DE1564406B2 - Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und danach hergestellte halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und danach hergestellte halbleiteranordnung

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DE1564406B2 DE1966N0028617 DEN0028617A DE1564406B2 DE 1564406 B2 DE1564406 B2 DE 1564406B2 DE 1966N0028617 DE1966N0028617 DE 1966N0028617 DE N0028617 A DEN0028617 A DE N0028617A DE 1564406 B2 DE1564406 B2 DE 1564406B2
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit mehreren auf einer Seite eines Halbleiterkörpers ausgebildeten Halbleiterschaltungselementen, die an die Oberfläche des Halbleiter-
i>5 körpers tretende Teile mit hinsichtlich ihrer Dotierung gleichem Aufbau aufweisen, die wenigstens örtlich mit einer Oxidhaut bedeckt sind.
Solche Halbleiteranordnungen sind im allgemeinen derart aufgebaut und die einzelnen Schaltungselemente
fco derart miteinander verbunden, daß das Ganze eine Schaltungseinheit darstellt. Wenn hier von einem gleichen Aufbau gesprochen wird, ist gemeint, daß die Teile, wenn sie aus Material nur eines Leitungstyps bestehen, von gleichem Leitungstyp sind, oder, wenn sie
'>■> aus einer oder mehreren Zonen verschiedenen Leitungstyps bestehen, daß vergleichbare Zonen der beiden Teile den gleichen Leitungstyp haben und hinsichtlich ihrer Lage gegenüber den anderen Zonen
übereinstimmen. Beide Teile können z. B. eine durch örtliche Diffusion eines Donators in ein Substrat aus P-leitendem Material erhaltene Zone aus N-leitendem Material oder eine durch örtliche Diffusion eines Akzeptors in ein Substrat aus N-leitendem Material 5 erhaltene Zone aus P-leitendem Material enthalten.
In einer solchen Halbleiteranordnung müssen im allgemeinen verschiedene Arten von Schaltungselementen vorhanden sein. Bei der Herstellung einer solchen Halbleiteranordnung wendet man im allgemeinen ι ο Diffusionsvorgänge unter Zuhilfenahme von geeigneten Maskierungen an, um örtlich an der Oberfläche des Halbleiterkörpers liegende Zonen bestimmten Leitungstyps in einem Substrat entgegengesetzten Leitungstyps zu bilden.
Mittels photographischer Verfahren werden im allgemeinen aus einem Oxyd, z. B. Siliciumoxid, bestehende Maskierungsmuster hergestellt, wodurch nach Diffusion einer geeigneten Verunreinigung verschiedenene Zonen gewünschter Formen und Abmessungen mit einem dem Substratmaterial entgegengesetzten Leitungstyps erzielt werden. Es liegt das Bestreben vor, einerseits Zonen eines bestimmten Leitungstyps für verschiedene Schaltungselemente möglichst mittels nur eines Diffusionsvorgangs zu erhalten und andererseits den Diffusionsvorgang zur Herstellung einer solchen für ein bestimmtes Schaltungselement bestimmten Zone möglichst den gewünschten Eigenschaften des betreffenden Schaltungselements anzupassen. Jedoch sind für verschiedene Arten von Schaltungselementen oder für Schaltungselemente gleicher Art mit gewünschten voneinander verschiedenen Charakteristiken die Anforderungen an die Zusammensetzung der durch Diffusion zu erzielenden Zone, die Zusammensetzung des Substratmaterials und den Übergang zwischen einer solchen Zone und dem Substratmaterial für eine optimale Charakteristik jedes dieser Schaltungselemente nicht gleich.
Dazu könnten, wenn praktisch möglich, mehrere Diffusionsvorgänge mit demselben Dotierungsmaterial durchgeführt werden, wobei für jeden Diffusionsvorgang eine getrennte Maskierung verwendet werden muß.
Ein solches Herstellungsverfahren ist verwickelt und macht die hergestellte Halbleiteranordnung kostspielig. Man kann sich zwar mit Schaltungselementen begnügen, die nicht alle eine optimale Wirkung aufweisen, und so die Zahl von Diffusionsvorgängen beschränken, aber dann besteht die Gefahr, daß die Halbleiteranordnung nicht den gestellten Anforderungen entspricht. Man kann auch versuchen, wenn möglich, die Halbleiteranordnung durch Zusatz weiterer Schaltungselemente abzuändern und so zu verbessern und für Schaltungselemente mit einer weniger günstigen Charakteristik einen Ausgleich zu finden, aber solche Maßnahmen machen die Halbleiteranordnung komplizierter.
Es ist aus der BE-PS 6 43 857 bekannt, bei der Herstellung mehrerer Feldef ekttransistoren mit gleicher Charakterist.k in eine/n Halbleiterkörper die Eigenschaften aller dieser Transistoren durch die Dicke wi und/oder die Temp iraturbehandlung der den Halbleiterkörper bedeckenden Siliciumoxidschicht zu beeinflussen. Bei der Massenfertigung können aber unerwünschte Unterschiede dadurch entstehen, daß die Charakteristiken der Feldeffekttransistoren in einem b> Halbleiterbauelement von denen der Feldeffekttransistoren in einem anderen, in einer anderen Charge hergestellten Bauelement abweichen. Innerhalb einer Charge haben die so hergestellten Feldeffekttransistoren jedoch gleiche Eigenschaften.
Aus Proc. IEEE (1963), 1190-1202, sind Feldeffekttransistoren mit isolierter Gate-Elektrode des Verarmungstyps und des Anreicherungstyps bekannt. Über die Verwendung beider Typen in demselben Halbleiterbauelement und die mögliche Herstellung eines solchen Bauelements ist nichts ausgesagt.
Aus der GB-PS 9 00 334 ist es bekannt, bei Halbleiterbauelementen als einheitliche, (mit Ausnahme der Kontaktfenster) geschlossene Oberflächenschutzschicht auch andere Oxide als S1O2 zu verwenden.
Aus IBM Journal 8 (1964) 4, 376—384 ist es bekannt, gleichmäßige Passivierungsschichten aus S1O2 auf Halbleiterkörpern durch Bedecken mit P2O5 zu stabilisieren.
