DE2028640C3 - Halbleiterelement mit einer auf der Oberfläche einer Halbleiterbasis befindlichen TiO tief 2 - SiO tief 2 -Mischschicht - Google Patents

Halbleiterelement mit einer auf der Oberfläche einer Halbleiterbasis befindlichen TiO tief 2 - SiO tief 2 -Mischschicht

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