbarschaft des Hohlraums 11 von einem Heizmantel 6 umhüllt.
Durch den Gasauslaß-Aufsatz 5 erstreckt sich axial eine Lei- ♦ ·.
tung 15, in welcher sich ein Gasauslaßrohr 17 aus Aluminiumoxid
für die aus dem Kondensationsrohr 1 austretenden Abgaße befin·''
det» Durch daß Gasauslaßrohr 17 und in das Kondensationsrohr 1
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führt ein Aluminiumoxid-Rohr 19 mit geringerem Durchmesser,
durch welches das kohlenstoffhaltige Gas in das Kondensationsrohr 1 eingespeist werden kann. Das Aluminiumoxid-Rohr 19 kann
in bezug auf das Kondensationsrohr 1 bewegt werden, so daß das kohlenstoffhaltige Gas an jeder beliebigen Stelle .in das Kondensationsrohr
1 eingeführt werden-kann.
Es sind Einrichtungen vorhanden (nicht gezeigt\ um das Kondensationsrohr
1 und die Aufsätze 3 und 5 mit einer Inertgas-P Schutzhülle zu umgeben-
Der in Fig. 2 gezeigte abgewandelte Reaktor-Aufsatz 21 entspricht
im Prinzip dem Reaktor-Aufsatz 3, wobei das Gaseinlaßrohr 9 ein Aluminiumoxid-Rohr und der Hohlraum 11 .mit «iner
Schale 23 anstelle einer Scheibe 13 ausgestattet ist. Die Schale 23 besteht aus Aluminiumoxid oder Kohlenstoff und dient
als Behälter für die festen Reaktionskomponenten. Perforationen im Unterteil der Schale gestatten das Strömen des Gases vom
^ Hohlraum 11 in das Kondensationsrohr 1.
Es wird die Herstellung von Siliciumcarbid-Whiskern unter Verwendung
von Siliciumtetrafluorid als gasförmige Halogenverbindung, Kohlenmonoxid oder Methan als Kohlenstoffverbindung und
Siliciumcarbid als Siliciumverbindung erläutert. Mit den vorgenannten
Materialien wird eine Versuchsserie durchgeführt. Die dabei angewendeten Bedingungen und die erzielten Ergebnis-
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se sind aus Tabelle I ersichtlich.
Es wird die in Mg. 1 bzw. Pig. 2 beschriebene Vorrichtung
verwendet, wobei entweder eine Kohlenstoff- oder eine Aluminiumoxid-Schale
verwendet wird. Das Kondensationsrohr .1 besitzt eine Iiänge von etwa 3Of5 cm, einen Innendurchmesser von etwa 3»8 cm
und einen Außc;ndurchmesser von etwa 5,1 cm. Der Reaktor-Aufsatz
weist eine Länge von etwa 19 cm, der Gasauslaß-Aufsatz 5 von
etwa etwa 3,8 cm auf. Beide Aufsätze besitzen einen Durchmesser von/
5.1 cm. Der Durchmesser der Leitungen 7 bzw. 15 beträgt etwa '
1,6. cm. Der Hohlraum 11 besitzt einen Durchmesser von etwa 3,43 cm und eine Tiefe von etwa 3,8 cm. Bei Verwendung, einer
Aluminiumoxid-Schale beträgt deren Höhe etwa 3,6 cm, deren Innendurchmesser
etwa 2,7 cm, deren Außendurchmesser etwa 3 cm und deren Bodendicke etwa 0,25 cm. Die Aluminiumoxid-Schale
wird durch einen Kohlenstoffring im Hohlraum getragen» Bei Verwendung
einer Kohlenstoff-Schale besteht diese aus einer, etwa
1.02 cm dicken Grundplatte, welche die Form einer-Einlage im
Hohlraum 11 aufweist, und einem mit der Grundplatte verbundenen, i
rohrförmigen Teil .einer Höhe von etwa 2,5, cm,., einem Innendurchmesser
von etwa 2,3 cm und einer Wanddicke von etwa 0,51 cm.