Verschiedene mögliche Verfahren zum Aufbringen von Schutzschichten aus Siliciumdioxid auf elektrische Bauelemente, insbesondere Widerstände, sind in der DT-PS 9 08 262 beschrieben.
Aus der DT-AS 10 37 016 ist es schließlich bekannt, eine gleichmäßige, einheitliche Stabilisierungsschicht auf der Oberfläche eines Halbleiterbauelements durch eine Schicht des Monooxids des Halbleitermaterials und eine darüber befindliche Schicht des Dioxids des Halbleitermaterials zu bilden.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangsgenannten Art so auszubilden, daß die Eigenschaften verschiedener Halbleiterschaltungselemente in der Halbleiteranordnung optimalisiert werden.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß man zur Lösung dieser Aufgabe von dem an sich bekannten Einfluß einer Oxidhautbedeckung auf die Eigenschaften eines mit einer solchen Oxidhaut bedeckten Teiles eines Halbleiterschaltungselementes Gebrauch machen kann.
In Anwendung dieser Erkenntnis wird die genannte Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein Unterschied in den Eigenschaften der Oxidhautbedekkungen der hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teile verschiedener Schaltungselemente durch einen Unterschied in der Zusammensetzung, Aufbringung und/oder Nachbehandlung der Oxidhautbedekkungen dieser Teile erzielt wird.
Die hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teile können völlig aus Material nur eines bestimmten Leitungstyps bestehen und je einen oder mehrere PN-Übergänge enthalten. Wenn hier von gleichem Aufbau gesprochen wird, ist gemeint, daß gleichartige Zonen dieser Teile gleiche Dotierungskonzentration(en) derselben Verunreinigung(en) haben. Wenn hier über die Eigenschaften der Oxydhautbedeckung gesprochen wird, sind darunter auch die Eigenschaften des Übergangs zwischen der Oxydhaut und dem darunterliegenden Halbleitermaterial zu verstehen.
Unter Schaltungselementen werden hier nicht nur diejenigen Elemente verstanden, die in einer Schaltungseinheit eine unmittelbare Schaltungsfunktion erfüllen, wie Transistoren, Dioden, Kondensatoren und Widerstände, im nachfolgenden als funktionelle Schaltungselemente bezeichnet, sondern auch Teile des Halbleiterkörpers, die eine mittelbare Funktion in einer Schaltungseinheit erfüllen, wie leitende Verbindungen oder zur Isolierung dienende Teile zwischen zwei funktionellen Schaltungselementen, im nachfolgenden als zusätzliche Schaltungselemente bezeichnet.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile sind insbesondere darin zu sehen, daß auf einfache Weise den
hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teilen verschiedener Schaltungselemente und damit auch der daraus gebildeten Schaltungseinheit optimale Eigenschaften gegeben werden können.
Die Erfindung macht es sogar möglich, zwei Schaltungselementen, die nicht nur in ihrem Materialaufbau, sondern auch in ihrer Form und ihren Abmessungen identisch sind, verschiedene Eigenschaften zu verleihen.
Der Einfluß der Oxidhautbedeckungen ist möglicherweise auf die Bildung von Ladungsverteilungen, z. B. einer elektrischen Doppelschicht, am Übergang zwischen dem Halbleitermaterial und der Oxidhaut zurückzuführen. So ist es möglich, daß infolge dieser Doppelschicht bei der Bedeckung im Halbleitermaterial eine Inversionsschicht entstehen kann, d. h. eine Schicht, die als eine Schicht mit einem dem darunterliegenden Material entgegengesetzten Leitungstyp wirksam ist, so daß an der Oberfläche gleichsam eine leitende Zone vom entgegengesetzten Leitungstyp zu dem der Unterlage gebildet wird.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung wird auf den hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teilen der verschiedenen Schaltungselemente zunächst eine Oxidhaut gleicher Zusammensetzung gebildet, die auf wenigstens einem Teil durch eine Oxidhaut anderer Zusammensetzung ersetzt wird.
Wird auf den hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teilen der verschiedenen Schaltungselemente eine Oxidhaut aufgebracht, die aus zwei oder mehreren übereinanderliegenden dünnen Schichten verschiedener Zusammensetzung besteht, so können, gemäß einer Weiterbildung der Erfindung, unter Beibehaltung der auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers befindlichen Oxidschicht auf allen Teilen bei einem Teil eine oder mehrere der darüberliegenden Schichten entfernt werden.
Sind die hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teile der verschiedenen Schaltungselemente von derselben Oxidhaut bedeckt, so kann, gemäß einer Weiterbildung der Erfindung, auf die Oxidhaut eines Teiles eine Schicht anderer Zusammensetzung aufgebrachtwerden.
Besteht der Halbleiterkörper aus Silicium, und ist auf den hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teilen der verschiedenen Schaltungselemente eine aus Siliciumoxid bestehende Oxidhaut gebildet, so wird, gemäß einer Weiterbildung der Erfindung, bei einem Teil auf die Siliciumoxidhaut Siliciummonoxid aufgedampft.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung werden im Falle unterschiedlicher Zusammensetzung oder Aufbringung die Oxidhautbedeckungen einer gleichen Nachbehandlung unterworfen.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist diese Nachbehandlung eine Wärmebehandlung. Sie sollte vorzugsweise bei einer Temperatur durchgeführt werden, bei der die Donatoren und Akzeptoren im Halbleitermaterial praktisch nicht diffundieren können.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung wird während der Wärmebehandlung im Halbleiterkörper von der Seite der Oxidhaut her zur gegenüberliegenden Seite ein Temperaturgradient aufrechterhalten.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung wird auf den hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teilen der verschiedenen Schaltungselemente eine Oxidhaut gleicher Zusammensetzung aufgebracht, jedoch für die Teile eine verschiedene Nachbehandlung angewendet.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung wird bei der Nachbehandlung der Oxydhautbedeckung zwecks Erzielung einer Änderung derer Eigenschaften minde-
r> stens eine Strahlungsbehandlung angewendet.
