DE2018027A1 - Verfahren zum Einbringen extrem feiner öffnungen - Google Patents
Verfahren zum Einbringen extrem feiner öffnungenInfo
- Publication number
- DE2018027A1 DE2018027A1 DE19702018027 DE2018027A DE2018027A1 DE 2018027 A1 DE2018027 A1 DE 2018027A1 DE 19702018027 DE19702018027 DE 19702018027 DE 2018027 A DE2018027 A DE 2018027A DE 2018027 A1 DE2018027 A1 DE 2018027A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- layers
- etching
- substrate
- openings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2861969A JPS5231711B1 (enrdf_load_stackoverflow) | 1969-04-15 | 1969-04-15 | |
JP2895769A JPS4824355B1 (enrdf_load_stackoverflow) | 1969-04-16 | 1969-04-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2018027A1 true DE2018027A1 (de) | 1970-10-22 |
Family
ID=26366757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19702018027 Pending DE2018027A1 (de) | 1969-04-15 | 1970-04-15 | Verfahren zum Einbringen extrem feiner öffnungen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2018027A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
GB (1) | GB1292060A (enrdf_load_stackoverflow) |
NL (1) | NL7005296A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2312856A1 (fr) * | 1975-05-27 | 1976-12-24 | Fairchild Camera Instr Co | Procede de gravure des bords et structure pour produire des ouvertures etroites aboutissant a la surface de matieres |
DE2703013A1 (de) * | 1976-02-02 | 1977-08-11 | Intel Corp | Verfahren zur bildung eines schmalen spalts bzw. schlitzes in einer materialschicht |
FR2382770A1 (fr) * | 1977-01-26 | 1978-09-29 | Mostek Corp | Procede de formation de tres petites ouvertures de contact dans un dispositif de circuit integre |
EP0021931A1 (fr) * | 1979-06-22 | 1981-01-07 | Thomson-Csf | Procédé d'auto-alignement de régions différemment dopées d'une structure de semiconducteur, et application du procédé à la fabrication d'un transistor |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6047725B2 (ja) * | 1977-06-14 | 1985-10-23 | ソニー株式会社 | フエライトの加工法 |
GB2202236B (en) * | 1987-03-09 | 1991-04-24 | Philips Electronic Associated | Manufacture of electronic devices comprising cadmium mercury telluride |
-
1970
- 1970-04-14 NL NL7005296A patent/NL7005296A/xx unknown
- 1970-04-14 GB GB07585/70A patent/GB1292060A/en not_active Expired
- 1970-04-15 DE DE19702018027 patent/DE2018027A1/de active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2312856A1 (fr) * | 1975-05-27 | 1976-12-24 | Fairchild Camera Instr Co | Procede de gravure des bords et structure pour produire des ouvertures etroites aboutissant a la surface de matieres |
DE2703013A1 (de) * | 1976-02-02 | 1977-08-11 | Intel Corp | Verfahren zur bildung eines schmalen spalts bzw. schlitzes in einer materialschicht |
FR2382770A1 (fr) * | 1977-01-26 | 1978-09-29 | Mostek Corp | Procede de formation de tres petites ouvertures de contact dans un dispositif de circuit integre |
EP0021931A1 (fr) * | 1979-06-22 | 1981-01-07 | Thomson-Csf | Procédé d'auto-alignement de régions différemment dopées d'une structure de semiconducteur, et application du procédé à la fabrication d'un transistor |
FR2460037A1 (fr) * | 1979-06-22 | 1981-01-16 | Thomson Csf | Procede d'auto-alignement de regions differemment dopees d'une structure de semi-conducteur |
US4311533A (en) | 1979-06-22 | 1982-01-19 | Thomson-Csf | Method of making self-aligned differently doped regions by controlled thermal flow of photoresist layer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7005296A (enrdf_load_stackoverflow) | 1970-10-19 |
GB1292060A (en) | 1972-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2646308C3 (de) | Verfahren zum Herstellen nahe beieinander liegender elektrisch leitender Schichten | |
DE1589810C3 (de) | Passiviertes Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3939319C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines asymmetrischen Feldeffekttransistors | |
DE2703877A1 (de) | Mis-feldeffekttransistor mit kurzer kanallaenge | |
EP0005185B1 (de) | Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von Schottky-Sperrschichtdioden und ohmschen Kontakten nach dotierten Halbleiterzonen | |
DE2142146A1 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung | |
DE2726003A1 (de) | Verfahren zur herstellung von mis- bauelementen mit versetztem gate | |
DE2048915A1 (de) | Verfahren zur Veränderung von Eigen schäften eines metallischen Films | |
DE1930669A1 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE4130555A1 (de) | Halbleitervorrichtung mit hoher durchbruchsspannung und geringem widerstand, sowie herstellungsverfahren | |
DE2911484C2 (de) | Metall-Isolator-Halbleiterbauelement | |
DE1614148B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer elektrode fuer halbleiter bauelemente | |
DE2621165A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines metallkontaktes | |
DE2123595A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE2132034A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Zwischenverbindungen fuer elektrische Baueinheiten auf Festkoerpern | |
DE2023936A1 (de) | Halbleitereinrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2018027A1 (de) | Verfahren zum Einbringen extrem feiner öffnungen | |
DE69215956T2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Kontakts auf einem Halbleiterbauelement | |
DE2134291A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE1908901C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen kleiner Abmessungen | |
DE1564136A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
DE1614310C3 (de) | Verfahren zum Anbringen eines elektrischen Anschlusses auf einer Fläche eines elektronischen Bauelementes | |
DE2128360A1 (de) | Verfahren zur Bildung von ohmschen Kontakten an Metall Isolator Halbleiter bauteilen | |
DE2330645C3 (de) | Verfahren zum Kontaktieren von integrierten Schaltungen | |
DE2058930C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Isolierschicht-Feldeffekttransistors mit einer Gate-Isolierschicht aus einer Oxydschicht und einer Nitridschicht |