Bei jedem Versuch wird der betreffende Anteil der Siliciumverbin-
„ , .in_einem .Inertgasstrom,
dung m den Hohlraum 11 eingespeist und/durch llochf requenz-Induktionsheizung
auf die festgelegte Reaktionstgmperatur aufgeheizt. Nach dem Erreichen der Reaktionstemperatur und dem Spülen
der Vorrichtung werden die betreffenden Gase vermischt, in das Gaseinlaßrohr 9 eingeführt und bei Atmosphärendruck mit
1 0 9 8 1 1 / 1 Π ι: '>
der festgelegten Strömungsgeschwindigkeit abwärts durch das aus der eingesetzten Siliciumverbindung bestehende Bett geleitet.
Als Siliciumcarbid-Ausgangsmaterial werden im Handel erhältliche
Schnitzel oder /^Siliciumcarbid mit einer Teilchengröße von
1,0 bis 2,4 mm verwendet. Das Kondensationsrohr 1 .besteht aus Graphit vom Typ CS (Handelsprodukt), der Reaktoraufsatz aus
Graphit vom Typ AGSX (Handelsprodukt,).
Die aus der Reaktionszone abströmenden gasförmigen Produkte werden in das Kondensationsrohr 1 übergeführt, in welchem ein
Temperaturgefälle aufrechterhalten wird. Der Temperaturbereich in jener Zone des Kondensationsrohrs 1, in welcher sich die
Siliciumcarbid-Whisker niederschlagen, wird bestimmt und ist in Tabelle I als "Temperatur der Kondensationszone" wiedergegeben.
Wenn, wie bei Versuch 5 und 6, Kohlenmonoxid oder Methan getrennt über das Aluminiumoxid-Rohr 19 in das Kondensationsrohr 1 eingespeist worden, wird dieses in die Kondensat!onsz
one e ing e führ t.
Nach der Durchführung jedes Versuchs während der festgelegten Dauer wird der Strom der Reaktionsgase durch einen Inertgasstrom
ersetzt und die Vorrichtung wird abkühlen gelassen. Das Gewicht der in der Kondensationszone vorhandenen Siliciumcarbid-Whisker
und der Gewichtsverlust des SiliciumcarMd-Ausgangsmaterials
werden bestimmt. Aus.den erhaltenen Werten wird die Ausbeute an Siliciumcarbid-Whiokern gemäß folgender Gleichung berechnet:
109811/?PG2
Ausbeute f $ (bezogen auf die eingesetzte Siliciumverbindung) =
Gesaratzahl der erhaltenen Mol SiC-Whisker
100
Gewichtsverlust des Ausgangsmaterials (ausgedrückt als Mol/Silicium)
Die in Tabelle I angeführten Versuche 1.1 und 1.2 sind Vergleichsversuche,
welche zeigen, daß in Abwesenheit einer gasrförmigen
Kohlenstoffverbindung nur eine vernachlässigbare Menge einer eingesetzten Siliciumverbindung in Whisker ■umgewandelt
wird.
Die Versuche 1.3 bis 1.9 zeigen die Wirkung der verschiedenen
Verfahrenspararaeter auf die Ausbeute an Siliciumcarbid-Whiskern und die Bildungsgeschwindigkeit. Die erhaltenen Whisker besitzen
eine grauweiße bis hellgrüne Färbung, Längen bis etwas über 1 cm und Durchmesser von unterhalb 1 μ bis etwas über 1 u.