Insbesondere bietet eine Strahlungsbehandlung zur Beeinflussung der Eigenschaften der Oxydhautbedekkung die Möglichkeit, wenn gemäß einer Weiterbildung der Erfindung eine örtliche Maskierung für die
ίο Strahlung angewendet wird, nur einen Teil der Oxydhautbedeckung der Strahlung auszusetzen und einen anderen Teil nicht. Eine solche Bestrahlung unter Anwendung einer örtlichen Maskierung kann sowohl bei Oxydhautbedeckungen verschiedener Zusammen-
ii setzung als auch bei denen gleicher Zusammensetzung angewendet werden. Bei Anwendung verschiedener Zusammensetzungen der Oxydhautbedeckung der beiden Teile kann man diese Teile auch derselben Bestrahlungsbehandlung unterwerfen, um einen Unter- !
schied in den Eigenschaften der Oxydhautbedeckung zu : erzielen. ' '■
Es hat sich gezeigt, daß die Wahl des Wellenlängenbereiches der verwendeten Strahlung wichtig sein kann. ^ Zur Erzielung einer bestimmten Änderung in den ( Eigenschaften der Oxydhautbedeckung kann der günstigste Wellenlängenbereich durch Versuch gewählt werden.
Es hat sich sogar gezeigt, daß bei der Wahl eines anderen Wellenlängenbereiches eine andere Wirkung auf die Eigenschaften derselben Oxydhautbedeckung erreichbar ist. Es können sogar verschiedene Bestrahlungen einander entgegengesetzte Wirkungen haben. Dies macht es unter anderem möglich, beide mit einer Oxydhaut bedeckten Teile zunächst einer Strahlung mit demselben Wellenlängenbereich zu unterwerfen und anschließend unter Maskierung nur eines Teiles eine Bestrahlung mit entgegengesetzter Wirkung anzuwenden.
Die vorgenannten Nachbehandlungen können weiterhin auf geeignete Weise kombiniert werden, damit bestimmte gewünschte Effekte erzielt werden. Auch hierbei ist es z. B. möglich, einander entgegengesetzte Effekte zu verwenden, z. B. zunächst eine oder mehrere Nachbehandlungen, bei denen keine Strahlung erfolgt, und anschließend eine Strahlungsbehandlung mit ( entgegengesetzten Effekt, bei der ein Teil maskiert wird und der andere nicht.
Die Erfindung betrifft weiter eine nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung, die dadurch gekennzeichnet ist, daß die räumlichen Konfigurationen der hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teile der verschiedenen Schaltungselemente kongruent sind, sowie eine nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte HaIbleiteranordnung, die dadurch gekennzeichnet ist, daß die Halbleiterschaltungselemente aus auf demselben Substratmaterial aufgebauten Feldeffekttransistoren mit an der Oberfläche des Halbleiterkörpers liegenden Source- und Drain-Zonen mit einem dem Leitungstyp des
W) Halbleiterkörpers entgegengesetzten Leitungstyp bestehen, wobei die jeweils zwischen einer Source- und Drain-Zone liegende Zone des Halbleiterkörpers an der Oberfläche mit einer Oxidhautbedeckung versehen ist, die wenigstens die einander zugekehrten, an die
f>'· Oberfläche des Halbleiterkörpers tretenden Teile der PN-Übergänge zwischen Source-Zone und Halbleiterkörper bzw. zwischen Drain-Zone und Halbleiterkörper bedeckt, und auf die Oxidhaut eine Steuerelektrode
gebildet ist, wobei die Eigenschaften dieser Oxidhautbedeckung eines Feldeffekttransistors von denen eines anderen Feldeffekttransistors derart verschieden sind, daß bei einem Feldeffekttransistor bei nichtvorgespannter Steuerelektrode unter der Oxidhautbedeckung ein leitender Kanal zwischen der Source- und der Drain-Zone gebildet wird und beim anderen Feldeffekttransistor ein solcher Kanal fehlt oder eine wesentlich schlechtere Leitfähigkeit aufweist.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 in senkrechtem Schnitt einen Teil einer Halbleiteranordnung mit zwei Feldeffekttransistoren,
F i g. 2 die Kennlinien der beiden Feldeffekttransistoren in Fig. 1 und
Fig.3 in senkrechtem Schnitt einen Teil einer Halbleiteranordnung mit einem Transistor und einem Feldeffekttransistor.
Fig. 1 zeigt einen Teil eines Halbleiterkörpers 1 mit mehreren an eine Oberfläche tretenden Schaltungselementen, d. h. im vorliegenden Falle zwei Feldeffekttransistoren 2 und 3. Der Körper besteht z. B. aus homogen dotiertem, P-leitendem Halbleitermaterial 4 mit verhältnismäßig niedriger spezifischer Leitfähigkeit, in dem durch Diffusion eines Donators unter Anwendung einer maskierenden Oxidschicht vier N-Ieitende Zonen 5,6, 7 und 8 gebildet sind.
Die gebildeten N-leitenden Zonen haben den gleichen Materialaufbau. Die p-leitende Zone 9 zwischen den beiden Zonen 5 und 6 und die P-leitende Zone 10 zwischen den beiden Zonen 7 und 8 haben an der Oberfläche eine Oxydhautbedeckung 11 bzw. 12, die vorzugsweise auch die Übergänge mit den danebenliegenden N-leitenden Zonen bedecken. Die N-leitenden Zonen 5, 6, 7 und 8 können von gleicher Form und Größe und auch der Abstand zwischen den Zonen 5 und 6 kann gleich dem zwischen den Zonen 7 und 8 sein. Auf die Oxydhautbedeckungen 11 und 12 sind Elektroden 13 bzw. 14 in Form von dünnen Metallschichten aufgebracht, und auf den N-leitenden Zonen 5,6,7 und 8 sind ohmsche Kontakte in Form von dünnen Metallschichten 15, 16, 17 bzw. 18 gebildet. Auf diese Weise sind zwei Feldeffekttransistoren 2 und 3 entstanden, die hinsichtlich des Aufbaus des Halbleitermaterials von gleicher Zusammensetzung sind. Die Eigenschaften der Oxydhautbedeckungen 11 und 12 sind aber derart verschieden, daß an der Grenze zwischen der Oxydhautbedekkung 12 und dem darunterliegenden P-leitenden Material 10 eine dünne, im wesentlichen Elektronen leitende Zone gebildet wird, während an der Grenze zwischen der Oxydhautbedeckung 11 und dem darunterliegenden P-leitenden Material 9 eine solche Zone nicht oder mit viel schlechterer Leitung gebildet wird. Die erwähnte dünnen Zone wird manchmal als Inversionsschicht bezeichnet, da diese Schicht gleichsam einen Leitungstyp hat, der dem des darunterliegenden Halbleitermaterials entgegengesetzt ist.
