NL149640B - Halfgeleiderinrichting met meer dan een schakelelement in een halfgeleiderlichaam en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting met meer dan een schakelelement in een halfgeleiderlichaam en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Info

Publication number
NL149640B
NL149640B NL656507231A NL6507231A NL149640B NL 149640 B NL149640 B NL 149640B NL 656507231 A NL656507231 A NL 656507231A NL 6507231 A NL6507231 A NL 6507231A NL 149640 B NL149640 B NL 149640B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
switching element
semiconductor device
semiconductor
semiconductor body
Prior art date
Application number
NL656507231A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL6507231A (de
Inventor
Else Dr Kooi
Aant Bouwe Daniel Van Der Meer
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL656507231A priority Critical patent/NL149640B/xx
Priority to US553409A priority patent/US3580745A/en
Priority to DE1564406A priority patent/DE1564406C3/de
Priority to GB24575/66A priority patent/GB1147205A/en
Priority to SE7577/66A priority patent/SE344657B/xx
Priority to AT524666A priority patent/AT299309B/de
Priority to CH797766A priority patent/CH509669A/de
Priority to FR64128A priority patent/FR1481893A/fr
Priority to BE682092D priority patent/BE682092A/xx
Priority to ES0327508A priority patent/ES327508A1/es
Publication of NL6507231A publication Critical patent/NL6507231A/xx
Priority to ES337433A priority patent/ES337433A1/es
Publication of NL149640B publication Critical patent/NL149640B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
    • H01L27/0623—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/053—Field effect transistors fets
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/106—Masks, special
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/117—Oxidation, selective
NL656507231A 1965-06-05 1965-06-05 Halfgeleiderinrichting met meer dan een schakelelement in een halfgeleiderlichaam en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. NL149640B (nl)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL656507231A NL149640B (nl) 1965-06-05 1965-06-05 Halfgeleiderinrichting met meer dan een schakelelement in een halfgeleiderlichaam en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
US553409A US3580745A (en) 1965-06-05 1966-05-27 Semiconductor device
AT524666A AT299309B (de) 1965-06-05 1966-06-02 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
GB24575/66A GB1147205A (en) 1965-06-05 1966-06-02 Improvements in and relating to semiconductor devices
SE7577/66A SE344657B (de) 1965-06-05 1966-06-02
DE1564406A DE1564406C3 (de) 1965-06-05 1966-06-02 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und danach hergestellte Halbleiteranordnung
CH797766A CH509669A (de) 1965-06-05 1966-06-02 Halbleitervorrichtung mit mehreren auf demselben Halbleiterkörper aufgebauten Schaltungselementen und Verfahren zu deren Herstellung
FR64128A FR1481893A (fr) 1965-06-05 1966-06-03 Dispositif semi-conducteur comportant plus d'un élément de circuit sur un corps semi-conducteur, et procédé de fabrication
BE682092D BE682092A (de) 1965-06-05 1966-06-03
ES0327508A ES327508A1 (es) 1965-06-05 1966-06-03 Dispositivo semiconductor que tiene una pluralidad de elementos de circuito formados sobre el mismo cuerpo semiconductor.
ES337433A ES337433A1 (es) 1965-06-05 1967-03-01 Metodo de fabricacion de un dispositivo semiconductor.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL656507231A NL149640B (nl) 1965-06-05 1965-06-05 Halfgeleiderinrichting met meer dan een schakelelement in een halfgeleiderlichaam en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6507231A NL6507231A (de) 1966-12-06
NL149640B true NL149640B (nl) 1976-05-17

Family

ID=19793311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL656507231A NL149640B (nl) 1965-06-05 1965-06-05 Halfgeleiderinrichting met meer dan een schakelelement in een halfgeleiderlichaam en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US3580745A (de)
AT (1) AT299309B (de)
BE (1) BE682092A (de)
CH (1) CH509669A (de)
DE (1) DE1564406C3 (de)
ES (2) ES327508A1 (de)
GB (1) GB1147205A (de)
NL (1) NL149640B (de)
SE (1) SE344657B (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4015281A (en) * 1970-03-30 1977-03-29 Hitachi, Ltd. MIS-FETs isolated on common substrate
US3861969A (en) * 1970-03-31 1975-01-21 Hitachi Ltd Method for making III{14 V compound semiconductor devices
US4003071A (en) * 1971-09-18 1977-01-11 Fujitsu Ltd. Method of manufacturing an insulated gate field effect transistor
US4116721A (en) * 1977-11-25 1978-09-26 International Business Machines Corporation Gate charge neutralization for insulated gate field-effect transistors
US4140548A (en) * 1978-05-19 1979-02-20 Maruman Integrated Circuits Inc. MOS Semiconductor process utilizing a two-layer oxide forming technique
IT1217323B (it) * 1987-12-22 1990-03-22 Sgs Microelettronica Spa Struttura integrata di transistor bipolare di potenza di alta tensione e di transistor mos di potenza di bassa tensione nella configurazione"emitter switching"e relativo processo di fabbricazione

Also Published As

Publication number Publication date
DE1564406C3 (de) 1978-10-12
GB1147205A (en) 1969-04-02
AT299309B (de) 1972-06-12
ES327508A1 (es) 1967-07-16
DE1564406A1 (de) 1969-09-25
CH509669A (de) 1971-06-30
BE682092A (de) 1966-12-05
SE344657B (de) 1972-04-24
DE1564406B2 (de) 1978-02-09
NL6507231A (de) 1966-12-06
ES337433A1 (es) 1968-02-16
US3580745A (en) 1971-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL153377B (nl) Foto-elektrische inrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL151274B (nl) Werkwijze en inrichting voor het bekleden van een ondergrond met een polymeer materiaal.
NL150887B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bevestigingsorgaan, alsmede volgens deze werkwijze vervaardigd bevestigingsorgaan.
NL6817025A (nl) Inrichting voor het met elkaar in aanraking brengen van gas en vloeistof.
NL144733B (nl) Analytisch proefpakket en inrichting voor het behandelen daarvan.
NL161617B (nl) Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL162791C (nl) Werkwijze voor het samenstellen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
NL148654B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL142281B (nl) Samengestelde halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL153025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting in een huis en een volgens deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting in een huis.
NL150620B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL149638B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL144775B (nl) Halfgeleiderinrichting met meer dan een halfgeleiderschakelelement in een lichaam.
NL149640B (nl) Halfgeleiderinrichting met meer dan een schakelelement in een halfgeleiderlichaam en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL147333B (nl) Schotel voor het met elkaar in contact brengen van vloeistof en gassen.
NL166820C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een weerstands- element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL155131B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL148189B (nl) Sterkstroomkryotron en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Information provided on patent owner name for an already discontinued patent

Owner name: PHILIPS