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iersucii | j Strömungsge | CO | Ar | 100 | Strömungsge | CH4 | I : ι ■ |
singesetz | Tempera | Tempera | Ver | 4*· I |
erhaltene SiC-Whisker | Mldungs- geschwin— digkeit, g/h |
Aus beute |
|
ir. . | schwindigkeit . der Gase in die Reaktions- : zone» ml/Kin. (200C) |
.-I 150 | - | schwindigkeit der gasförmi gen Kohlenstoff verbindung in die Reaktionszone, ml/Min. (20°ü) |
tes SiIi- siumearbid. δ |
tur in der Re aktions zone, 0C |
tur in der !Con densati ons ζ one, 0C |
suchs- dauer, Min. |
Gesamt menge , g |
|||||||
SiF4 | - 100 i |
CO | — · | 0,01 | 0,04 | 2 | ||||||||||
Ui | 30 | 50 j 100 ί |
- | - | 10 | 1520 | 1440- 1200 |
25 | 0,05 | 0,04 | 3 | |||||
109 | 1.2 | 80 | 50 j 100 t |
10 | 1530 | 1450- 1150 |
80 | 0,11 | 0,26 | 36 | ||||||
co —■*■ "H. O m |
1.3 | 30 | - 100 I |
10 | 1535 | 1450- 1000 |
' 25 . | 0,27 | 0,34 | 47 | ||||||
lsi | 1.4 | 30 | — | 50 | ■ 10 | 1550 | 1200- 1000 |
48 | 0,27 | 0,58 | 77 | |||||
1.5 | 30 | 160 | 50 | - | 10 | 1530 | 1460- 1060 |
28 | 0,18 | 0,40 | 47 | |||||
1.6 | 30 | 160 | 10 | 1530 | 1160- 1000 |
27 | 0,005 | 0,02 | 16 | |||||||
1.7 | 40 | 160 | - | 10 | 1420 | 1100- 1050 |
20 | 0,10 | 0,32 | 48 | ||||||
1.8 | 40 | - | 10 | 1605 | 1400- 1230 . |
20 | 0,41 | 1,2 | 92 | |||||||
1.9 | 40 j |
10 | 1750 | 1430- 1330 |
20 | |||||||||||
Es wird die Herstellung von Siliciumcarbid-Whiskern unter Verwendung
von Fluorwasserstoff bzw. Chlorwasserstoff als gasförmige Halogenverbindung, Kohlenmonoxid als gasförmige Kohlenstoffverbindung und Siliciumcarbid als; Siliciumverbindung erläutert.
' ' "
In dieser Versuchsserie wird die in Beispiel 1 beschriebene
Vorrichtung verwendet, es wird jedoch der Reaktor-AufBatz 21
(Pig. 2) anstelle des-Reaktor-Aufsatzes 3 verwendet und es
wird - mit Ausnahme des Versuchs 2.10 - auf das Aluminiumoxid-Rohr
19 verzichtet. Die Schale 23 besteht bei Versuch 2,7 aus
Aluminiumoxid,und bei allen anderen Versuchen aus Kohlenstoff.
Beim Versuch 2.7 erstreckt sich das aus Aluminiumoxid bestehende
Gaseinlaßrohr 9 in den oberen Teil der Schale. Das im
Versuch 2.6 eingesetzte Aluminiumoxid ist ein Aluminiumoxid-
Granulat einer Teilchengröße von 1,0 bis 2,4 mm. Dieses Aluminiumoxid
wird mit den Siliciumcarbid-'Schnitzeln, vermischt.
Nach der Durchführung jedes Versuchs während der jeweils vorbestimmten
Dauer werden das Gewicht der Siljciumcarbid-Whisker
und die Gewichtsverluste der verschiedenen Komponenten in der Reaktionszone bestimmt. Die Ergebnisse sind in Tabelle II wiedergegeben;
die dort angegebenen Ausbeuten werden in der in Beispiel 1 beschriebenen Weise berechnet. '
Aus Versuch 2.1 und 2.2 geht hervor, daß nur eine vernaehläs-
-Whinkern sigbare Ausbeute an Siliciumcarbid /erzielt wird, wenn entweder
10 8 B 11/? η ρ ;>
kein Halogen bzw. keine Halogenverbindung oder keine gasförmige Kohlenstoffverbindung vorhanden ist. Die Versuche 2.6 und
2.7 zeigen die günstige Wirkung des Vorhandenseins von Aluminiumoxid in der Reaktionszone, während aus dem Versuch 2.5 die
Wirkung einer Erhöhung der Strömungsgeschwindigkeit ersichtlich ist. Ein Vergleich des Versuchs 2.10 mit dem Versuch 2.9 zeigt,
daß das Kohlenmonoxid in die Kondensationszone eingespeist werden kann und dabei ähnliche Ergebnisse erzielt werden wie bei
einer Einführung des CO in die Reaktionszone. Beim Versuch 2.11
wird Chlorwasserstoff eingesetzt, und ein Vergleich mit dem Versuch 2.3 läßt erkennen, daß Chlorwasserstoff etwas weniger wirksam
ist als Fluorwasserstoff,obwohl Siliciumcarbid-Whisker erhalten
werden.