Im vorliegenden Falle wird möglicherweise an der Grenze zwischen der Oxydhautbedeckung 12 und dem darunterliegenden Halbleitermaterial an der Seite des Oxyds eine positive Ladung und an der Seite des Halbleitermaterials 10 eine negative Ladung aufgebaut, deren Ladungsdichte so groß ist, daß in einer Dünnen an der Grenze mit dem Oxyd liegenden Zone die Konzentration der ursprünglichen Majoritätsladungsträger (Löcher) stark herabgesetzt und die Konzentration der ursprünglichen Minoritätsladungsträger (Elektronen) so stark erhöht ist, daß diese dünne Zone im wesentlichen N-leitend geworden ist. Infolge der verhältnismäßig hohen Konzentration an Elektronen in dieser dünnen Zone entsteht ein N-leitender Kanal zwischen den beiden N-leitenden Zonen 7 und 8. Wird nun beim Feldeffekttransistor 3 dem Kontakt 18, der Drainelektrode, eine positive Spannung gegenüber dem Kontakt 17, der Sourceelektrode, gegeben, während die Elektrode 14, die Steuerelektrode, mit der Drainelektrode kurzgeschlossen wird, so entsteht über den erwähnten N-leitenden Kanal ein elektrischer Strom zwischen der Source- und der Drainelektrode. Beim Feldeffektransistor 2, bei dem ein solcher leitender Kanal fehlt, wird bei einer entsprechenden Spannung zwischen der Drainelektrode 16 und der Sourceelektrode 15 bei Kurzschluß der Steuerelektrode 13 mit der Sourceelektrode 16 höchstens ein sehr geringer Leckstrom zwischen der Ein- und ausgangselektrode fließen, da auch an der Oberfläche des Halbleiterkörpers der Übergang zwischen der N-leitenden Zone 6 und der P-leitenden Zone 9 gesperrt ist.
F i g. 2 zeigt ein Diagramm, in der für die Feldeffekttransistoren 2 und 3 bei konstanter Spannung zwischen der Source- und der Drainelektrode die Stromstärke zwischen dem Ein- und dem Ausgang, /<& gegen die zwischen der Steuer- und der Sourceelektrode angelegte Spannung Vg, weiterhin als Steuerspannung bezeichnet, aufgetragen ist. Die vollausgezogene Kurve 20 betrifft den Feldeffekttransistor 2 und die gestrichelte Kurve 21 den Feldeffekttransistor 3. Aus der vollausgezogenen Kurve 20 ist ersichtlich, daß bei Zunahme der Steuerspannung von 0 an nach positiven Werten die Stromstärke ids praktisch von 0 an ebenfalls zunimmt.
Der Einfluß der Steuerspannung auf die Stromstärke ids kann nämlich wie folgt erklärt werden. Unter Einfluß der positiven Spannung der Steuerelektrode werden die Löcher bei der Grenze zwischen der Oxydschicht 11 und der darunterliegenden P-leitenden Zone 9 von der Oberfläche weggedrückt, wobei die Elektronenkonzentration in einer dünnen Zone längs dieser Oberfläche zunimmt und einen leitenden Weg zwischen den N-leitenden Zonen 5 und 6 bildet. Je positiver die Steuerspannung ist, desto breiter wird diese N-leitende Zone und desto geringer ist der Widerstand für den Elektronenstrom vom Eingang zum Ausgang. Beim Feldeffekttransistor 3 ist aber bereits ein leitender Kanal für Elektronen von der Sourcezone 7 zur Drainzone 8 vorhanden.
Durch das Anlegen einer negativen Vorspannung an die Steuerelektrode 14 wird jedoch durch das Heranziehen von Löchern aus den unter diesem Kanal liegenden P-leitenden Material der Zone 10 die Elektronenkonzentration in der dünnen Inversionsschicht kleiner, und es verringert sich die Breite dieser Schicht, bis beim Anlegen einer ausreichend hohen negativen Spannung der Stromweg zwischen der Source- und Drainzone praktisch gesperrt wird. Beim Feldeffekttransistor 3 wird also durch Erhöhung der in diesem Falle negativen Vorspannung der Steuerelektrode die Stromstärke zwischen Source und Drain herabgesetzt, während beim Feldeffekttransistor 2 bei Erhöhung der in diesem Falle positiven Vorspannung der Steuerelektrode die Stromstärke zwischen Source und Drain erhöht wird. Auf diese Weise sind in demselben Halbleiterkörper zwei Feldeffekttransistoren vorhanden, die obwohl sie hinsichtlich ihres Dotierungsaufbaus des Halbleitermaterials praktisch ähnlich sind, doch durch verschiedene Eigenschaften der Oxydhautbedeckung verschiedene elektrische Eigen-
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schäften aufweisen. Dazu sind keine getrennten Diffusionsvorgänge zur Erzielung des erforderlichen Dotierungsaufbaus jedes Feldeffekttransistors notwendig.
Es ist einleuchtend, daß, obwohl hier NPN-Feldeffekttransistoren beschrieben wurde, solche verschiedenen Eigenschaften zweier PNP-Feldeffekttransistoren im Prinzip gleichfalls durch verschiedene Eigenschaften der Oxydhautbedeckung erzielbar sind.
Damit sich die beiden Feldeffekttransistoren 2 und 3 in ihrer Wirkung nicht stören, muß verhütet werden, daß eine leitende Verbindung an der Halbleiteroberfläche zwischen der Source- oder Drainelektrode eine Feldeffekttransistors und der Source- oder Drainelektrode des anderen Feldeffekttransistors, z. B. zwischen der Sourceelektrode 7 des Feldeffekttransistors 3 und der Drainelektrode 6 des Feldeffekttransistors 2, vorhanden ist. Es wird eine Oxydhautbedeckung 19 mit solchen Eigenschaften gewählt, daß bei der Grenze mit dem darunterliegenden P-leitenden Material kein Elektronen leitender Kanal entsteht.
Der Oxydhautbedeckung 19 muß daher verschiedene Eigenschaften gegenüber der Oxydhautbedeckung 11 gegeben werden, die im Übrigen das gleiche P-leitende Material des Körpers 1 bedeckt.
F i g. 3 zeigt einen Teil eines Halbleiterkörpers 41 aus homogenem dotiertem Material, in dem auf einer Seite mehrere Schaltungselemente gebildet sind. Im dargestellten Teil des Körpers sind ein normaler NPN-Transistor 22 und ein NPN-Feldeffekttransistor 23 gebildet, z. B. durch Diffusionsvorgänge mit einer geeigneten Maskierung, wobei zunächst zwei P-leitende Zonen 24 und 31 gleichzeitig durch das Eindiffundieren eines Akzeptors und dann drei N-leitende Zonen 25,32 und 33 durch das Eindiffundieren eines Donators gleichzeitig gebildet sind.
Der Transistor 22 besteht aus der N-leitenden Zone 25 als Emitterelektrode mit einem als Metallschicht ausgebildeten ohmschen Emitterkontakt 27, der P-leitenden Zone 24 als Basiselektrode mit einem als Metallschicht ausgebildeten ohmschen Basiskontakt 26, und dem ursprünglichen N-leitenden Material als Kollektorelektrode mit einem als Metallschicht ausgebildeten ohmschen Kollektorkontakt 28.
Die Oxydschicht 29 bedeckt, mit Ausnahme eines Fensters für den Basiskontakt 26, die Basisoberfläche zwischen der Emitterelektrode und der Kollektorelektrode.
Der Feldeffekttransistor 23 enthält das P-leitende Substrat 31, an dem kein Kontakt angebracht ist, die N-leitende Sourcezone 32 mit einem ohmschen Kontakt 34, und N-leitenden Drainzone 33 mit einem ohmschen Kontakt 35. Die P-leitende Zone 38 zwischen den N-leitenden Zonen 32 und 33 hat an ihrer Oberfläche eine Oxydhautbedeckung 36, auf welche die Steuerelektrode 37 aufgebracht ist. Die Oxydhautbedeckung ist derart, daß ohne Vorspannung der Steuerelektrode 37 zwischen den Zonen 32 und 33 ein N-Ieitender Kanal gebildet wird. Dieser NPN-Feldeffekttransistor hat daher eine Kennlinie, wie sie in F i g. 2 durch die gestrichelte Kurve 21 dargestellt ist.
Die Oxydhautbedeckung 29 des Transistors 22 ist in ihren Eigenschaften von der Oxydhautbedeckung 36 derart verschieden, daß an der Oberfläche des Basisteiles 30 kein N-leitender Kanal gebildet wird. Ein solcher leitender Kanal würde einen für die Wirkung des Transistors unerwünschten Leckweg zwischen der Emitterelektrode und der Kollektorelektrode ergeben.
Es sind noch weitere Kombinationen von Schaltungselementen mit Teilen gleichen Dotierungsaufbaus möglich, denen durch verschiedene Eigenschaften der Oxydhautbedeckung eine Verbesserung der elektrisehen Eigenschaften gegeben werden kann. So kann man in demselben Halbleiterkörper durch geeignete Diffusionsvorgänge z. B. gleichzeitig einen NPN-Transistor und einen NPNP-Thyristor herstellen und durch z. B. verschiedene Eigenschaften der Oxydhautbedek-
to kung eines in seinem Materialaufbau gleichen NP-Übergangs zwischen der Emitterelektrode und Basiselektrode des Transistors einerseits und zwischen der Emitterelektrode und Steuerelektrode-Zone des Thyristors andrerseits beim Transistor eine optimale Stromverstärkungskennlinie und beim Thyristor gewünschte Schalteigenschaften erzielen.
Hierbei sei bemerkt, daß es an sich bekannt ist, auf eine Oxydhaut auf einem NP- oder PN-Übergang zwischen der Emitterelektrode und der Basiselektrode eines Transistors oder auf eine Oxydhaut auf einem NP- oder PN-Übergang zwischen der Emitter- und Steuerelektrode-Zone eines Thyristors eine kapazitiv steuernde Elektrode aufzubringen, wobei durch die angelegte Spannung an dieser kapazitiv steuernden Elektrode die (" elektrischen Eigenschaften eines solchen Schaltungselements beeinflußt werden können, wozu aber eine zusätzliche Elektrode mit einem Anschluß erforderlich ist.
Nachstehend folgen einige Beispiele von Verfahren zur Herstellung von Oxydhautbedeckungen mit verschiedenen Eigenschaften auf Teilen eines Halbleiterkörpers mit hinsichtlich ihrer Dotierung gleichem Materialaufbau.
I. Es wird von einer einkristallinen Siliciumscheibe ausgegangen, die aus mit Indium dotiertem P-leitenden Silicium mit einem spezifischen Widerstand von 5Q-cm mit ;:ur 111-Achse senkrechten Ebenen besteht. Die Oberfläche ist auf einer Seite in an sich bekannter Weise mit feinem Aluminiumoxydpulver poliert und anschließend mit einem Gemisch aus konzentrierter Salpetersäure und Konzentrierter Fluorwasserstoffsäure geätzt. Auf diese Oberfläche wird durch thermische Oxydation bei 12000C in feuchtem Sauerstoff, der bei Durchleitung feinen Sauerstoffs
4^ durch Wasser von 300C erzielt ist, eine Siliciumoxyd- (' haut aufgebracht. Mittels eines Photoätzverfahrens werden in an sich bekannter Weise Fenster in der Oxydhaut gebildet, und anschließend wird unter Verwendung der maskierenden Wirkung der Siliciumoxydhaut örtlich Phosphor eindiffundiert.
Die Siliciumscheibe wird dazu zunächst 30 Minuten lang bei 9200C in einer Stickstoffgasströmung erhitzt, der Phosphorpentoxyd zugesetzt war, das von einer Menge an auf 2200C erhitztem Phosphorpentoxyd herrührte, worauf diese Phosphorpentoxydquelle bis auf Zimmertemperatur abgekühlt und die Siliciumscheibe 4 Stunden lang bei 11500C erhitzt und schließlich langsam abgekühlt wird. An der Stelle der Fenster ist unter Bildung N-leitender Zonen mit einer Tiefe von etwa 6 μΐη Phosphor eindiffundiert.