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Ver- isuch CTr. |
Strömungsge schwindigkeit der Gase in die Reaktionszone, ml/Min.(2O0C) |
loo - !ioo : - | Strömungsge- ; geschwindigkeit des CO in die Kondensations zone, ml/Min.(2O0C) |
40 | - | - 40 | 120 | —. | Menge der Reakti- onskomponent en in der Schale, g |
- | 10,7 | - | Tempera tur in der Reak tions- zone, C |
2.1 | HP HCl CO Ar | 240 ; - 560 S - | 2.10 40 | 40 | - | 120 I |
- | SiC ■ Al2O5 | 10,2 | — | 1590 | ||
2.2 | - :16O ] 40 | 40 | — | 2.11-;-- | 160 | — | - | 10,3 | 10,4 | 8,5 | 1610 | ||
40 - i - 160 | 60 | — | 40 | 10,1 | Al2O3- Scnale verwendet' |
1610 | |||||||
2.3 j 40 - 160 | - | ' - | 6,1 | - | 1610 | ||||||||
2.4 | 10,3 | - | 1620 | ||||||||||
2.5 | - 160 - - | 10,1 | - | 1600 | |||||||||
2.6 | - ;.14O | 10,0 | - | 1600 | |||||||||
2.7 | 10,0 | 1600 | |||||||||||
;2.8 I 60 ■ - 140 : - | 10,1 | 1600 | |||||||||||
2.9 | 1600 | ||||||||||||
1630 | |||||||||||||
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Tabelle II (Forts.)
Ver such Nr. |
Tempera tur in der !Con densati ons ζ one, oc |
Ver suchs- dauer, Min. |
Gewichtsverluste aus der Reaktions zone, g |
Al2O3 | Kohlen stoff schale |
erhaltene SiC-Whisker | ι 'Bildungs- !geschwin digkeit, g/h |
• Aus- • "beute, |
2.1 | 1400- 1370 |
20 | SiC | -■ | - - | Gesamt menge, ■ g |
0 | 0 |
2.2 | 1450- 1100 |
20 | 0,06 | - | 0,03 | 0 | 0,03 | 4 |
2.3 | 1450- 1150 |
20 | 0,41 | - | 0,04 | 0,01 | 0,69 | ι 60 |
2.4 | 1450- 1150 |
15 | 0,38 | - | 0,07 | 0,23 | 1,20 | 55 |
2.5 | 1550- 1020 |
5 | 0,53 | 0,06 | 0,30 | 2,76 | 50 | |
2.6 | 1500- 1150 |
20 | 0,47 | 0,47 | 0,05 | 0,23 | 0,99 | 70 |
2.7 | 1500- 1050 |
19 | 0,46 | 0,39 | — | 0,33 | 1,18 | 75 |
2.8 | 1400- 1200 |
20 | 0,50 | - | 0,06 | 0,37 | 0,72 | 50 |
2.9 | 1500- 1000 |
20 | 0,49 | 0,02 | 0,24 | 0,18 | 20 | |
2.10 | 1400- ; 1000 |
20 | 0,31 | — | O | 0,06 | 0,18 | 20 |
2.11 | 1550- i 1150 |
20 | 0,26 | — | 0,05 | 0,06 | 0,18 | 35 |
0,19 I |
0,06 |
Eb wird die Herstellung von Siliciumcarbid-Whiskern unter Verwendung
von Chlor, Brom, Wasserstoff/Brom, Wasserstoff/Jod bzw. Tetrachlorkohlenstoff als alogen
109811/2062
ferndes Material, Kohlenmonoxid als gasförmige Kohlenstoffverbindung
und Siliciumcarbid als SiliciumverMndung .erläutert.
-Unter Verwendung der vorgenannten Materialien wird eine Versuchsserie
in der in Beispiel 1 beschriebenen Weise durchgeführt. Aus Tabelle III sind die dabei angewendeten Bedingungen
sowie die erzielten Ergebnisse ersichtlich.