Es ergibt sich, daß die maskierende Oxydhaut eine Dicke von etwa 1,2 μΐη bekommen hat, wobei das Oxydmaterial bis auf eine Tiefe von etwa 0,5 μπι Phosphor enthält und ungefähr die Zusammensetzung 12SiO2 · P2O5 hat.
Man kann nun dieser Oxydhautbedeckung dadurch verschiedene Eigenschaften erteilen, daß sie örtlich mit einem ätzbeständiger Lack, z. B. einem Photolack,
bedeckt wird, wobei das zu bedeckende Muster auf photographischem Wege erzielt werden kann, worauf so kurzzeitig geätzt wird, daß die phosphorhaltige Schicht örtlich weggeätzt wird unter Beibehaltung der darunterliegenden Oxydhautbedeckung, die nahezu kein oder nur sehr wenig Phosphor enthält, worauf die Lackschutzschicht entfernt wird. Anschließend wird die Siliciumscheibe eine Stunde lang in feuchtem Stickstoff bei 400°C erhitzt. Bei dieser Temperatur ist praktisch keine Diffusion von Phosphor in Silicium möglich. Bei Ό der Grenze zwischen dem P-leitenden Silicium und der Oxydhautbedeckung sind N-Leitungseigenschaften nachweisbar, jedoch ist die Leitung nur sehr schwach an der Stelle, an der die obere phosphorhaltige Schicht nicht entfernt ist, während die Leitung viel stärker an '5 der Stelle ist, an der die obere Phosphoroxid enthaltende Schicht durch die Ätzbehandlung vorher entfernt wurde.
Auf diese Weise können bei verschiedenen Schaltungselementen auf Teile mit gleichem Materialaufbau Oxydhautbedeckungen mit verschiedenen Eigenschaften aufgebracht werden. So kann man z. B. verschiedene Eigenschaften der vorstehend an Hand von F i g. 1 beschriebenen Feldeffekttransistoren, in diesem Falle mit durch Diffusion von Phosphor erzeugten Source- und Drainzonen, dadurch erzeugen, daß beim Feldeffekttransistor 2 für die Oxydhaut 11 die nichtabgeätzte Oxydhaut und beim Feldeffekttransistor 3 für die Oxydhaut 12 die teilweise abgeätzte Oxydhaut gewählt wird, während für die Oxydhaut 19 vorzugsweise die nichtabgeätzte Oxydhaut angewendet werden soll.
In diesem Falle entspricht die ids— Vg Kennlinie des Feldeffekttransistors 2 etwa der Kurve 20 der F i g. 2, wobei tebei V^=O sehr gering ist.
Die entsprechende Kennlinie des Feldeffekttransistors 3 ist von der in F i g. 2 durch die Kurve 21 dargestellten Art.
Bei der Halbleiteranordnung nach Fig.3 kann man für die Oxydhautbedeckung 29 des Transistors 22 die nichtabgeätzte Oxydhaut und für die Oxydhaut 36 des Feldeffekttransistors 23 die Teilweise abgeätzte Oxydhaut verwenden.
Hierbei wird bemerkt, daß zur Erzielung der verschiedenen Eigenschaften die Ätzbehandlung an sich nicht ausreicht und daß der betreffende Unterschied in den Eigenschaften erst durch die thermische Nachbehandlung erzielt wird. Die Steuerelektroden 13 und 14 werden in diesem Falle erst nach dieser thermischen Behandlung angebracht.
II. In einer P-leitenden Siliciumscheibe mit einem spezifischen Widerstand von 5 Ω · cm werden auf die im vorherigen Beispiel beschriebenen Weise N-leitende Zonen auf einer Seite durch Phosphordiffusion gebildet. Die auf der Oberfläche gebildete Oxydhaut wird durch Ätzen mit Fluorwasserstoffsäure von der ganzen Oberfläche entfernt. Anschließend wird dadurch eine neue Oxydhaut gebildet, daß die Scheibe 10 Minuten lang in trockenem Sauerstoff atmosphärischen Drucks bei 900C erhitzt wird. Darauf wird in an sich bekannter Weise Siliciummonoxyd (SiO) im Vakuum aufgedampft, wobei Teile der Oberfläche durch eine geeignete Aufdampfmaske maskiert werden. Darauf wird die . Scheibe 10 Minuten lang in trockenem Sauerstoff bei 9000C erhitzt. An der Stelle, an der Siliciummonoxyd auf die Oxydhaut aufgedampft wurde, ist bei der Grenze des P-leitenden Siliciums und der Oxydhaut nur eine geringe N-Leitung feststellbar, während bei der Grenze des P-leitenden Siliciums und der Oxydhaut an der Stelle, an der diese beim Aufdampfen von SiO maskiert wurde, eine viel stärkere N-Leitung erzielt ist.
Bei der Herstellung der Halbleiteranordnung nach Fig. 1 kann bei der Bildung der Oxydhäute 11 und 19 SiO aufgedampft werden, wobei die Oxydhaut 12 maskiert ist. Bei der Herstellung der Halbleiteranordnung nach F i g. 3 kann bei der Bildung der Oxydhaut 29 SiO aufgedampft werden, wobei die Oxydhaut 36 maskiert ist.
III. In eine P-leitende Siliciumscheibe wird örtlich auf die im Beispiel I beschriebene Weise Phosphor eindiffundiert. Die Oxydhaut auf dem P-leitenden Silicium wird nun mit Röntgenstrahlung bestrahlt. Der Strahlungswert beträgt 104 Röntgen pro Minute über 30 Minuten bei Verwendung einer Röntgenröhre mit einer Wolframanode und einer Anodenspannung von 150 kV. An der Grenze der Oxydhautbedeckung und des P-Ieitenden Siliciums ist nach dieser Bestrahlung eine verhältnismäßig starke N-Leitung erzielt. Anschließend wird die Oberfläche örtlich mit Ultraviolett-Strahlung einer Quecksilberdampflampe unter Anwendung einer Strahlungsmaske bestrahlt. Bei der Grenze des P-leitenden Siliciums und der Oxydhautbedeckung ist an der Stelle, an der die Oxydhaut gegen die Einwirkung der Ultraviolett-Strahlung maskiert wurde, die verhältnismäßig starke N-Ieitung geblieben, während an der Stelle, an der die Oberfläche mit Ultraviolett-Strahlung bestrahlt wurde, eine solche N-Leitung kaum noch nachweisbar ist.
Eine solche Behandlung ist bei der Herstellung der Halbleiteranordnungen nach F i g. 1 und 3 verwendbar, bei denen die Oxydhautbedeckungen 11 und 19 bzw. 29 der Ultraviolett-Strahlung ausgesetzt werden, während die Oxydhautbedeckung 12 bzw. 36 bei dieser Bestrahlung maskiert ist.
IV. Man kann nach örtlicher Diffusion von Donatoren und Akzeptoren die bei diesem Vorgang entstandene Oxydhaut entfernen und auf die im Beispiel II beschriebene Weise eine Siliciumoxydhaut anwachsen lassen, aber jetzt in einer mit Wasserdampft gesättigten Sauerstoffatmosphäre. Anschließend wird die Oberfläche teilweise unter Anwendung einer optischen Maskierung mit Ultraviolett-Strahlung bestrahlt. Bei der Grenze der Oberfläche und der Oxydhaut ist an der Stelle, an der die Oberfläche nicht bestrahlt wurde, eine verhältnismäßig starke N-Leitung und an der Stelle, an der die Oberfläche bestrahlt wurde, eine solche N-Leitung nur in sehr geringem Maße oder fast nicht vorhanden.
Auch dieses Verfahren ist z. B. zur Erzielung geeigneter Oxydhautbedeckungen mit verschiedenen Eigenschaften für die Herstellung der Halbleiter nach Fig. 1 und 3 auf ähnliche Weise wie im Beispiel III beschrieben, verwendbar.
V. Man kann auch nach erfolgter Diffusionsbehandlung nach Beispiel I eine Wärmebehandlung zwischen 3000C und 8000C in einer Wasserdampfatmosphäre anwenden und anschließend örtlich mit Ultraviolett bestrahlen mit einem ähnlichen Ergebnis wie im Beispiel IV.
VI. Eine weitere Möglichkeit zum Ändern der Eigenschaften der Oxydhautbedeckungen auf Substratmaterial gleicher Zusammensetzung besteht im Aufdampfen von Metall (z. B. Aluminium) auf die nach der Phosphordiffusion gemäß Beipiel I erzielte Oxydhaut und anschließend einer Wärmebehandlung, z. B. einige Minuten lang, bei 30O0C-7000C, wobei die Metallschicht gegebenenfalls mit dem darunterliegenden
Halbleitermaterial elektrisch leitend verbunden sein kann. Hierdurch wird bei der Grenze zwischen dem P-Leitenden Silicium und der Oxydhaut eine verhältnismäßig starke N-Leitung erzielt. Nach örtlicher Bestrahlung mit Ultraviolett ist diese N-Leitung an den bestrahlten Stellen praktisch verschwunden. Dabei kann vor der Bestrahlung, jedoch nach der Wärmebehandlung, das Metall von der Oxydhaut entfernt werden.
VII. Man kann auch auf einen Teil der Oxydhaut Metall Aufbringen und auf einen entsprechenden anderen Teil nicht und anschließend die Wärmebehandlung nach Beispiel VI verwenden, gegebenenfalls unter Kurzschluß der Metallschicht mit dem darunterliegenden Halbleitermaterial, worauf gewünschtenfalls das Metall von der Oxydhaut entfernt werden kann. Auch is dann tritt ein Unterschied in Eigenschaften der Oxydhautbedeckungen auf. An der Stelle, an der das Metall während der Wärmebehandlung vorhanden war, z. B. Aluminium, tritt bei der Grenze der Oxydhaut und des darunterliegenden p-leitenden Materials eine verhältnismäßig starke N-Leitung auf, während an den nicht mit Metall bedeckten Oberflächenteilen diese N-Leitung nur sehr schwach ist. Diese Wirkung einer Metallbedeckung auf der Oxydhaut, gefolgt von einer Wärmebehandlung ist an sich bekannt und der Effekt kann auch vom gewählten Metall abhängig sein.
VIII. Man kann auf die Weise nach Beispiel VII verfahren, jedoch während der Wärmebehandlung zwischen der Metallschicht und dem darunterliegenden Halbleitermaterial eine bestimmte Spannung anlegen, wobei bekanntlich die erzielten Eigenschaften der Oxydhautbedeckung von dem Vorziehen und der Größe der angelegten Spannung abhängig sind. Man kann nun bei Anwendung verschiedener voneinander getrennter örtlicher Metallbedeckungen die Eigenschaften der Oxydhaut dadurch verschieden wählen, daß an diese Bedeckungen verschiedene Spannungen, gegebenenfalls sogar von verschiedenem Vorzeichen angelegt werden.
IX. Die Behandlung nach Beispiel VIII kann noch weiter dadurch abgeändert werden, daß statt der Wärmebehandlung eine Strahlungsbehandlung, z. B. mit Röntgenstrahlung oder Ultraviolett-Strahlung, angewendet wird. Dabei ist auch örtliche Bestrahlung anwendbar.
X. Weiterhin sind noch auf verschiedenen Teilen Oxydhäute von verschiedener chemischer Zusammensetzung verwendbar, wodurch ein Unterschied in den Eigenschaften der Oxydhautbedeckung erzielbar ist. Vorzugsweise wird dabei eine geeignete Nachbehandlung, ζ. B. eine Wärmebehandlung oder eine Strahlungsbehandlung, angewendet.
Neben den in den vorgehenden Beispielen erwähnten Oxydhautbedeckungen sind z. B. örtlich an sich bekannte, aus Siliciumoxyd und Bleioxyd oder Siliciumoxyd und Aluminiumoxyd bestehende Bedeckungen verwendbar.
XI. Die im Vorgehenden als Nachbehandlung vorgeschlagene Wärmebehandlung kann auch im Anlegen eines Temperaturgradienten zwischen der Ober- und Unterseite der Scheibe bestehen, z. B. durch Erhitzung der Oberseite, z. B. mit Wärmebestrahlung, und Kühlung der Unterseite oder umgekehrt, wobei, wie oben bereits erwähnt wurde, Effekte erzielbar sind, die von den durch eine oben beschriebene Wärmebehandlung ohne Temperaturgradient erzielten Effekten abweichen; es kann sogar ein ihnen entgegengesetzter Effekt herbeigeführt werden. Bei Verwendung von Wärmestrahlung kann auch wieder durch örtliche Bestrahlung mit Infrarot ein örtlicher Unterschied erzielt werden.