Beim .Versuch 3.1 wird elementares Chlor verwendet, und
es wird"eine ungefähr" gleiche Ausbeute erzielt wie bei Ver- "
wendung von Chlorwasserstoff (vergl. Beispiel 2, Versuch 2.11).
Bei Verwendung von Chlor, ohne daß Aluminiumoxid zugegen ist
i§dpch (Versuch 3.2), erniedrigt sich der Umwandlungsgrad/auf etwa die
Hälfte des beim Versuch 3.1 erzielten Werts.
Die Versuche 3.3 bis 3.5 erläutern die Verwendung von Brom sowohl mit als auch ohne die Gegenwart von Wasserstoff und zeigen,
daß das Vorhandensein von Wasserstoff bei diesem System schädlich ist. Das Brom wird, nachdem es zur Verdampfung der d
Flüssigkeit vorerhitzt wurde, über das Gaseinlaßrahr 9 in den
Reaktor eingespeist, wobei der Dampf durch die anderen gasförmigen Eeaktionsteilnehmer über eine beheizte Leitung in den
Reaktor hineingespült wird.
2ur Einführung des Joddampfes beim Versuch 3.6 wird eine ähnli- ehe
Vorrichtung verwendet, wobei der Vorerhitzer und die Einlaßleitung bei 800C gehalten werden. Bei diesem Versuch werden
erwartungsgemäß Spurenanteile von ß-Siliciumcarbid erhalten.
1 0 9 8.1 1 / 2 0 G 2
Ver such BTr. |
Strömungsgeschwindigkeit der Gase ! Mengen der Reaktions- in die Reaktionsζone, ml/Min« ; komponenten in der (2O0C) bzw. g/Min.(20OC) Schale, g |
H2, ml2 |
Gl2,1 Br2, ml* ! R |
75 | - | - | Jp, 'CCl4, SiC R ' R * ' |
7,030 | Al2O3 | 6,741 | 3,830 |
3.1 | GO, ml |
- | 40 | - | - | 4,762 | 6,007 | ||||
3.2 | 75 | - | 40 | 0,3 | — | 5,854 | - | ||||
3.3 | 75 | 75 | 0,45 | 5,057 | |||||||
3.4 | 75 | 75 | - | 0,166 | 5,402 ι 4,445 | ||||||
3.5 | 75 | - | - | - | 7,391 ! 6,234 | ||||||
3.6 | 75 | - | ! - | 0,018 - ; 5,122 ι 6,581 | |||||||
3.7 | 75 | : 0,16 | |||||||||
75 |
I Ver-1 Tempera such . tür in Nr. : der Reak- I tionszone, I ^ |
1600 | Temperatur in der Kon densations- zone^ |
Versuch- 1 dauer, Min. |
erhaltene SiC-Whisker | Bildungs- geschwin digkeit, g/h |
0,20 | 0,07 | Aus beute, |
3.1 | 1600 | 1550-1250 | 20 | Gesamt menge , g |
0,90 | Spuren j Spuren | 38 | |
3.2 | 1590 | 1540-1260 | 20 | 0,30 | 0,39 | 0,02 | 17 | |
3.3 | 1600 | 1480-1120 | 20 | 0,13 | 0,16 | 19 | ||
3.4 | 1600 | 1510- 900 | 0,05 | 8 '< 0,01 , 0,04 | 13 | |||
3.5 | 1600 | 1520-1000 | 20 j 0,07 | 37 | ||||
3.6 | 1600 | 1560-1320 | 20 | <1 | ||||
3.7 | 1560-1300 | 20 | 7 |
109811/2 062
Bei dieser Versuchsserie wird Siliciumdioxid als Ausgangsmaterial
verwendet, während als halogenliefernde Substanz Fluorwasserstoff
und als gasförmige Kohlenstoffverbindung Kohlenmonoxid eingesetzt werden. Die Versuche 4.1 und 4.2 veranschaulichen
die Bedeutung der halogenliefernden Substanz. Beim Versuch 4.3
wird eine Alurainiumoxid-Schale verwendet, um die Notwendigkeit
von festem Kohlenstoff bei Verwandlung von Siliciumdioxid, aufzuzeigen. Der Versuch 4.9 weist auf die untere Temperaturgrenze
hin. Die Ergebnisse sind aus Tabelle IV ersichtlich.
Ver such [fr. |
Strömungsgeschwindig keit der Gase in die Reaktiony^one, ml/Min. (200G) |
CO | Ar"! H2 | Menge der Re aktionskompo nenten in der Schale, g |
10,2 | 10,6 | Temperatur in der Re aktions- zone, 0C |
Temperatur in der Kon densations zone, 0C |
4.1 | HF | - | 1701 - | SiO2 | 4.7 I 4Oj 60; 100· - | 10,2 | 10,1 | 1540 | 1400-1100 |
- | 200 | I — ί — |
10,3 | 4.8 I- 40j 40! - I 120 | 1610 | 1450-1150 | ||
4.2 j - | 160 | I | 10,1 | 4.9 , 50' 160 - | 1600 | 1450-1120 | ||
4.3 f 40 | ~ j 160, - | 11,7 | 1590 | 1450-1120 | ||||
4.4 ; 40 | 4.5 ·' 4Oi 160 | 10,2 | 1610 | 1450-1150 . | ||||
- 1-1 11.0 | 1610 | 1450-1150 | ||||||
4.6 I 80 120 [ - : - | 1620 | 1500-1200 | ||||||
1630 | 1550-1020 , | |||||||
1380 I |
1350-1100 |
10 9811/2062
Tabelle IV (Forts.)
Ver such Nr. |
Versuchs dauer, Min. |
Gewichtsverluste aus der Reaktionsζone, β |
Kohlenstoff schale |
erhaltene SiC-Whisker j | Bildungs- | Aus | I | 20 |
52 | SiO2 | 0,01 " | Gesamt | geschwin digkeit, ß/h |
beute L * |
45 j I |
||
4.1 | 20 | 0,19 | 0,04 . - | menge , g |
0,01 | - | 35 | |
4.2 | 20 | 0,15 | — | 0,01 | 0,02 | - | 40 | |
4.3 | 20 | 0,03 | 0,44 | 0,01 | 0,01 | 30 | ||
4.4 | 20 | 1,47 | 0,41 | 0,005 | 0,57 | — | ||
4.5 | 20 | 1,06 | 0,45 | 0,19 | 0,99 | |||
4.6 | 20 | 1,72 | 0,38 | 0,33 | 1,17 | |||
4.7 | 20 | 1,28 | 0,40· | 0,39 | 0,99 | |||
4.8 | 21,5 | 1,94 | 0,34 | 0,33 | 1,11 | |||
4.9 | 0,48 | 0,37 | 0,01 | |||||
0,005 |
Beispisl 5
Bei dieser Versuchsserie enthält die Schale festen Kohlenstoff
oder mit Siliciumdioxid vermischtes Aluminiumoxid. Beim Versuch 5.1 zeigt das Aluminiumoxid-Granulat einen Gewichtsverlust von
0,33 g. Der Versuch 5.2 erläutert die unter diesen Umständen bestehende Bedeutung des Vorhandenseins der gasförmigen Kohlen-·
stoffverbindung und ist dem Versuch 4.3 (Beispiel 4) gegenüberzustellen.
Die Ergebnisse sind aus Tabelle V ersichtlich.