Die obenerwähnten Beispiele von Verfahren zur Erzielung von Oxydhautbedeckungen bieten die Möglichkeit, Teilen von Schaltungselementen in demselben κ Halbleiterkörper mit gleichen Materialaufbau mit Hilfe von Oxydhautbedeckungen mit verschiedenen Eigenschaften einen Unterschied in Eigenschaften zu verleihen.
In den vorgehenden Beispielen wurde als Halbleitermaterial Silicium verwendet, aber die Erfindung ist nicht auf dieses Material beschränkt. So wurden auch Oxydhäute auf andere Halbleitermaterialien, z. B. Germanium, aufgebracht. Auch dann bietet die Erfindung die Möglichkeit, bei einer Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper mit mehreren Schaltungselementen Teilen verschiedener Schaltungselemente mit gleichem Materialaufbau durch verschiedene Eigenschaften der Oxydhautbedeckungen auf diesen Teilen einen Unterschied in Eigenschaften zu verleihen.
Wenn hier von einem Halbleiterkörper gesprochen wird, sind darunter auch Körper mit auf einer isolierenden Unterlage bzw. Substrat angebrachten Halbleiterschichten oder getrennten Halbleiterzonen zu verstehen. Auch hierbei ist es wesentlich, daß im allgemeinen die für die Halbleiterschaltungselemente N bestimmten Teile aus Halbleitermaterial gleichartigen \ Behandlungen, wie Diffusionsbehandlungen, usw. unterworfen werden können und trotzdem jedem Schaltungselement möglichst die jeweils erforderlichen Eigenschaften gegeben werden kann.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (15)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit mehreren auf einer Seite eines Halbleiterkörpers ausgebildeten Halbleiterschaltungselementen, die an die Oberfläche des Halbleiterkörpers tretende Teile mit hinsichtlich ihrer Dotierung gleichem Aufbau aufweisen, die wenigstens örtlich mit einer Oxidhaut bedeckt sind, dadurch gekennzeichnet, daß ein Unterschied in den Eigenschaften der Oxidhautbedeckungen der hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teile (5, 6, 9; 7, 8, 10) verschiedener Schaltungselemente durch einen Unterschied in der Zusammensetzung, Aufbringung und/oder Nachbehandlung der Oxidhautbedeckungen (11, 12) dieser Teile erzielt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf den hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teilen der verschiedenen Schaltungselemente zunächst eine Oxidhaut gleicher Zusammensetzung gebildet wird, die auf wenigstens einem Teil durch eine Oxidhaut anderer Zusammensetzung ersetzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem auf den hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teilen der verschiedenen Schaltungselemente eine Oxidhaut aufgebracht wird, die aus zwei oder mehreren übereinanderliegenden dünnen Schichten verschiedener Zusammensetzung besteht, dadurch gekennzeichnet, daß unter Beibehaltung der auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers befindlichen Oxidschicht auf allen Teilen bei einem Teil eine oder mehrere der darüberliegenden Schichten entfernt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teile der verschiedenen Schaltungselemente von derselben Oxidhaut bedeckt werden, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Oxidhaut eines Teiles eine Schicht anderer Zusammensetzung aufgebracht wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem der Halbleiterkörper aus Silicium besteht und auf den hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teilen der verschiedenen Schaltungselemente eine aus Siliciumoxid bestehende Oxidhaut gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Teil auf die Siliciumoxidhaut Siliciummonoxid aufgedampft wird.
6. Verfahren nach wenigstens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß im Falle unterschiedlicher Zusammensetzung oder Aufbringung die Oxidhautbedeckungen einer gleichen Nachbehandlung unterworfen werden.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Nachbehandlung eine Wärmebehandlung ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß während der Wärmebehandlung im Halbleiterkörper von der Seite der Oxidhaut her zu gegenüberliegenden Seite ein Temperaturgradient aufrechterhalten wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf den hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teilen der verschiedenen Schaltungselemente eine Oxidhaut gleicher Zusammen-
Setzung aufgebracht wird, jedoch für die Teile eine verschiedene Nachbehandlung angewendet wird.
10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Nachbehandlung mindestens eine Strahlungsbehandlung angewendet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine Strahlungsbehandlung mit Röntgenstrahlen angewendet wird.
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine Strahlungsbehandlung mit Ultraviolett-Strahlung angewendet wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß eine örtliche Maskierung für die Strahlung angewendet wird.
14. Nach dem Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 13 hergestellte Halbleiteranordnung, dadurch gekennzeichnet, daß die räumlichen Konfigurationen der hinsichtlich ihrer Dotierung gleich aufgebauten Teile der verschiedenen Schaltungselemente kongruent sind.
15. Nach dem Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 13 hergestellte Halbleiteranordnung, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschaltungselemente aus auf demselben Substratmaterial aufgebauten Feldeffekttransistoren mit an der Oberfläche des Halbleiterkörpers liegenden Source- und Drain-Zonen mit einem dem Leitungstyp des Halbleiterkörpers entgegengesetzten Leitungstyp bestehen, wobei die jeweils zwischen einer Source- und Drain-Zone liegende Zone des Halbleiterkörpers an der Oberfläche mit einer Oxidhautbedeckung versehen ist, die wenigstens die einander zugekehrten, an die Oberfläche des Halbleiterkörpers tretenden Teile der PN-Übergänge zwischen Source-Zone und Halbleiterkörper bzw. zwischen Drain-Zone und Halbleiterkörper bedeckt, und auf der Oxidhaut eine Steuerelektrode gebildet ist, wobei die Eigenschaften dieser Oxidhautbedeckung eines Feldeffekttransistors von denen eines anderen Feldeffekttransistors derart verschieden sind, daß bei einem Feldeffekttransistor bei nichtvorgespannter Steuerelektrode unter der Oxidhautbedeckung ein leitender Kanal zwischen der Source- und der Drain-Zone gebildet wird und beim anderen Feldeffekttransistor ein solcher Kanal fehlt oder eine wesentlich schlechtere Leitfähigkeit aufweist.
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