109811/2D62
Ver such Fr, |
S trömungsge sehwin- digkeit der Gase in die Reaktionsζone, ml/Min.(200C) |
- ■; 16.0 | Menge der Heak- tionskomponenten in der Schale,· ß |
Temperatur in der Re aktions- zone , 0C |
Temperatur in der Kon densations- zone, 0C |
HF I GO I Ar | 30 80 | SiO2 · C Al2O3 | 1450-1150 | ||
5.1 | 40 j 160 | 160 . - | 6,9 '· - ' 7,8 | 1600 | 1450-1100 |
5.2 | 40 | 160 j - | 7,6 .Λ3,1 - | 1500 | 1400-1150 |
5.3 | 40 | 7,6 ' 3,6 - | 1600 | 1450-1120 | |
5.4 | 40 | 8,4 ' 4,1 - | 1600 | 1420-1150 | |
5.5 | 40 | 9,0 j 3,4: - ' | 1600 |
Ver such |
Versuchs dauer, |
Gewi der |
chtsverlus'te aus ieaktionszone, g |
Kohlen stoff- schale |
erhaltene SiC-Whisker | Bildungs- geschwin digkeit, g/h |
Aus beute, 1° |
tir. | Min. | SiO2 | Kohlen stoff flocken |
0,40 | Gesamt menge, g' |
1,47 | 60 |
5.1 | 18 | 1,07 | - | 0,23 | 0,44 | 0,60 | 12 |
5.2 | 20 | 2,45 | 0,15 · | 0,25 | 0,20 | 1,83 | 35 |
5.3 | 20 | 2,72 | 0,21 | 0,23 | 0,61 | 1,47 | 25 |
5.4 | 20 | 2,84 | 0,23 | 0,15 | 0,49 | 1,98 | 30 |
5.5 | 20 | 3,55 | 1,32 | 0,66 |
Die Schale enthält in diesem Falle Siliciumdioxid Aind festen Kohlenstoff,
und als gasförmige Reaktionskomponenten werden Kohlenmonoxid (Strömungsgeschwindigkeit = 16O ml/Min.) und Chlorwas- .
serstoff (Strömungsgeschwindigkeit = 40 ml/Min.) verwendet. Bei
1098 1 1/2062
einem 20 Minuten dauernden, bei 163O0C durchgeführten Versuch
wird eine Ausbeute von 25$ bei einer Bildungsgeschwindigkeit
von 0,87 g/h erzielt.
In diesem Falle enthält eine Kohlenstoff-Schale Siliciumdioxid, und als gasförmige Reaktionskomppnenten werden Siliciumtetrafluorid
(Strömungsgeschwindigkeit = 4 !3 ml/Min.)» Kohlenmonoxid (Strömungsgeschwindigkeit = 45 ml/Min.) und Wasserstoff (Strömungsgeschwindigkeit
=135 ml/Min.) verwendet. Bei einem 20 Minuten dauernden, bei 11500C durchgeführten Versuch wird eine
Ausbeute von 30$ bei einer Bildungsgeschwindigkeit von 1,44 g/h
erzielt.
In diesem Falle enthält eine Kohlenstoff-Schale Siliciumnitrid, und. als gasförmige Reaktionskomponenten werden Siliciumtetrafluorid
(Strömungsgeschwindigkeit = 40 ml/Min.) und Kohlenmonoxid (Strömungsgeschwindigkeit = 160 ml/Min.) verwendet. Bei. einem
12 Minuten dauernden, bei 16OO°C durchgeführten Versuch wird eine Ausbeute von 4$ bei einer Bildungsgeschwindigkeit von
0,25 g/h erzielt. Die Kohlenstoff-Schale zeigt keinen Gewichtsverlust .
1 0 9 8 1 1 / ? '? 6 2
Claims (13)
1. Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid-Einkristallen
in Whisker1-Form, dadurch gekennzeichnet, daß man "bei erhöhten
Temperaturen und einem Druck von mindestens 100 Torr ein Halogen
im„gasförmigen Zustand .
/oder" eine bei diesen erhöhten Temperaturen gasförmige Halogenverbindung
in einer Reaktionszone^mit einer in fester i'orm vorliegenden
Siliciumverbindung in Berührung bringt und die dabej erhaltenen gasförmigen Produkte in einer Kondensationszone mit
einer gasförmigen Kohlenstoffverbindung zur Umsetzung bringt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man
Temperaturen von 1350 bis 19000C, vorzugsweise von 1450 .bis
175O0C, insbesondere von 1450 bis 165O0C, anwendet.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man einen Druck von mindestens 200 Torr anwendet.
4· Verfahren nach Anspruch 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß ™
man als Halogen bzw. Halogenverbindung Chlor, einen Halogenwasserstoff, vorzugsweise Fluorwasserstoff oder Chlorwasserstoff»
ein Siliclumhalogenid, vorzugsweise Siliciumtetrafluorid, oder
einen Halogenkohlenstoff verwendet.
5· Verfahren nach Anspruch 1 bis 4» dadurch gekennzeichnet, daß
man als feate Siliciumverbindung Siliciumcarbid, Siliciumnitrid,
Siliciumborid oder Siliciumphosphld verwendet»
109811/2062
-26- 2ÜA2584
6. Verfahren nach Anspruch 1 Ms 4 t dadurch gekennzeichnet,
daß man als feste SiliciumverMndung eine sauerstoffhaltige
Siliciumverbindung verwendet und daß in der Reaktionszone fester
Kohlenstoff zugegen ist.
7. Verfahren'nach Anspruch 1 Ms 6, dadurch gekennzeichnet,
daß man als gasförmige KohlenstoffverMndung Kohlenmonoxid oder einen Kohlenwasserstoff, vorzugsweise einen niederen aliphatischen
Kohlenwasserstoff, verwendet.
8. Verfahren nach Anspruch 1 Ms 7, dadurch gekennzeichnet, daß man das Halogen oder die Halogenverbindung mit. einem Edelgas
oder Wasserstoff verdünnt.
9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,
daß in der Reaktionszone Aluminiumoxid zugegen ist.
10. Verfahren nach Anspruch 1. bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß man ein Mengenverhältnis des Halogens bzw. der Halogenverbindung zur gasförmigen Kohlenstoffverbindung anwendet, das
einem Molverhältnis Halogen/Kohlenstoff von 1 s 10 bis
10:1, vorzugsweise 1:4 bis 4:1, entspricht.
11. Verfahren nach Anspruch 1 Ms 10, dadurch gekennzeichnet,
daß man in der Kondensationszone eine um mindestens 5O0C, vorzugsweise um einige 1000O niedrigere Temperatur anwendet als
in der Heaktionszone.
10 9811/2062
2Ö42584
12. Verfahren nach Anspry.ch 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet,
daB man die gasförmige Kohlenstoffverbindung in die Kondensate
onszone einspeist.
13. Verfahren nach Anspruch 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet»
daß man ein dynamisches System anwendet.
1 0 9 8.1.1 / 2 0 6 2
Leerseite
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB43138/69A GB1280506A (en) | 1969-08-29 | 1969-08-29 | Refractory compounds |
GB4313669 | 1969-08-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2042584A1 true DE2042584A1 (de) | 1971-03-11 |
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ID=26265057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19702042584 Pending DE2042584A1 (de) | 1969-08-29 | 1970-08-27 | Verfahren zur Herstellung von Silicium carbid Einkristallen in Whisker Form |
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Country | Link |
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AU (1) | AU1903770A (de) |
CA (1) | CA922485A (de) |
CH (1) | CH529069A (de) |
DE (1) | DE2042584A1 (de) |
FR (1) | FR2059375A5 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4702901A (en) * | 1986-03-12 | 1987-10-27 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Process for growing silicon carbide whiskers by undercooling |
US4789537A (en) * | 1985-12-30 | 1988-12-06 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Prealloyed catalyst for growing silicon carbide whiskers |
-
1970
- 1970-08-20 CA CA091567A patent/CA922485A/en not_active Expired
- 1970-08-20 AU AU19037/70A patent/AU1903770A/en not_active Expired
- 1970-08-26 CH CH1277070A patent/CH529069A/fr not_active IP Right Cessation
- 1970-08-27 DE DE19702042584 patent/DE2042584A1/de active Pending
- 1970-08-28 FR FR7031503A patent/FR2059375A5/fr not_active Expired
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4789537A (en) * | 1985-12-30 | 1988-12-06 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Prealloyed catalyst for growing silicon carbide whiskers |
US4702901A (en) * | 1986-03-12 | 1987-10-27 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Process for growing silicon carbide whiskers by undercooling |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2059375A5 (en) | 1971-05-28 |
CA922485A (en) | 1973-03-13 |
AU1903770A (en) | 1972-02-24 |
CH529069A (fr) | 1972-10-15 |
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